含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板及其制備工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板及其制備工藝，含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板：陶瓷基板中設(shè)有若干通孔，通孔是通過沿陶瓷基板用陶瓷片厚度方向貫穿打孔形成的，通孔的上下兩個孔口的面積不相等，且通孔中設(shè)有填充銅柱。該高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，包括步驟：1）沿陶瓷片厚度方向貫穿打孔；2）對打孔后的陶瓷片依次濺射緩沖層和導(dǎo)電層；3）電鍍銅，使得孔的下口被封閉，獲得盲孔；4）繼續(xù)電鍍，使得盲孔被充滿。本發(fā)明的產(chǎn)品的通孔的上下孔口面積不等，對其進行填充，可以避免柱形孔填孔的問題，將本發(fā)明的產(chǎn)品用于多層陶瓷線路板互連時，有利于多層之間的定位連接，實現(xiàn)上下兩側(cè)的電路導(dǎo)通。
【專利說明】含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板及其制備工藝【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板及其制備工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]由于大功率高導(dǎo)熱的需求，氧化鋁陶瓷片或氮化鋁陶瓷片被廣泛用作電路絕緣基板。但是，氧化鋁陶瓷的導(dǎo)熱率為20W/mK，氮化鋁陶瓷的導(dǎo)熱率為160W/mK，這種導(dǎo)熱率還是滿足不了要求。需要使用銅柱，將基板的電流和熱量，從正面?zhèn)鲗?dǎo)至背面，銅的導(dǎo)熱率為380ff/mKo
[0003]有時陶瓷線路板需要多層連在一起，做成多層線路板，使用銅柱也可以實現(xiàn)這一設(shè)計方案，形成多層3D互聯(lián)陶瓷線路板。這種導(dǎo)熱方式，可以有效地將芯片熱量從正面通過銅柱傳導(dǎo)到背面的散熱器。當背面的銅層與散熱器用金屬焊接在一起，就可以實現(xiàn)高效散熱的目的。
[0004]目前現(xiàn)有技術(shù):(1)陶瓷電路通過導(dǎo)熱膠和散熱器連接在一起。(2)陶瓷基板打孔后，使用電鍍銅的方式實現(xiàn)通孔鍍銅，但是這種孔是柱形孔，非錐形孔洞。這需要先采用脈沖電源，在中間形成連接，再使用直流電源和填孔鍍液，兩側(cè)生長，獲得填孔效果。這種操作方式，需要使用兩套設(shè)備和兩種鍍液，效率低下，需要調(diào)整的因素較多，工藝的穩(wěn)定性差，產(chǎn)品質(zhì)量存在較多不可控的因素。(3)某些國外產(chǎn)品使用灌入導(dǎo)熱銀漿，再燒結(jié)，然后再鍍銅。燒結(jié)后的銀漿是混合物，熱導(dǎo)性能差，不如銅高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板及其制備工藝。
[0006]本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是:
含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板，陶瓷基板中設(shè)有若干通孔，通孔是通過沿陶瓷片厚度方向貫穿打孔形成的，通孔的上下兩個孔口的面積不相等，且通孔中設(shè)有填充銅柱。
[0007]所述的通孔的內(nèi)壁上依次設(shè)有緩沖層、導(dǎo)電層；所述陶瓷片的表面上依次設(shè)有緩沖層、導(dǎo)電層。
[0008]通孔的上孔口為任意形狀的幾何圖形，和上孔口等面積的圓的直徑設(shè)為Cl1, Cl1為100-200 μ m;通孔的下孔口為任意形狀的幾何圖形，和下孔口等面積的圓的直徑設(shè)為d2，d2為30-80 μ m ;陶瓷片的厚度設(shè)為h，h為0.1-lmm。
[0009]tan5° ^ Cd1- d2) / (2Xh) < tan45°。
