專利名稱：用于有機電致發(fā)光發(fā)光部的驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于有機電致發(fā)光發(fā)光部的驅(qū)動方法。
技術(shù)背景在有機電致發(fā)光裝置(下文簡稱為有機EL元件)被用作發(fā)光 元件的有機電致發(fā)光顯示裝置(下文簡稱為有機EL顯示裝置)中， 通過流過有才幾EL元件的電流值來控制有沖幾EL元件的亮度。因此， 類似于液晶顯示裝置，同樣在有機EL顯示裝置中，單純矩陣法和 有源矩陣法是眾所周知的驅(qū)動方法。雖然有源矩陣法具有與單純矩 陣法相比結(jié)構(gòu)復(fù)雜的缺點，但有源矩陣法具有可以增加圖像亮度等 的各種優(yōu)點。作為用于驅(qū)動形成有機EL元件的有機電致發(fā)光發(fā)光部(下文 簡稱為發(fā)光部)的電路，由5個晶體管和1個電容器部組成的驅(qū)動 電路(下文簡稱為5Tr/lC驅(qū)動電路)眾所周知，并例如在日本專利 公開第2006-215213號公開。參考圖1，示出了所提及的現(xiàn)有5Tr/lC 驅(qū)動電路。5Tr/lC驅(qū)動電路包括圖像信號寫晶體管TSig、驅(qū)動晶體管Tdw發(fā)光控制晶體管TELC、第一節(jié)點初始化晶體管Tmm和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2等5個晶體管以及1個電容器部d。這里，驅(qū)動晶體管Tr^的另一個源極/漏極區(qū)形成第二節(jié)點ND2,以及驅(qū)動晶體管TDrv的4冊電一及形成第一節(jié)點ND,。注意，下文詳細(xì)描述晶體管和電容器部。例如，晶體管分別由n溝道薄膜晶體管(TFT)形成，并在形 成為覆蓋驅(qū)動電路的層間絕緣層等上設(shè)置發(fā)光部ELP。發(fā)光部ELP 的陽電極連接至驅(qū)動晶體管Torv的另一個源極/漏極區(qū)。另一方面， 對發(fā)光部ELP的陰電4及施加電壓VCat，例如，0伏。參考符號CEL 表示發(fā)光部ELP的寄生電容。在圖17中示意性示出了驅(qū)動的時序圖。在[周期TP (5) !]內(nèi) 執(zhí)行進行閾值電壓消除處理的預(yù)處理。具體地，如果將第一節(jié)點初始化晶體管TND1和第二節(jié)點初始化晶體管tnd2置于導(dǎo)通狀態(tài)，則第一節(jié)點ND,處的電4立變?yōu)閂ofs，例如，0<犬。另一方面，第二節(jié) 點ND2處的電位變?yōu)閂ss，例如，-IO伏。因此，驅(qū)動晶體管Tow的柵電極和驅(qū)動晶體管Torv的另一個源極/漏極區(qū)(為了方便描述， 下文稱作源4及區(qū))之間的電位差變得大于驅(qū)動晶體管Torv的閾值電 壓Vth，且驅(qū)動晶體管TDrv被置于導(dǎo)通狀態(tài)。然后，在[周期TP (5) 2]內(nèi)執(zhí)行閾值電壓消除處理。具體地， 將發(fā)光控制晶體管TEL—c置于導(dǎo)通狀態(tài)，同時保持第一節(jié)點初始化 晶體管1^01的導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第二節(jié)點ND2處的電位朝向驅(qū)動 晶體管TD^的閾值電壓Vth與第一節(jié)點ND!處的電位的電位差而發(fā) 生變化。換句話說，處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2處的電位上升。然后，當(dāng)驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差達到閾值 電壓Vth時，驅(qū)動晶體管Torv進入截止?fàn)顟B(tài)。在該狀態(tài)下，第二節(jié)點ND2處的電位大約為V0fs-Vth。此后，在[周期TP (5) 3]內(nèi)，將 發(fā)光控制晶體管T^c置于截止?fàn)顟B(tài)，同時保持第一節(jié)點初始化晶體管TND1的導(dǎo)通狀態(tài)。然后，在[周期TP ( 5 ) 4]內(nèi)，將第一節(jié)點初 始化晶體管TND1置于截止?fàn)顟B(tài)。此后，在[周期TP ( 5 ) s']內(nèi)執(zhí)行對于驅(qū)動晶體管T^的一種寫 處理。