一種多晶硅鑄錠爐和多晶硅鑄錠方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種多晶硅鑄錠爐，包括用于支撐硅料承載容器的底板，所述底板表面的熱導率不同。則在多晶硅鑄錠時，液態(tài)硅料結晶生長的過程中，在硅料承載容器的底部會形成一個橫向的溫度梯度，同時，也會在垂直于硅料承載容器的底部的方向上形成縱向的溫度梯度，從而在液態(tài)硅料結晶生長的過程中形成局部微凸的固液界面，并由此控制晶體初始成核的大小，形成較大的晶粒，繼而通過定向凝固最終形成多晶硅錠。由于此多晶硅錠的成核晶粒較大，則所述多晶硅錠的位錯和晶界會相應的減少，進而提高由此硅錠制得的多晶硅太陽能電池的轉化效率。
【專利說明】一種多晶娃鑄錠爐和多晶娃鑄錠方法
【技術領域】:
[0001]本發(fā)明涉及太陽電池制造【技術領域】，尤其涉及一種多晶硅鑄錠爐。
【背景技術】:
[0002]太陽能電池可以將光能轉換為電能，是現(xiàn)代節(jié)能社會發(fā)展的一個重點。根據(jù)基體材料的不同，現(xiàn)有的太陽能電池分為多晶硅太陽能電池和單晶硅太陽能電池。其中，單晶硅太陽能電池的轉化效率高，但生產成本也高，多晶硅太陽能電池的轉化效率比單晶硅電池低1%_2%，但其生產成本也低，綜合考慮，目前市場上的太陽能電池仍以多晶硅太陽能電池為主。
[0003]現(xiàn)有用于生產多晶硅太陽能電池的多晶硅錠通常采用定向凝固法制得，其基本原理是:將硅料放置在多晶硅鑄錠爐的坩堝內，利用多晶硅鑄錠爐內的加熱裝置對坩堝加熱，使硅料完全熔化成液態(tài)，再通過控制爐內的溫度變化，形成縱向的溫度梯度，對硅料溶液進行自下而上的冷卻，實現(xiàn)晶體的定向生長。
[0004]但是，現(xiàn)有的多晶硅錠存在較多的位錯和晶界，成為光生載流子的快速復合中心，使得由此硅錠制得的多晶硅太陽能電池的轉化效率降低。

【發(fā)明內容】

[0005]為解決上述技術問題，本發(fā)明申請的目的在于提供一種多晶硅鑄錠爐和多晶硅鑄淀方法，以減少娃淀內的位錯和缺陷，進而提聞多晶娃太陽能電池的轉換效率。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術方案:
[0007]—種多晶娃鑄錠爐，包括用于支撐娃料承載容器的底板，所述底板表面的熱導率不同。
[0008]優(yōu)選的，所述底板包括:
[0009]底板主體和控溫部件，所述底板主體和控溫部件的熱導率不同。
[0010]優(yōu)選的，所述底板主體的熱導率為IOW/ (m ? K)~1000W/ (m ? K)。
[0011]優(yōu)選的，所述控溫部件的熱導率為0.01ff/ (m ? K)飛OW/ (m ? K)。
[0012]優(yōu)選的，所述溫控部件呈多個尺寸相同的矩形，且以陣列方式排布在所述底板主體上。
[0013]優(yōu)選的，所述溫控部件呈多個尺寸不同的矩形，且多個矩形具有共同的幾何中心。
[0014]優(yōu)選的，所述溫控部件呈多個圓形，且以陣列方式排布在所述底板主體上。
[0015]優(yōu)選的，所述底板主體為一平板結構。
[0016]優(yōu)選的，所述底板主體表面設置有凹槽。
[0017]優(yōu)選的，所述控溫部件設置在所述凹槽內，且所述溫控部件填滿所述凹槽。
[0018]優(yōu)選的，所述溫控部件直接貼合在所述底板主體表面上。
[0019]優(yōu)選的，所述溫控部件的厚度為lmnT20mm。
[0020]優(yōu)選的，所述底板主體內設置有通透槽，所述通透槽貫穿所述底板主體。[0021]優(yōu)選的，所述溫控部件設置在所述通透槽內。
[0022]優(yōu)選的,所述多晶娃鑄錠爐還包括:
[0023]熱交換臺，所述熱交換臺設置在所述底板下方。
