布線(xiàn)基板及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明所涉及的布線(xiàn)基板具備：絕緣基板(1)，其在表面具有連接盤(pán)導(dǎo)體層(14)；絕緣層(5)，其形成于該絕緣基板(1)上；導(dǎo)通孔(6)，其從所述絕緣層(5)上表面達(dá)到所述連接盤(pán)導(dǎo)體層(14)；導(dǎo)通導(dǎo)體(7)，其由在該導(dǎo)通孔(6)內(nèi)形成的鍍覆金屬層構(gòu)成；和布線(xiàn)導(dǎo)體(3b)，其形成于該導(dǎo)通導(dǎo)體(7)上并與導(dǎo)通導(dǎo)體(7)電連接，所述導(dǎo)通孔(6)具備由從導(dǎo)通孔(6)的開(kāi)口周緣部向開(kāi)口中央部突出的銅箔形成的突出部(8a)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】布線(xiàn)基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有高密度布線(xiàn)的布線(xiàn)基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有技術(shù)中，作為用于搭載半導(dǎo)體集成電路元件等的半導(dǎo)體元件的布線(xiàn)基板，可以列舉圖3所示的那樣的、主要由絕緣基板21以及絕緣層25以及阻焊層30構(gòu)成的布線(xiàn)
基板B等。
[0003]絕緣基板21具有從上表面直到下表面形成的多個(gè)通孔22。在絕緣基板21的上下表面形成有多個(gè)布線(xiàn)導(dǎo)體23a。在通孔22內(nèi)填充有通孔導(dǎo)體24。絕緣基板21上下表面的布線(xiàn)導(dǎo)體23a彼此之間通過(guò)通孔導(dǎo)體24進(jìn)行電連接。
[0004]絕緣層25粘附于絕緣基板21的上下表面。在絕緣層25的表面，形成有多個(gè)布線(xiàn)導(dǎo)體23b。而且，在絕緣層25形成有將布線(xiàn)導(dǎo)體23a的一部分作為底面的導(dǎo)通孔26。在導(dǎo)通孔26內(nèi)，填充有導(dǎo)通導(dǎo)體27。形成于絕緣基板21的布線(xiàn)導(dǎo)體23a以及形成于絕緣層25的布線(xiàn)導(dǎo)體23b彼此之間經(jīng)由導(dǎo)通導(dǎo)體27進(jìn)行電連接。布線(xiàn)導(dǎo)體23b與導(dǎo)通導(dǎo)體27 —體地形成。在絕緣層25的上下表面，粘附有阻焊層30。阻焊層30具有使布線(xiàn)導(dǎo)體23b的一部分露出的開(kāi)口部30a、30b，并且覆蓋了剩余的布線(xiàn)導(dǎo)體23b。
[0005]從上表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口部30a露出的布線(xiàn)導(dǎo)體23b的一部分作為用于與半導(dǎo)體元件S的電極T相連接的半導(dǎo)體元件連接焊盤(pán)31而發(fā)揮作用。從下表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口部30b露出的布線(xiàn)導(dǎo)體23b的一部分作為用于與外部的電氣電路基板相連接的外部連接焊盤(pán)32而發(fā)揮作用。將半導(dǎo)體元件S的電極T與半導(dǎo)體元件連接焊盤(pán)31經(jīng)由焊料相連接，并且將外部連接焊盤(pán)32與外部的電氣電路基板的布線(xiàn)導(dǎo)體經(jīng)由焊料相連接，由此半導(dǎo)體元件S經(jīng)由布線(xiàn)導(dǎo)體23a、23b以及通孔導(dǎo)體24以及導(dǎo)通導(dǎo)體27，與外部的電氣電路基板電連接。由此，在外部的電氣電路基板以及半導(dǎo)體元件S之間進(jìn)行信號(hào)的收發(fā)，半導(dǎo)體元件S進(jìn)行工作。
