專利名稱：制造半導(dǎo)體封裝的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體封裝的方法。
背景技術(shù)：
近年來，電子產(chǎn)業(yè)以低成本開發(fā)了具有多功能和高性能的細、薄且輕的產(chǎn)品。形成這種趨勢的一種技術(shù)為封裝技術(shù)。隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，配有半導(dǎo)體芯片的電子設(shè)備的封裝使用急劇增加，相關(guān)封裝技術(shù)的研究也活躍的開展。目前，大部分半導(dǎo)體封裝已經(jīng)形成，以致一個封裝是通過將半導(dǎo)體芯片和印刷電路板由引線接合(wire bonding)連接起來而制成的，這種電路板叫做載芯片板(board on chip，B0C)。在這種BOC結(jié)構(gòu)中，這種半導(dǎo)體封裝可以設(shè)計成僅有包括僅僅一層金屬層的印刷電路板，因此，從半導(dǎo)體封裝的價格競爭力而言，這種半導(dǎo)體封裝占據(jù)優(yōu)勢地位。圖1 6為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)工序步驟制造半導(dǎo)體封裝的方法的截面圖。如圖1所示，顯示了由絕緣層1和銅層2構(gòu)成的覆銅箔層壓板(copper clad laminate)，在該覆銅箔層壓板上機械加工有用于層間傳導(dǎo)(interlayer conduction)的通孔3。所述通孔一般是用CNC鉆孔或激光鉆孔形成的。隨后，如圖2所示，進行了化學(xué)鍍銅工序和電鍍銅工序，因此在所述覆銅箔層壓板上形成銅鍍層4。然后，如圖3所示，在所述通孔3孔內(nèi)填充塞孔油墨5和在面板上進行電鍍，因此形成厚的鍍層6。然后，如圖4所示，所述鍍層6被選擇性的蝕刻，因此形成電路圖案7。然后，如圖5所示，在形成有所述電路圖案7的覆銅箔層壓板的兩個表面施用阻焊劑(solder resist) 8，并形成外露的部分，因此部分所述電路圖案7露出。然后，如圖6所示，在機械加工用于插入導(dǎo)線30的縫槽9之后，在所述電路圖案7 的焊盤(pad)部分上形成焊球10，并使用所述導(dǎo)線30將半導(dǎo)體芯片20安裝到所述基板上， 從而就制成了半導(dǎo)體封裝50。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，為了制造半導(dǎo)體封裝，應(yīng)該在覆銅箔層壓板上形成用于層間傳導(dǎo)的通孔，并且還應(yīng)該進行電/化學(xué)鍍銅工序鍍銅，這樣導(dǎo)致生產(chǎn)成本增加。另外，當使用導(dǎo)線將半導(dǎo)體芯片與印刷電路板相連，從而制成高容量/高密度半導(dǎo)體封裝時，在半導(dǎo)體芯片的接受密度上存在限制，而且由于兩層或多層BOC的需求，增加了印刷電路板的生產(chǎn)成本
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明經(jīng)過努力提供了一種能以低生產(chǎn)成本制造高密度封裝的制造半導(dǎo)體封裝的方法。根據(jù)本發(fā)明的第一種優(yōu)選實施方式，本發(fā)明提供了一種制造半導(dǎo)體封裝的方法， 該方法包括(A)制備其中第一金屬層、阻擋層(barrier layer)和第二金屬層按順次堆疊的金屬元件(metal member) ； (B)通過選擇性地蝕刻所述第二金屬層而形成金屬柱；(C) 將外露的所述阻擋層從所述金屬柱去掉，并將絕緣層層壓在所述金屬柱穿透的第一金屬層上；(D)將與所述絕緣層的一個表面接觸的所述第一金屬層圖案化，以形成電路層。本文中，所述第一金屬層和第二金屬層可以是由銅制成的，和所述阻擋層可以是由鎳制成的。所述第二金屬層的厚度的范圍可以為50-300 μ m。步驟(B)可以包括(Bi)將抗蝕劑施用于所述第二金屬層的表面；和(B》在圖案化所述抗蝕劑后，選擇性地蝕刻所述阻擋層之前的所述第二金屬層，以形成金屬柱。