[0024]優(yōu)選的，所述熱交換臺上設置有通氣槽，所述通氣槽為外界氣體在所述底板與熱交換臺之間的流動通道。
[0025]優(yōu)選的，所述底板下方設置有開槽，所述開槽與通氣槽相配合作為外界氣體在所述底板與熱交換臺之間的流動通道。
[0026]優(yōu)選的，所述底板上設置有貫通所述底板的通孔，所述通孔與所述通氣槽相配合作為外界氣體在所述底板與熱交換臺之間的流動通道。
[0027]優(yōu)選的,所述多晶娃鑄錠爐還包括:
[0028]保溫板，所述保溫板圍成一保溫腔；
[0029]冷卻銅板，所述冷卻銅板位于保溫腔的底部；
[0030]底部加熱器，所述底部加熱器位于冷卻銅板上方，且所述底部加熱器上方設置有熱交換臺和底板；
[0031]坩堝，所述坩堝用于盛放硅料，所述坩堝外圍設置有防護板，且所述坩堝和防護板位于底板上方；
[0032]頂部加熱器，所述頂部加熱器位于保溫腔的頂部。
[0033]一種多晶娃鑄錠方法,包括:
[0034]通過底部加熱器和頂部加熱器為置于坩堝內的硅料加熱，使之熔化；
[0035]控制保溫腔內的溫度分布，形成平行于硅料承載容器底部的橫向溫度梯度和垂直于硅料承載容器底部的縱向溫度梯度，使液態(tài)的硅料結晶生長，最終形成多晶硅錠。
[0036]優(yōu)選的，形成所述橫向溫度梯度，包括:
[0037]通過提供具有不同表面熱導率底板的方法形成所述橫向溫度梯度，所述底板用于承載硅料承載容器。
[0038]優(yōu)選的，形成所述橫向溫度梯度，包括:
[0039]通過氣冷的的方式控制所述底板的溫度，形成所述橫向溫度梯度。
[0040]本發(fā)明所提供的技術方案中，多晶硅鑄錠爐內的底板表面熱導率不同，則在多晶娃鑄錠時，液態(tài)娃料結晶生長的過程中，在娃料承載容器的底部會形成一個橫向的溫度梯度，同時，也會在垂直于硅料承載容器的底部的方向上形成縱向的溫度梯度，從而在液態(tài)硅料結晶生長的過程中形成局部微凸的固液界面，并由此控制形成較大的成核晶粒，繼而通過定向凝固最終形成多晶硅錠，由于此多晶硅錠的成核晶粒較大，則所述多晶硅錠的位錯和晶界會相應的減少，進而提聞由此娃淀制得的多晶娃太陽能電池的轉化效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0042]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種多晶娃鑄淀爐底板結構不意圖；[0043]圖2為本發(fā)明實施例提供的另一種多晶硅鑄錠爐底板結構示意圖；
[0044]圖3為本發(fā)明實施例提供的又一種多晶硅鑄錠爐底板結構示意圖；
[0045]圖4為本發(fā)明實施例提供的一種多晶硅鑄錠爐底板剖面圖；
[0046]圖5為本發(fā)明實施例提供的另一種多晶硅鑄錠爐底板剖面圖；
[0047]圖6為本發(fā)明實施例提供的又一種多晶娃鑄錠爐底板剖面圖；
[0048]圖7為本發(fā)明實施例提供的一種多晶娃鑄淀爐底板和熱交換臺的不意圖；
[0049]圖8為本發(fā)明實施例提供的另一種多晶娃鑄淀爐底板和熱交換臺不意圖；
[0050]圖9為本發(fā)明實施例提供的又一種多晶娃鑄淀爐底板和熱交換臺不意圖；
[0051]圖10為本發(fā)明實施例提供的又一種多晶娃鑄淀爐底板和熱交換臺不意圖；
[0052]圖11為本發(fā)明實施例提供的一種多晶硅鑄錠爐結構示意圖；
[0053]圖12為本發(fā)明實施例提供的一種多晶硅結晶固液界面示意圖。
【具體實施方式】
[0054]為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0055]正如【背景技術】部分所述，現(xiàn)有的`多晶硅錠存在較多的位錯和晶界，成為光生載流子的快速復合中心，使得由此硅錠制得的多晶硅太陽能電池的轉化效率降低。
