一種類單晶晶體硅錠的制作方法和多晶硅鑄錠爐的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種類單晶晶體硅錠的制作方法，包括：對(duì)鋪設(shè)在一容器底部的籽晶層和位于所述籽晶層上方的硅料進(jìn)行加熱，使所述硅料完全熔化，并使所述籽晶層部分熔化，形成液態(tài)硅層，且未熔化的部分籽晶層保持為固態(tài)，在類單晶生長(zhǎng)時(shí)，控制所述容器內(nèi)的熱場(chǎng)，使所述籽晶層內(nèi)的籽晶間拼縫處的溫度高于籽晶區(qū)域的溫度，籽晶區(qū)域的晶體優(yōu)先向拼縫處生長(zhǎng)，并且籽晶處的晶體生長(zhǎng)速度大于拼縫處的晶體生長(zhǎng)速度，則抑制了拼縫處多晶的生長(zhǎng)，使得拼縫處的晶向可控，并且拼縫處的晶向與籽晶晶向保持一致，減少了位錯(cuò)的產(chǎn)生，進(jìn)而提高了類單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。
【專利說明】一種類單晶晶體娃錠的制作方法和多晶娃鑄錠爐
【技術(shù)領(lǐng)域】:
[0001]本發(fā)明涉及太陽電池制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種類單晶晶體硅錠的制作方法和多晶硅鑄錠爐。
【背景技術(shù)】:
[0002]太陽能電池可以將光能轉(zhuǎn)換為電能，是現(xiàn)代節(jié)能社會(huì)發(fā)展的一個(gè)重點(diǎn)。根據(jù)基體材料的不同，現(xiàn)有的太陽能電池主要分為多晶硅太陽能電池和單晶硅太陽能電池。其中，單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率高，但生產(chǎn)成本也高，多晶硅太陽能電池的生產(chǎn)成本也低，但其轉(zhuǎn)化效率較低。
[0003]為了綜合上述多晶硅太陽能電池和單晶硅太陽能電池優(yōu)點(diǎn)，出現(xiàn)了一種類單晶太陽能電池。類單晶硅是結(jié)合單晶硅和多晶硅雙重優(yōu)勢(shì)的一種新產(chǎn)品，它采用類似多晶硅錠的低成本鑄造方法制成，即首先在坩堝底部鋪設(shè)一定厚度的籽晶層，并在籽晶層上方堆放硅料；對(duì)坩堝加熱，使所述硅料完全熔化成液態(tài)，并使籽晶層部分熔化，其余部分的籽晶層仍保持固態(tài)，固態(tài)籽晶層用于引導(dǎo)后續(xù)生長(zhǎng)成為具有與籽晶相同晶體學(xué)取向的硅晶體；通過控制爐內(nèi)的溫度變化，形成垂直于坩堝底部的縱向溫度梯度，對(duì)硅料溶液進(jìn)行自下而上的冷卻，實(shí)現(xiàn)晶體的定向生長(zhǎng)。
[0004]但是，上述方法現(xiàn)生產(chǎn)得到的類單晶晶體硅錠存在高密度的位錯(cuò)，甚至在籽晶拼縫處會(huì)生長(zhǎng)出多晶硅，降低了類單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種類單晶晶體硅錠的制作方法和多晶硅鑄錠爐，以減少類單晶晶體硅錠內(nèi)的位錯(cuò)，并抑制籽晶拼縫處多晶的生長(zhǎng)，進(jìn)而提高類單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:
[0007]一種類單晶晶體硅錠的制作方法，包括:
[0008]對(duì)鋪設(shè)在一容器底部的籽晶層和位于所述籽晶層上方的硅料進(jìn)行加熱，使所述硅料完全熔化，并使所述籽晶層部分熔化，形成液態(tài)硅層，且未熔化的部分籽晶層保持為固態(tài)；
[0009]在類單晶生長(zhǎng)時(shí)，控制所述容器內(nèi)的熱場(chǎng)，使所述籽晶層內(nèi)的籽晶間拼縫處溫度高于籽晶區(qū)域的溫度。
[0010]一種多晶硅鑄錠爐，用于類單晶晶體硅錠的制作，包括用于支撐籽晶和硅料的承載容器的底板，所述底板表面與籽晶間拼縫對(duì)應(yīng)的位置處的熱導(dǎo)率低于其他位置處的熱導(dǎo)率。
[0011]優(yōu)選的，所述底板包括:
[0012]底板主體和控溫部件，所述控溫部件與籽晶間拼縫位置相對(duì)應(yīng)，且所述控溫部件的熱導(dǎo)率低于底板主體的熱導(dǎo)率。[0013]優(yōu)選的，所述底板主體的熱導(dǎo)率為IOW/ (m ? K)~1000W/ (m ? K)。
