本發(fā)明涉及一種單層板封裝結(jié)構(gòu)及其工藝方法,屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
傳統(tǒng)的半導(dǎo)體芯片是用引線框作為承載件來形成一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),封裝過程為:將晶圓通過劃片工藝后被切割為小的芯片(die),然后將切割好的芯片用導(dǎo)電材料貼裝到相應(yīng)的引線框架的基島上,再利用超細(xì)的金屬(金錫銅鋁)導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹脂將芯片的焊墊連接到引線框架的相應(yīng)引腳,并構(gòu)成所要求的電路;然后再對獨(dú)立的芯片用塑料外殼加以封裝保護(hù),形成半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。以引線框架作為承載件的半導(dǎo)體的封裝的形態(tài)種類繁多,隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品輕薄短小的發(fā)展趨勢,傳統(tǒng)的引線框往往因?yàn)楹穸纫约熬€路密度的限制,無法進(jìn)一步的縮小封裝件的整體高度。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種單層板封裝結(jié)構(gòu)及其工藝方法,只需單層線路層就能起到常規(guī)引線框的作用,能夠縮小半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的尺寸,提高引腳和塑封料之間的結(jié)合性能。
本發(fā)明解決上述問題所采用的技術(shù)方案為:一種單層板封裝結(jié)構(gòu),它包括絕緣線路層和外引腳線路層,所述絕緣線路層正面設(shè)置有內(nèi)層金屬層,所述內(nèi)層金屬層與外引腳線路層正面相連接,所述內(nèi)層金屬層正面通過金屬球設(shè)置有芯片,所述絕緣線路層、外引腳線路層、內(nèi)層線路層以及芯片外圍均包封有塑封料,所述外引腳線路層背面設(shè)置有抗氧化金屬層。
一種單層板封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法,所述方法包括如下步驟:
步驟一、取一片金屬板;
步驟二、在金屬板的上表面涂覆一層綠漆;
步驟三、金屬板的上表面進(jìn)行曝光顯影或者網(wǎng)版印刷的方式把綠漆形成線路形狀;
步驟四、在金屬板的上表面用化學(xué)電鍍或?yàn)R鍍的方式形成一薄銅層;
步驟五、金屬板表面貼覆光阻膜;
步驟六、曝光顯影,暴露出所需電鍍線路的開口;
步驟七、電鍍金屬層,在光阻膜暴露開口部分電鍍金屬,形成內(nèi)層線路層和外引腳線路層;
步驟八、去除光阻膜;
步驟九、微蝕,將多余的薄銅層用蝕刻方式去除;
步驟十、貼裝芯片,包封;
步驟十一、金屬板背面進(jìn)行開窗或者全部蝕刻;
步驟十二、對外引腳進(jìn)行處理;
步驟十三、切割成單品。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
1、只需單層線路層就能起到常規(guī)引線框的作用,明顯降低半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的厚度;
2、線路層是用電鍍形成,與常規(guī)引線框蝕刻相比,線路的密度和靈活性比較高,可適合多種類型的封裝結(jié)構(gòu);
3、絕緣層形成線路形狀,然后在其之上披覆金屬層,既能將金屬層部分絕緣,又能將后續(xù)包封的塑封料填充至線路層的中間,保證塑封料和引腳線路的結(jié)合性能。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一種單層板封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2~圖14為本發(fā)明一種單層板封裝結(jié)構(gòu)工藝方法的各工序流程圖。
其中:
絕緣線路層1
外引腳線路層2
內(nèi)層線路層3
芯片4
金屬球5
塑封料6
抗氧化金屬層7。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
參見圖1,本實(shí)施例中的一種單層板封裝結(jié)構(gòu),它包括絕緣線路層1和外引腳線路層2,所述絕緣線路層1正面設(shè)置有內(nèi)層金屬層3,所述內(nèi)層金屬層3與外引腳線路層2正面相連接,所述內(nèi)層金屬層3正面通過金屬球5設(shè)置有芯片4,所述絕緣線路層1、外引腳線路層2、內(nèi)層線路層3以及芯片4外圍均包封有塑封料6,所述外引腳線路層2背面設(shè)置有抗氧化金屬層7。
其工藝方法包括如下步驟:
步驟一、參見圖2,取一片厚度合適的金屬板;
步驟二、參見圖3,在金屬板的上表面涂覆一層絕緣層,如綠漆;
步驟三、參見圖4,金屬板的上表面進(jìn)行曝光顯影或者網(wǎng)版印刷的方式把綠漆形成線路形狀;
步驟四、參見圖5,在金屬板的上表面用化學(xué)電鍍或?yàn)R鍍的方式形成一薄銅層,為了之后電鍍工序的導(dǎo)電性;
步驟五、參見圖6,金屬板表面貼覆光阻膜;
步驟六、參見圖7,曝光顯影,暴露出綠漆部分以及其他所需的開口;
步驟七、參見圖8,電鍍金屬層,在光阻膜暴露開口部分電鍍金屬,形成內(nèi)層線路層和外引腳線路層;
步驟八、參見圖9,去除光阻膜;
步驟九、參見圖10,微蝕,將多余的薄銅層用蝕刻方式去除;
步驟十、參見圖11,貼裝芯片,包封;
步驟十一、參見圖12,金屬板背面進(jìn)行開窗或者全部蝕刻;
步驟十二、參見圖13,對外引腳進(jìn)行處理,可根據(jù)需要披覆錫或者鎳鈀金等金屬;
步驟十三、參見圖14,切割成單品。
除上述實(shí)施例外,本發(fā)明還包括有其他實(shí)施方式,凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案,均應(yīng)落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。