一種ZnO生長裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種ZnO生長裝置，包括圓柱形主體，所述圓柱形主體兩端分別設(shè)置有氣體輸入口、氣體輸出口，所述圓柱形主體頂端設(shè)置有粉末盒，所述粉末盒底端與粉末通道連接，所述粉末通道與第一加熱臺(tái)連接，所述第一加熱臺(tái)下方設(shè)置有高溫加熱裝置，所述第一加熱臺(tái)前側(cè)設(shè)置有第二冷處理臺(tái)，所述冷處理臺(tái)下方設(shè)置有冷處理裝置。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，所生長的ZnO納米線均勻，穩(wěn)定。
【專利說明】-種ZnO生長裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種制備設(shè)備，尤其涉及一種ZnO生長裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，基于一維納米結(jié)構(gòu)如納米線、棒、帶和管在載流子的注入與傳輸方面具有 明顯的優(yōu)勢和更適于納米尺度器件的制備，而受到越來越多的關(guān)注[1?3]。合成、表征和 研究一維納米材料有利于研究低維系統(tǒng)的維度與量子限制效應(yīng)對(duì)系統(tǒng)的電學(xué)、熱學(xué)和機(jī)械 性質(zhì)的影響，有助于研究納米尺度電子學(xué)、光電子學(xué)單元器件的功能性質(zhì)，有益于開發(fā)出高 性能的新一代納米器件。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0003] 本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種結(jié)構(gòu)簡單，所生長的ZnO納米線均 勻，穩(wěn)定的生長裝置。
[0004] 本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：一種ZnO生長裝置，包括圓柱形 主體，所述圓柱形主體兩端分別設(shè)置有氣體輸入口、氣體輸出口，所述圓柱形主體頂端設(shè)置 有粉末盒，所述粉末盒底端與粉末通道連接，所述粉末通道與第一加熱臺(tái)連接，所述第一加 熱臺(tái)下方設(shè)置有高溫加熱裝置，所述第一加熱臺(tái)前側(cè)設(shè)置有第二冷處理臺(tái)，所述冷處理臺(tái) 下方設(shè)置有冷處理裝置。
[0005] 所述粉末盒中ZnO粉末源通過粉末通道到達(dá)第一加熱臺(tái)，所述氣體輸入口、輸出 口用于惰性氣體的輸入、輸出，以排除裝置生長ZnO過程的空氣、水分，同時(shí)將第一加熱平 臺(tái)分解的ZnO粉末流動(dòng)到第二冷處理臺(tái)上，進(jìn)行還原冷處理得到均勻的ZnO納米線。
[0006] 在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn)。
[0007] 進(jìn)一步，所述第一加熱臺(tái)與第二冷處理臺(tái)相距20-50cm，所述第一加熱臺(tái)與第二冷 處理臺(tái)太近所生長的ZnO納米線直徑太粗，容易導(dǎo)致ZnO不均勻，所述一加熱臺(tái)與第二冷處 理臺(tái)太遠(yuǎn)所生長的ZnO納米線直徑太細(xì)，無法保證ZnO結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。
[0008] 進(jìn)一步，所述第二冷處理臺(tái)底面為Cr玻璃，所述Cr玻璃襯底具有較好吸附性。
[0009] 本實(shí)用新型的有益效果是：結(jié)構(gòu)簡單，所生長的ZnO納米線均勻，穩(wěn)定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010] 圖1為本實(shí)用新型一種ZnO生長裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011] 附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下：1、氣體輸入口，2、第一加熱臺(tái)，3、粉末盒， 4、粉末通道，5、圓柱形主體，6、氣體輸出口，7、第二冷處理臺(tái)，8,第二冷處理裝置，9、第一加 熱裝置。

【具體實(shí)施方式】
[0012] 以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用 新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。
[0013] 如圖1所示，一種ZnO生長裝置，包括圓柱形主體5,所述圓柱形主體5兩端分別設(shè) 置有氣體輸入口 1、氣體輸出口 6,所述圓柱形主1體頂端設(shè)置有粉末盒3,所述粉末盒3底 端與粉末通道4連接，所述粉末通道4與第一加熱臺(tái)2連接，所述第一加熱臺(tái)2下方設(shè)置有 高溫加熱裝置9,所述第一加熱臺(tái)2前側(cè)設(shè)置有第二冷處理臺(tái)7,所述冷處理臺(tái)7下方設(shè)置 有冷處理裝置8。
[0014] 所述粉末盒3中ZnO粉末源通過粉末通道4到達(dá)第一加熱臺(tái)2,所述氣體輸入口 1、輸出口 6用于惰性氣體的輸入、輸出，以排除裝置生長ZnO過程的空氣、水分，同時(shí)將第一 加熱平臺(tái)2分解的ZnO粉末流動(dòng)到第二冷處理臺(tái)7上，進(jìn)行還原冷處理得到均勻的ZnO納 米線。
[0015] 所述第一加熱臺(tái)2與第二冷處理臺(tái)7相距20-50cm，所述第一加熱臺(tái)2與第二冷處 理臺(tái)7太近所生長的ZnO納米線直徑太粗，容易導(dǎo)致ZnO不均勻，所述一加熱臺(tái)2與第二冷 處理臺(tái)7太遠(yuǎn)所生長的ZnO納米線直徑太細(xì)，無法保證ZnO結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性；所述第二冷處理 臺(tái)7底面為Cr玻璃，所述Cr玻璃襯底具有較好吸附性。
[0016] 以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用 新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保 護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種ZnO生長裝置，其特征在于，包括圓柱形主體，所述圓柱形主體兩端分別設(shè)置有 氣體輸入口、氣體輸出口，所述圓柱形主體頂端設(shè)置有粉末盒，所述粉末盒底端與粉末通道 連接，所述粉末通道與第一加熱臺(tái)連接，所述第一加熱臺(tái)下方設(shè)置有高溫加熱裝置，所述第 一加熱臺(tái)前側(cè)設(shè)置有第二冷處理臺(tái)，所述第二冷處理臺(tái)下方設(shè)置有冷處理裝置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種ZnO生長裝置，其特征在于，所述第一加熱臺(tái)與第二冷處理 臺(tái)相距20_50cm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種ZnO生長裝置，其特征在于，所述第二冷處理臺(tái)底面為Cr 玻璃。
【文檔編號(hào)】C30B29/16GK204023001SQ201420477489
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月22日
【發(fā)明者】夏洪貴, 趙國選 申請(qǐng)人:重慶市佳新美科技有限公司