1.阻氣性層合體，其具有：具有基材和改性促進(jìn)層的基材單元，和在所述基材單元的改性促進(jìn)層一側(cè)形成的阻氣層；所述阻氣性層合體的特征在于：
所述改性促進(jìn)層在23℃下的彈性模量低于30GPa，
所述基材單元在溫度為40℃、相對(duì)濕度為90%下的水蒸氣透過率為1.0g/(m2·天)以下，
所述阻氣層是對(duì)在所述基材單元的改性促進(jìn)層一側(cè)形成的含有聚硅氮烷系化合物的層的表面實(shí)施改性處理而形成的層。
2.權(quán)利要求1所述的阻氣性層合體，其中，所述改性促進(jìn)層的厚度為2μm以下。
3.權(quán)利要求1所述的阻氣性層合體，其中，所述改性促進(jìn)層將無機(jī)化合物作為主要成分。
4.權(quán)利要求3所述的阻氣性層合體，其中，所述無機(jī)化合物為氧化鋅錫或氧化硅。
5.權(quán)利要求1所述的阻氣性層合體，其中，所述阻氣層中，從與阻氣層的基材單元一側(cè)相反的一側(cè)的面向阻氣層內(nèi)部，具有通過所述改性處理改性的區(qū)域，
所述改性的區(qū)域的厚度為14nm~9.9μm。
6.權(quán)利要求5所述的阻氣性層合體，其中，所述改性的區(qū)域的厚度相對(duì)于阻氣層厚度的比例為10%以上。
7.權(quán)利要求5所述的阻氣性層合體，其中，所述改性的區(qū)域中氮原子含量相對(duì)于氧原子含量的比例為30摩爾%以上。
8.權(quán)利要求5所述的阻氣性層合體，其中，所述改性的區(qū)域含有氧氮化硅。
9.權(quán)利要求1所述的阻氣性層合體，其在溫度為40℃、相對(duì)濕度為90%下的水蒸氣透過率為0.02g/(m2·天)以下。
10.阻氣性層合體的制備方法，其是權(quán)利要求1所述的阻氣性層合體的制備方法，具有通過等離子體CVD法、大氣壓等離子體CVD法、反應(yīng)性濺射法中的任一種方法將所述改性促進(jìn)層在基材上成膜的工序。
11.電子器件用部件，其由權(quán)利要求1所述的阻氣性層合體構(gòu)成。
12.電子器件，其具備權(quán)利要求11所述的電子器件用部件。