在步驟(B)中，所述金屬柱的直徑可以沿朝向阻擋層的方向增加。所述制造半導(dǎo)體封裝的方法還可以包括，在步驟(C)后，(C’ )拋光絕緣層的外露表面，以形成糙度。步驟(D)可以包括(Dl)將抗蝕劑用于所述第一金屬層的表面；和(擬)在圖案化所述抗蝕劑后，選擇性地蝕刻所述第一金屬層，以形成電路層。所述制造半導(dǎo)體封裝的方法還可以包括，在步驟⑶后，(E)在將阻焊劑施用于絕緣層的兩個表面后，通過加工阻焊劑形成第一開口，從而使形成在絕緣層的一個表面上的電路層的焊盤部分露出；以及通過加工阻焊劑形成第二開口，從而使形成在絕緣層的另一表面上的金屬柱露出。所述制造半導(dǎo)體封裝的方法還可以包括，在步驟(E)后，(F)通過焊接點(solder bump)在被第一開口外露的焊盤上安裝半導(dǎo)體芯片和在被第二開口外露的金屬柱上形成焊球。根據(jù)本發(fā)明的第二種優(yōu)選實施方式，本發(fā)明提供了一種制造半導(dǎo)體封裝的方法， 該方法包括(A)制備基底元件(base member)，其中該基底元件基于粘合劑元件的兩個表面上順次堆疊有第一金屬層、阻擋層和第二金屬層；(B)通過選擇性地蝕刻第二金屬層而形成金屬柱；(C)將外露的阻擋層從金屬柱中去掉，將絕緣層層壓在金屬柱穿透的第一金屬層上，然后，將第一金屬層與粘合劑元件分開；以及(D)將與絕緣層的一個表面接觸的第一金屬層圖案化，以形成電路層。在本文中，所述第一金屬層和第二金屬層可以是由銅制成的，和所述阻擋層可以是由鎳制成的。所述第二金屬層的厚度的范圍可以為50-300 μ m。步驟(B)可以包括(Bi)將抗蝕劑施用于所述第二金屬層的表面；和(B》圖案化抗蝕劑后，選擇性地蝕刻阻擋層之前的第二金屬層，以形成金屬柱。步驟(B)中，金屬柱的直徑可以沿朝向阻擋層的方向增加。所述制造半導(dǎo)體封裝的方法還可以包括，在步驟(C)后，(C’ )拋光絕緣層的外露表面，以形成糙度。步驟(D)可以包括(Dl)將抗蝕劑施用于第一金屬層的表面；和(擬)圖案化抗蝕劑后，選擇性地蝕刻第一金屬層，以形成電路層。所述制造半導(dǎo)體封裝的方法還可以包括，在步驟⑶后，(E)在將阻焊劑施用于絕緣層的兩個表面后，通過加工阻焊劑形成第一開口，從而使形成在絕緣層的一個表面上的電路層的焊盤部分露出；以及通過加工阻焊劑形成第二開口，從而使形成在絕緣層的另一個表面上的金屬柱露出。所述制造半導(dǎo)體封裝的方法還可以包括，在步驟(E)后，(F)通過焊接點在被第一開口外露的焊盤上安裝半導(dǎo)體芯片和在被第二開口外露的金屬柱上形成焊球。


圖1 6為說明現(xiàn)有技術(shù)工序步驟制造半導(dǎo)體封裝方法的截面圖。圖7 16為說明根據(jù)本發(fā)明的第一種優(yōu)選實施方式所述的工序步驟制造半導(dǎo)體封裝方法的截面圖；和圖17 27為說明根據(jù)本發(fā)明的第二種優(yōu)選實施方式所述的工序步驟制造半導(dǎo)體封裝方法的截面圖。
具體實施例方式結(jié)合附圖，由以下詳細說明和實施方式可更清楚地理解本發(fā)明的各目標、特征和優(yōu)點。在本說明書和權(quán)利要求書中使用的術(shù)語和詞語不應(yīng)該被解釋為局限于典型的含義或字典上的定義，而基于發(fā)明人能適當?shù)囟x由術(shù)語所暗示的概念，以最好地描述他或她已知的實施本發(fā)明的方法的原則，這些術(shù)語和詞語應(yīng)該解釋為具有與本發(fā)明的技術(shù)范圍相關(guān)的含義和概念。通過以下結(jié)合了附圖的詳細描述可以更清楚地理解本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)勢。在說明書里，附圖中增加參考數(shù)字指定相應(yīng)的元件，值得注意的是，即使是不同圖中的元件，相同的參考數(shù)字用于指定相同或類似的元件。另外，在本發(fā)明的描述中，當確定相關(guān)技術(shù)的詳細描述會使本發(fā)明的要點不清楚時，省略對其的描述。圖7 16為說明根據(jù)本發(fā)明的第一種優(yōu)選實施方式的工序步驟制造半導(dǎo)體封裝方法的截面圖。