本實用新型涉及一種半導(dǎo)體橋電子起爆裝置，屬于爆破領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

隨著工程爆破應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展，對各種引爆裝置的研究越來越多，采用半導(dǎo)體橋芯片作為發(fā)火元件是一種新的火工品技術(shù)，具有作用迅速，安全性好等特點。當(dāng)輸入發(fā)火電流或電壓時，電流通過半導(dǎo)體橋換能元時產(chǎn)生等離子體并放熱，引燃含能材料。隨著起爆裝置應(yīng)用的環(huán)境越來越惡劣，由點火電路或周圍的電磁環(huán)境產(chǎn)生的靜電、電磁波、雜散電流等的輻射和干擾越來越強，這些雜散電流產(chǎn)生的熱量蓄積到一定程度很容易使半導(dǎo)體橋蒸發(fā)并釋放熱量，繼而引燃含能材料，給使用帶來很大的安全隱患。為了解決這樣的問題，通常采用的方法是將半導(dǎo)體橋和含能材料隔開，從而保證安全，但是當(dāng)需要正常引爆時，由于半導(dǎo)體橋和含能材料有間隔，半導(dǎo)體橋產(chǎn)生的熱量不足以引燃含能材料，或者需要更長時間的能量蓄積才能引爆，造成反應(yīng)遲鈍的現(xiàn)象，尤其當(dāng)含能材料對等離子體依賴性較強時，間隔開甚至無法引爆，降低了使用性能，不能滿足實際應(yīng)用的要求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實用新型的目的是提供一種能夠保證使用安全、性能可靠，適用于各種含能材料的半導(dǎo)體橋電子起爆裝置。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是：一種半導(dǎo)體橋電子起爆裝置，包括圓柱筒，所述圓柱筒底部設(shè)有封底蓋，上部設(shè)有頂蓋，圓柱筒內(nèi)部填充含能材料，所述含能材料表面覆蓋活性箔層，所述活性箔層上表面設(shè)有墊片，所述墊片的外環(huán)與圓柱筒的內(nèi)表面接觸，墊片的上表面與頂蓋位于圓柱筒內(nèi)側(cè)的表面接觸，所述頂蓋位于圓柱筒內(nèi)側(cè)的表面中部嵌有半導(dǎo)體橋，兩根點火導(dǎo)線從外部穿過頂蓋進入圓柱筒，且分別通過引線連接至半導(dǎo)體橋。

優(yōu)選的，所述墊片厚度為0.5-1.0mm。

優(yōu)選的，所述活性箔層為氣相沉積形成的Al-Ni層。

優(yōu)選的，所述活性箔層為由Al-Ti層、Ti-非晶硅中的一層或多層組合形成。

優(yōu)選的，所述活性箔層厚度為60-150μm。

優(yōu)選的，所述其中一根點火導(dǎo)線穿過頂蓋的部位套設(shè)絕緣套管。

進一步的，還包括一根導(dǎo)火索，所述導(dǎo)火索置于含能材料中，且穿過封底蓋延伸至外部。

本實用新型的設(shè)計保證了正常引爆、使用性能可靠；由于墊片內(nèi)環(huán)、活性箔層及頂蓋圍成的腔體的隔離，雜散電流產(chǎn)生的熱量無法在短時間內(nèi)加熱半導(dǎo)體橋使其產(chǎn)生等離子體，并且即使產(chǎn)生電阻熱，由于其加熱溫度和加熱速度很低，無法引燃設(shè)置的活性箔層，含能材料不會受到高溫影響，也不會被點燃，保證了使用安全。

附圖說明

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實用新型的剖面圖；

圖中，10.圓柱筒，11.封底蓋，12.頂蓋，20.含能材料，30.活性箔層，40.墊片，50.半導(dǎo)體橋，60.點火導(dǎo)線，61.引線，62.絕緣套管，70.導(dǎo)火索。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步詳細說明。

如圖所示，一種半導(dǎo)體橋電子起爆裝置，包括圓柱筒10，所述圓柱筒10底部設(shè)有封底蓋11，上部設(shè)有頂蓋12，圓柱筒10內(nèi)部填充含能材料20，所述含能材料20表面覆蓋活性箔層30，所述活性箔層30上表面設(shè)有墊片40，所述墊片40的外環(huán)與圓柱筒10的內(nèi)表面接觸，墊片40的上表面與頂蓋12位于圓柱筒10內(nèi)側(cè)的表面接觸，所述頂蓋12位于圓柱筒10內(nèi)側(cè)的表面中部嵌有半導(dǎo)體橋50，兩根點火導(dǎo)線60從外部穿過頂蓋12進入圓柱筒10，且分別通過引線61連接至半導(dǎo)體橋50。

優(yōu)選的，為了保證足夠的間隔，同時避免引爆延遲的現(xiàn)象，所述墊片40厚度為0.8-1.0mm，經(jīng)試驗，采用這樣的厚度最佳。

優(yōu)選的，所述活性箔層30為氣相沉積形成的Al-Ni層，氣相沉積形成的Al-Ni層能夠在溫度升至250℃、并且升溫速度在200℃/min時被瞬間點燃，繼而引爆含能材料20，提高使用的可靠性。

優(yōu)選的，所述活性箔層30為由Al-Ti層、Ti-非晶硅中的一層或多層組合形成。

優(yōu)選的，所述活性箔層30厚度為60-130μm。

優(yōu)選的，為了避免兩根點火導(dǎo)線60發(fā)生電磁干擾或出現(xiàn)短路，所述其中一根點火導(dǎo)線60穿過頂蓋12的部位套設(shè)絕緣套管62。

進一步的，還包括一根導(dǎo)火索70，所述導(dǎo)火索70置于含能材料20中，且穿過封底蓋11延伸至外部。含能材料20被激發(fā)引爆后，點燃導(dǎo)火索70，導(dǎo)火索70外部可與射孔器或其他爆炸裝置連接，直接快速引爆爆炸裝置。

使用時，點火導(dǎo)線60外部接到點火電路上，需要引爆時，啟動點火電路，電流流經(jīng)點火導(dǎo)線60，并經(jīng)引線61引至半導(dǎo)體橋50中，半導(dǎo)體橋50蒸發(fā)，產(chǎn)生等離子體并瞬間快速釋放熱量，密集的能量釋放使活性箔層30受熱并被激發(fā)點燃，活性箔層30直接激活并引燃含能材料20，完成引爆過程。正常安裝時，即使周圍有電磁環(huán)境產(chǎn)生的靜電、電磁波、雜散電流等的輻射和干擾，由于墊片40內(nèi)環(huán)、活性箔層30及頂蓋12圍成的腔體的隔離，雜散電流產(chǎn)生的熱量無法在短時間內(nèi)加熱半導(dǎo)體橋50使其產(chǎn)生等離子體，并且即使產(chǎn)生電阻熱，由于其加熱溫度和加熱速度很低，無法引燃設(shè)置的活性箔層30，含能材料20不會受到高溫影響，也不會被點燃，保證了使用安全。