[0010]所述的緩沖層為T1、Mo、W中的至少兩種形成的合金層；所述的緩沖層的厚度為50-850 A0
[0011]所述的導(dǎo)電層為Ag、Cu、Au、Al、N1、Fe中的一種形成的金屬層或其中至少兩種形成的合金層；所述的導(dǎo)電層的厚度為50-850 L
[0012]所述的陶瓷基板用陶瓷片為氧化鋁陶瓷片或氮化鋁陶瓷片。
[0013]所述的含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，包括以下步驟:1)沿陶瓷基板用陶瓷片厚度方向貫穿打孔，通孔的上孔口為任意形狀的幾何圖形，和上孔口等面積的圓的直徑設(shè)為Cl1,屯為100-200μπι;通孔的下孔口為任意形狀的幾何圖形，和下孔口等面積的圓的直徑設(shè)為d2, d2為30-80 μ m ;陶瓷片的厚度設(shè)為h, h為0.1-1mm ; ；tan5° <(d「d2) / (2Xh) < tan45。；
2)對打孔后的陶瓷片依次濺射緩沖層和導(dǎo)電層；所述的緩沖層為T1、Mo、W中的至少兩種形成的合金層；所述的緩沖層的厚度為50-850 A ;所述的導(dǎo)電層為Ag、Cu、Au、Al、N1、Fe中的一種形成的金屬層或其中至少兩種形成的合金層；所述的導(dǎo)電層的厚度為50-850 A ；
3)電鍍銅，使得孔的下口被封閉，獲得盲孔；
4)繼續(xù)電鍍，使得盲孔被充滿。
[0014]步驟3)中，電鍍銅為直流電鍍銅或脈沖電鍍銅；步驟4)中，繼續(xù)電鍍?yōu)橹绷麟婂兓蛎}沖電鍍。
[0015]步驟4)中，繼續(xù)電鍍?yōu)閱蚊骐婂儭?br> [0016]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的產(chǎn)品的通孔的上下孔口面積不等，對其進行填充，可以避免柱形孔填孔的問題，將本發(fā)明的產(chǎn)品用于多層陶瓷線路板互連時，有利于多層之間的定位連接，實現(xiàn)上下兩側(cè)的電路導(dǎo)通。
[0017]具體來說:
本發(fā)明的產(chǎn)品的通孔的上下孔口面積不等，對此種孔進行填充，可以避免柱形孔填孔的問題，不必先脈沖電鍍，再直流電鍍，而可以使用同一種設(shè)備和鍍液，大大簡化了工藝，使得不可控的工藝因素變少，因此大大提高了產(chǎn)品質(zhì)量的可控性、工藝的穩(wěn)定性，也簡化了工藝；由于上下孔口的面積不等，當用于多層陶瓷線路板互連時，有利于多層之間的定位連接。且這種孔可以實現(xiàn)上下兩側(cè)的電路導(dǎo)通。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為打了錐形孔的陶瓷片的剖面圖；
圖2為打孔后的陶瓷片磁控濺射緩沖層、導(dǎo)電層后的剖面圖；
圖3為電鍍銅封閉下孔后的陶瓷片的剖面圖；
圖4為孔被填滿后的陶瓷片的剖面圖。
【具體實施方式】
[0019]含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板:陶瓷基板中設(shè)有若干通孔，通孔是通過沿陶瓷基板用陶瓷片厚度方向貫穿打孔形成的，通孔的上下兩個孔口的面積不相等，且通孔中設(shè)有銅柱；優(yōu)選的，通孔的個數(shù)相對于陶瓷片的上表面(或下表面)的面積為:1-5個/ IOmm2 ；打的通孔的個數(shù)多于I個時，優(yōu)選的，其均勻分布在陶瓷片上。
[0020]貫穿打孔的方式為激光打孔，通過調(diào)節(jié)激光的光斑直徑和能量的方式，進而獲得上下孔口的面積不等的通孔結(jié)構(gòu)。
[0021]所述的通孔的內(nèi)壁上依次設(shè)有緩沖層、導(dǎo)電層；所述陶瓷片的表面上依次設(shè)有緩沖層、導(dǎo)電層。
[0022]通孔的上孔口為任意形狀的幾何圖形，和上孔口等面積的圓的直徑設(shè)為Cl1, Cl1為100-200μπι;通孔的下孔口為任意形狀的幾何圖形，和下孔口等面積的圓的直徑設(shè)為d2，d2為30-80 μ m ;陶瓷片的厚度設(shè)為h，h為0.1-1mm ;通孔的上孔口的邊界線為一條連續(xù)的封閉曲線，通孔的下孔口的邊界線為一條連續(xù)的封閉曲線；優(yōu)選的，通孔的上孔口的邊界線為一條連續(xù)且處處可導(dǎo)的封閉曲線，通孔的下孔口的邊界為一條連續(xù)且處處可導(dǎo)的封閉曲線。