[0006]可是，近年來(lái)，便攜式游戲機(jī)、通信設(shè)備等所代表的電子設(shè)備的小型化發(fā)展中，對(duì)于其中所使用的搭載半導(dǎo)體元件S的布線(xiàn)基板也要求了小型化。為了對(duì)應(yīng)該要求，也在推進(jìn)導(dǎo)通導(dǎo)體27的小徑化、布線(xiàn)導(dǎo)體23b的細(xì)線(xiàn)化。因此，導(dǎo)通導(dǎo)體27與導(dǎo)通孔26或者布線(xiàn)導(dǎo)體23b與絕緣層25的接觸面積逐漸減小。因而，導(dǎo)通導(dǎo)體27或者布線(xiàn)導(dǎo)體23b的密接強(qiáng)度變小，例如存在由于半導(dǎo)體元件S工作時(shí)的發(fā)熱或停止時(shí)的冷卻這樣的熱經(jīng)歷所產(chǎn)生的應(yīng)力，導(dǎo)通導(dǎo)體27以及布線(xiàn)導(dǎo)體23b的一部分從導(dǎo)通孔26及其附近剝離開(kāi)來(lái)的情況。其結(jié)果，有可能不能使半導(dǎo)體元件S穩(wěn)定地工作。
[0007]例如，在特開(kāi)平10-322021號(hào)公報(bào)中，記載了保有小徑并且能進(jìn)行高密度化的相對(duì)尺寸精度高的盲導(dǎo)通孔的增層(build-up)基板。但是，在該增層基板中，孔與通孔連接的接觸面積較小，因而通孔連接容易剝離。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的課題在于，提供一種導(dǎo)通導(dǎo)體以及布線(xiàn)導(dǎo)體難以從導(dǎo)通孔剝離、因而連接可靠性?xún)?yōu)異、半導(dǎo)體元件穩(wěn)定地工作、并且能夠?qū)崿F(xiàn)小型化以及高密度布線(xiàn)化的布線(xiàn)基板。
[0009]本發(fā)明的布線(xiàn)基板具備:絕緣基板，其在表面具有連接盤(pán)導(dǎo)體層；絕緣層，其形成于該絕緣基板上；導(dǎo)通孔，其從絕緣層上表面達(dá)到連接盤(pán)導(dǎo)體層；導(dǎo)通導(dǎo)體，其由在導(dǎo)通孔內(nèi)形成的鍍覆金屬層構(gòu)成；和布線(xiàn)導(dǎo)體，其形成于導(dǎo)通導(dǎo)體上并與導(dǎo)通導(dǎo)體電連接，所述布線(xiàn)基板的特征在于，導(dǎo)通孔具備由從導(dǎo)通孔的開(kāi)口周緣部向開(kāi)口中央部突出的銅箔形成的關(guān)出部。
[0010]本發(fā)明的布線(xiàn)基板的制造方法的特征在于，包括:在表面具有連接盤(pán)導(dǎo)體層的絕緣基板上，使絕緣層與銅箔依次層疊的工序；將從銅箔上表面達(dá)到連接盤(pán)導(dǎo)體層的導(dǎo)通孔形成為具備由銅箔構(gòu)成的從導(dǎo)通孔的開(kāi)口周緣部向開(kāi)口中央部的突出部的工序；在銅箔上，形成具有使導(dǎo)通孔及其周緣部露出的開(kāi)口部的抗鍍覆層的工序；在導(dǎo)通孔內(nèi)形成由鍍覆金屬層構(gòu)成的導(dǎo)通導(dǎo)體，并在抗鍍覆層的開(kāi)口部形成布線(xiàn)導(dǎo)體的工序；和除去抗鍍覆層以及抗鍍覆層所遮蓋的部分的銅箔的工序。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的布線(xiàn)基板，導(dǎo)通孔具備由從導(dǎo)通孔的開(kāi)口周緣部向開(kāi)口中央部突出的銅箔形成的突出部。因此，導(dǎo)通孔的鍍覆金屬層的接觸面積增加從而導(dǎo)通導(dǎo)體以及布線(xiàn)導(dǎo)體的密接強(qiáng)度提高。由此，例如能夠抑制由于因熱經(jīng)歷而產(chǎn)生的應(yīng)力，導(dǎo)通導(dǎo)體以及布線(xiàn)導(dǎo)體的一部分從導(dǎo)通孔及其附近剝離開(kāi)來(lái)。