[0014]優(yōu)選的，所述控溫部件的熱導(dǎo)率為0.01ff/ (m ? K)飛OW/ (m ? K)。
[0015]優(yōu)選的，所述溫控部件圍成多個(gè)尺寸相同的矩形，且所述矩形以陣列方式排布在所述底板主體上。
[0016]優(yōu)選的，所述底板主體為一平板結(jié)構(gòu)。
[0017]優(yōu)選的，所述底板主體表面設(shè)置有凹槽。
[0018]優(yōu)選的，所述凹槽的深度為lmnT30mm,所述凹槽的寬度為2mnT80mm。
[0019]優(yōu)選的，所述控溫部件設(shè)置在所述凹槽內(nèi)，且所述溫控部件填滿所述凹槽。
[0020]優(yōu)選的，所述溫控部件直接貼合在所述底板主體表面上。
[0021]優(yōu)選的,所述溫控部件的厚度為lmnT20mm,所述溫控部件的寬度為2mnT80mm。
[0022]優(yōu)選的，所述底板主體內(nèi)設(shè)置有通透槽，所述通透槽貫穿所述底板主體。
[0023]優(yōu)選的，所述溫控部件設(shè)置在所述通透槽內(nèi)。
[0024]優(yōu)選的,所述多晶娃鑄錠爐優(yōu)選的,還包括:
[0025]保溫板，所述保溫板圍成一保溫腔；
[0026]冷卻銅板，所述冷卻銅板位于保溫腔的底部；
[0027]底部加熱器，所述底部加熱器位于冷卻銅板上方；
[0028]熱交換臺(tái)，所述熱交換臺(tái)位于所述底部加熱器的上方，且所述熱交換臺(tái)上方設(shè)置有底板；
[0029]娃料盛載容器,所述娃料盛載容器用于盛放娃料和籽晶，所述娃料盛載容器外圍設(shè)置有防護(hù)板，且所述硅料盛載容器和防護(hù)板位于底板上方；
[0030]頂部加熱器，所述頂部加熱器位于保溫腔的頂部。
[0031 ] 本發(fā)明所提供的技術(shù)方案中，在類單晶晶體硅生長(zhǎng)時(shí)，控制所述容器內(nèi)的熱場(chǎng)，使所述籽晶層內(nèi)的籽晶間拼縫處溫度高于籽晶區(qū)域的溫度，籽晶區(qū)域的晶體優(yōu)先向拼縫處生長(zhǎng)，并且籽晶處的晶體生長(zhǎng)速度大于拼縫處的晶體生長(zhǎng)速度，則抑制了拼縫處多晶的生長(zhǎng)，使得拼縫處的晶向可控，并且拼縫處的晶向與籽晶晶向保持一致，減少了位錯(cuò)的產(chǎn)生，進(jìn)而提高了類單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0033]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種多晶娃鑄淀爐底板結(jié)構(gòu)不意圖；
[0034]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種多晶娃鑄淀爐底板首I]面圖；
[0035]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種多晶娃鑄淀爐底板首I]面圖；
[0036]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種多晶娃鑄錠爐底板剖面圖；
[0037]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種多晶硅鑄錠爐結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】[0038]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0039]正如【背景技術(shù)】部分所述，現(xiàn)有的類單晶晶體硅錠存在高密度的位錯(cuò)，甚至在籽晶拼縫處會(huì)生長(zhǎng)出多晶硅，降低了類單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。
[0040]發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，生長(zhǎng)類單晶時(shí)，在坩堝底部鋪設(shè)籽晶，由于籽晶比坩堝底部面積小，需要多塊籽晶拼接形成籽晶層，這樣籽晶之間就不可避免的存在了縫隙。由于生長(zhǎng)工藝中需要保持籽晶為固態(tài)，因此籽晶上下部存在較大的溫度梯度。在現(xiàn)有的熱場(chǎng)中，坩堝被放置在溫度均勻的底板上，初始結(jié)晶時(shí)，由于籽晶拼縫的存在，硅液容易流到縫隙中，并在過冷的情況下優(yōu)先成核。所以拼縫處容易產(chǎn)生高密度的位錯(cuò)，甚至長(zhǎng)出多晶。在后續(xù)的生長(zhǎng)過程中，位錯(cuò)將不斷增殖，多晶區(qū)域也有橫向生長(zhǎng)的趨勢(shì)，侵占單晶硅區(qū)域的生長(zhǎng)空間，嚴(yán)重影響晶體的質(zhì)量，最終降低類單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。