[0023]tan5° ^ Cd1- d2) / (2Xh) < tan45°。
[0024]所述的緩沖層為T1、Mo、W中的至少兩種形成的合金層；所述的緩沖層的厚度為50-850 A0
[0025]所述的導(dǎo)電層為Ag、Cu、Au、Al、N1、Fe中的一種形成的金屬層或其中至少兩種形成的合金層；所述的導(dǎo)電層的厚度為50-850 L[0026]所述的陶瓷基板用陶瓷片為氧化鋁陶瓷片或氮化鋁陶瓷片。
[0027]所述的含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，包括以下步驟:
1)沿陶瓷基板用陶瓷片厚度方向貫穿打孔，通孔的上孔口為任意形狀的幾何圖形，和上孔口等面積的圓的直徑設(shè)為Clpd1為100-200 μ m ;通孔的下孔口為任意形狀的幾何圖形，和下孔口等面積的圓的直徑設(shè)為d2, d2為30-80μηι ;陶瓷片的厚度設(shè)為h, h為0.1-1mm ；tan5° ^Cd1- d2)/ (2Xh) < tan45° ;優(yōu)選的，所打通孔的個數(shù)相對于陶瓷片的上表面(或下表面)的面積為:1-5個/ IOmm2 ;打的通孔的個數(shù)多于I個時，優(yōu)選的，通孔均勻分布在陶瓷片上；通孔的上孔口的邊界線為一條連續(xù)的封閉曲線，通孔的下孔口的邊界線為一條連續(xù)的封閉曲線；優(yōu)選的，通孔的上孔口的邊界線為一條連續(xù)且處處可導(dǎo)的封閉曲線，通孔的下孔口的邊界線為一條連續(xù)且處處可導(dǎo)的封閉曲線；
2)對打孔后的陶瓷片依次濺射緩沖層和導(dǎo)電層；所述的緩沖層為T1、Mo、W中的至少兩種形成的合金層；所述的緩沖層的厚度為50-850 A ;所述的導(dǎo)電層為Ag、Cu、Au、Al、N1、Fe中的一種形成的金屬層或其中至少兩種形成的合金層；所述的導(dǎo)電層的厚度為50-850 A ；
3)電鍍銅，使得孔的下口被封閉，獲得盲孔；
4)繼續(xù)電鍍，使得盲孔被充滿。
[0028]步驟I)中，貫穿打孔的方式為激光打孔，通過調(diào)節(jié)激光的光斑直徑和能量的方式，進而獲得上下孔口的面積不等的通孔結(jié)構(gòu)。
[0029]步驟3)中，電鍍銅為直流電鍍銅或脈沖電鍍銅，優(yōu)選的，為直流電鍍，電鍍的時間為0.5-lh ;步驟4)中，繼續(xù)電鍍?yōu)橹绷麟婂兓蛎}沖電鍍，優(yōu)選的，為直流電鍍，電鍍的時間為 3-4h。
[0030]步驟4)中，繼續(xù)電鍍?yōu)閱蚊骐婂儭?br> [0031]本發(fā)明的含有通孔的高導(dǎo)熱陶瓷基板，原料陶瓷片為氮化鋁時，獲得的最終產(chǎn)品的導(dǎo)熱率為240-250 ff/mK ;原料陶瓷片為氧化鋁時，獲得的最終產(chǎn)品的導(dǎo)熱率為160-180ff/mKo
[0032]下面結(jié)合附圖1-4 (為方便直觀，附圖中的陶瓷片只顯示打一個通孔的情況，且通孔的打孔方式為激光打孔，孔口的邊界線為圓形，這些不作為對專利的限制，僅僅是借助附圖的形式將本發(fā)明的思想直觀的表達出來)對本發(fā)明做進一步的說明:
含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，包括以下步驟:
I)通過調(diào)整激光光斑直徑和能量，沿陶瓷片厚度方向貫穿打孔，孔的上口直徑為100-200 μ m，下口 直徑為 30-80 μ m ；經(jīng)過此步驟處理，形成了如圖1所示的結(jié)構(gòu)，在陶瓷片I上形成了孔11，此孔為錐形孔，上口直徑為100-200 μ m，下口直徑為30-80 μ m ；
2)對打孔后的陶瓷片依次濺射緩沖層和導(dǎo)電層；
