一種半導體橋多晶硅制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制備技術領域，尤其涉及一種半導體橋多晶硅制備方法。
【背景技術】
[0002]半導體橋火工品具有電阻負溫度特性、邊緣汽化效應、硅熔化時電阻率突降、低熔點和電離等優(yōu)點，已成為火工品首選器件，廣泛應用于火箭、衛(wèi)星、飛船、飛行員救生以及民用工程爆破、火藥動力等裝置。多晶硅半導體橋是半導體橋中性價比最好的一種，是各國公司重點開發(fā)的產品。但是，多晶硅半導體橋加工中，多晶硅淀積的顆粒、厚度、摻雜等對多晶硅半導體橋的性能影響非常嚴重。多晶硅厚度太厚會產生龜裂現(xiàn)象，顆粒不均勻會影響多晶硅汽化產生等離子體的時間和臨界電流。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種方法簡單、易操作，獲得的橋多晶硅顆粒均勻、摻雜濃度高，電阻變化小，性能更加穩(wěn)定的半導體橋多晶硅制備方法。
[0004]本發(fā)明解決上述技術問題的技術方案如下:一種半導體橋多晶硅制備方法，包括如下步驟:
[0005]采用低壓力化學氣相沉積法淀積多晶硅薄膜；
[0006]在多晶硅薄膜上腐蝕出多晶硅橋，并濺射鈦鎢金；
[0007]利用光刻法將電阻的兩個端頭露出，其余地方用光刻膠遮擋；
[0008]以鈦鎢金為底金，進行電鍍金；
[0009]去掉光刻膠，腐蝕掉光刻膠保護的建設鈦鎢金，并進行清洗；
[0010]將半導體多晶硅在氮氣環(huán)境下退火處理得到半導體橋多晶硅。
[0011]在上述技術方案的基礎上，本發(fā)明還可以做如下改進。
[0012]進一步，所述采用低壓力化學氣相沉積法淀積多晶硅薄膜步驟的具體實現(xiàn)如下:
[0013]采用低壓力化學氣相沉積法，在400?600°C溫度條件下淀積多晶硅薄膜。
[0014]進一步，所述以鈦鎢金為底金，進行電鍍金步驟的具體實現(xiàn)如下:
[0015]以鈦鶴金為底金，進行電鍍金，厚度為2?4μ m。
[0016]進一步，所述將半導體多晶硅在氮氣環(huán)境下退火處理得到半導體橋多晶硅步驟的具體實現(xiàn)如下:
[0017]將半導體多晶硅在氮氣環(huán)境、400?550°C溫度條件下退火20?60min得到半導體橋多晶硅。
[0018]本發(fā)明的有益效果是:
[0019]1.方法簡單、易操作；
[0020]2.獲得的橋多晶硅顆粒均勻、摻雜濃度高，電阻變化小，性能更加穩(wěn)定。
【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明一種半導體橋多晶硅制備方法流程示意圖。
【具體實施方式】
[0022]以下結合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0023]如圖1所示，一種半導體橋多晶硅制備方法，包括如下步驟:
[0024]采用低壓力化學氣相沉積法淀積多晶硅薄膜；
[0025]在多晶硅薄膜上腐蝕出多晶硅橋，并濺射鈦鎢金；
[0026]利用光刻法將電阻的兩個端頭露出，其余地方用光刻膠遮擋；
[0027]以鈦鎢金為底金，進行電鍍金；
[0028]去掉光刻膠，腐蝕掉光刻膠保護的建設鈦鎢金，并進行清洗；
[0029]將半導體多晶硅在氮氣環(huán)境下退火處理得到半導體橋多晶硅。
[0030]實施例1:
[0031]采用低壓力化學氣相沉積法，在400°C溫度條件下淀積多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜上腐蝕出多晶硅橋，并濺射鈦鎢金；利用光刻法將電阻的兩個端頭露出，其余地方用光刻膠遮擋；以鈦鎢金為底金，進行電鍍金，厚度為2μπι;去掉光刻膠，腐蝕掉光刻膠保護的建設鈦鎢金，并進行清洗；將半導體多晶硅在氮氣環(huán)境、400°C溫度條件下退火20min得到半導體橋多晶娃。