下文中，將參考附圖來描述本發(fā)明實施方式中制造半導(dǎo)體封裝的方法。首先，如圖7所示，提供金屬元件100，其中第一金屬層113、阻擋層115和第二金屬層117順次堆疊的金屬元件100。在本文中，第一金屬層113和第二金屬層117是由銅(Cu)制成的。在以下所描述的工序中，圖案化第一金屬層113，以形成電路層160 ；以及選擇性地蝕刻第二金屬層117， 以形成金屬柱140。另外，第二金屬層117的厚度的范圍可以選擇為50-300μπι，且第一金屬層113的厚度比第二金屬層117的更薄些。另外，阻擋層115被插入在第一金屬層113和第二金屬層117的中間，其結(jié)構(gòu)組成沒什么限制，但可以優(yōu)選由鎳(Ni)制成。在通過蝕刻第二金屬層117形成金屬柱140的工序過程中，阻擋層115不會與蝕刻劑發(fā)生反應(yīng)，因此保護第一金屬層113免受蝕刻。如圖8和9所示，選擇性地蝕刻第二金屬層117，從而形成金屬柱140。金屬柱140 形成的工序?qū)⒁敿氄f明。
將抗蝕劑130施用于金屬元件100外側(cè)形成的第二金屬層117的表面，然后被圖案化，從而形成抗蝕圖案(見圖8)。隨后，通過使用掩蓋法(tenting method)選擇性地蝕刻阻擋層115之前的第二金屬層117，以形成柱形狀的金屬柱140，且去掉抗蝕阻圖案(見圖9)。在本文中，根據(jù)第二金屬層117的厚度和設(shè)定的蝕刻條件，金屬柱140的直徑和形狀可以形成多種。盡管如此，金屬柱140—般具有直徑沿朝向阻擋層115方向增加的形狀。然后，如圖10所示，通過蝕刻第二金屬層117形成的外露的阻擋層115被蝕刻，從而將外露的阻擋層115從金屬柱140中去掉。當阻擋層115由鎳制成時，通過使用鎳蝕刻劑將阻擋層115去掉。在這種情況下，鎳蝕刻劑與銅不會發(fā)生反應(yīng)，因此金屬柱140和第一金屬層113不被蝕刻。然后，如圖11所示，絕緣層150堆疊在金屬柱140穿透的第一金屬層113上。在本文中，例如，所述絕緣層150可以包括聚合物樹脂(如預(yù)浸料坯(pr印reg，PPG))，或環(huán)氧基樹脂(如FR-4、BT等等)。此后，進行去鉆污工序(desmear process)從而除去穿透金屬柱140上的樹脂殘留物。然后，如圖12和13所示，將與絕緣層150的一個表面接觸的第一金屬層113圖案化，以形成電路層160 ；以及拋光絕緣層150的外露表面，以形成糙度。首先，將抗蝕劑130施用于第一金屬層113表面，然后抗蝕劑130被圖案化，從而形成抗蝕劑圖案(見圖12)。隨后，通過使用掩蓋法選擇性地蝕刻第一金屬層113，以形成電路層160，且去掉抗蝕劑的圖案(見圖13)。然后，為了提高絕緣層150和阻焊劑170之間的粘合作用(見圖14)，將絕緣層 150的外露表面拋光從而形成糙度，由此產(chǎn)生固著效應(yīng)(anchor effects)(見圖13)。形成糙度的方法可以使用由蝕刻、CZ預(yù)處理、黑色氧化(black oxide)、棕色氧化(brown oxide)、酸基化學(xué)(acid base chemical, ABC)、陶瓷磨輪(ceramic buff)和 Z-洗滌處理 (Z-scrubbing treatment)組成的組中的一種、兩種或多種處理方法；盡管如此，本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的方法并不特別限于此，但均可使用。然后，如圖14所示，將阻焊劑170施用于絕緣層150的兩個表面。然后，如圖15所示，在阻焊劑170內(nèi)形成第一開口 180，從而使得形成在絕緣層 150的一個表面上的電路層160的焊盤部分165露出；以及在阻焊劑170內(nèi)形成第二開口 190，從而使得形成在絕緣層150的另一表面上的金屬柱140露出。然后，如圖16所示，在被第一開口 180外露的焊盤部分165上形成焊接點250，然后，將半導(dǎo)體芯片300安裝在阻焊劑170之上。通過焊接點250將半導(dǎo)體芯片300與電路層 160的焊盤部分165電連接。