其結(jié)果，本發(fā)明的布線(xiàn)基板能夠?qū)⑿盘?hào)穩(wěn)定地傳輸?shù)桨雽?dǎo)體元件，從而半導(dǎo)體元件穩(wěn)定地工作，并且能夠?qū)崿F(xiàn)小型化以及高密度布線(xiàn)化。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的布線(xiàn)基板的制造方法，由于導(dǎo)通孔被形成為具備由銅箔構(gòu)成的從導(dǎo)通孔的開(kāi)口周緣部向開(kāi)口中央部的突出部，因此在所得到的布線(xiàn)基板中，導(dǎo)通孔的鍍覆金屬層的接觸面積增加從而導(dǎo)通導(dǎo)體以及布線(xiàn)導(dǎo)體的密接強(qiáng)度提高。由此，能夠抑制由于前述的因熱經(jīng)歷而產(chǎn)生的應(yīng)力，導(dǎo)通導(dǎo)體以及布線(xiàn)導(dǎo)體的一部分從導(dǎo)通孔及其附近剝離開(kāi)來(lái)。其結(jié)果，能夠提供一種能夠?qū)⑿盘?hào)穩(wěn)定地傳輸?shù)桨雽?dǎo)體元件從而半導(dǎo)體元件穩(wěn)定地工作、并且能夠?qū)崿F(xiàn)小型化以及高密度布線(xiàn)化的布線(xiàn)基板。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是示出本發(fā)明所涉及的布線(xiàn)基板的一實(shí)施方式的示意剖面圖。
[0014]圖2(a)?(j)是示出本發(fā)明所涉及的布線(xiàn)基板的制造方法的一實(shí)施方式的示意剖面圖。
[0015]圖3是示出現(xiàn)有的布線(xiàn)基板的一例的示意剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]基于圖1對(duì)本發(fā)明的布線(xiàn)基板的一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。如圖1所示本例的布線(xiàn)基板A主要是由絕緣基板1、絕緣層5以及阻焊層10構(gòu)成。
[0017]絕緣基板I具有從上表面直到下表面形成的多個(gè)通孔2。在絕緣基板I的上下表面形成有多個(gè)布線(xiàn)導(dǎo)體3a。布線(xiàn)導(dǎo)體3a的一部分作為連接盤(pán)(land)導(dǎo)體層14而發(fā)揮作用。在通孔2內(nèi)填充有通孔導(dǎo)體4。絕緣基板I上下表面的布線(xiàn)導(dǎo)體3a彼此之間通過(guò)通孔導(dǎo)體4電連接。絕緣基板I由使環(huán)氧樹(shù)脂或雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂等的熱硬化性樹(shù)脂浸潰到玻璃布中而得到的電氣絕緣材料形成。樹(shù)脂基板的厚度為40?300 μ m程度。布線(xiàn)導(dǎo)體3a例如由鍍銅金屬層等良導(dǎo)電性金屬構(gòu)成，優(yōu)選為與通孔導(dǎo)體4 一體地形成。
[0018]絕緣層5粘附于絕緣基板I的上下表面。在絕緣層5的表面形成有多個(gè)布線(xiàn)導(dǎo)體3b。而且，在絕緣層5形成有將布線(xiàn)導(dǎo)體3a(連接盤(pán)導(dǎo)體層14)的一部分作為底面的導(dǎo)通孔6。在導(dǎo)通孔6內(nèi)，填充有導(dǎo)通導(dǎo)體7。形成于絕緣基板I的布線(xiàn)導(dǎo)體3a(連接盤(pán)導(dǎo)體層14)與形成于絕緣層5表面的布線(xiàn)導(dǎo)體3b經(jīng)由導(dǎo)通導(dǎo)體7電連接。絕緣層5例如由含有環(huán)氧樹(shù)脂或聚酰亞胺樹(shù)脂等的熱硬化性樹(shù)脂的電氣絕緣材料構(gòu)成。
