專利名稱：多晶碳頭料的清洗方法
多晶碳頭料的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能硅料中多晶碳頭料上石墨的處理技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種多晶碳頭料的清洗方法。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代化建設(shè)的快速發(fā)展，硅材料的供應(yīng)無法滿足日益增長(zhǎng)的工業(yè)要求，多晶硅在生長(zhǎng)過程中有部分硅料上附有石墨，且在運(yùn)輸工程中有些許雜質(zhì)附于其表面。傳統(tǒng)的處理方法是用機(jī)械法將附在表面的石墨磨去，這樣對(duì)硅的損耗降會(huì)很大，且速度很慢，嚴(yán)重浪費(fèi)生產(chǎn)工時(shí)，處理不妥還會(huì)額外帶來一些雜質(zhì)，不能保證硅料表面雜質(zhì)完全被清除。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種通過化學(xué)方法能完全除去多晶碳頭料所含有的石墨雜質(zhì)，同時(shí)對(duì)多晶碳頭料損耗少，且對(duì)環(huán)境影響小的多晶碳頭料的清洗方法。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的多晶碳頭料的清洗方法，主要包含以下步驟
a) 將多晶碳頭料放入硫酸、高錳酸鉀、硝酸鈉的混合溶液中浸泡；
b) 撈出多晶碳頭料后用清水沖洗干凈；
c) 將多晶碳頭料放入硝酸、氫氟酸的混合溶液中清洗；
d) 撈出多晶碳頭料用純水沖洗干凈；
e) 對(duì)多晶碳頭料進(jìn)行純水超聲處理；
f) 撈出多晶碳頭料，進(jìn)行烘干。
其中硫酸、高錳酸鉀、硝酸鈉混合溶液的重量比為硫酸20份，高錳酸鉀0.1份至0.5份，硝酸鈉0.1份至0.5份；所述的硝酸、氫氟酸混合溶液的重量比為硝酸10至15份，氫氟酸1份。
為了達(dá)到更好的清洗效果，多晶碳頭料在硫酸、高錳酸鉀、硝酸鈉的混合溶液中浸泡12小時(shí)以上。且所述的硫酸是濃度為98%的電子級(jí)硫酸，所述的硝酸是濃度大于等于70%的電子級(jí)硝酸，所述的氫氣酸是濃度大于等于49%的氫氟酸。
本發(fā)明所設(shè)計(jì)的多晶碳頭料的清洗方法，摒棄了傳統(tǒng)的機(jī)械加工來去除多晶碳頭料上的石墨雜質(zhì)的方法，而是采用化學(xué)清洗的方法。由于使用了化學(xué)溶液對(duì)多晶碳頭料進(jìn)行全面的清洗，傳統(tǒng)的方法相比能完完全全的將多晶碳頭料的上的石墨雜質(zhì)去除，完全符合太陽能硅業(yè)的清潔要求，且對(duì)多晶碳頭料本身的損耗很少，大大增加了原料的可利用率。且經(jīng)過清洗后廢酸及沖洗液經(jīng)排放處理后不會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染。


圖l是本實(shí)施例l流程示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面通過實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
實(shí)施例1
如圖1所示，本實(shí)施例描述的多晶碳頭料的清洗方法，主要包含以下步驟在PP
曹中配置重量比98%硫酸固體高錳酸鉀固體硝酸鈉=20 : 0.1 : 0.1的混合液，然后將多晶碳頭料小心的投入其中，浸泡24小時(shí)。在此過程中多晶碳頭料中的石墨能完全被反
應(yīng)掉，達(dá)到去除附在多晶碳頭料上的石墨的目的；然后撈取多晶碳頭料，用清水沖洗干
凈后，用酸洗籃子裝好后放入75%硝酸49%氫氟酸=10 : 1的混合溶液腐蝕1-3分鐘，此過程可完全去除多晶碳頭料表面的污物；再拿出多晶碳頭料用純水沖洗干凈，放入超聲波加純水超聲1-2小時(shí)后取出烘干，完成整個(gè)清洗過程。實(shí)施例2
本實(shí)施例所描述的多晶碳頭料的清洗方法，其所述的硫酸、高猛酸鉀、硝酸鈉溶液的三種主要溶質(zhì)的重量比為20 : 0.5 : 0.5，且多晶碳頭料在該溶液中浸泡12個(gè)小時(shí)后即可撈取后清洗，待清洗干凈后通過酸洗籃子放入重量比為70%硝酸60%氫氟酸=15 : 1
的溶液中進(jìn)行腐蝕。
權(quán)利要求
1. 一種多晶碳頭料的清洗方法，其特征是包括以下步驟a)將多晶碳頭料放入硫酸、高錳酸鉀、硝酸鈉的混合溶液中浸泡；b)撈出多晶碳頭料后用清水沖洗干凈；c)將多晶碳頭料放入硝酸、氫氟酸的混合溶液中清洗；d)撈出多晶碳頭料用純水沖洗干凈；e)對(duì)多晶碳頭料進(jìn)行純水超聲處理；f)撈出多晶碳頭料，進(jìn)行烘干。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶碳頭料的清洗方法，其特征是所述硫酸、高錳酸鉀、 硝酸鈉混合溶液的重量比為硫酸20份，高錳酸鉀0.1份至0.5份，硝酸鈉O.l 份至0.5份；所述的硝酸、氫氟酸混合溶液的重量比為硝酸10份至15份，氫氟酸1份。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶碳頭料的清洗方法，其特征是多晶碳頭料在硫 酸、高錳酸鉀、硝酸鈉的混合溶液中浸泡12小時(shí)以上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶碳頭料的清洗方法，其特征是所述的硫酸是濃 度為98%的電子級(jí)硫酸，所述的硝酸是濃度大于等于70%的電子級(jí)硝酸，所述 的氫氟酸是濃度大于等于49%的氫氟酸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶碳頭料的清洗方法，其特征是所述的硫酸是濃度為 98%的電子級(jí)硫酸，所述的硝酸是濃度大于等于70%的電子級(jí)硝酸，所述的氫 氟酸是濃度大于等于49%的氫氟酸。
全文摘要
本發(fā)明公開一種多晶碳頭料的清洗方法，主要包含以下步驟將多晶碳頭料放入硫酸、高錳酸鉀、硝酸鈉的混合溶液中浸泡，撈出多晶碳頭料后用清水沖洗干凈，將多晶碳頭料放入硝酸、氫氟酸的混合溶液中清洗，撈出多晶碳頭料用純水沖洗干凈，對(duì)多晶碳頭料進(jìn)行純水超聲處理，撈出多晶碳頭料，進(jìn)行烘干。本方法摒棄了傳統(tǒng)的機(jī)械加工來去除多晶碳頭料上的石墨雜質(zhì)的方法，采用化學(xué)清洗的方法。由于使用了化學(xué)溶液對(duì)多晶碳頭料進(jìn)行的清洗，與傳統(tǒng)的方法相比能的將多晶碳頭料的上的石墨雜質(zhì)去除，完全符合太陽能硅業(yè)的清潔要求，且對(duì)多晶碳頭料本身的損耗很少，增加了原料的可利用率。且經(jīng)過清洗后廢酸及沖洗液經(jīng)排放處理后不會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染。
文檔編號(hào)C30B33/00GK101481824SQ20081016378
公開日2009年7月15日 申請(qǐng)日期2008年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月31日
發(fā)明者裘永恒 申請(qǐng)人:嘉興嘉晶電子有限公司