專利名稱：具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種晶柱成長(zhǎng)裝置，特別是涉及一種采用多上爐室的設(shè)計(jì)，能夠 與一上爐室等待晶柱冷卻的同時(shí)，可使用另一上爐室繼續(xù)執(zhí)行拉晶工藝的一種具有多上爐 室的晶柱成長(zhǎng)裝置。
背景技術(shù)：
長(zhǎng)期以來，晶圓供應(yīng)商以柴氏法(Czochralski method)為基礎(chǔ)，設(shè)計(jì)并制造出多 種拉晶設(shè)備，借由拉晶設(shè)備以制造晶柱。如中國(guó)臺(tái)灣專利證書號(hào)1228550所揭露的一種半導(dǎo)體單結(jié)晶拉晶裝置，請(qǐng)參閱圖 1，是半導(dǎo)體單結(jié)晶拉晶裝置的側(cè)視圖，該半導(dǎo)體單結(jié)晶拉晶裝置1’主要包括一底座11’、 一下爐室12’、一上爐室13’、一下爐室支架14’、及一上爐室支架15’。該下爐室12’是設(shè) 置于該底座11’的上方，下爐室12’可加熱硅原料以將其轉(zhuǎn)變?yōu)槿廴谝海聽t室12’同時(shí)可 存放硅熔融液；該上爐室13’是置放于下爐室12’上方，上爐室13’具有一拉晶機(jī)構(gòu)131’ 以執(zhí)行硅半導(dǎo)體的拉晶；該下爐室支架14’是設(shè)置于底座11’的一側(cè)，其具有一下爐室升降 機(jī)構(gòu)141’與一下爐室回旋機(jī)構(gòu)142’，利用該下爐室升降機(jī)構(gòu)141’可將下爐室12’提高，而 使用該下爐室回旋機(jī)構(gòu)142’可將下爐室12’移出底座11’之外；該上爐室支架15’是設(shè)置 于底座11’的另一側(cè)，其具有一上爐室升降機(jī)構(gòu)151’與一上爐室回旋機(jī)構(gòu)152’，利用該上 爐室升降機(jī)構(gòu)151’可將上爐室13’提高，而使用該上爐室回旋機(jī)構(gòu)152’可將上爐室13’ 移出底座11，之外。上述該半導(dǎo)體單結(jié)晶拉晶裝置1’為目前現(xiàn)有習(xí)用的硅半導(dǎo)體拉晶設(shè)備，其優(yōu)點(diǎn)在 于同時(shí)采用該下爐室升降機(jī)構(gòu)141’、該下爐室回旋機(jī)構(gòu)142’、該上爐室升降機(jī)構(gòu)151’、該 上爐室回旋機(jī)構(gòu)152’的設(shè)計(jì)，而使得工藝上與移出該上爐室13’以等待硅半導(dǎo)體晶柱冷卻 時(shí)，可同時(shí)移出該下爐室12’以進(jìn)行硅原料的填料動(dòng)作，另外，即使在生產(chǎn)線上，同時(shí)設(shè)置多 部半導(dǎo)體單結(jié)晶拉晶裝置1’，可以將其生產(chǎn)線自動(dòng)化。然而，上述該半導(dǎo)體單結(jié)晶拉晶裝置是采用單一上爐室的設(shè)計(jì)，當(dāng)硅半導(dǎo)體晶柱 長(zhǎng)成之后，須在上爐室內(nèi)等待晶柱冷卻，冷卻時(shí)間需要2至3個(gè)小時(shí)，此時(shí)可取下晶柱以準(zhǔn) 備執(zhí)行下一次的拉晶工藝，且在等待晶柱冷卻的時(shí)間內(nèi)，是無法有實(shí)際的生產(chǎn)效能，若是下 爐室之內(nèi)仍有硅熔融液而必須保持下爐室的加熱狀態(tài)時(shí)，更造成能源使用上的浪費(fèi)，也增 加了設(shè)備使用成本。由此可見，上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體單結(jié)晶拉晶裝置在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不 便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀 求解決之道，但長(zhǎng)久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu) 能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種成本低且使 用時(shí)可具有全方位調(diào)整功能的新型結(jié)構(gòu)的具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置實(shí)屬當(dāng)前重要研 發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置，使其利用多上爐 室的設(shè)計(jì)，可與一上爐室等待晶柱冷卻的同時(shí)，使用另一上爐室以繼續(xù)執(zhí)行晶柱成長(zhǎng)工藝， 以充分利用等待晶柱冷卻的時(shí)間，提升晶柱成長(zhǎng)裝置的生產(chǎn)效率與其能源使用效率。