專利名稱：再裝填原料多晶硅的方法
再裝填原料多晶硅的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及再裝填原料多晶硅的方法，尤其是在使用切克勞斯基法(Czochralski method，下文稱為“CZ法”)制備硅單晶錠(下文稱為“錠”)的方法中，用來向坩堝中再供應(yīng)原料多晶硅塊的再裝填原料多晶硅的方法。
用于制備半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體襯底由單晶硅片制成，并且所述CZ法廣泛用于生長硅單晶錠。在所述CZ法中，坩堝裝有多晶硅，并且將這種多晶硅熔化以獲得硅熔體。然后，使晶種與所述硅熔體接觸，并且通過提拉所述晶種而生長錠。
難以再次使用已用過的坩堝。因此，為了降低制備錠的成本，通常使用多段拉晶技術(shù)，其中向所述坩堝再供應(yīng)作為原料的多晶硅，以補足由于提拉錠而減少的硅熔體，并且反復(fù)提拉所述錠而不更換坩堝。
例如，WO 02/068732中公開了借助于圓柱形再裝填管再裝填多晶硅的方法。這種再裝填管包括圓柱形管和在所述再裝填管下端的可拆開的圓錐形閥。在使用這種再裝填管的再裝填方法中，在所述管被所述圓錐形閥封閉的情況下，將固態(tài)多晶硅裝入所述管中， 在移除所述錠后將所述再裝填管置于所述坩堝上方，拆開所述圓錐形閥以打開所述管的下端，并且將多晶硅從所述管的下端供給至所述坩堝中。
根據(jù)這種常規(guī)再裝填方法，所述多晶硅從所述再裝填管落入所述坩堝中的硅熔體中，因此，所述坩堝中的硅熔體飛濺。如果所述硅熔體飛濺出坩堝，則對錠制備設(shè)備造成損壞，必須停止錠的生長過程，并且對錠的生長過程造成嚴重損害。此外，將預(yù)定百分比的雜質(zhì)混入所述硅熔體中，所述硅熔體的飛濺改變了坩堝中的硅熔體的雜質(zhì)濃度。因此，生長了不具備理想質(zhì)量的錠，引起質(zhì)量下降。
因此，常規(guī)地已公開了在再裝填的時候，防止坩堝中的硅熔體飛濺的方法。
例如，WO 02/068732中公開了以下方法。在多晶硅落下前，降低加熱器的輸出，以固化坩堝中的硅熔體表面。其后，提高加熱器的輸出，并且原料固態(tài)多晶硅從再裝填管落下。
但是，在常規(guī)的再裝填方法中，當(dāng)大塊多晶硅落下時，不能緩沖落下的多晶硅的沖擊。然后，落下的多晶硅沖破固化的硅熔體的表面，并且所述坩堝中的硅熔體可能會飛濺， 可能停止錠的制備。為此，在常規(guī)再裝填方法中，不能落下大塊的多晶硅。大塊原料多晶硅具有可以以低成本制備的優(yōu)點，因此可以降低制備成本。此外，在使用大塊原料多晶硅的情況下，相同重量的原料多晶硅的總表面積小于在使用小塊多晶硅的情況下原料多晶硅的總表面積。因此，可以減少所述多晶硅表面上的SiO2、雜質(zhì)如金屬以及混入大氣氣體等。因而， 在使用大塊原料多晶硅的情況中，在生長的錠中，可以限制由于雜質(zhì)污染、針孔形成等引起的無位錯率(dislocation free rate)和質(zhì)量的下降。
此外，在常規(guī)再裝填方法中，坩堝中的硅熔體表面固化。因此，所述硅熔體表面的體積膨脹，并且產(chǎn)生擠壓坩堝內(nèi)壁的力。這種力有可能使所述坩堝破裂。
本發(fā)明的目的是提供再裝填原料多晶硅的方法，其能夠再裝填大塊多晶硅，同時防止坩堝被損壞或破裂，以及限制生長的錠的無位錯率和質(zhì)量的下降。