另外，在被第二開口 190外露的金屬柱140上形成焊球200。圖17 27為說明根據(jù)本發(fā)明的第二種優(yōu)選實施方式的工序步驟制造半導(dǎo)體封裝方法的截面圖。下文中，將參考附圖來描述本發(fā)明優(yōu)選的制造半導(dǎo)體封裝的方法。首先，如圖17所示，提供基底元件120，該基底元件120中，基于粘合劑元件111的兩個表面上順次堆疊有第一金屬層113、阻擋層115和第二金屬層117。所述基底元件120可以通過在基于粘合劑元件111兩個表面順次層壓第一金屬層 113、阻擋層115和第二金屬層117得到。此外，所述基底元件120可以這樣制成，先制備一對由第一金屬層113、阻擋層115和第二金屬層117構(gòu)成的三層金屬元件100，處理所述一對金屬元件100使其第一金屬層113彼此面對面，然后將所述一對金屬元件100與粘合劑元件111的兩個表面接合。所述粘合劑元件111暫時與所述一對金屬元件100粘結(jié)，在制成金屬柱140、去掉阻擋層115和層壓絕緣層150之后，將粘合劑元件111與金屬元件100分離開來。如果這種材料是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的，可以被選擇性的使用，而沒有特別的限制。在本文中，所述第一金屬層113和所述第二金屬層117是由銅(Cu)制成的。與所述第一種實施方式一樣，圖案化第一金屬層113，以形成電路層160 ；以及選擇性地蝕刻第二金屬層117，以形成金屬柱140。另外，第二金屬層117的厚度的范圍可以選擇50-300 μ m, 且第一金屬層113的厚度可以比第二金屬層117更薄些。另外，阻擋層115被插入在第一金屬層113和第二金屬層117的之間，其結(jié)構(gòu)組成沒什么限制，但可以優(yōu)選由鎳(Ni)制成。在通過蝕刻第二金屬層117形成金屬柱140的過程中，阻擋層115不與蝕刻劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，因此保護了第一金屬層113免受蝕刻。然后，如圖18和19所示，選擇性地蝕刻第二金屬層117，從而形成金屬柱140。在這種情況下，金屬柱140可以保持直徑沿朝向阻擋層115的方向增加的的形狀。形成金屬柱140的工序與本發(fā)明的第一種優(yōu)選實施方式是相同的，因而其詳細的說明將被省略。然后，如圖20所示，通過蝕刻第二金屬層117形成的外露的阻擋層115被蝕刻，從而將阻擋層115從金屬柱140中去掉。當阻擋層115由鎳制成時，通過使用鎳蝕刻劑將阻擋層115去掉。在這種情況下，鎳蝕刻劑與銅不會發(fā)生反應(yīng)的，因此金屬柱140和第一金屬層113不被蝕刻。然后，如圖21所示，絕緣層150堆疊在金屬柱140穿透的第一金屬層113上。在本文中，例如，絕緣層150可以包括聚合物樹脂(如預(yù)浸料坯(PPG))或環(huán)氧基樹脂(如FR-4， BT等等)。隨后，進行去鉆污工序從而除去穿透金屬柱140上的樹脂殘留物。然后，如圖22所示，第一金屬層113與粘合劑元件111分離開，從而制成一對結(jié)構(gòu)體125。換言之，在第一金屬層113與粘合劑元件111分離開后的同時形成了所述的一對結(jié)構(gòu)體125，結(jié)構(gòu)體125是由第一金屬層113、阻擋層115、金屬柱140和絕緣層150構(gòu)成的，因此使降低生產(chǎn)成本變得可能。然后，如圖23和M所示，圖案化在各個結(jié)構(gòu)體125的一個表面上形成的第一金屬層113，以形成電路層160 ；以及拋光絕緣層150的外露表面，以形成糙度。首先，形成電路層160的工序和本發(fā)明第一種優(yōu)選實施方式中形成電路層160的過程是相同的，因此其詳細的說明將被省略(見圖23)。然后，為了提高絕緣層150和阻焊劑170間的粘合作用(見圖25)，拋光絕緣層150 的外露表面，以形成糙度，由此產(chǎn)生固著效應(yīng)(見圖24)。形成糙度的工序和本發(fā)明第一種優(yōu)選實施方式中的形成工序是相同的，因此其詳細的說明將被省略。