本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本 實(shí)用新型提出的一種具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置其包括一底座；一下爐室，是設(shè)置于 該底座之上，該下爐室內(nèi)部設(shè)置有一坩堝，該坩堝內(nèi)具有一熔融液，該熔融液可成長(zhǎng)為一晶 柱；一升降回旋裝置，是裝設(shè)于底座之上，該升降回旋裝置其包括一支撐架，是設(shè)置于底 座之上，以作為升降回旋裝置的主體；至少一支撐柱，是裝設(shè)于該支撐架的一壁面，該支撐 柱是作為升降回旋裝置的回旋軸；至少二支撐回旋機(jī)構(gòu)，是樞接于支撐柱之上，該支撐回旋 機(jī)構(gòu)是能夠以支撐柱為回旋軸而往返回旋；及至少二升降機(jī)構(gòu)，是設(shè)置于支撐架內(nèi)部，并由 支撐架內(nèi)部向外延伸以樞接于支撐柱，借由該升降機(jī)構(gòu)，可使得支撐回旋機(jī)構(gòu)在支撐柱之 上升降；及至少二上爐室，該上爐室具有一拉晶機(jī)構(gòu)可執(zhí)行晶柱成長(zhǎng)工藝，使用上爐室執(zhí)行 晶柱成長(zhǎng)工藝時(shí)，可通過升降機(jī)構(gòu)升起支撐回旋機(jī)構(gòu)，并回旋支撐回旋機(jī)構(gòu)以將上爐室置 于下爐室的上方，再通過升降機(jī)構(gòu)緩緩地降低支撐回旋機(jī)構(gòu)的高度，使得上爐室可與下爐 室連接，而可將該拉晶機(jī)構(gòu)置入該熔融液之內(nèi)，以通過拉晶機(jī)構(gòu)逐漸地將熔融液拉伸成長(zhǎng) 為一晶柱。本實(shí)用新型的目的以及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的一種具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置，其中所述的底座包括一下爐室墊塊， 該墊塊置于下爐室的下方，該下爐室墊塊具有一冷卻機(jī)構(gòu)可冷卻下爐室。前述的一種具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置，其中所述的下爐室包括一腔室，以容 置該坩堝；及一上蓋，是連接于腔室以作為其頂蓋，該上蓋之上設(shè)有一上爐室連接口，該上 爐室連接口可與該第一上爐室及第二上爐室連接，使得該拉晶機(jī)構(gòu)可通過上爐室連接口而 進(jìn)入腔室之內(nèi)。前述的一種具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置，其中所述的支撐架包括至少二升降 孔，是設(shè)置于支撐架的該壁面，該升降孔可使得該升降機(jī)構(gòu)可由支撐架內(nèi)部向外延伸，以樞 接于該支撐柱。前述的一種具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置，其中所述的當(dāng)該上爐室完成晶柱成長(zhǎng) 工藝之后，可使用該支撐回旋機(jī)構(gòu)將其從該下爐室上方移出，以等待該晶柱冷卻，同時(shí)，可 繼續(xù)使用另一支撐回旋機(jī)構(gòu)將另一上爐室移至下爐室上方，以繼續(xù)執(zhí)行另一晶柱的晶柱成 長(zhǎng)工藝。前述的一種具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置，其中所述的當(dāng)該上爐室完成晶柱成長(zhǎng) 工藝之后，可使用該支撐回旋機(jī)構(gòu)將其從該下爐室上方移出，以等待該晶柱冷卻，并可在等 待晶柱冷卻的同時(shí)，進(jìn)行下爐室的維護(hù)、填料與預(yù)熔。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本 實(shí)用新型提出一種具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置，其包括一底座、一下爐室、一升降回旋 裝置、及至少二上爐室。該下爐室是設(shè)置于該底座的上方；該升降回旋裝置是裝設(shè)于底座的 上方，其包括一支撐架、至少一支撐柱、至少二支撐回旋機(jī)構(gòu)、及至少二升降機(jī)構(gòu)，該支撐 架是設(shè)置于底座之上以作為升降回旋裝置的主體；該支撐柱是裝設(shè)于支撐架的一面以作為升降回旋裝置的回旋軸；該支撐回旋機(jī)構(gòu)是樞接于支撐柱之上，其能夠以支撐柱為回旋軸 而往返回旋；該升降機(jī)構(gòu)是設(shè)置于支撐架的內(nèi)部，并由支撐架內(nèi)部向外延伸以樞接于支撐 柱，借由升降機(jī)構(gòu)可使得支撐回旋機(jī)構(gòu)在支撐柱之上升降。