專利名稱：單晶爐的熱屏的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種單晶爐的熱屏，屬于單晶硅的生產(chǎn)制造設備技術(shù)領域。
背景技術(shù)：
單晶硅是具有完整的點陣結(jié)構(gòu)的晶體，是一種良好的半導體材料，目前被廣泛用于半導體器件以及太陽能電池的制造?，F(xiàn)有的單晶硅制造設備為單晶爐，其主要包括爐底、下爐體、上爐體、上爐蓋、隔離閥和副爐六大部分組成。其中下爐體中固定有熱屏，用于對放入其內(nèi)部的單晶硅進行加熱。熱屏在加熱過程中需要保持較高的溫度，然而以往單晶爐熱屏僅由內(nèi)熱屏層和外熱屏層兩層組成，其的保溫效果較差，導致單晶硅的生產(chǎn)受到影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種能夠保證單晶硅正常生產(chǎn)，保溫效果較好的單晶爐的熱屏。本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的:
本發(fā)明單晶爐的熱屏，內(nèi)熱屏層和外熱屏層，所述內(nèi)熱屏層和外熱屏層之間設有保溫層。所述保溫層為軟氈。這種單晶爐的熱屏具有以下優(yōu)點:
這種單晶爐的熱屏在內(nèi)熱屏層和外熱屏層之間增設了保溫層，該保溫層的材料為軟氈，其導熱系數(shù)小，隔熱性能好，使得內(nèi)熱屏層的溫度不易傳到外熱屏層上，從而提高了熱屏的保溫性能，保證了單晶硅的正常生產(chǎn)。


圖1為本發(fā)明單晶爐的熱屏的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:內(nèi)熱屏層1、外熱屏層2、保溫層3。
具體實施例方式參見圖1，本發(fā)明涉及的一種單晶爐的熱屏，包括內(nèi)熱屏層I和外熱屏層2，所述內(nèi)熱屏層I和外熱屏層2之間設有保溫層3，該保溫層3為軟氈，其導熱系數(shù)較低，隔熱性能好，使得內(nèi)熱屏層I的溫度不易傳到外熱屏層2上，從而提高了熱屏的保溫性能，保證了單晶娃的正常生廣。
權(quán)利要求
1.一種單晶爐的熱屏，其特征在于:它內(nèi)熱屏層(I)和外熱屏層(2)，所述內(nèi)熱屏層(I)和外熱屏層(2 )之間設有保溫層(3 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所 述的一種單晶爐的熱屏，其特征在于:所述保溫層(3)為軟氈。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種單晶爐的熱屏，屬于單晶硅的生產(chǎn)制造設備技術(shù)領域。一種單晶爐的熱屏，其特征在于它內(nèi)熱屏層(1)和外熱屏層(2)，所述內(nèi)熱屏層(1)和外熱屏層(2)之間設有保溫層(3)。所述保溫層(3)為軟氈。這種單晶爐的熱屏在內(nèi)熱屏層和外熱屏層之間增設了保溫層，該保溫層的材料為軟氈，其導熱系數(shù)小，隔熱性能好，使得內(nèi)熱屏層的溫度不易傳到外熱屏層上，從而提高了熱屏的保溫性能，保證了單晶硅的正常生產(chǎn)。
文檔編號C30B15/14GK103184509SQ20111045527
公開日2013年7月3日 申請日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者湯仁興 申請人:湯仁興