[0056]發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有多晶硅鑄錠過程中，盛載硅料的容器底部溫度分布比較均勻，只在垂直于容器底部的方向上有縱向的溫度梯度，使得硅料在容器底部均勻成核，則成核點較多，并隨機生長，形成的多晶硅錠晶粒較小，其中的位錯和晶界較多，從而造成了光生載流子快速復合，導致少子壽命低，降低了多晶硅太陽能電池的轉化效率。
[0057]本發(fā)明公開了一種多晶硅鑄錠爐，包括用于支撐硅料承載容器的底板，所述底板表面的熱導率不同。
[0058]由上述方案可以看出，多晶娃鑄淀爐內的底板表面熱導率不同，則在多晶娃鑄淀時，液態(tài)硅料結晶生長的過程中，在硅料承載容器的底部會形成一個橫向的溫度梯度，同時，也會在垂直于硅料承載容器的底部的方向上形成縱向的溫度梯度，從而在液態(tài)硅料結晶生長的過程中形成局部微凸的固液界面，并由此控制晶體初始成核的大小，形成較大的晶粒，繼而通過定向凝固最終形成多晶硅錠。由于此多晶硅錠的成核晶粒較大，則所述多晶娃淀的位錯和晶界會相應的減少，進而提聞由此娃淀制得的多晶娃太陽能電池的轉化效率。
[0059]以上是本申請的核心思想，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0060]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。[0061]本發(fā)明實施例公開了一種多晶硅鑄錠爐，包括用于支撐硅料承載容器的底板，所述底板表面的熱導率不同。
[0062]由于多晶娃鑄淀爐內的底板表面熱導率不同，則在多晶娃鑄淀時，液態(tài)娃料結晶生長的過程中，在娃料承載容器的底部會形成一個橫向的溫度梯度，同時，也會在垂直于娃料承載容器的底部的方向上形成縱向的溫度梯度，從而在液態(tài)硅料結晶生長的過程中形成局部微凸的固液界面，并由此控制晶體初始成核的大小，形成較大的晶粒，繼而通過定向凝固最終形成多晶硅錠，由于此多晶硅錠的成核晶粒較大，則所述多晶硅錠的位錯和晶界會相應的減少，進而提聞由此娃淀制得的多晶娃太陽能電池的轉化效率。
[0063]具體的，所述底板包括:
[0064]底板主體和控溫部件，所述底板主體和控溫部件的熱導率不同，其中，所述底板主體的熱導率為low/ (m ? K)~1000W/ (m ? K)，優(yōu)選為50W/ (m ? K)飛OOW/ (m ? K)，更優(yōu)選的，所述底板主體的熱導率為IOOW/(m ? K);所述控溫部件的熱導率為0.01ff/(m ? K廣50W/(m ? K)，優(yōu)選為0.1ff/ (m ? K) ^20ff/ (m ? K)，更優(yōu)選的，所述控溫部件的熱導率為IW/ (m ? K)。
[0065]如圖1所示，所述溫控部件11呈多個尺寸相同的矩形，且以陣列方式排布在所述底板主體10上。
[0066]或者，如圖2所示，所述溫控部件11呈多個尺寸不同的矩形設置在底板主體10上，且多個矩形具有共同的幾何中心。
[0067]或者，如圖3所示，所述溫控部件11呈多個圓盤狀，且以陣列方式排布在所述底板主體10上，其中，位于所述底板主體10中心處的圓盤狀溫控部件11的面積大于其他位置的溫控部件11的面積。
[0068]如圖4所示，所述底板主體10為一平板結構，且所述底板主體10表面設置有凹槽，所述控溫部件11設置在所述`凹槽內，且所述溫控部件22填滿所述凹槽。
[0069]或者，如圖5所示，所述底板主體10為一平板結構，所述溫控部件11直接貼合在所述底板主體10表面上。所述溫控部件11的厚度為lmnT20mm，優(yōu)選的，所述溫控部件11的厚度為5mnTl0mm,更優(yōu)選的,所述溫控部件11的厚度為8mm。
[0070]或者,如圖6所示,所述底板主體10為一平板結構,其所述底板主體10內設置有與所述溫控部件11相對應的通透槽，所述通透槽貫穿所述底板主體10，所述溫控部件11設置在所述通透槽內。