具體地，在保持第一節(jié)點初始化晶體管TND1、第二節(jié)點初始化晶體管TND2以及發(fā)光控制晶體管Tj^c的截止?fàn)顟B(tài)的同時，將數(shù)據(jù)線DTL處的電位設(shè)定為對應(yīng)于圖像信號的電壓，即，對應(yīng)于用 于控制發(fā)光部ELP亮度的圖像信號(驅(qū)動信號或亮度信號)電壓 VSig,然后，將掃描線SCL置于高電平狀態(tài)，使得將圖像信號寫晶 體管Tsig置于導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點NDi處的電位增加至圖像 信號電壓VSig?；诘谝还?jié)點NDi電位的變化量的電荷被分配給電容器部C,、發(fā)光部ELP的寄生電容CEL以及驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的寄生電容。因此，如果第一節(jié)點ND,處的電位發(fā) 生改變，則第二節(jié)點ND2處的電位也發(fā)生改變。然而，第二節(jié)點 ND2的電位變化隨著發(fā)光部ELP的寄生電容CEL的電容值的增加而 降低。通常，發(fā)光部ELP的寄生電容CEl_的電容值大于電容器部 C,的電容值和驅(qū)動晶體管Tr^的寄生電容值。因此，如果第二節(jié)點 ND2的電位稍有變化，則由下列表達式(A)全合出驅(qū)動晶體管TDrv 的柵電極和另 一個源極/漏極區(qū)之間的電位差Vgs:Vgs-VSig- (V0fs-Vth) ... (A)此后，在[周期TP (5) 6']內(nèi)，執(zhí)行基于諸如驅(qū)動晶體管TDrv 的遷移率n大小的特性的驅(qū)動晶體管TDrv的源極區(qū)或第二節(jié)點ND2 處的電位的校正，即，遷移率校正處理。具體地，將發(fā)光控制晶體 管T^一c置于導(dǎo)通狀態(tài)，同時保持驅(qū)動晶體管TDrv的導(dǎo)通狀態(tài)，然 后，在經(jīng)過預(yù)定時間段t'o之后，將圖像信號寫晶體管Tsig置于截止 狀態(tài)，以將第一節(jié)點ND,以及驅(qū)動晶體管Torv的柵電極置于浮置狀態(tài)。結(jié)果，在驅(qū)動晶體管To 的遷移率p的值較高的情況下，增長量AV或驅(qū)動晶體管TDrv的源極區(qū)中電位的電位校正值變高，但是，在驅(qū)動晶體管Torv的遷移率n的值較低的情況下，增長量AV或驅(qū) 動晶體管T^的源極區(qū)中電位的電位校正值變低。這里，將驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差Vgs從表達式(A)轉(zhuǎn)換 為下面給出的另一表達式(B)。注意，根據(jù)機EL顯示裝置的設(shè)計， 可以預(yù)先確定用于沖丸行遷移率4交正處理的預(yù)定時間,殳，即，[周期 TP (5) 6']內(nèi)的總時間期t'o作為設(shè)計值。Vgs-VSig- (V0fs-Vth) -AV ... (B)通過上述4喿作，完成了閾值電壓消除處理、寫處理以及遷移率 校正處理。此后，在[周期TP (5) 7]內(nèi)，將圖像信號寫晶體管TSig 置于截止?fàn)顟B(tài)，以及將驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極，即，第一節(jié)點 NDi置于浮置狀態(tài)。另一方面，發(fā)光控制晶體管TEL—c^f呆持導(dǎo)通狀 態(tài)，且發(fā)光控制晶體管Telc的一個源板/漏板區(qū)(下文簡稱為漏極 區(qū))與用于控制發(fā)光部ELP發(fā)光的電壓Vcc (例如，20伏)的電流 供給部處于連4妻狀態(tài)。結(jié)果，第二節(jié)點ND2處的電位增加，且通過 驅(qū)動晶體管T^的柵電極以及第一節(jié)點NDi處的電位的增力口，發(fā)生 類似于自舉(bootstrap)電路的現(xiàn)象。結(jié)果，驅(qū)動晶體管Torv的柵 電極和源極區(qū)之間的電位差Vp保持與從表達式(B )獲得的值相同 的值。此外，由于流過發(fā)光部ELP的電流是從驅(qū)動晶體管Torv的一 個源4及/漏才及區(qū)(下文簡稱為漏才及區(qū))流向源才及區(qū)的漏電;克Ids，所 以可由表達式(C )表示電流。發(fā)光部ELP以對應(yīng)于漏電流Ids值的 亮度發(fā)光。