為了實現(xiàn)上述目的，再裝填原料多晶硅的方法如下所述。所述方法是在制備硅單晶錠的方法中再裝填原料多晶硅的方法，所述再裝填方法包括將原料多晶硅裝入坩堝中的裝入步驟，熔化所述坩堝中裝入的多晶硅以形成硅熔體的熔化步驟，以及使晶種接觸所述硅熔體并且提拉所述晶種，從而生長硅單晶錠的提拉步驟；其中，在所述熔化步驟和提拉步驟后，向所述坩堝進一步供應(yīng)原料多晶硅；其中，通過將小尺寸的小多晶硅塊引入到所述坩堝中的硅熔體的表面而形成緩沖區(qū)(cushioning region)，并且將尺寸大于所述小多晶硅塊的大多晶硅塊供給至所述緩沖區(qū)上。
在根據(jù)本發(fā)明的再裝填原料多晶硅的方法中，所述小多晶硅塊的尺寸為5mm至 50mmo
在根據(jù)本發(fā)明的再裝填原料多晶硅的方法中，所述小多晶硅塊的尺寸為5mm至小于 20mm。
在根據(jù)本發(fā)明的再裝填原料多晶硅的方法中，所述小多晶硅塊的尺寸為20mm至 50mmo
在根據(jù)本發(fā)明的再裝填原料多晶硅的方法中，使用再裝填裝置將原料多晶硅供給至所述坩堝中的硅熔體，所述再裝填裝置包括具有通道的主體和使所述主體的一端打開或閉合的蓋體，所述通道貫穿所述主體。
在根據(jù)本發(fā)明的再裝填原料多晶硅的方法中，大多晶硅塊的尺寸允許所述大多晶硅塊通過所述主體的通道，并且大于50mm。
在根據(jù)本發(fā)明的再裝填原料多晶硅的方法中，通過所述蓋體閉合所述再裝填裝置的主體的一端，將所述小多晶硅塊裝入所述主體中，將所述大多晶硅塊裝在已裝入所述主體中的小多晶硅塊上，并且打開所述蓋體以將所述原料多晶硅供給至所述坩堝中的硅熔體。
發(fā)明效果
依照根據(jù)本發(fā)明的再裝填原料多晶硅的方法，即使當(dāng)再裝填所述大塊原料多晶硅時，在所述坩堝中的硅熔體表面上形成的緩沖區(qū)起到?jīng)_擊緩沖構(gòu)件的作用，由此能夠防止所述坩堝中的硅熔體飛濺，并且防止所述坩堝被損壞或破裂。此外，可以在所述硅熔體不飛濺的情況下再裝填所述大塊多晶硅，這可以防止所生長的錠的無位錯率和質(zhì)量的下降。而且，由于可以以低成本制備所述大塊原料多晶硅，可獲得可以降低錠制備成本的優(yōu)點。
圖1的截面圖顯示用于實施根據(jù)本發(fā)明的實施方案的再裝填原料多晶硅的方法的再裝填裝置。
圖2顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施方案的再裝填原料多晶硅的方法。
圖3顯示所述再裝填裝置的主體的布置的一個實例。
圖4顯示作為原料的多晶硅塊的類型。
下面將參照顯示優(yōu)選實施方案的


本發(fā)明。
圖1的截面圖顯示用于實施根據(jù)本發(fā)明實施方案的再裝填原料多晶硅的方法的再裝填裝置。
如圖1所示，再裝填裝置10放置在坩堝20的上方，所述坩堝20設(shè)置在圖中未顯示的錠制備設(shè)備內(nèi)部。在所述錠制備設(shè)備中實施所述CZ法。在CZ方法中，將作為原料的多晶硅裝入坩堝中，并且在惰性氣體(如氬氣)的氣氛中將裝入所述坩堝中的多晶硅熔化， 以形成硅熔體。使晶種與所述硅熔體接觸，并且通過提拉所述晶種而生長錠。如圖1所示，所述坩堝20在其外周被加熱器30包圍。所述加熱器30用于加熱所述坩堝20的內(nèi)部，并熔化多晶硅的塊(下文也稱為“多晶硅塊”)。所述坩堝20例如為由石英制成的石英坩堝， 所述加熱器30例如為石墨加熱器。