[0071]需要說明的是，所述溫控部件可以為空氣或惰性氣體如氬氣、氮氣等，即只需在所述底板主體上作出凹槽或通透槽即可。
[0072]可見，上述底板由底板主體和溫控部件構成，所述底板主體和溫控部件具有不同的熱導率，并且所述溫控部件按照一定的規(guī)則排列在底板主體上，則所述底板表面的熱導率不同，在多晶硅鑄錠時，液態(tài)硅料結晶生長的過程中，在硅料承載容器的底部會形成一個橫向的溫度梯度，同時，也會在垂直于硅料承載容器的底部的方向上形成縱向的溫度梯度，從而在液態(tài)硅料結晶生長的過程中形成局部微凸的固液界面，并由此控制晶體初始成核的大小，形成較大的成核晶粒，繼而通過定向凝固最終形成多晶硅錠，由于此多晶硅錠的成核晶粒較大，則所述多晶娃淀的位錯和晶界會相應的減少，進而提聞由此娃淀制得的多晶娃太陽能電池的轉化效率。
[0073]此外,所述多晶娃鑄錠爐還包括:[0074]熱交換臺，如圖7所述，所述熱交換臺2設置在所述底板I下方。
[0075]具體的，如圖8所示，所述熱交換臺2上設置有通氣槽，所述通氣槽為外界氣體在所述底板I與熱交換臺2之間的流動通道。
[0076]或者，如圖9所示，所述熱交換臺2上設置有通氣槽，所述底板I下方設置有開槽，所述開槽與上述設置在熱交換臺2上的通氣槽相配合作為外界氣體在所述底板I與熱交換臺2之間的流動通道。
[0077]或者，如圖10所示，所述熱交換臺2上設置有通氣槽，所述底板I上設置有貫通所述底板I的通孔，所述通孔與所述通氣槽相配合作為外界氣體在所述底板與熱交換臺之間的流動通道。
[0078]外界氣體會通過所述底板與熱交換臺之間氣體流動通道在底板與熱交換臺之間流動，同時帶走硅料盛載容器底部的熱量，則可以通過控制外界氣體的溫度、流量、種類等因素來調節(jié)硅料盛載容器底部的溫度，進而可以更好的控制硅料盛載容器底部的溫度，進一步的，可以更好的控制晶體初始成核的大小，形成較大的成核晶粒，繼而通過定向凝固最終形成多晶硅錠，由于此多晶硅錠的成核晶粒較大，則所述多晶硅錠的位錯和晶界會相應的減少，進而提高由此硅錠制得的多晶硅太陽能電池的轉化效率。
[0079]此外,如圖11所示，所述多晶娃鑄錠爐還包括:
[0080]保溫板3，所述保溫板3圍成一保溫腔，且所述保溫板3為單層、雙層或多層的保溫板；
[0081 ] 冷卻銅板4，所述冷卻銅板4位于保溫腔的底部；
[0082]底部加熱器5，所述底部加熱器5位于冷卻銅板上方，且所述底部加熱器5上方設置有熱交換臺2和底板I，所述底部加熱器5用于通過熱交換臺2和底板I為硅料盛載容器底部加熱；
[0083]硅料盛載容器6，所述硅料盛載容器6具體為石英坩堝，用于盛放硅料，所述硅料盛載容器6外圍設置有防護板7,且所述娃料盛載容器6和防護板7位于底板I上方；
[0084]頂部加熱器8，所述頂部加熱器8位于保溫腔的頂部，即上部保溫板下方。
[0085]通過底板和熱交換臺的溫控作用，所述多晶硅鑄錠爐可以更好的去控制多晶硅錠的形成過程，減少其內部的位錯和晶界，提高多晶硅太陽能電池的轉化效率。
[0086]本發(fā)明另一實施例提供了一種多晶娃鑄錠方法，該方法包括:
[0087]將硅料添加到硅料盛載容器內之后，通過底部加熱器和頂部加熱器為置于硅料承載容器內的硅料加熱，使之熔化；
[0088]控制保溫腔內的溫度分布，形成平行于硅料承載容器底部的橫向溫度梯度和垂直于硅料承載容器底部的縱向溫度梯度，使液態(tài)的硅料結晶生長，最終形成多晶硅錠。
[0089]其中，液態(tài)的硅料結晶生長過程中，在平行于硅料承載容器底部的方向上產生局部橫向的溫度梯度，在垂直于娃料承載容器底部的方向上產生縱向的溫度梯度，溫度較低的區(qū)域優(yōu)先成核生長，且晶體生長速度快，較快的生長速度優(yōu)先形成較大的晶粒，抑制了其他區(qū)域晶粒的生長，且含有較多的孿晶，孿晶的存在可以使多晶硅太陽能電池獲得更高的轉換效率，如圖12所示，在本實施例中，由于所提供的熱場同時具有橫向和縱向的溫度梯度，則在成核初期，會形成局部微凸的固液界面，圖中箭頭所指為晶體的生長方向。