[0032]實施例2:
[0033]采用低壓力化學氣相沉積法，在500°C溫度條件下淀積多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜上腐蝕出多晶硅橋，并濺射鈦鎢金；利用光刻法將電阻的兩個端頭露出，其余地方用光刻膠遮擋；以鈦鎢金為底金，進行電鍍金，厚度為3μπι;去掉光刻膠，腐蝕掉光刻膠保護的建設鈦鎢金，并進行清洗；將半導體多晶硅在氮氣環(huán)境、450°C溫度條件下退火30min得到半導體橋多晶娃。
[0034]實施例3:
[0035]采用低壓力化學氣相沉積法，在600°C溫度條件下淀積多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜上腐蝕出多晶硅橋，并濺射鈦鎢金；利用光刻法將電阻的兩個端頭露出，其余地方用光刻膠遮擋；以鈦鎢金為底金，進行電鍍金，厚度為4μπι;去掉光刻膠，腐蝕掉光刻膠保護的建設鈦鎢金，并進行清洗；將半導體多晶硅在氮氣環(huán)境、550°C溫度條件下退火60min得到半導體橋多晶娃。
[0036]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種半導體橋多晶硅制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 采用低壓力化學氣相沉積法淀積多晶硅薄膜； 在多晶硅薄膜上腐蝕出多晶硅橋，并濺射鈦鎢金； 利用光刻法將電阻的兩個端頭露出，其余地方用光刻膠遮擋； 以鈦鶴金為底金，進行電鍍金； 去掉光刻膠，腐蝕掉光刻膠保護的建設鈦鎢金，并進行清洗； 將半導體多晶硅在氮氣環(huán)境下退火處理得到半導體橋多晶硅。
2.根據(jù)權利要求1所述一種半導體橋多晶硅制備方法，其特征在于，所述采用低壓力化學氣相沉積法淀積多晶硅薄膜步驟的具體實現(xiàn)如下: 采用低壓力化學氣相沉積法，在400?600°C溫度條件下淀積多晶硅薄膜。
3.根據(jù)權利要求1所述一種半導體橋多晶硅制備方法，其特征在于，所述以鈦鎢金為底金，進行電鍍金步驟的具體實現(xiàn)如下: 以鈦鶴金為底金，進行電鍍金，厚度為2?4μ m。
4.根據(jù)權利要求1所述一種半導體橋多晶硅制備方法，其特征在于，所述將半導體多晶硅在氮氣環(huán)境下退火處理得到半導體橋多晶硅步驟的具體實現(xiàn)如下: 將半導體多晶娃在氮氣環(huán)境、400?550°C溫度條件下退火20?60min得到半導體橋多晶娃。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種半導體橋多晶硅制備方法，包括如下步驟：采用低壓力化學氣相沉積法淀積多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜上腐蝕出多晶硅橋，并濺射鈦鎢金；利用光刻法將電阻的兩個端頭露出，其余地方用光刻膠遮擋；以鈦鎢金為底金，進行電鍍金；去掉光刻膠，腐蝕掉光刻膠保護的建設鈦鎢金，并進行清洗；將半導體多晶硅在氮氣環(huán)境下退火處理得到半導體橋多晶硅。本發(fā)明方法簡單、易操作，獲得的橋多晶硅顆粒均勻、摻雜濃度高，電阻變化小，性能更加穩(wěn)定。
【IPC分類】H01L21-02
【公開號】CN104538281
【申請?zhí)枴緾N201410566207
【發(fā)明人】周祖渝
【申請人】重慶市旭星化工有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年10月22日