該上爐室是裝置于支撐回旋機(jī) 構(gòu)之上，具有一拉晶機(jī)構(gòu)可執(zhí)行晶柱成長(zhǎng)工藝；當(dāng)使用一個(gè)上爐室完成晶柱成長(zhǎng)工藝之后， 可通過一組支撐回旋機(jī)構(gòu)將其移出下爐室，等待晶柱冷卻，同時(shí)，可通過另一組支撐回旋機(jī) 構(gòu)將另一個(gè)上爐室移至下爐室的上方，以繼續(xù)下一段的晶柱成長(zhǎng)工藝，因此，能夠充分地利 用等待晶柱冷卻的時(shí)間，以提升晶柱成長(zhǎng)裝置的生產(chǎn)效率與能源使用效率。借由上述技術(shù) 方案，本實(shí)用新型具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置至少有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果1、采用多上爐室的設(shè)計(jì)，可在其中一上爐室移出下爐室以等待晶柱冷卻的同時(shí)， 移入另一上爐室以繼續(xù)晶柱成長(zhǎng)工藝，不僅可有效利用等待晶柱冷卻的時(shí)間，也同時(shí)提升 晶柱成長(zhǎng)裝置的生產(chǎn)效率。2、采用多上爐室的設(shè)計(jì)，可在其中一上爐室移出下爐室以等待晶柱冷卻的同時(shí)， 進(jìn)行下爐室的維護(hù)、填料與預(yù)熔，其可有效利用等待晶柱冷卻的時(shí)間，并同時(shí)提升裝置的能 源使用效率。上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù) 手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為讓本實(shí)用新型的上述和其他目的、特征和優(yōu) 點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。

圖1是一種半導(dǎo)體單結(jié)晶拉晶裝置的側(cè)視圖； 圖2是本實(shí)用新型的一種具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置的立體圖； 圖3是具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置的一升降回旋裝置立體圖；及 圖4是具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置的一下爐室立體圖。 1 具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置1’ 半導(dǎo)體單晶拉晶裝置 11底座11，底座 111下爐室墊塊 12’12 下爐室 下爐室 121 腔室 122 上蓋1222 上爐室連 13 升降回旋裝置 13，上爐室 131 支撐架 131，拉晶 1311 第一升降孔 1312 第二升132 支撐柱 133 第一支撐回旋機(jī)構(gòu) 134 第二支撐回旋機(jī)構(gòu)135 第一升降機(jī)構(gòu) 136 第二升降機(jī)構(gòu) 14 第一上爐室 14’ 下爐室支架 141 第一拉晶機(jī)構(gòu) 141’下爐室升降機(jī)構(gòu) 142’ 下爐室回旋機(jī)構(gòu) 15 第二上爐室 151 第二拉晶機(jī)構(gòu) 15’上爐室支架151，上爐室升降機(jī) 152’上爐室回旋機(jī)構(gòu)具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下 結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本實(shí)用新型提出的具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置其具體實(shí) 施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。請(qǐng)參閱圖2與圖3所示，是本實(shí)用新型的一種具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置的立 體圖，與其升降回旋裝置的立體圖，該具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置1，其包括一底座11 一下爐室12，是設(shè)置于該底座11的上方，該下爐室12內(nèi)部設(shè)置有一坩堝(坩堝屬于現(xiàn)有習(xí) 知的技術(shù)而非本實(shí)用新型的特點(diǎn)，所以圖示中不特別繪制標(biāo)示)，該坩堝內(nèi)具有一熔融液， 該熔融液可成長(zhǎng)為一晶柱，其中，熔融液可依照所要成長(zhǎng)的晶柱種類而有所不同，較常使用 的熔融液原料為硅、鍺、砷化鎵、氧化鋁、石英及其他各種可適用材料；一升降回旋裝置13，是裝設(shè)于該底座11的上方，該升降回旋裝置13其包括一支 撐架131、至少一支撐柱132、至少二支撐回旋機(jī)構(gòu)、及至少二升降機(jī)構(gòu)，該支撐架131是設(shè) 