單晶爐的導流筒的制作方法
【專利摘要】本實用新型屬于太陽能光伏領域，具體是一種用于拉晶硅的單晶爐的導流筒，它應用于單晶爐。它包括一個至上而下直徑漸漸縮小的筒體，該筒體由多層復合的碳纖維材料制成，筒體下端口邊緣通過若干調節(jié)部件設有若干可轉動的氣體調節(jié)裝置，筒體外周面上設有外筒，外筒與筒體之間設有保溫空間，該保溫空間內設有保溫材料層。本實用新型的優(yōu)點是通過調節(jié)部件控制氣體調節(jié)裝置進行對筒體內氣體進行導向調節(jié)，能有效控制晶體固液界面結晶潛熱的揮發(fā)，從而有效保持固液界面的平坦性，同時提高了導流筒的保溫效果。
【專利說明】單晶爐的導流筒
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于太陽能光伏領域，具體是一種用于拉晶硅的單晶爐的導流筒，它應用于單晶爐。
【背景技術】
[0002]單晶爐拉制單晶硅棒時，盛裝多晶硅塊等原料的石英坩堝放入位于堝托之上的石墨坩堝托內，在保護性氣氛中加熱融化，調控到工藝溫度后，籽晶經(jīng)導流筒插入溶融多晶硅液中，與坩堝作逆向旋轉并向上提升，使多晶硅液按籽晶的硅原子排列順序結晶凝固成單晶娃棒。
[0003]目前單晶爐的導流筒的結構為逐漸減小直徑的圓筒狀結構，起高溫氣體導流的作用，高溫氣體為氬氣流，在氬氣流動過程中，不斷的從晶體表面帶走熱量，因此，氬氣流對晶體表面的吹拂對于晶體中的徑向和縱向溫度分布有著重要的影響，而溫度梯度又對晶體中的雜質狀況，原生缺陷的形成以及電阻率和氧含量的徑向分布，有著密切的關系。另外氬氣流過溶硅液面，除了與融硅有對流換熱外，還帶走揮發(fā)的SiO，它在溶硅表面的流動與流速對溶硅表面的流動圖樣也有一定影響，通過影響熔體中溫度與雜質的分布來影響晶體中雜質的引入。
[0004]但現(xiàn)有的這種結構，因為高溫氣體在導流筒中流動的速度快，流動阻力小，所以晶體生長過程中固液界面凹向固體的一側，如果凹陷過大，就會引起徑向含氧量、電阻率、原生缺陷的起伏過大，使硅片的響應參數(shù)均勻性變差。
實用新型內容
[0005]本實用新型要解決的問題是怎樣控制導流筒中氣體的流速以及導流筒的保溫，本實用新型提出了一種單晶爐的導流筒。
[0006]本實用新型為了解決上述技術問題，提出了以下技術方案:
[0007]單晶爐的導流筒，它包括一個至上而下直徑漸漸縮小的筒體，該筒體由多層復合的碳纖維材料制成，筒體下端口邊緣通過若干調節(jié)部件設有若干可轉動的氣體調節(jié)裝置，筒體外周面上設有外筒，外筒與筒體之間設有保溫空間，該保溫空間內設有保溫材料層。
[0008]所述的調節(jié)部件包括設于筒體內的油缸以及與氣體調節(jié)裝置連接的連桿，連桿也和油缸的缸桿連接。
[0009]所述的氣體調節(jié)裝置為調節(jié)板。
[0010]本實用新型的優(yōu)點是通過調節(jié)部件控制氣體調節(jié)裝置進行對筒體內氣體進行導向調節(jié)，能有效控制晶體固液界面結晶潛熱的揮發(fā)，從而有效保持固液界面的平坦性，同時提高了導流筒的保溫效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型的結構示意圖。【具體實施方式】
[0012]如圖1所示，單晶爐的導流筒，它包括一個至上而下直徑漸漸縮小的筒體1，該筒體I由多層復合的碳纖維材料制成，筒體I下端口邊緣通過若干調節(jié)部件設有若干可轉動的氣體調節(jié)裝置，筒體外周面上設有外筒2，外筒2與筒體I之間設有保溫空間，該保溫空間內設有保溫材料層3。
[0013]所述的調節(jié)部件包括設于筒體內的油缸4以及與氣體調節(jié)裝置連接的連桿5，連桿5也和油缸4的缸桿連接。
[0014]所述的氣體調節(jié)裝置為調節(jié)板6。
【權利要求】
1.單晶爐的導流筒，其特征在于:它包括一個至上而下直徑漸漸縮小的筒體，該筒體由多層復合的碳纖維材料制成，筒體下端口邊緣通過若干調節(jié)部件設有若干可轉動的氣體調節(jié)裝置，筒體外周面上設有外筒，外筒與筒體之間設有保溫空間，該保溫空間內設有保溫材料層。
2.根據(jù)權利要求1所述的單晶爐的導流筒，其特征在于:所述的調節(jié)部件包括設于筒體內的油缸以及與氣體調節(jié)裝置連接的連桿，連桿也和油缸的缸桿連接。
3.根據(jù)權利要求1所述的單晶爐的導流筒，其特征在于:所述的氣體調節(jié)裝置為調節(jié)板。
【文檔編號】C30B15/00GK203513823SQ201320529037
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年8月28日 優(yōu)先權日:2013年8月28日
【發(fā)明者】秦青云 申請人:常州華騰合金材料有限公司