然后，如圖25所示，將阻焊劑170施用于絕緣層150的兩個表面。然后，如圖沈所示，在阻焊劑170內(nèi)形成第一開口 180，從而使得形成在絕緣層 150的一個表面的電路層160的焊盤部分165露出；以及在阻焊劑170內(nèi)形成第二開口 190， 從而使得形成在絕緣層150的另一表面上的金屬柱140露出。然后，如圖27所示，在被第一開口 180外露的焊盤部分165上形成焊接點250，然后，將半導(dǎo)體芯片300安裝在阻焊劑170內(nèi)。通過焊接點250，將半導(dǎo)體芯片300與絕緣層160的焊盤部分165電連接。另外，在被第二開口 190外露的金屬柱140上形成焊球200。根據(jù)本發(fā)明所述制造半導(dǎo)體封裝的方法可知，使用焊點將半導(dǎo)體芯片與印刷電路板電連接，而不是使用引線接合，因此使得生產(chǎn)高密度封裝變得可能。根據(jù)本發(fā)明，形成的所述金屬柱代替了在層間電路連接中要求的所述通孔，因此在電鍍或加工通孔時使得降低所要求的生產(chǎn)成本變得可能。另外，本發(fā)明使用了其中在基于粘合劑元件的兩個表面上的順次層壓有所述第一金屬層、阻擋層和第二金屬層的基底元件。因此，如果在進行一系列制造工序后所述第一金屬層與粘合劑元件分開，會同時形成兩個印刷電路板，因此使得提高生產(chǎn)效率變得可能。盡管就示例性目的公開了關(guān)于所述制造半導(dǎo)體封裝方法的本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，它們能明確地解釋本發(fā)明，因此本發(fā)明所述制造半導(dǎo)體封裝的方法不被限制，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解的是，在不背離由隨附的權(quán)利要求書公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，可以做出各種修改、添加和替換。相應(yīng)地，這些修改、添加和替代也應(yīng)理解為落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，該方法包括(A)制備其中第一金屬層、阻擋層和第二金屬層順次堆疊的金屬元件；(B)通過選擇性地蝕刻所述第二金屬層而形成金屬柱；(C)將外露的阻擋層從所述金屬柱中去掉，并將絕緣層層壓到所述金屬柱穿透的所述第一金屬層上；和(D)將與所述絕緣層的一個表面接觸的所述第一金屬層圖案化，以形成電路層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層由銅制成，且所述阻擋層由鎳制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，所述第二金屬層的厚度為 50-300 μm0
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，步驟(B)包括 (Bi)將抗蝕劑施用于所述第二金屬層的表面；和(Β2)在圖案化所述抗蝕劑后，選擇性地蝕刻所述阻擋層之前的所述第二金屬層，以形成所述金屬柱。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，步驟(B)中的金屬柱的直徑沿朝向阻擋層的方向增加。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，該方法還包括在步驟(C)后， (C’ )拋光絕緣層的外露表面，以形成糙度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，步驟(D)包括 (Dl)將抗蝕劑施用于所述第一金屬層的表面；和(D2)圖案化所述抗蝕劑后，選擇性地蝕刻所述第一金屬層，以形成電路層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，該方法還包括，在步驟(D)后，(E)將阻焊劑施用于所述絕緣層的兩個表面后，通過加工阻焊劑形成第一開口，從而使形成在所述絕緣層的一個表面上的電路層的焊盤部分露出；以及通過加工阻焊劑形成第二開口，從而使形成在絕緣層的另一表面上的金屬柱露。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，該方法還包括，在步驟(E)后，(F)通過焊接點在被所述第一開口外露的所述焊盤部分上安裝半導(dǎo)體芯片和在被所述第二開口外露的所述金屬柱上形成焊球。