[0019]導(dǎo)通孔6具備突出部8a，其由從導(dǎo)通孔6的開(kāi)口周緣部向開(kāi)口中央部突出的銅箔構(gòu)成。突出部8a從導(dǎo)通孔6的開(kāi)口周緣部向開(kāi)口中央部，優(yōu)選突出3?15μπι程度。若小于3 μ m則有可能導(dǎo)通導(dǎo)體7以及布線(xiàn)導(dǎo)體3b的密接強(qiáng)度不足，若大于15 μ m則難以進(jìn)行對(duì)導(dǎo)通孔6內(nèi)的金屬鍍層的粘附。
[0020]導(dǎo)通導(dǎo)體7由鍍銅金屬層等的鍍覆金屬層構(gòu)成，并形成于導(dǎo)通孔6內(nèi)。導(dǎo)通孔6的直徑為50?80 μ m程度。布線(xiàn)導(dǎo)體3b粘附在導(dǎo)通導(dǎo)體7以及突出部8a上。布線(xiàn)導(dǎo)體3b由鍍銅金屬層等的鍍覆金屬層構(gòu)成，優(yōu)選為與導(dǎo)通導(dǎo)體7 —體地形成。通過(guò)將布線(xiàn)導(dǎo)體3b與導(dǎo)通導(dǎo)體7—體地形成，鍍覆金屬層的接縫減少而難以剝落。因此，導(dǎo)通孔6中的導(dǎo)通導(dǎo)體7以及布線(xiàn)導(dǎo)體3b的密接強(qiáng)度進(jìn)一步提高。
[0021]阻焊層10粘附于絕緣層5的表面。阻焊層10具有使各布線(xiàn)導(dǎo)體3b的一部分露出來(lái)的開(kāi)口部10a、10b。阻焊層10由使丙烯酸改性環(huán)氧樹(shù)脂等具有感光性的熱硬化性樹(shù)脂硬化后而得到的電氣絕緣材料構(gòu)成，從外部環(huán)境保護(hù)遮蓋部分。
[0022]從一個(gè)面的開(kāi)口部IOa露出的布線(xiàn)導(dǎo)體3b的一部分作為用于與半導(dǎo)體元件S的電極T相連接的半導(dǎo)體元件連接焊盤(pán)11而發(fā)揮作用。從另一個(gè)面的開(kāi)口部IOb露出的布線(xiàn)導(dǎo)體3b的一部分作為用于與外部的電氣電路基板相連接的外部連接焊盤(pán)12而發(fā)揮作用。將半導(dǎo)體元件S的電極T與半導(dǎo)體元件連接焊盤(pán)11經(jīng)由焊料進(jìn)行連接，并且將外部連接焊盤(pán)12與外部的電氣電路基板的布線(xiàn)導(dǎo)體經(jīng)由焊料進(jìn)行連接，由此半導(dǎo)體元件S與外部的電氣電路基板經(jīng)由布線(xiàn)導(dǎo)體3a、3b以及通孔導(dǎo)體4以及導(dǎo)通導(dǎo)體7電連接。從而，在外部的電氣電路基板以及半導(dǎo)體元件S之間進(jìn)行信號(hào)的收發(fā)，半導(dǎo)體元件S進(jìn)行工作。
[0023]接著，基于圖2對(duì)本發(fā)明所涉及的布線(xiàn)基板的制造方法的一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，在圖2中，對(duì)與基于圖1進(jìn)行了說(shuō)明的布線(xiàn)基板A相同的部位附上相同的符號(hào)，并省略其詳細(xì)的說(shuō)明。
[0024]如圖2(a)所示，準(zhǔn)備形成了通孔2的絕緣基板I。絕緣基板I例如由使環(huán)氧樹(shù)脂或雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂等熱硬化性樹(shù)脂浸潰到玻璃布中而得到的電氣絕緣材料形成。絕緣基板I的厚度為40?300 μ m程度。通孔2例如通過(guò)鉆孔、激光或者噴砂(blast)加工來(lái)形成。通孔2的直徑為50?300 μ m程度。