所述再裝填裝置10具有中空圓柱形主體1和能夠使所述主體一端打開和閉合的蓋體2，所述中空圓柱形主體1具有通道(through passageway)，所述通道的兩端Ia和Ib 在外部打開。所述主體1例如由石英制成。所述蓋體2為具有圓錐形表面加的圓錐形狀， 所述圓錐形表面可以與所述端Ia的周邊緊密接觸。線(wire) 3與所述蓋體2相連，并且所述線3從所述端Ia至所述端Ib貫穿所述主體1的內(nèi)部，以與所述再裝填裝置10的未顯示的打開/閉合裝置相連。應(yīng)當(dāng)注意，主體1的形狀不限于圓柱形，也可以采用其他形狀如柱形。相似地，對于所述蓋體2的形狀，也可以采用其他形狀如金字塔形。
在所述再裝填裝置10中，利用放出或卷繞所述線3的未顯示的打開/閉合裝置， 從而垂直地移動所述蓋體2，進行所述主體1的端Ia的打開和閉合。
下面將說明根據(jù)本發(fā)明第一實施方案使用上述再裝填裝置的再裝填原料多晶硅的方法。圖2(a)至(f)顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施方案的再裝填原料多晶硅的方法。
在錠的生長期間，在熔化所述多晶硅塊步驟或提拉所述錠步驟后進行再裝填。首先，所述再裝填裝置10的主體1的端Ia被所述蓋體2閉合。然后，將原材料多晶硅裝入所述主體1中。當(dāng)裝入原材料多晶硅時，所述再裝填裝置10采取這樣的姿勢，例如使所述主體1的軸向在垂直方向上定向。此外，如圖3所示，所述再裝填裝置10可以借助于例如支持體4而采取這樣的姿勢，使所述主體1可以傾斜，這樣所述主體1的軸向相對于垂直方向具有預(yù)定的角度如45度。
這里，取決于多晶硅塊的尺寸，將作為原料多晶硅的多晶硅塊分成三類小尺寸多晶硅塊Si、中尺寸多晶硅塊S2和大尺寸多晶硅塊S3。如圖4所示，所述小尺寸多晶硅塊 Sl是具有小塊尺寸的多晶硅塊，所述中尺寸多晶硅塊S2是具有中塊尺寸的多晶硅塊，所述大尺寸多晶硅塊S3是具有大塊尺寸的多晶硅塊。所述塊尺寸由所述塊的最大寬度h定義。 最大寬度h小于20mm的多晶硅塊為小尺寸多晶硅塊Si。最大寬度h為20mm至50mm的多晶硅塊為中尺寸多晶硅塊S2。最大寬度h大于50mm的多晶硅塊為大尺寸多晶硅塊S3。
如圖2(b)所示，將原料多晶硅填充入主體1中開始時用緩沖層形成多晶硅塊 (cushioning layer formation polycrystalline silicon chunks) Sb 形成后面描述白勺緩沖層(cushioning layer)。使用所述小尺寸多晶硅塊Sl或所述中尺寸多晶硅塊S2作為所述緩沖層形成多晶硅塊Sb。也就是說，將所述小尺寸多晶硅塊Sl或所述中尺寸多晶硅塊 S2裝入還未裝有原料多晶硅的所述主體1中。將要裝入的所述緩沖層形成多晶硅塊Sb的量基于所述坩堝20的直徑等，并且所述坩堝20中硅熔體40的表面41完全被所述緩沖層形成多晶硅塊Sb覆蓋。在本實施方案中，所述中尺寸多晶硅塊S2用作所述緩沖層形成多晶硅塊Sb。
接下來，如圖2(c)所示，將尺寸大于所述中尺寸多晶硅塊S2的多晶硅塊，即所述大尺寸多晶硅塊S3裝入所述主體1中。因此，所述中尺寸多晶硅塊S2從下端Ia沉積在所述主體1內(nèi)，隨后，所述大尺寸多晶硅塊S3沉積在所述中尺寸多晶硅塊S2上，所述塊S3的尺寸大于所述塊S2的尺寸。
當(dāng)如上所述將所述多晶硅塊裝入所述主體1中時，所述主體1可以如圖3所示相對于垂直方向以預(yù)定角度傾斜。按這種方式，當(dāng)將所述多晶硅塊裝入所述主體1中時，可以緩沖多晶硅塊對所述主體1的沖擊。特別是當(dāng)裝入所述大尺寸多晶硅塊S3時，預(yù)先沉積在所述主體1底部的所述中尺寸多晶硅塊S2作為緩沖構(gòu)件緩沖由于所述大尺寸多晶硅塊S3 落下而引起的沖擊。
在將多晶硅塊S裝入所述主體1后，將所述再裝填裝置10置于所述坩堝20上方的預(yù)定位置。如圖2(a)所示，將要放置所述再裝填裝置10的所述位置在所述坩堝20的上方，其中所述主體1的軸向與垂直方向一致。