10.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，該方法包括(A)制備基底元件，其中該基底元件基于粘合劑元件的兩個表面上順次堆疊有第一金屬層、阻擋層和第二金屬層；(B)通過選擇性地蝕刻所述第二金屬層而形成金屬柱；(C)將外露的阻擋層從所述金屬柱中去掉，且將絕緣層層壓到所述金屬柱穿透的所述第一金屬層上，然后，將所述粘合劑元件與所述第一金屬層分離；和(D)將與所述絕緣層一個表面接觸的所述第一金屬層圖案化，以形成電路層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，所述第一金屬層和第二金屬層是由銅制成的，且所述阻擋層是由鎳制成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，所述第二金屬層的厚度為 50-300 μm0
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，步驟(B)包括(Bi)將抗蝕劑施用于所述第二金屬層的表面；和(B2)在圖案化所述抗蝕劑后，選擇性地蝕刻所述阻擋層之前的所述第二金屬層，以形成所述金屬柱。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，步驟(B)中的金屬柱的直徑沿朝向阻擋層的方向增加。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，該方法還包括，在步驟(C) 后，(C’ )拋光所述絕緣層的外露表面，以形成糙度。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，步驟(D)包括(Dl)將抗蝕劑施用于所述第一金屬層的表面；和(D2)圖案化抗蝕劑后，選擇性地蝕刻所述第一金屬層，以形成電路層。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，該方法還包括，在步驟(D) 后，(E)在將阻焊劑施用于所述絕緣層的兩個表面后，通過加工阻焊劑形成第一開口，從而使形成在所述絕緣層的一個表面上的電路層的焊盤部分露出；以及通過加工阻焊劑形成第二開口，從而使形成在所述絕緣層的另一個表面上的金屬柱露出。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中，該方法還包括，步驟(E)后， (F)通過焊接點在被所述第一開口外露的所述焊盤上安裝半導(dǎo)體芯片和在被所述第二開口外露的所述金屬柱上形成焊球。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，該方法使用其中基于粘合劑元件(111)的兩個表面上順次堆疊有第一金屬層(113)、阻擋層(115)和第二金屬層(117)的基底元件(120)，從而只通過一個壓片工序可同時生產(chǎn)兩個印刷電路板，因此使得提高生產(chǎn)效率變得可能；通過焊點(250)將半導(dǎo)體芯片(300)與印刷電路板電連接，因此使得生產(chǎn)高密度封裝底材變得可能；形成金屬柱(140)代替了在層間電路連接中要求的通孔，因此使得在電鍍或加工通孔時降低所要求的生產(chǎn)成本變得可能。
文檔編號H05K3/40GK102446772SQ20101062442
公開日2012年5月9日 申請日期2010年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月11日
發(fā)明者姜明杉, 孫暻鎮(zhèn), 李應(yīng)碩, 黃美善 申請人:三星電機株式會社