專利名稱：一種單晶或多晶硅片的酸洗工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種單晶或多晶硅片的酸洗工藝。
背景技術(shù)：
目前，在生產(chǎn)單晶或多晶硅片過程中，其表面會殘留切割液、金屬離子、氧化皮、其 它雜質(zhì)等，因此需要進(jìn)行清洗。通常的方法是進(jìn)行超聲堿洗、酸洗、超聲漂洗，而其中的酸洗 工藝一般采用翻轉(zhuǎn)式浸泡方法，即將硅料進(jìn)入槽體后浸泡在酸液中作翻轉(zhuǎn)動作進(jìn)行清洗。 這種方法酸的用量較大，會造成硅料的較大損耗，表面清潔也不徹底，同時產(chǎn)生大量的酸性 汽霧，造成排放的廢氣過多，對外部環(huán)境也產(chǎn)生了一定影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供能降低酸的用量，清洗速度快、清洗質(zhì)量高的一種單晶或多 晶硅片的酸洗工藝。本發(fā)明采取的技術(shù)方案是一種單晶或多晶硅片的酸洗工藝，其特征在于準(zhǔn)備一 水槽，與廢液處理設(shè)備相連，通入清水，使清水保持流動狀態(tài)，將經(jīng)過超聲堿洗后的單晶或 多晶硅片完全浸沒并懸浮在水槽中，之后，在水槽中加入氫氟酸并與水混合形成氫氟酸溶 液，使氫氟酸溶液與硅片表面充分接觸進(jìn)行流動式清洗。所述的氫氟酸溶液濃度保持在1 5%之間。采用本發(fā)明方法，由于反應(yīng)物懸浮在液面隨著流動的氫氟酸溶液一起進(jìn)入廢液處 理設(shè)備，且反應(yīng)充分、迅速，能減少酸的用量并產(chǎn)生較小的酸霧，有利于環(huán)境保護(hù)，并能達(dá)到 清洗速度快、清洗質(zhì)量高的目的。
具體實施例方式下面結(jié)合具體的實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。1、利用一個50cm X 250cm的水槽，與廢液處理設(shè)備相連。2、在水槽中通入清水，使清水保持流動狀態(tài)。3、在水槽中放入單晶或多晶硅片，浸沒并懸浮在水中。 4、在水中加入氫氟酸(HF)，使氫氟酸(HF)溶液的濃度保持在1 5%之間。5、使單晶或多晶硅片在氫氟酸(HF)溶液中保持一定時間，之后，取出單晶或多晶 硅片即可。根據(jù)上述，由于水的比重為1，氫氟酸(HF)的密度為1. 15 1. 18，硅的密度為 2. 33，因此，氫氟酸(HF)會與水充分混合并在水槽中流動，能與單晶或多晶硅片的各個表 面充分接觸，與附著在硅表面的石英充分反應(yīng)，生成液態(tài)的水與氣態(tài)的四氟化硅，四氟化硅 進(jìn)入廢氣處理設(shè)備進(jìn)行處理，而附著與生產(chǎn)分離后的P型重?fù)郊捌渌s質(zhì)在酸的作用下， 均成為一些小的片狀及顆粒狀的不溶于水的物質(zhì)，其重力小于酸溶液的浮力，這些反應(yīng)生 成的雜質(zhì)全部都懸浮在酸溶液表面，一并流進(jìn)廢液處理設(shè)備中。
因為氫氟酸(HF)會與水充分混合并在水槽中流動，能與單晶或多晶硅片的各個表面充分接觸，并使反應(yīng)物隨著流動的酸溶液一起進(jìn)入廢液處理設(shè)備，因此，反應(yīng)完全、充 分、迅速，能提高單晶或多晶硅片的表面清潔度，可減少酸的用量并產(chǎn)生較小的酸霧，降低 成本，有利于環(huán)境保護(hù)。
權(quán)利要求
一種單晶或多晶硅片的酸洗工藝，其特征在于準(zhǔn)備一水槽，與廢液處理設(shè)備相連，通入清水，使清水保持流動狀態(tài)，將經(jīng)過超聲堿洗后的單晶或多晶硅片完全浸沒并懸浮在水槽中，之后，在水槽中加入氫氟酸并與水混合形成氫氟酸溶液，使氫氟酸溶液與硅片表面充分接觸進(jìn)行流動式清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的所述的一種單晶或多晶硅片的酸洗工藝，其特征在于氫氟酸 溶液濃度保持在1 5%之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種單晶或多晶硅片的酸洗工藝，該工藝是準(zhǔn)備一水槽，與廢液處理設(shè)備相連，通入清水，使清水保持流動狀態(tài)，將經(jīng)過超聲堿洗后的單晶或多晶硅片完全浸沒并懸浮在水槽中，之后，在水槽中加入氫氟酸并與水混合，形成濃度保持在1～5％之間的氫氟酸溶液，使氫氟酸溶液與硅片表面充分接觸進(jìn)行流動式清洗。采用本發(fā)明方法，由于反應(yīng)物懸浮在液面隨著流動的氫氟酸溶液一起進(jìn)入廢液處理設(shè)備，且反應(yīng)充分、迅速，能減少酸的用量并產(chǎn)生較小的酸霧，有利于環(huán)境保護(hù)，并能達(dá)到清洗速度快、清洗質(zhì)量高的目的。
文檔編號C30B33/10GK101838851SQ20101012978
公開日2010年9月22日 申請日期2010年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月22日
發(fā)明者嚴(yán)郁剛, 周建明, 鄭王海 申請人:浙江明峰電子科技有限公司