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電子元件的制作方法

文檔序號(hào):8171869閱讀:485來源:國知局
專利名稱:電子元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種電子元件,且特別是涉及一種具有屏蔽層的電子元件。
背景技術(shù)
目前一般電子元件的組裝方式通常是將電子元件焊接至電路板上。若遇到電磁干擾(Electro-Magnetic Interference,EMI)的話,通常會(huì)加上法拉第籠(Faraday cage),以得到最好的電性品質(zhì)。法拉第籠的原理是通過一個(gè)導(dǎo)電的遮斷物(例如金屬蓋)將電的干擾沒有傷害性地反射或傳送到接地。然而,包圍在電子元件外圍的法拉第籠也同時(shí)增加了配置電子元件所需的空間及重量,但這不利于電子產(chǎn)品的薄型化及輕量化。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種電子元件,具有電磁屏蔽功能。為達(dá)上述目的,本實(shí)用新型提出一種電子元件,其包括一集成電路芯片及一屏蔽層。集成電路芯片具有一有源面、對(duì)應(yīng)于有源面的一背面及連接有源面及背面的一側(cè)面,而屏蔽層全面且直接地覆蓋背面及側(cè)面。
該集成電路芯片為一半導(dǎo)體集成電路芯片或?yàn)橐宦阈酒?。該屏蔽層為一物理氣相沉積層或?yàn)橐粸R鍍層或一蒸鍍層。該屏蔽層的材質(zhì)包括金屬,即銅、不銹鋼、鋁或金。該集成電路芯片具有多個(gè)接墊在該有源面上。電子元件還包括多個(gè)導(dǎo)電凸塊,分別連接在這些接墊上。該屏蔽層覆蓋該有源面,且該屏蔽層不覆蓋這些接墊。該集成電路芯片具有延伸線,且該延伸線從該接墊延伸至該側(cè)面并連接該屏蔽層。該集成電路芯片具有內(nèi)導(dǎo)孔,且該內(nèi)導(dǎo)孔的末端在該背面連接該屏蔽層。該集成電路芯片具有內(nèi)連線,且該內(nèi)連線的末端在該側(cè)面連接該屏蔽層。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于,相比較于現(xiàn)有的法拉第籠占用較大的空間及具有較大的重量,本實(shí)用新型將屏蔽層直接配置在集成電路芯片的表面,故有利于電子裝置的薄型化及輕量化。為讓本實(shí)用新型的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。

圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例的電子元件安裝至電路板的剖面圖;圖2為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的電子元件安裝至電路板的剖面圖;圖3為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的電子元件安裝至電路板的剖面圖;圖4A為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的電子元件安裝至電路板的剖面圖;[0020]圖4B為圖4A的X部位的放大圖;圖5A為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的電子元件安裝至電路板的剖面圖;圖5B為圖5A的電子元件的局部仰視立體圖。主要元件符號(hào)說明 100a、100b、100c、IOOcU IOOe 電子元件110:集成電路芯片IlOa:有源面IlOb:背面IlOc:側(cè)面112:接墊114:延伸線116:內(nèi)導(dǎo)孔118:內(nèi)連線119a:基底119b:多重內(nèi)連線結(jié)構(gòu)120 :屏蔽層130:導(dǎo)電凸塊200 電路板
具體實(shí)施方式
圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例的電子元件安裝至電路板的剖面圖。請(qǐng)參考圖1,本實(shí)施例的電子元件IOOa包括一集成電路芯片110及一屏蔽層120。集成電路芯片110具有一有源面110a、對(duì)應(yīng)于有源面IlOa的一背面IlOb及連接有源面IlOa及背面IlOb的一側(cè)面IlOc0屏蔽層120全面且直接地覆蓋背面IlOb及側(cè)面110c,用以提供電磁屏蔽。值得注意的是,相比較于現(xiàn)有的法拉第籠占用較大的空間及具有較大的重量,屏蔽層120是直接全面地形成在集成電路芯片110的背面I IOb及側(cè)面110c,因而有利于電子裝置的薄型化及輕量化。在本實(shí)施例中,集成電路芯片110可為一半導(dǎo)體集成電路芯片,即在半導(dǎo)體材質(zhì)的晶片上制作集成電路后切割而成的裸芯片。前述的半導(dǎo)體材質(zhì)例如為硅。就電性功能而言,集成電路芯片110是需要電磁屏蔽的芯片,例如中央處理單元(CPU)芯片、繪圖處理單元(GPU)芯片及微處理器(microprocessor)芯片等。在本實(shí)施例中,屏蔽層120可為一物理氣相沉積層(PVD layer)。具體而言,屏蔽層 120 可為一派鍍層(sputtering layer)或一蒸鍍層(evaporation layer)。屏蔽層 120的材質(zhì)可包括金屬,例如銅、不銹鋼、鋁或金等。在本實(shí)施例中,集成電路芯片110具有多個(gè)接墊112在有源面IlOa上。