接下來，如圖2(d)所示，所述線3由未顯示的打開/閉合裝置放出并延伸，這樣所述蓋體2向下移動以打開所述主體1的端la。按這種方式，首先，將沉積在所述主體1下部的所述中尺寸多晶硅塊S2供給至所述坩堝20中的硅熔體40上。由于所述中尺寸多晶硅塊S2尺寸小，所以它們漂浮在所述硅熔體40的表面41上。因此，所述中尺寸多晶硅塊 S2沉積在所述硅熔體40的表面41上，并且覆蓋所述表面41。然后，如圖2(e)所示，將尺寸大于所述中尺寸多晶硅塊S2的大尺寸多晶硅塊S3供給至所述坩堝20中的多晶硅熔體 40上。此時，為了使所述主體1的端Ia的開口寬度更大，可以進一步下降所述蓋體2。因為此時所述硅熔體40的表面41被所述中尺寸多晶硅S2覆蓋，并且所述大尺寸多晶硅塊S3 落在漂浮在所述硅熔體40的表面41上的所述中尺寸多晶硅塊S2的層上，所以所述漂浮的中尺寸多晶硅塊S2的層緩沖由于所述大尺寸多晶硅塊S3落下而引起的沖擊。也就是說， 首先供給至所述坩堝20中的所述中尺寸多晶硅塊S2沉積在所述多晶硅熔體40的表面41 上，并且形成作為緩沖區(qū)的緩沖層50。然后，如圖2(f)所示，將裝入再裝填裝置10的所述主體1內(nèi)的所有多晶硅塊供給至所述坩堝20中，結(jié)束再裝填。
再裝填的多晶硅塊由于被加熱器30加熱而熔化，并且變成硅熔體。按這種方式， 將所需量的硅熔體供給至所述坩堝20中。
下面說明根據(jù)本發(fā)明第二實施方案的再裝填原料多晶硅的方法。
根據(jù)本發(fā)明第二實施方案的再裝填原料多晶硅的方法與根據(jù)上述第一實施方案的再裝填原料多晶硅的方法的區(qū)別僅在于，作為所述緩沖層形成多晶硅塊Sb，使用小尺寸多晶硅塊Sl而不是所述中尺寸多晶硅塊S2。也就是說，在根據(jù)本發(fā)明第二實施方案的再裝填方法中，所述小尺寸多晶硅塊Sl在所述坩堝20中硅熔體40的表面41上形成緩沖層 50，并且將所述大尺寸多晶硅塊S3供給至所述緩沖層50上。根據(jù)本發(fā)明第二實施方案的再裝填方法與根據(jù)本發(fā)明第一實施方案的再裝填方法的區(qū)別僅在于，所述小尺寸多晶硅塊 Sl用作所述緩沖層形成多晶硅塊Sb。由于這兩種方法的其余過程相同，將省略對它們的詳細說明。
下面說明在本發(fā)明第一和第二實施方案中將原料多晶硅從所述主體1供給至所述坩堝20的方法。優(yōu)選地，通過調(diào)節(jié)所述線3的長度，首先將所述緩沖層形成多晶硅塊 Sb (其為所述小尺寸多晶硅塊Sl或中尺寸多晶硅塊幻)供給至所述坩堝20中；然后，將所有緩沖層形成多晶硅塊Sb供給至所述坩堝20中，這樣由所述緩沖層形成多晶硅塊Sb組成的緩沖層50形成在所述硅熔體40的表面41上；然后，將所述大尺寸多晶硅塊S3引入到緩沖層50上。例如，當(dāng)將所述多晶硅塊從所述主體1供給至所述坩堝20時，首先下降所述蓋體2以使所述主體1的端Ia打開一定寬度，所述寬度允許所述緩沖層形成多晶硅塊Sb通過并且防止所述大尺寸多晶硅塊S3通過，然后，將所有所述緩沖層形成多晶硅塊Sb填充入所述坩堝20中后，進一步下降所述蓋體2以使所述大尺寸多晶硅塊S3通過。
關(guān)于裝入所述再裝填裝置10的主體1中的多晶硅塊的量，優(yōu)選地，所述緩沖層形成多晶硅塊Sb和所述大尺寸多晶硅塊S3的總量相當(dāng)于將待再裝填的多晶硅的理想的量。