[0090]由于上述方法所取得的多晶硅錠的成核晶粒較大，則所述多晶硅錠的位錯和晶界會相應的減少，進而提聞由此娃淀制得的多晶娃太陽能電池的轉化效率。
[0091]其中，可以通過底部優(yōu)先冷卻的方法來形成垂直于硅料承載容器底部的縱向溫度梯度。
[0092]此外，形成所述橫向溫度梯度，包括:
[0093]通過提供具有不同表面熱導率底板的方法形成所述橫向溫度梯度，所述底板用于承載硅料承載容器，且所述底板為上述任一實施例所提供的底板。
[0094]由于所述底板表面熱導率不同，則在多晶硅鑄錠時，液態(tài)硅料結晶生長的過程中，在娃料承載容器的底部會形成一個橫向的溫度梯度，同時，也會在垂直于娃料承載容器的底部的方向上形成縱向的溫度梯度，從而在液態(tài)硅料結晶生長的過程中形成局部微凸的固液界面，并由此控制晶體初始成核的大小，形成較大的晶粒，繼而通過定向凝固最終形成多晶娃淀。由于此多晶娃淀的成核晶粒較大，則所述多晶娃淀的位錯和晶界會相應的減少，進而提高由此硅錠制得的多晶硅太陽能電池的轉化效率。
[0095]形成所述橫向溫度梯度，還可以包括:
[0096]通過氣冷的的方式控制所述底板的溫度，形成所述橫向溫度梯度。
[0097]具體的，通過向設置在底板和熱交換臺之間的通道通入預設的氣體，通過氣冷的方式控制所述底板的溫度，進而控制硅料承載容器底部的溫度，形成所述橫向溫度梯度，從而更好的控制多晶硅的生長過程，得到具有更少的位錯和晶界的多晶硅錠，進一步的提高多晶硅太陽能電池的轉換效率。所述底板和熱交換臺為上述任一實施例所提供的底板和熱交換臺。
[0098]本發(fā)明說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業(yè)技術人員能夠實現(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業(yè)技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【權利要求】
1.一種多晶硅鑄錠爐，包括用于支撐硅料承載容器的底板，其特征在于，所述底板表面的熱導率不同。
2.根據(jù)權利要求1所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板包括: 底板主體和控溫部件,所述底板主體和控溫部件的熱導率不同。
3.根據(jù)權利要求2所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板主體的熱導率為IOW/(m ? K)"1000ff/ (m ? K)。
4.根據(jù)權利要求2所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述控溫部件的熱導率為0.01ff/(m ? K)~50W/ (m ? K)。
5.根據(jù)權利要求2所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述溫控部件呈多個尺寸相同的矩形，且以陣列方式排布在所述底板主體上。
6.根據(jù)權利要求2所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述溫控部件呈多個尺寸不同的矩形，且多個矩形具有共同的幾何中心。
7.根據(jù)權利要求2所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述溫控部件呈多個圓形，且以陣列方式排布在所述底板主體上。
8.根據(jù)權利要求2所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板主體為一平板結構。