[0025]接著，如圖2(b)所示，在絕緣基板I表面粘附無(wú)電解鍍覆層(未圖示)。然后，在絕緣基板I的上下表面形成抗鍍覆層13，其具有使通孔2及其周邊、以及形成連接盤(pán)導(dǎo)體層14的位置露出的開(kāi)口部。形成抗鍍覆層13之后,如圖2(c)所不,在從抗鍍覆層13露出的通孔2內(nèi)以及絕緣基板I表面，形成通孔導(dǎo)體4、連接盤(pán)導(dǎo)體層14以及布線(xiàn)導(dǎo)體3a。這些通過(guò)采用電解鍍覆法并使鍍銅金屬層等的鍍覆金屬層析出而形成。
[0026]接著，如圖2(d)所示，通過(guò)剝離除去抗鍍覆層13并且除去無(wú)電解鍍覆層，形成具有通孔導(dǎo)體4、連接盤(pán)導(dǎo)體層14以及布線(xiàn)導(dǎo)體3a的絕緣基板I。如圖2(e)所示，在絕緣基板I的上下表面，依次層疊了絕緣層5與銅箔8之后，通過(guò)熱壓而粘附于絕緣基板I。絕緣層5例如由含有環(huán)氧樹(shù)脂或聚酰亞胺樹(shù)脂等的熱硬化性樹(shù)脂的電氣絕緣材料形成。銅箔8的厚度為3?18 μ m程度。根據(jù)需要，通過(guò)對(duì)銅箔8的表面進(jìn)行粗面化處理，能夠使激光光的能量吸收效率提高而形成均質(zhì)的導(dǎo)通孔6。
[0027]如圖2(f)所示，例如通過(guò)激光形成從銅箔8的表面達(dá)到連接盤(pán)導(dǎo)體層14的導(dǎo)通孔6。此時(shí)，將導(dǎo)通孔6形成為具備由銅箔8構(gòu)成的從導(dǎo)通孔6的開(kāi)口周緣部向開(kāi)口中央部的突出部8a。在導(dǎo)通孔6形成時(shí)，由于激光的孔，銅箔8的毛刺(未圖示)粘附于銅箔8表面。
[0028]導(dǎo)通孔6的直徑以及突出部8a的長(zhǎng)度如上所述，在此省略。為了形成突出部8a，例如優(yōu)選分為2次進(jìn)行激光照射。此時(shí)，優(yōu)選與第I次相比將第2次的激光的照射能量設(shè)定得較弱。通過(guò)減弱第2次的能量，能夠抑制銅箔8的孔，并且促進(jìn)比銅箔8容易加工的絕緣層5的孔而形成突出部8a。激光的照射能量，優(yōu)選第I次為5?20mj程度，第2次為2?IOmj程度。
[0029]優(yōu)選在利用激光進(jìn)行處理后，蝕刻除去導(dǎo)通孔6形成時(shí)所產(chǎn)生的銅箔8的毛刺。通過(guò)預(yù)先除去毛刺，能夠使無(wú)電解鍍覆層(未圖示)牢固地粘附于銅箔8的表面。在除去毛刺的蝕刻處理中，通過(guò)使銅箔8的厚度變薄到I?3μπι程度，在除去后述的銅箔8以及無(wú)電解鍍覆層時(shí)容易進(jìn)行銅箔8的除去。而且，若通過(guò)除污處理預(yù)先除去在導(dǎo)通孔6內(nèi)部所產(chǎn)生的污跡，則能夠使鍍覆金屬層牢固地粘附于導(dǎo)通孔6內(nèi)壁。在將無(wú)電解鍍覆層(未圖示)粘附于銅箔8表面之后，如圖2(g)所示，在銅箔8表面形成具有使導(dǎo)通孔6內(nèi)及其周邊露出的開(kāi)口部的抗鍍覆層13。
[0030]接著，如圖2(h)所示，在從抗鍍覆層13露出的導(dǎo)通孔6內(nèi)以及銅箔8上，通過(guò)電解鍍覆法使鍍覆金屬層析出。由此，一體地形成導(dǎo)通導(dǎo)體7與布線(xiàn)導(dǎo)體3b。作為鍍覆金屬層，適當(dāng)使用電解鍍銅層。在形成了導(dǎo)通導(dǎo)體7以及布線(xiàn)導(dǎo)體3b之后，如圖2(i)所示，剝離除去抗鍍覆層13，并且除去抗鍍覆層13所遮蓋的部分的銅箔8以及無(wú)電解鍍覆層。
[0031]最后，如圖2 (j)所示，在絕緣層5以及布線(xiàn)導(dǎo)體3b上形成具有使布線(xiàn)導(dǎo)體3b的一部分露出的開(kāi)口部10a、IOb的阻焊層10。這樣，形成圖1所示的布線(xiàn)基板A。
[0032]本發(fā)明并非限定于上述的實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變更、改良、組合等。例如，在上述的實(shí)施方式中，絕緣層5是單層構(gòu)造，但也可以是層疊了由相同或不同的電氣絕緣材料構(gòu)成的多個(gè)絕緣層的多層構(gòu)造。