如上所述，當(dāng)在根據(jù)本發(fā)明實施方案的再裝填方法中再裝填所述多晶硅塊時，首先引入所述小尺寸多晶硅塊Sl或所述中尺寸多晶硅塊S2 ；然后，所述小尺寸多晶硅塊Sl 或所述中尺寸多晶硅塊S2沉積在所述坩堝20中的硅熔體40的表面41上，從而形成所述緩沖層50。由于接下來將具有大尺寸的所述大尺寸多晶硅塊S3引入到所述緩沖層50上， 所述緩沖層50緩沖由于所述大尺寸多晶硅塊S3落下而引起的沖擊。這可以防止所述坩堝 20中的硅熔體40由于所述大多晶硅塊落下的沖擊而飛濺。
通過形成所述緩沖層50，可以再裝填所述大尺寸多晶硅塊S3，所述大尺寸多晶硅 S3的尺寸很大，以致于它們不能通過常規(guī)方法再裝填而不使所述硅熔體40飛濺。
此外，所述緩沖層50由漂浮在所述硅熔體40上的所述小尺寸多晶硅塊Sl或所述中尺寸多晶硅塊S2形成。所述緩沖層50的形成防止對所述坩堝20施力，因此所述坩堝20 既不損壞也不破裂。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明實施方案的再裝填方法，在再裝填大多晶硅塊的情況下，具有可以以低成本制備所述大多晶硅塊原料的優(yōu)點。因此，可以降低制備錠的成本，并且原料多晶硅的總表面積變得更小，因而可以減少多晶硅表面上的SiO2、雜質(zhì)如金屬以及混入的大氣氣體等。這樣，在所生長的錠中，可以限制由于雜質(zhì)污染、針孔形成等引起的無位錯率和質(zhì)量的下降。因此，將被再裝填的多晶硅塊優(yōu)選為所述大尺寸多晶硅塊，所述大尺寸多晶硅塊的尺寸很大，以致于在常規(guī)再裝填方法中，它們不能在不使所述硅熔體40飛濺的情況下再裝填入所述坩堝中。
為了防止缺陷發(fā)生，例如在所述錠中形成針孔，優(yōu)選地，作為上述緩沖層形成多晶硅塊Sb的所述小尺寸多晶硅塊Sl的尺寸設(shè)置為至少5mm。
以這樣的方式設(shè)置將引入到所述坩堝20中形成的緩沖層50上的所述大尺寸多晶硅塊S3的最大尺寸，使所述塊S3可以通過所述再裝填裝置10的主體1中的通道。例如， 如果所述主體1的通道的直徑為200mm，所述大尺寸多晶硅塊S3的最大尺寸為200mm。然而，當(dāng)將多晶硅塊引入到所述主體1中時，優(yōu)選考慮防止所述主體1由于沖擊而被損壞，并且，同樣優(yōu)選地，所述大尺寸多晶硅塊S3的尺寸最大為200mm。但是，考慮到防止對所述主體1的損壞，所述大尺寸多晶硅塊S3的最大尺寸取決于所述主體1的材料和尺寸，并且不限于以上所述。實施例
下面將說明本發(fā)明的實施例。
使用上述根據(jù)本發(fā)明第一實施方案的再裝填原料多晶硅的方法再裝填所述多晶硅塊(實施例1-4)。
在實施例1中，使用最大寬度h為60mm的多晶硅塊作為所述大尺寸多晶硅塊S3。 在實施例2中，使用最大寬度h為IOOmm的多晶硅塊作為所述大尺寸多晶硅塊S3。在實施例3中，使用最大寬度h為150mm的多晶硅塊作為所述大尺寸多晶硅塊S3。在實施例4中， 使用最大寬度h為200mm的多晶硅塊作為所述大尺寸多晶硅塊S3。在實施例1_4的任一實施例中，使用最大寬度h為50mm的多晶硅塊作為用作所述緩沖層形成多晶硅塊Sb的中尺寸多晶硅塊S2。在所述再裝填裝置10中，所述主體1中的通道的直徑略大于200mm。
作為比較例，使用再裝填原料多晶硅的常規(guī)方法再裝填所述多晶硅塊(比較例 1-4)。所述常規(guī)再裝填方法與根據(jù)本發(fā)明實施方案的再裝填方法的區(qū)別在于，再裝填所述多晶硅塊而不形成所述緩沖層。換句話說，在每個實施例中將相同尺寸的多晶硅塊從所述再裝填裝置10引入到所述坩堝20中。
在比較例1中，再裝填最大寬度h為60mm的所述大尺寸多晶硅塊S3。