置于底座11的上方，以作為升降回旋裝置13的主體；該支撐柱132是裝設(shè)于支撐架131的 一面以作為升降回旋裝置13的回旋軸；該至少二支撐回旋機(jī)構(gòu)，于本實(shí)施例中是分別為一 第一支撐回旋機(jī)構(gòu)133與一第二支撐回旋機(jī)構(gòu)134，該第一支撐回旋機(jī)構(gòu)133與該第二支撐 回旋機(jī)構(gòu)134是上下相對(duì)地樞接于支撐柱132上方，其兩者是能夠以支撐柱132為回旋軸 而往返回旋；該至少二升降機(jī)構(gòu)，是分別為一第一升降機(jī)構(gòu)135與一第二升降機(jī)構(gòu)136，該 第一升降機(jī)構(gòu)135與該第二升降機(jī)構(gòu)136是上下相對(duì)地設(shè)置于支撐架131內(nèi)部，且第一升 降機(jī)構(gòu)135與第二升降機(jī)構(gòu)136是由支撐架131的內(nèi)部而向外延伸，以樞接支撐柱132，其 中，第一升降機(jī)構(gòu)135可使得第一支撐回旋機(jī)構(gòu)133于支撐柱132之上升降，而第二升降機(jī) 構(gòu)136可使得第二支撐回旋機(jī)構(gòu)134在支撐柱132之上升降；及至少二上爐室，在本實(shí)施例中，該至少二上爐室是分別為一第一上爐室14與一第 二上爐室15，該第一上爐室14是裝置于該第一支撐回旋機(jī)構(gòu)133上方，其具有一第一拉晶 機(jī)構(gòu)141可執(zhí)行晶柱成長(zhǎng)工藝，使用第一上爐室14執(zhí)行晶柱成長(zhǎng)工藝時(shí)，可通過該第一升 降機(jī)構(gòu)135升起第一支撐回旋機(jī)構(gòu)133，并回旋第一支撐回旋機(jī)構(gòu)133以將第一上爐室14 置于該下爐室12的上方，并繼續(xù)地通過第一升降機(jī)構(gòu)135以緩緩地下降第一支撐回旋機(jī)構(gòu) 133，使得第一上爐室14可與下爐室12連接，而可將該第一拉晶機(jī)構(gòu)141置入該坩堝內(nèi)，以 通過第一拉晶機(jī)構(gòu)141逐漸地將該熔融液拉伸成長(zhǎng)為一第一晶柱；該第二上爐室15是裝 置于該第二支撐回旋機(jī)構(gòu)134的上方，其具有一第二拉晶機(jī)構(gòu)151可執(zhí)行晶柱成長(zhǎng)工藝，使 用第二上爐室15執(zhí)行晶柱成長(zhǎng)工藝時(shí)，可通過該第二升降機(jī)構(gòu)136升起第二支撐回旋機(jī)構(gòu) 134，并回旋第二支撐回旋機(jī)構(gòu)134以將第二上爐室15置于該下爐室12的上方，再通過第 二升降機(jī)構(gòu)136緩緩地下降第二支撐回旋機(jī)構(gòu)134，使得第二上爐室15可與下爐室12連 接，并可將該第二拉晶機(jī)構(gòu)151置入坩堝內(nèi)，以通過第二拉晶機(jī)構(gòu)151逐漸地將熔融液拉伸 成長(zhǎng)為一第二晶柱。繼續(xù)參閱圖2與圖3，同時(shí)參閱圖4所示，是具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng) 裝置的一下爐室立體圖，在上述該具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置1的實(shí)施例中，該底座11 包括一下爐室墊塊111以墊放該下爐室12，該下爐室墊塊111具有一冷卻機(jī)構(gòu)可冷卻下爐 室12。另外，下爐室12包括一腔室121與一上蓋122，該腔室121是用以容置該坩堝；該上 蓋122是連接于腔室121并作為其頂，上蓋122的上方設(shè)有一上爐室連接口 1222，該上爐室連接口 1222可與該第一上爐室14及該第二上爐室15連接，使得該第一拉晶機(jī)構(gòu)141與該 第二拉晶機(jī)構(gòu)151可通過上爐室連接口 1222而進(jìn)入腔室121。并且，在本實(shí)施例中，該支撐 架131包括一第一升降孔1311與一第二升降孔1312，該第一升降孔1311是設(shè)置于支撐架 131的表面，通過第一升降孔1311，該第一升降機(jī)構(gòu)135可由支撐架131內(nèi)部向外延伸，以 樞接于該支撐柱132 ；該第二升降孔1312是上下地相對(duì)于第一升降孔1311而設(shè)置于支撐 架131的表面，通過第二升降孔1312，該第二升降機(jī)構(gòu)136可由支撐架131內(nèi)部向外延伸， 以樞接于支撐柱132，并且，第一升降孔1311與第二升降孔1312可分別限制第一升降機(jī)構(gòu) 135與第二升降機(jī)構(gòu)136上升/下降的距離，以避免第一升降機(jī)構(gòu)135與第二升降機(jī)構(gòu)136 的上升/下降距離過大，而發(fā)生機(jī)構(gòu)相互撞擊的現(xiàn)象。