【權(quán)利要求】
1.一種布線(xiàn)基板，具備:絕緣基板，其在表面具有連接盤(pán)導(dǎo)體層；絕緣層，其形成于該絕緣基板上；導(dǎo)通孔，其從所述絕緣層上表面達(dá)到所述連接盤(pán)導(dǎo)體層；導(dǎo)通導(dǎo)體，其由在該導(dǎo)通孔內(nèi)形成的鍍覆金屬層構(gòu)成；和布線(xiàn)導(dǎo)體，其形成于該導(dǎo)通導(dǎo)體上并與導(dǎo)通導(dǎo)體電連接， 所述布線(xiàn)基板的特征在于， 所述導(dǎo)通孔具備由從導(dǎo)通孔的開(kāi)口周緣部向開(kāi)口中央部突出的銅箔形成的突出部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線(xiàn)基板，其特征在于， 所述突出部從所述導(dǎo)通孔的開(kāi)口周緣部向開(kāi)口中央部突出3?15μπι。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的布線(xiàn)基板，其特征在于， 所述導(dǎo)通導(dǎo)體以及所述布線(xiàn)導(dǎo)體通過(guò)鍍覆金屬層一體地形成。
4.一種布線(xiàn)基板的制造方法，其特征在于，包括: 在表面具有連接盤(pán)導(dǎo)體層的絕緣基板上，使絕緣層與銅箔依次層疊的工序； 將從所述銅箔上表面達(dá)到所述連接盤(pán)導(dǎo)體層的導(dǎo)通孔形成為具備由所述銅箔構(gòu)成的從該導(dǎo)通孔的開(kāi)口周緣部向開(kāi)口中央部的突出部的工序； 在所述銅箔上，形成具有使所述導(dǎo)通孔及其周緣部露出的開(kāi)口部的抗鍍覆層的工序；在所述導(dǎo)通孔內(nèi)形成由鍍覆金屬層構(gòu)成的導(dǎo)通導(dǎo)體，并在所述抗鍍覆層的開(kāi)口部形成布線(xiàn)導(dǎo)體的工序；和 除去所述抗鍍覆層以及抗鍍覆層所遮蓋的部分的銅箔的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于， 還包括在形成所述導(dǎo)通孔的工序之后，蝕刻銅箔表面的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制造方法，其特征在于， 所述突出部形成為從所述導(dǎo)通孔的開(kāi)口周緣部向開(kāi)口中央部突出3?15μπι。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制造方法，其特征在于， 所述導(dǎo)通導(dǎo)體以及所述布線(xiàn)導(dǎo)體通過(guò)鍍覆金屬層一體地形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制造方法，其特征在于， 對(duì)所述銅箔進(jìn)行粗面化處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制造方法，其特征在于， 通過(guò)激光照射來(lái)形成具備所述突出部的導(dǎo)通孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于， 分為2次進(jìn)行所述激光照射，且第2次的照射能量比第I次的照射能量弱。
【文檔編號(hào)】H05K3/42GK103974522SQ201410025941
【公開(kāi)日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年1月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月31日
【發(fā)明者】中居誠(chéng), 加藤貴 申請(qǐng)人:京瓷Slc技術(shù)株式會(huì)社