此外,電子元件IOOa更可包括多個(gè)導(dǎo)電凸塊130,其分別連接在這些接墊112上,用以連接電路板200,例如主機(jī)板或模塊板。圖2為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的電子元件安裝至電路板的剖面圖。請(qǐng)參考圖2,相比較于圖1的電子元件100a,本實(shí)施例的電子元件IOOb的集成電路芯片110還具有一延伸線114,其從接墊112延伸至側(cè)面110c。因此,屏蔽層120可利用延伸線114連接至集成電路芯片110的接地端。圖3為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的電子元件安裝至電路板的剖面圖。請(qǐng)參考圖3,相比較于圖1的電子元件100,本實(shí)施例的電子元件IOOc的集成電路芯片110還具有一內(nèi)導(dǎo)孔116,即所謂的娃穿孔(Through Silicon Via, TSV),且內(nèi)導(dǎo)孔116延伸至背面IlOb并連接屏蔽層120。換言之,內(nèi)導(dǎo)孔116的末端在背面IlOb連接屏蔽層120。因此,屏蔽層120可利用內(nèi)導(dǎo)孔116連接至集成電路芯片110的接地端。圖4A為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的電子元件安裝至電路板的剖面圖,而圖4B為圖4A的X部位的放大圖。請(qǐng)參考圖4A及圖4B,相較于圖1的電子元件100,本實(shí)施例的電子元件IOOd的集成電路芯片110具有一或多個(gè)內(nèi)連線118,且這些內(nèi)連線118延伸至側(cè)面IlOc并連接屏蔽層120。換言之,這些內(nèi)連線118的末端在側(cè)面IlOc連接屏蔽層120。因此,屏蔽層120可利用這些內(nèi)連線118連接至集成電路芯片110的接地端。具體而言,集成電路芯片110包括一基底119a及一位在基底119a上的多重內(nèi)連線結(jié)構(gòu)119b,而這些內(nèi)連線118是多重內(nèi)連線結(jié)構(gòu)119b的一部分。圖5A為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的電子元件安裝至電路板的剖面圖,而圖5B為圖5A的電子元件的局部仰視立體圖。請(qǐng)參考圖5A及圖5B,相比較于圖1的電子元件100,本實(shí)施例的電子元件IOOe的屏蔽層120覆蓋集成電路芯片110的有源面110a,但不覆蓋而暴露出這些接墊112。因此,屏蔽層120可提供更完整的電磁屏蔽。綜上所述,相比較于現(xiàn)有的法拉第籠占用較大的空間及具有較大的重量,本實(shí)用新型將屏蔽層直接配置在 集成電路芯片的表面,故有利于電子裝置的薄型化及輕量化。
權(quán)利要求1.一種電子元件,其特征在于,該電子元件包括 集成電路芯片,具有有源面、相對(duì)于該有源面的背面及連接該有源面及該背面的側(cè)面;以及 屏蔽層,全面且直接地覆蓋該背面及該側(cè)面。
2.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,該集成電路芯片為一半導(dǎo)體集成電路芯片。
3.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,該集成電路芯片為一裸芯片。
4.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,該集成電路芯片具有多個(gè)接墊在該有源面上。
5.如權(quán)利要求4所述的電子元件,其特征在于,該電子元件還包括多個(gè)導(dǎo)電凸塊,分別連接在這些接墊上。
6.如權(quán)利要求4所述的電子元件,其特征在于,該屏蔽層覆蓋該有源面,且該屏蔽層不覆蓋這些接墊。
7.如權(quán)利要求4所述的電子元件,其特征在于,該集成電路芯片具有延伸線,且該延伸線從該接墊延伸至該側(cè)面并連接該屏蔽層。
8.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,該集成電路芯片具有內(nèi)導(dǎo)孔,且該內(nèi)導(dǎo)孔的末端在該背面連接該屏蔽層。
9.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,該集成電路芯片具有內(nèi)連線,且該內(nèi)連線的末端在該側(cè)面連接該屏蔽層。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種電子元件,其包括一集成電路芯片及一屏蔽層。集成電路芯片具有一有源面、相對(duì)于有源面的一背面及連接有源面及背面的一側(cè)面,而屏蔽層全面且直接地覆蓋背面及側(cè)面。將屏蔽層直接配置在集成電路芯片的表面有利于電子裝置的薄型化及輕量化。
文檔編號(hào)H05K9/00GK202888168SQ20122044997
公開日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2012年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月5日
發(fā)明者張欽崇, 宋尚霖, 鄭偉鳴 申請(qǐng)人:欣興電子股份有限公司
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