在比較例2中，再裝填最大寬度h為IOOmm的所述大尺寸多晶硅塊S3。
在比較例3中，再裝填最大寬度h為150mm的所述大尺寸多晶硅塊S3。
在比較例4中，再裝填最大寬度h為200mm的所述大尺寸多晶硅塊S3。
作為參考例，使用再裝填原料多晶硅的上述常規(guī)方法再裝填最大寬度h為30mm的中尺寸多晶硅塊S2(參考例1)和最大寬度h為50mm的中尺寸多晶硅塊S2 (參考例2)。
在實施例1-4、比較例1-4和參考例1、2中，觀察了在引入所述多晶硅塊時所述硅熔體飛濺的狀態(tài)。下面顯示觀察結(jié)果。
(表 1)
權(quán)利要求
1.再裝填原料多晶硅的方法，所述原料多晶硅用于制備硅單晶錠，所述方法包括將原料多晶硅裝入坩堝中的裝入步驟，熔化所述坩堝中裝入的多晶硅以形成硅熔體的熔化步驟，以及使晶種與所述硅熔體接觸并且提拉所述晶種，從而生長硅單晶錠的提拉步驟；其中，在所述熔化步驟和提拉步驟后，向所述坩堝中進一步供給原料多晶硅；其中，通過將小尺寸的小多晶硅塊引入到所述坩堝中的硅熔體的表面而形成緩沖區(qū)，并且將尺寸大于所述小多晶硅塊的大多晶硅塊供給至所述緩沖區(qū)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的再裝填原料多晶硅的方法，其中所述小多晶硅塊的尺寸為 5mm 至 50mmo
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的再裝填原料多晶硅的方法，其中所述小多晶硅塊的尺寸為 5mm至小于20mmο
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的再裝填原料多晶硅的方法，其中所述小多晶硅塊的尺寸為 20mm 至 50mmo
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4之一所述的再裝填原料多晶硅的方法，其中使用再裝填裝置將原料多晶硅供給至所述坩堝中的硅熔體，所述再裝填裝置包括具有通道的主體和使所述主體的一端打開或閉合的蓋體，所述通道貫穿所述主體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的再裝填原料多晶硅的方法，其中所述大多晶硅塊的尺寸允許所述大多晶硅塊通過所述主體的通道，并且大于50mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的再裝填原料多晶硅的方法，其中用所述蓋體閉合所述再裝填裝置的主體的一端，將所述小多晶硅塊裝入所述主體中，將所述大多晶硅塊裝到已裝入所述主體的小多晶硅塊上，并且打開所述蓋體以將所述原料多晶硅供給至所述坩堝中的硅熔體。
全文摘要
為了提供再裝填原料多晶硅的方法，所述方法能夠再裝填大塊多晶硅，同時防止坩堝被損壞、破裂以及限制所生長的錠的無位錯率和質(zhì)量的下降。當(dāng)再裝填多晶硅塊時，首先引入緩沖層形成多晶硅塊Sb，其為小尺寸多晶硅塊S1或中尺寸多晶硅塊S2。所述緩沖層形成多晶硅塊Sb沉積在坩堝20中的硅熔體40的表面41上，并且形成緩沖層50。由于接下來將大尺寸多晶硅塊S3引入到所述緩沖層50上，所述緩沖層50緩沖由于大尺寸多晶硅塊S3落下而引起的沖擊。
文檔編號C30B15/02GK102534755SQ20111045522
公開日2012年7月4日 申請日期2011年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月28日
發(fā)明者二宮武士, 加藤英生, 吉村聡子 申請人:硅電子股份公司