[0041]本發(fā)明公開了一種類單晶晶體硅錠的制作方法，包括:
[0042]對(duì)鋪設(shè)在一容器底部的籽晶層和位于所述籽晶層上方的硅料進(jìn)行加熱，使所述硅料完全熔化，并使所述籽晶層部分熔化，形成液態(tài)硅層，且未熔化的部分籽晶層保持為固態(tài)；
[0043]在類單晶生長(zhǎng)時(shí)，控制所述容器內(nèi)的熱場(chǎng)，使所述籽晶層內(nèi)的籽晶間的拼縫處溫度高于籽晶區(qū)域的溫度。
[0044]由上述方案可以看出，在類單晶晶體硅生長(zhǎng)時(shí)，控制所述容器內(nèi)的熱場(chǎng)，使所述籽晶層內(nèi)的籽晶間拼縫處的溫度高于籽晶區(qū)域的溫度，籽晶區(qū)域的晶體優(yōu)先向拼縫處生長(zhǎng)，并且籽晶處的晶體生長(zhǎng)速度大`于拼縫處的晶體生長(zhǎng)速度，則抑制了拼縫處多晶的生長(zhǎng)，使得拼縫處的晶向可控，并且拼縫處的晶向與籽晶晶向保持一致，減少了位錯(cuò)的產(chǎn)生，進(jìn)而提高了類單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。
[0045]以上是本申請(qǐng)的核心思想，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0046]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0047]本發(fā)明實(shí)施例公開了一種類單晶晶體硅錠的制作方法，包括:
[0048]在一容器底部鋪設(shè)一定厚度的籽晶層，所述籽晶層是由多塊籽晶構(gòu)成，并在籽晶層上方堆放硅料；
[0049]對(duì)鋪設(shè)在一容器底部的籽晶層和位于所述籽晶層上方的硅料進(jìn)行加熱，使所述硅料完全熔化，并使所述籽晶層部分熔化，形成液態(tài)硅層，且未熔化的部分籽晶層保持為固態(tài)，其中，固態(tài)的籽晶與所述容器底部接觸；
[0050]在類單晶生長(zhǎng)時(shí)，控制所述容器內(nèi)的熱場(chǎng)，使所述籽晶層內(nèi)的籽晶間拼縫處的溫度高于籽晶區(qū)域的溫度，在籽晶向籽晶間拼縫的方向上形成有溫度逐漸升高的橫向溫度梯度。即在類單晶晶體硅生長(zhǎng)時(shí)，籽晶間拼縫處的溫度高于籽晶區(qū)域的溫度，籽晶區(qū)域的晶體優(yōu)先向拼縫處生長(zhǎng)，并且籽晶處的晶體生長(zhǎng)速度大于拼縫處的晶體生長(zhǎng)速度，則抑制了拼縫處多晶的生長(zhǎng)，使得拼縫處的晶向可控，并且拼縫處的晶向與籽晶晶向保持一致，減少了位錯(cuò)的產(chǎn)生，進(jìn)而提高了類單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。
[0051]本發(fā)明另一實(shí)施例公開了一種多晶硅鑄錠爐，用于類單晶晶體硅錠的制作，包括用于支撐籽晶和硅料的承載容器的底板，所述底板表面與籽晶間拼縫對(duì)應(yīng)的位置處的熱導(dǎo)率低于其他位置處的熱導(dǎo)率。
[0052]由于底板表面與籽晶間拼縫對(duì)應(yīng)的位置處的熱導(dǎo)率低于其他位置處的熱導(dǎo)率，則在初始結(jié)晶溫度下降時(shí)，拼縫處的降溫速率慢，籽晶處的降溫速率快，在結(jié)晶初期，籽晶層內(nèi)的籽晶向籽晶間的拼縫的方向上具有溫度逐漸升高的橫向溫度梯度，即籽晶間拼縫處的溫度高于籽晶區(qū)域的溫度，籽晶區(qū)域的晶體優(yōu)先向拼縫處生長(zhǎng)，并且籽晶處的晶體生長(zhǎng)速度大于拼縫處的晶體生長(zhǎng)速度，則抑制了拼縫處多晶的生長(zhǎng)，使得拼縫處的晶向可控，并且拼縫處的晶向與籽晶晶向保持一致，減少了位錯(cuò)的產(chǎn)生，進(jìn)而提高了類單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。
[0053]具體的，所述底板包括:
[0054]底板主體和控溫部件，所述控溫部件與籽晶間拼縫相對(duì)應(yīng)，且所述控溫部件的熱導(dǎo)率低于底板主體的熱導(dǎo)率。其中，所述底板主體的熱導(dǎo)率為low/(m ? KriOOOW/(m ? K)，優(yōu)選為50W/(m ? K)^400ff/(m ? K)，更優(yōu)選的，所述底板主體的熱導(dǎo)率為IOOW/(m ? K);所述控溫部件的熱導(dǎo)率為0.01ff/ (m ? K)~50W/ (m ? K)，優(yōu)選為0.1ff/ (m ? K)~IOW/ (m ? K)，更優(yōu)選的，所述控溫部件的熱導(dǎo)率為IW/(m ? K)。
[0055]如圖1所示，所述溫控部件11圍成多個(gè)尺寸相同的矩形，且所述矩形以陣列方式排布在所述底板主體10上。
[0056]需要說明的是，所述溫控部件11的形狀是根據(jù)籽晶拼縫位置所設(shè)定的，即依據(jù)籽晶拼縫位置的不同，所述溫控部件11的形狀也可以相應(yīng)的變化，只需滿足所述溫控部件11與籽晶拼縫處對(duì)應(yīng)即可。
[0057]如圖2所示，所述底板主體10為一平板結(jié)構(gòu)，且所述底板主體表面設(shè)置有凹槽，所述凹槽的深度為lmnT30mm,優(yōu)選的,所述凹槽的深度為5mnT20mm,更優(yōu)選的,所述凹槽的深度為IOmm,所述凹槽的寬度為2mnT80mm,優(yōu)選的,所述凹槽的寬度為20mnT60mm,更優(yōu)選的，所述凹槽的寬度為40mm。所述控溫部件10設(shè)置在所述凹槽內(nèi)，且所述溫控部件11填滿所述凹槽。
[0058]或者，如圖3所示，所述底板主體10為一平板結(jié)構(gòu)，所述溫控部件11直接貼合在所述底板主體11表面上。所述溫控部件11的厚度為lmnT20mm，優(yōu)選的，所述溫控部件11的厚度為5mnTl5mm,更優(yōu)選的,所述溫控部件11的厚度為IOmm,所述溫控部件11的寬度為2mnT80mm,優(yōu)選的,所述溫控部件11的寬度為20mnT60mm,更優(yōu)選的,所述溫控部件11的寬度為40_。
[0059]或者,如圖4所示,所述底板主體10為一平板結(jié)構(gòu)，且所述底板主體10內(nèi)設(shè)置有通透槽，所述通透槽貫穿所述底板主體10，所述溫控部件11設(shè)置在所述通透槽內(nèi)。
[0060]需要說明的是，所述溫控部件11可以為空氣或惰性氣體如氬氣、氮?dú)獾?，即只需在所述底板主體10上作出凹槽或通透槽即可。[0061]由于底板表面與籽晶間拼縫對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有溫控部件，所述溫控部件的的熱導(dǎo)率低于其他位置處的熱導(dǎo)率，則在初始結(jié)晶溫度下降時(shí)，拼縫處的降溫速率慢，籽晶處的降溫速率快，在結(jié)晶初期，籽晶層內(nèi)的籽晶向籽晶間的拼縫的方向上具有溫度逐漸升高的橫向溫度梯度，即籽晶間拼縫處的溫度高于籽晶區(qū)域的溫度，籽晶區(qū)域的晶體優(yōu)先向拼縫處生長(zhǎng)，并且籽晶處的晶體生長(zhǎng)速度大于拼縫處的晶體生長(zhǎng)速度，則抑制了拼縫處多晶的生長(zhǎng)，使得拼縫處的晶向可控，并且拼縫處的晶向與籽晶晶向保持一致，減少了位錯(cuò)的產(chǎn)生，進(jìn)而提高了類單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。
[0062]此外,如圖5所示,所述多晶娃鑄錠爐還包括:
[0063]保溫板1，所述保溫板I圍成一保溫腔，所述保溫腔的腔內(nèi)維持有穩(wěn)定且可控的熱場(chǎng)，且所述保溫板I可以單層、雙層或多層的保溫板；
[0064]冷卻銅板2，所述冷卻銅板2位于保溫腔的底部；
[0065]底部加熱器3，所述底部加熱器3位于冷卻銅板2上方；
[0066]熱交換臺(tái)4，所述熱交換臺(tái)4位于所述底部加熱器3上方，且所述熱交換臺(tái)4上方設(shè)置有底板5，所述底部加熱器3通過熱交換臺(tái)4和底板5為硅料盛載容器底部加熱；
[0067]硅料盛載容器6，所述硅料盛載容器6具體為石英坩堝，用于盛放硅料和籽晶，所述娃料盛載容器6外圍設(shè)置有防護(hù)板7,且所述娃料盛載容器7和防護(hù)板7位于底板5上方；
[0068]頂部加熱器8，所述頂部加熱器8位于保溫腔的頂部，即上部保溫板下方。
[0069]通過底板5上的溫控部件起到的溫控作用，所述多晶硅鑄錠爐可以更好的去控制類單晶晶體硅錠的形成，減少其內(nèi)部的位錯(cuò)，抑制多晶的產(chǎn)生，提高類單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。
