專利名稱：帶測(cè)溫接口的單晶爐下爐體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種帶測(cè)溫接口的單晶爐下爐體，屬于單晶硅的生產(chǎn)制造設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
單晶硅是具有完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體，是一種良好的半導(dǎo)體材料，目前被廣泛用于半導(dǎo)體器件以及太陽(yáng)能電池的制造?，F(xiàn)有的單晶硅制造設(shè)備為單晶爐，其主要包括爐底、下爐體、上爐體、上爐蓋、隔離閥和副爐六大部分組成。以往的單晶爐僅在下爐體側(cè)壁設(shè)有一個(gè)測(cè)溫接口，但由于測(cè)溫探頭對(duì)安裝位置，角度，以及本身的旋轉(zhuǎn)角度都比較敏感，單個(gè)測(cè)溫探頭無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)出下爐體內(nèi)部溫度，測(cè)量精度較差，導(dǎo)致單晶硅的質(zhì)量受到影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種測(cè)量精度高，能保證單晶硅質(zhì)量的帶測(cè)溫接口的單晶爐下爐體。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:
本發(fā)明帶測(cè)溫接口的單晶爐下爐體，其特征在于:它包括下爐體本體，所述下爐體本體的側(cè)壁上開設(shè)有三個(gè)測(cè)溫接口，所述三個(gè)測(cè)溫接口位于同一平面，且相鄰兩個(gè)測(cè)溫接口與其所在平面中心的連線成120°度夾角。這種帶測(cè)溫接口的單晶爐下爐體具有以下優(yōu)點(diǎn): 這種帶測(cè)溫接口的單晶爐下爐體在側(cè)壁上開設(shè)有三個(gè)測(cè)溫接口，這三個(gè)測(cè)溫接口位于同一平面，且相鄰兩個(gè)測(cè)溫接口與其所在平面中心的連線成120°度夾角，三個(gè)測(cè)溫接口均勻設(shè)置在下爐體側(cè)壁上后共同對(duì)下爐體內(nèi)部進(jìn)行測(cè)溫，具有較高的測(cè)量精度，能夠保證單晶娃的生廣質(zhì)量。


圖1為本發(fā)明帶測(cè)溫接口的單晶爐下爐體的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:下爐體本體1、測(cè)溫接口 2。
具體實(shí)施例方式參見(jiàn)圖1，本發(fā)明涉及的一種帶測(cè)溫接口的單晶爐下爐體，包括下爐體本體1，所述下爐體本體I的側(cè)壁上開設(shè)有三個(gè)測(cè)溫接口 2，所述三個(gè)測(cè)溫接口 2位于同一平面，且相鄰兩個(gè)測(cè)溫接口與其所在平面中心的連線成120°度夾角，三個(gè)測(cè)溫接口均勻設(shè)置在下爐體側(cè)壁上后共同對(duì)下爐體內(nèi)部進(jìn)行測(cè)溫，具有較高的測(cè)量精度，能夠保證單晶硅的生產(chǎn)質(zhì)量。
權(quán)利要求
1.一種帶測(cè)溫接口的單晶爐下爐體，其特征在于:它包括下爐體本體(I)，所述下爐體本體(I)的側(cè)壁上開設(shè)有三個(gè)測(cè)溫接口(2)，所述三個(gè)測(cè)溫接口(2)位于同一平面，且相鄰兩個(gè)測(cè)溫接口與其所在平面中心的連線成120°度夾角。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種帶測(cè)溫接口的單晶爐下爐體，屬于單晶硅的生產(chǎn)制造設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。一種帶測(cè)溫接口的單晶爐下爐體，其特征在于它包括下爐體本體(1)，所述下爐體本體(1)的側(cè)壁上開設(shè)有三個(gè)測(cè)溫接口(2)，所述三個(gè)測(cè)溫接口(2)位于同一平面，且相鄰兩個(gè)測(cè)溫接口與其所在平面中心的連線成120°度夾角。這種帶測(cè)溫接口的單晶爐在側(cè)壁上開設(shè)有三個(gè)測(cè)溫接口，這三個(gè)測(cè)溫接口位于同一平面，且相鄰兩個(gè)測(cè)溫接口與其所在平面中心的連線成120°度夾角，三個(gè)測(cè)溫接口均勻設(shè)置在下爐體側(cè)壁上后共同對(duì)下爐體內(nèi)部進(jìn)行測(cè)溫，具有較高的測(cè)量精度，能夠保證單晶硅的生產(chǎn)質(zhì)量。
文檔編號(hào)C30B35/00GK103184527SQ201110455180
公開日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者湯仁興 申請(qǐng)人:湯仁興