經(jīng)過此步驟處理，形成了如圖2所示的結(jié)構(gòu)，含有孔11的陶瓷片I經(jīng)過濺射后，形成了包含緩沖層2和導(dǎo)電層3的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電層3位于緩沖層2上，緩沖層2位于陶瓷片2的表面上以及孔壁上；
3)電鍍銅，使得孔的下口被封閉，獲得盲孔；
經(jīng)過此步驟處理，形成了如圖3所示的結(jié)構(gòu)，陶瓷片I的孔11的底部被封閉，即經(jīng)過電鍍，形成的銅層封閉了孔11的下口，銅層下面依次是導(dǎo)電層3和緩沖層2 ；
4)繼續(xù)電鍍，使得盲孔被充滿。
[0033]經(jīng)過此步驟處理，形成了如圖4所示的結(jié)構(gòu)，陶瓷片I的孔11被填滿，孔中形成了銅柱。
[0034]步驟I)中，陶瓷片為氮化鋁陶瓷片或氧化鋁陶瓷片；陶瓷片的厚度為0.1-1mm ;打孔的數(shù)量為1-5個/IOmm2 ；
tan5°≤(孔的上口直徑-孔的下口直徑)/ (2X陶瓷片的厚度)≤tan45°。
[0035]所述的緩沖層為T1、Mo、W中的至少兩種形成的合金層；所述的緩沖層的厚度為50-850 A0
[0036]所述的導(dǎo)電層為Ag、Cu、Au、Al、N1、Fe中的一種形成的金屬層或其中至少兩種形成的合金層；所述的導(dǎo)電層的厚度為50-850 L
[0037]步驟3)中，電鍍銅為直流電鍍銅或脈沖電鍍銅，優(yōu)選的，為直流電鍍，電鍍的時間為 0.5-lh。
[0038]步驟4)中，繼續(xù)電鍍?yōu)橹绷麟婂兓蛎}沖電鍍，優(yōu)選的，為直流電鍍，電鍍的時間為3~4h0
[0039]步驟4)中，繼續(xù)電鍍?yōu)閱蚊骐婂儭?br> [0040]下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明做進一步的說明:
實施例1:
含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，包括以下步驟:
O通過調(diào)整激光光斑直徑和能量，沿0.1mm厚的氮化鋁陶瓷片(陶瓷片的面尺寸為7mmX7mm)厚度方向貫穿打12個孔，12個孔呈3X4的矩陣均勻分布在陶瓷片上，單個孔的上口直徑為180 μ m，下口直徑為80μπι;
2)對打孔的陶瓷板依次濺射Ti/W緩沖層(緩沖層的厚度:400A，T1、W質(zhì)量比為1:1)和450 A的導(dǎo)電層Cu;
3)直流電鍍銅0.5h，使得孔的下口被封閉，獲得盲孔；
4)繼續(xù)直流電鍍Cu3h，電鍍?yōu)閱蚊骐婂?，使得盲孔被充滿。
[0041]實施例2:
含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，包括以下步驟:
I)通過調(diào)整激光光斑直徑和能量，沿0.38_厚的氮化鋁陶瓷片厚度方向(陶瓷片的面尺寸為7mmX7mm)貫穿打12個孔，12個孔呈3 X 4的矩陣均勻分布在陶瓷片上，孔的上口直徑為120 μ m,下口直徑為40 μ m ; 2)對打孔的陶瓷板依次濺射W/Mo緩沖層(緩沖層的厚度:300A，W、Mo質(zhì)量比為1:1)和300A的導(dǎo)電層Cu ；
3)直流電鍍銅0.5h，使得孔的下口被封閉，獲得盲孔；
4)繼續(xù)直流電鍍Cu2.5h，電鍍?yōu)閱蚊骐婂?，使得盲孔被充滿。
[0042]實施例3:
含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，包括以下步驟:
O通過調(diào)整激光光斑直徑和能量，沿0.38mm厚的氮化鋁陶瓷片(陶瓷片的面尺寸為IOOmmXlOOmm)厚度方向貫穿打4012個孔，4012個孔呈59X68的矩陣均勻分布在陶瓷片上，孔的上口直徑為130 μ m，下口直徑為30μπι ;
2)對打孔的陶瓷板依次濺射W/Mo緩沖層(緩沖層的厚度:300A，W、Mo質(zhì)量比為1:1)和300A的導(dǎo)電層Cu;
3)直流電鍍銅0.3h，使得孔的下口被封閉，獲得盲孔；
4)繼續(xù)直流電鍍Cu3h，電鍍?yōu)閱蚊骐婂?，使得盲孔被充滿。
[0043]實施例4:
含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，包括以下步驟:
O通過調(diào)整激光光斑直徑和能量，沿0.1mm厚的氮化鋁陶瓷片(陶瓷片的面尺寸為IOOmmXlOOmm)厚度方向貫穿打3969個孔，3969個孔呈63X63的矩陣均勻分布在陶瓷片上，孔的上口直徑為150 μ m，下口直徑為50μπι;
2)對打孔的陶瓷板依次濺射W/Mo緩沖層(緩沖層的厚度:850A，W、Mo質(zhì)量比為1:1)和800A的導(dǎo)電層Cu ；
3)直流電鍍銅0.5h，使得孔的下口被封閉，獲得盲孔；
4)繼續(xù)直流電鍍Cu3h，電鍍?yōu)閱蚊骐婂?，使得盲孔被充滿。
[0044]實施例5:
含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，包括以下步驟:
1)通過調(diào)整激光光斑直徑和能量，沿0.635mm厚的氮化鋁陶瓷片厚度方向(陶瓷片的面尺寸為7mmX 7mm)貫穿打16個孔，16個孔以4X4的矩陣均勻分布在陶瓷片上，孔的上口直徑為150 μ m，下口直徑為30 μ m ;
2)對打孔的陶瓷板依次濺射W/Mo緩沖層(緩沖層的厚度:500A，W、Mo質(zhì)量比為1:1)和850A的導(dǎo)電層Ag；
3)直流電鍍銅0.5h，使得孔的下口被封閉，獲得盲孔；
4)繼續(xù)直流電鍍Cu3h，電鍍?yōu)閱蚊骐婂?，使得盲孔被充滿。
[0045]實施例6:
含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，包括以下步驟:
1)通過調(diào)整激光光斑直徑和能量，沿0.635mm厚的氮化鋁陶瓷片厚度方向(陶瓷片的面尺寸為7mmX7mm)貫穿打9個孔，9個孔以3X3的矩陣均勻分布在陶瓷片上，孔的上口直徑為150 μ m，下口直徑為30 μ m ;
2)對打孔的陶瓷板依次濺射W/Mo緩沖層(緩沖層的厚度:500A，W、Mo質(zhì)量比為1:1)和850A的導(dǎo)電層Ag；
3)直流電鍍銅0.5h，使得孔的下口被封閉，獲得盲孔； 4)繼續(xù)直流電鍍Cu3h，電鍍?yōu)閱蚊骐婂?，使得盲孔被充滿。
[0046]實施例7:
含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，包括以下步驟:
1)通過調(diào)整激光光斑直徑和能量，沿0.635mm厚的氮化鋁陶瓷片厚度方向(陶瓷片的面尺寸為7mmX7mm)貫穿打12個孔，12個孔以3X4的矩陣均勻分布在陶瓷片上，孔的上口直徑為200 μ m，下口直徑為80 μ m ;
2)對打孔的陶瓷板依次濺射Ti/Mo緩沖層(緩沖層的厚度:550A，T1、Mo質(zhì)量比為3:1)和600A的導(dǎo)電層Ag ；
3)直流電鍍銅0.6h，使得孔的下口被封閉，獲得盲孔；
4)繼續(xù)直流電鍍Cu3.5h，電鍍?yōu)閱蚊骐婂?，使得盲孔被充滿。
[0047]實施例8:
含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，包括以下步驟:
1)通過調(diào)整激光光斑直徑和能量，沿0.635mm厚的氧化鋁陶瓷片厚度方向(陶瓷片的面尺寸為7mmX7mm)貫穿打12個孔，12個孔以3X4的矩陣均勻分布在陶瓷片上，孔的上口直徑為200 μ m，下口直徑為30 μ m ;
2)對打孔的陶瓷板依次濺射Ti/Mo緩沖層(緩沖層的厚度:50A，Ti,Mo質(zhì)量比為2:1)和5θΑ的導(dǎo)電層Ag ；
3)直流電鍍銅0.5h，使得孔的下口被封閉，獲得盲孔；
4)繼續(xù)直流電鍍Cu4h，電鍍?yōu)閱蚊骐婂?，使得盲孔被充滿。
[0048]實施例中，步驟4)中的繼續(xù)電鍍保持和步驟3)中的直流電鍍維持同樣的電鍍條件(除了電鍍時間不同)、設(shè)備、鍍液。電鍍銅的工藝和鍍液為業(yè)內(nèi)公知常識。
[0049]即步驟3)到步驟4)無需更換設(shè)備、參數(shù)條件與鍍液，工藝大大簡化。
[0050]經(jīng)過測試，實施例1-7制備的產(chǎn)品的導(dǎo)熱率在240-250 ff/mK間，相對于氮化鋁的導(dǎo)熱率提高了不少。實施例8制備的產(chǎn)品的導(dǎo)熱率在160-180 W/mK間。