9.根據(jù)權利要求8所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板主體表面設置有凹槽。
10.根據(jù)權利要求9所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述控溫部件設置在所述凹槽內，且所述溫控部件填滿所述凹槽。
11.根據(jù)權利要求8所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述溫控部件直接貼合在所述底板主體表面上。
12.根據(jù)權利要求11所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述溫控部件的厚度為lmnT20mmo
13.根據(jù)權利要求8所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板主體內設置有通透槽，所述通透槽貫穿所述底板主體。
14.根據(jù)權利要求13所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述溫控部件設置在所述通透槽內。
15.根據(jù)權利要求1所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，還包括: 熱交換臺，所述熱交換臺設置在所述底板下方。
16.根據(jù)權利要求15所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述熱交換臺上設置有通氣槽，所述通氣槽為外界氣體在所述底板與熱交換臺之間的流動通道。
17.根據(jù)權利要求16所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板下方設置有開槽，所述開槽與通氣槽相配合作為外界氣體在所述底板與熱交換臺之間的流動通道。
18.根據(jù)權利要求16所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述底板上設置有貫通所述底板的通孔，所述通孔與所述通氣槽相配合作為外界氣體在所述底板與熱交換臺之間的流動通道。
19.根據(jù)權利要求15所述多晶硅鑄錠爐，其特征在于，還包括: 保溫板，所述保溫板圍成一保溫腔； 冷卻銅板，所述冷卻銅板位于保溫腔的底部； 底部加熱器，所述底部加熱器位于冷卻銅板上方，且所述底部加熱器上方設置有熱交換臺和底板； 坩堝，所述坩堝用于盛放硅料，所述坩堝外圍設置有防護板，且所述坩堝和防護板位于底板上方； 頂部加熱器，所述頂部加熱器位于保溫腔的頂部。
20.—種多晶娃鑄錠方法,其特征在于,包括: 通過底部加熱器和頂部加熱器為置于硅料承載容器內的硅料加熱，使之熔化； 控制保溫腔內的溫度分布，形成平行于硅料承載容器底部的橫向溫度梯度和垂直于硅料承載容器底部的縱向溫度梯度，使液態(tài)的硅料結晶生長，最終形成多晶硅錠。
21.根據(jù)權利要求20所述多晶硅鑄錠`方法，其特征在于，形成所述橫向溫度梯度，包括:通過提供具有不同表面熱導率底板的方法形成所述橫向溫度梯度，所述底板用于承載硅料承載容器。
22.根據(jù)權利要求20所述多晶硅鑄錠方法，其特征在于，形成所述橫向溫度梯度，包括:通過氣冷的的方式控制所述底板的溫度，形成`所述橫向溫度梯度。
【文檔編號】C30B28/06GK103628125SQ201210298496
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年8月21日 優(yōu)先權日:2012年8月21日
【發(fā)明者】鄭志東, 翟蕊, 王朋, 李娟 , 王偉亮 申請人:浙江昱輝陽光能源有限公司