[0070]本發(fā)明說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種類單晶晶體硅錠的制作方法，其特征在于，包括: 對(duì)鋪設(shè)在一容器底部的籽晶層和位于所述籽晶層上方的硅料進(jìn)行加熱，使所述硅料完全熔化，并使所述籽晶層部分熔化，形成液態(tài)硅層，且未熔化的部分籽晶層保持為固態(tài)； 在類單晶生長(zhǎng)時(shí)，控制所述容器內(nèi)的熱場(chǎng)，使所述籽晶層內(nèi)的籽晶間拼縫處溫度高于籽晶區(qū)域的溫度。
2.一種多晶硅鑄錠爐，用于類單晶晶體硅錠的制作，包括用于支撐籽晶和硅料的承載容器的底板，其特征在于，所述底板表面與籽晶間拼縫對(duì)應(yīng)的位置處的熱導(dǎo)率低于其他位置處的熱導(dǎo)率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板包括: 底板主體和控溫部件，所述控溫部件與籽晶間拼縫位置相對(duì)應(yīng)，且所述控溫部件的熱導(dǎo)率低于底板主體的熱導(dǎo)率。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板主體的熱導(dǎo)率為IOW/(m ? K)"1000ff/ (m ? K)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述控溫部件的熱導(dǎo)率為0.01ff/(m ? K)~50W/ (m ? K)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述溫控部件圍成多個(gè)尺寸相同的矩形，且所述矩形以陣列方式排布在所述底板主體上。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板主體為一平板結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板主體表面設(shè)置有凹槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述凹槽的深度為lmnT30mm，所述凹槽的寬度為2mnT80mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述控溫部件設(shè)置在所述凹槽內(nèi)，且所述溫控部件填滿所述凹槽。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述溫控部件直接貼合在所述底板主體表面上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述溫控部件的厚度為lmnT20mm,所述溫控部件的寬度為2mnT80mm。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板主體內(nèi)設(shè)置有通透槽，所述通透槽貫穿所述底板主體。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述溫控部件設(shè)置在所述通透槽內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求2~14任意一項(xiàng)所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，還包括: 保溫板，所述保溫板圍成一保溫腔； 冷卻銅板，所述冷卻銅板位于保溫腔的底部； 底部加熱器，所述底部加熱器位于冷卻銅板上方； 熱交換臺(tái)，所述熱交換臺(tái)位于所述底部加熱器的上方，且所述熱交換臺(tái)上方設(shè)置有底板； 硅料盛載容器，所述硅料盛載容器用于盛放硅料和籽晶，所述硅料盛載容器外圍設(shè)置有防護(hù)板，且所述娃料盛載容器和防護(hù)板位于底板上方； 頂部加熱器，所述頂部加熱器位于保溫腔的頂部。
【文檔編號(hào)】C30B11/00GK103628126SQ201210298512
【公開日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2012年8月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月21日
【發(fā)明者】鄭志東, 王朋, 翟蕊, 李娟
申請(qǐng)人:浙江昱輝陽光能源有限公司