在上述該具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置1以執(zhí)行晶柱成長(zhǎng)工藝之時(shí)，當(dāng)該第一上 爐室14完成晶柱成長(zhǎng)工藝之后，可使用該第一支撐回旋機(jī)構(gòu)132將第一上爐室14從該下 爐室12的上方移出，以等待該第一晶柱冷卻，且在等待第一晶柱冷卻的同時(shí)，可使用該第 二支撐回旋機(jī)構(gòu)134將該第二上爐室15移至下爐室12的上方，以繼續(xù)執(zhí)行該第二晶柱的 晶柱成長(zhǎng)工藝，或者，可在等待第一晶柱冷卻的同時(shí)，進(jìn)行下爐室12的維護(hù)、填料與預(yù)熔， 以充分地利用等待晶柱冷卻的時(shí)間，并可同時(shí)提升晶柱成長(zhǎng)裝置的生產(chǎn)效率與其能源使用 效率；而同樣地，當(dāng)?shù)诙蠣t室15完成晶柱成長(zhǎng)工藝后，可使用第二支撐回旋機(jī)構(gòu)134將其 從下爐室12上方移出，以等待第二晶柱冷卻，同時(shí)，可使用第一支撐回旋機(jī)構(gòu)133將第一上 爐室14移至下爐室12上方，以繼續(xù)執(zhí)行第一晶柱的晶柱成長(zhǎng)工藝，或者，可在等待第二晶 柱冷卻的同時(shí)，進(jìn)行下爐室12的維護(hù)、填料與預(yù)熔。以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上 的限制，雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟 悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi) 容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi) 容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍 屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求一種具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置，其特征在于包括一底座；一下爐室，是設(shè)置于該底座之上，該下爐室內(nèi)部設(shè)置有一坩堝，該坩堝內(nèi)具有一熔融液，該熔融液可成長(zhǎng)為一晶柱；一升降回旋裝置，是裝設(shè)于底座之上，該升降回旋裝置是包括一支撐架，是設(shè)置于底座之上，以作為升降回旋裝置的主體；至少一支撐柱，是裝設(shè)于該支撐架的一壁面，該支撐柱是作為升降回旋裝置的回旋軸；至少二支撐回旋機(jī)構(gòu)，是樞接于支撐柱之上，該支撐回旋機(jī)構(gòu)是能夠以支撐柱為回旋軸而往返回旋；及至少二升降機(jī)構(gòu)，是設(shè)置于支撐架內(nèi)部，并由支撐架內(nèi)部向外延伸以樞接于支撐柱，借由該升降機(jī)構(gòu)，可使得支撐回旋機(jī)構(gòu)在支撐柱之上升降。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置，其特征在于其中所述的該底 座包括一下爐室墊塊，該墊塊置于下爐室的下方，該下爐室墊塊具有一冷卻機(jī)構(gòu)可冷卻下爐室。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置，其特征在于其中所述的該下 爐室包括一腔室，以容置該坩堝；及一上蓋，連接于腔室以作為其頂蓋，該上蓋之上設(shè)有一上爐室連接口，該上爐室連接口 可與該第一上爐室及第二上爐室連接，使得該拉晶機(jī)構(gòu)可通過上爐室連接口而進(jìn)入腔室之 內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置，其特征在于其中所述的該支 撐架包括至少二升降孔，是設(shè)置于支撐架的該壁面，該升降孔可使得該升降機(jī)構(gòu)可由支撐架內(nèi) 部向外延伸，以樞接于該支撐柱。
專利摘要本實(shí)用新型是一種具有多上爐室的晶柱成長(zhǎng)裝置，該裝置其包括一底座、一下爐室、一升降回旋裝置、及至少二上爐室。該上爐室是具有一拉晶機(jī)可執(zhí)行晶柱成長(zhǎng)工藝，且，當(dāng)該上爐室完成晶柱成長(zhǎng)工藝并等待晶柱冷卻的同時(shí)，可使用另一上爐室以繼續(xù)下一段晶柱成長(zhǎng)工藝，是能夠有效地利用等待晶柱冷卻的時(shí)間，而提升晶柱成長(zhǎng)裝置的生產(chǎn)效率與能源使用效率。
文檔編號(hào)C30B15/00GK201770799SQ20102025027
公開日2011年3月23日 申請(qǐng)日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者周漢章, 姜智元, 林延璋, 王克堯, 薄瑞斯, 賴宏能, 陸蘇龍, 顏憲瑞 申請(qǐng)人:均豪精密工業(yè)股份有限公司