【權(quán)利要求】
1.含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板，其特征在于:陶瓷基板中設(shè)有若干通孔，通孔是通過沿陶瓷基板用陶瓷片厚度方向貫穿打孔形成的，通孔的上下兩個孔口的面積不相等，且通孔中設(shè)有填充銅柱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板，其特征在于:所述的通孔的內(nèi)壁上依次設(shè)有緩沖層、導(dǎo)電層；所述陶瓷片的表面上依次設(shè)有緩沖層、導(dǎo)電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板，其特征在于:通孔的上孔口為任意形狀的幾何圖形，和上孔口等面積的圓的直徑設(shè)為Cl1, Cl1為100-200 μ m;通孔的下孔口為任意形狀的幾何圖形，和下孔口等面積的圓的直徑設(shè)為(12，(12為30-80 μ m;陶瓷片的厚度設(shè)為h, h為0.1-lmm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板，其特征在于:tan5°(Cd1- d2) / (2Xh) < tan45°。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板，其特征在于:所述的緩沖層為T1、Mo、W中的至少兩種形成的合金層；所述的緩沖層的厚度為50-850 A0
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板，其特征在于:所述的導(dǎo)電層為Ag、Cu、Au、Al、N1、Fe中的一種形成的金屬層或其中至少兩種形成的合金層；所述的導(dǎo)電層的厚度為50-850 A0
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板，其特征在于:所述的陶瓷基板用陶瓷片為氧化鋁陶瓷片或氮化鋁陶瓷片。
8.權(quán)利要求1-7中任意一項所述的含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，其特征在于:包括以下步驟: 1)沿陶瓷基板用陶瓷片厚度方向貫穿打孔，通孔的上孔口為任意形狀的幾何圖形，和上孔口等面積的圓的直徑設(shè)為Clpd1為100-200 μ m ;通孔的下孔口為任意形狀的幾何圖形，和下孔口等面積的圓的直徑設(shè)為d2, d2為30-80μηι ;陶瓷片的厚度設(shè)為h, h為0.1-1mm ；tan5° ^ Cd1- d2) / (2Xh) < tan45。； 2)對打孔后的陶瓷片依次濺射緩沖層和導(dǎo)電層；所述的緩沖層為T1、Mo、W中的至少兩種形成的合金層；所述的緩沖層的厚度為50-850 A ;所述的導(dǎo)電層為Ag、Cu、Au、Al、N1、Fe中的一種形成的金屬層或其中至少兩種形成的合金層；所述的導(dǎo)電層的厚度為50-850 A ； 3)電鍍銅，使得孔的下口被封閉，獲得盲孔； 4)繼續(xù)電鍍，使得盲孔被充滿。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，其特征在于:步驟3)中，電鍍銅為直流電鍍銅或脈沖電鍍銅；步驟4)中，繼續(xù)電鍍?yōu)橹绷麟婂兓蛎}沖電鍍。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的含有填充銅柱的高導(dǎo)熱陶瓷基板的制備工藝，其特征在于:步驟4)中，繼續(xù)電鍍?yōu)閱蚊骐婂儭?br> 【文檔編號】H05K3/40GK103957660SQ201410182204
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年4月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月30日
【發(fā)明者】崔國峰, 趙杰 申請人:惠州市力道電子材料有限公司