注意，在下文描述系凄丈k。Ids = k.ja. ( VgS_ Vth ) 2=k.p. ( VSig _ V0fs _ AV ) 2 ... (C)此外，下文詳細(xì)描述5Tr/lC驅(qū)動電^各(上文描述了其概要)的驅(qū)動等。發(fā)明內(nèi)容順便提及，在[周期TP (5) 5]緊前，發(fā)光控制晶體管TEL—c處于截止?fàn)顟B(tài)，此外，驅(qū)動晶體管Torv處于截止?fàn)顟B(tài)。此外，在[周期 TP(5)5']內(nèi)，發(fā)光控制晶體管TELC處于截止?fàn)顟B(tài)。因此，發(fā)光控制晶體管T^c的另一個源極/漏極區(qū)(為了方便描述，下文稱作源極區(qū))和驅(qū)動晶體管Torv的漏極區(qū)(下文稱作第三節(jié)點ND3 )處于沒有^皮電連4妄至電流供纟會部100的狀態(tài)。在[周期TP ( 5 ) 5']內(nèi)，對驅(qū)動晶體管Torv的柵電極施加根據(jù)將被顯示的圖像亮度的圖像信號Vsig。此時，第三節(jié)點ND3處的電位由于驅(qū)動晶體管Torv的柵電極和漏極區(qū)之間的寄生電容的耦合而發(fā)生改變。因此，第三節(jié)點ND3處的電位在[周期TP (5) s']的結(jié)束定 時處具有與施加給驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極的圖像信號Vsig的值相對應(yīng)的值。然后，在[周期TP (5) 6']的開始定時處，將發(fā)光控制晶體管 T^c的置于導(dǎo)通狀態(tài)。此時，第三節(jié)點ND3處的電位乂人對應(yīng)于上 述圖像信號Vsig的值上升至電流供給部的電壓Vcc。因此，此時第 三節(jié)點ND3處的電位變化量依賴于圖像信號Vsig的值。另一方面，寄生電容同樣存在于發(fā)光控制晶體管TEL—c的源極區(qū)和柵電極之間。因此，由于發(fā)光控制晶體管Telc的源板區(qū)和柵電極之間的耦合，發(fā)光控制晶體管TEL_C的柵電極處的電位發(fā)生改 變。如上所述，[周期TP(5)6']開始定時的第三節(jié)點ND3處的電位 變化量依賴于圖像信號V^的值。因此，發(fā)光控制晶體管Telj的 柵極處的電位變化程度響應(yīng)于圖^f象信號Vsig的值而不同。如上所述，在[周期TP (5) 5']的開始定時處，由于上述發(fā)光控 制晶體管TEL c的源極區(qū)和柵電極之間的耦合，發(fā)光控制晶體管TELC的柵電極處的電位發(fā)生改變。結(jié)果，[周期TP (5) 6']的時間 長度發(fā)生變化，即，遷移率才交正處理的時間長度發(fā)生變化。因此， 存在將被顯示的圖像亮度的均勻性劣化的問題。因此，需要提供一種有機電致發(fā)光發(fā)光部的驅(qū)動方法，其可以 抑制由遷移率4交正處理的時間長度的變化所引起的顯示屏幕圖傳_ 的質(zhì)量劣化。根據(jù)本實施例，提供了 一種使用驅(qū)動電路的有機電致發(fā)光發(fā)光 部的馬區(qū)動方法，該馬區(qū)動電3各包4舌(A) 驅(qū)動晶體管，包4舌源才及/漏才及區(qū)、溝道形成區(qū)和才冊電才及，(B) 圖像信號寫晶體管，包括源才及/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和棚-電極，(C) 發(fā)光控制晶體管，包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵電 極，以及(D) 電容器部，具有一對電極， 配置驅(qū)動晶體管，使得(A-l )源4及/漏極區(qū)中的第 一個連4妄至發(fā)光控制晶體管的源極/ 漏才及區(qū)中的第二個，(A-2 )源極/漏極區(qū)中的第二個連接至設(shè)置在有機電致發(fā)光發(fā) 光部中的陽電極以及連接至電容器部的電才及中的第一個，以形成第 二節(jié)點，以及(A-3 )柵電極連接至圖像信號寫晶體管的源極/漏極區(qū)中的第 二個以及連4姿至電容器部的電才及中的第二個，以形成第一節(jié)點，配置圖像信號寫晶體管，使得(B-l )源極/漏極區(qū)中的第一個連接至數(shù)據(jù)線，以及 (B-2) 4冊電才及連4妄至掃描線， 配置發(fā)光控制晶體管，使得(C-l)源極/漏極區(qū)中的第一個連接至電流供給部，以及 (C-2)柵電極連接至發(fā)光控制晶體管控制線， 該驅(qū)動方法包4舌以下步艱《；(a) 執(zhí)行對第一節(jié)點施加第一節(jié)點初始化電壓和對第二節(jié)點 施加第二節(jié)點初始化電壓，使得第一和第二節(jié)點之間的電位差超過 驅(qū)動晶體管的閾值電壓，以及有機電致發(fā)光發(fā)光部的陰電極和第二 節(jié)點之間的電位差不超過有機電致發(fā)光發(fā)光部的閾值電壓的預(yù)處 理；(b) 在維持第一節(jié)點處的電位的同時，執(zhí)行朝向驅(qū)動晶體管 的閾值電壓與第一節(jié)點處的電位的電位差改變第二節(jié)點處的電位 的閾4直電壓消除處理；(c )通過來自發(fā)光控制晶體管控制線的信號將發(fā)光控制晶體 管置于導(dǎo)通狀態(tài)，并且當(dāng)保持發(fā)光控制晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)時，執(zhí)行 通過圖像信號寫晶體管將圖像信號從數(shù)據(jù)線施加給第 一節(jié)點的寫處理，其中，圖像信號寫晶體管通過來自掃描線的信號而被置于導(dǎo)通4犬態(tài)；以及(d )通過來自掃描線的信號將圖像信號寫晶體管置于截止?fàn)?態(tài)，以將第一節(jié)點置于浮置狀態(tài)，使得通過驅(qū)動晶體管將對應(yīng)于第 一和第二節(jié)點之間的電位差值的電流從電流供給部提供給有機電致發(fā)光發(fā)光部，從而驅(qū)動有機電致發(fā)光部。為了在步驟(b)中在保持第一節(jié)點處的電位的同時朝向驅(qū)動 晶體管的閾值電壓與第一節(jié)點處的電位的電位差而改變第二節(jié)點 處的電位，在步驟(a)中將大于驅(qū)動晶體管的閾值電壓與第二節(jié) 點處的電位的總和的電壓從電流供給部施加給驅(qū)動晶體管的第一 源才及/漏4及區(qū)。可以配置有機電致發(fā)光發(fā)光部的驅(qū)動方法，使得驅(qū)動電路還包括(E)第二節(jié)點初始化晶體管，包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū) 以及4冊電才及，在第二節(jié)點初始化晶體管中 (E-l )源極/漏極區(qū)中的第一個連接至第二節(jié)點初始化電壓供給線；(E-2)源極/漏極區(qū)中的第二個連接至第二節(jié)點；以及(E-3 )柵電極連接至第二節(jié)點初始化晶體管控制線；在步驟(a)中，通過利用來自第二節(jié)點初始化晶體管控制線 的信號而置于導(dǎo)通狀態(tài)的第二節(jié)點初始化晶體管將第二節(jié)點初始化電壓從第二節(jié)點初始化電壓供給線施加給第二節(jié)點，然后，通過 來自第二節(jié)點初始化晶體管控制線的信號將第二節(jié)點初始化晶體 管置于截止?fàn)顟B(tài)。在這種情況下，還可進一步配置有機電致發(fā)光發(fā)光部的驅(qū)動方法，^吏得驅(qū)動電^各還包括(F)第一節(jié)點初始化晶體管，包括源才及/漏4及區(qū)、溝道形成區(qū) 以及4冊電才及，在第一節(jié)點初始化晶體管中(F-l )源極/漏極區(qū)中的第一個連接至第一節(jié)點初始化電壓供給線；(F-2)源才及/漏極區(qū)中的第二個連4妄至第一節(jié)點；以及(F-3 )柵電極連接至第一節(jié)點初始化晶體管控制線；在步驟(a)中，通過第一節(jié)點初始化晶體管將第一節(jié)點初始 化電壓從第一節(jié)點初始化電壓供給線^是供給第一節(jié)點，其中，第一 節(jié)點初始化晶體管通過來自第一節(jié)點初始化晶體管控制線的信號 而^f皮置于導(dǎo)通狀態(tài)。盡管在下文描述驅(qū)動電路的細(xì)節(jié)，可通過由5個晶體管和1個 電容器部組成的驅(qū)動電路(下文稱作54Tr/lC驅(qū)動電路)、由4個晶 體管和1個電容器部組成的另一個驅(qū)動電路(下文稱作4Tr/lC驅(qū)動 電路)，以及由3個晶體管和1個電容器部組成的又一個驅(qū)動電路 (下文稱作3Tr/lC )的^f壬意一個形成驅(qū)動電^各。在應(yīng)用本實施例驅(qū)動方法的有機電致發(fā)光顯示裝置(有機EL 顯示裝置)中，可以具有任意已知的配置和結(jié)構(gòu)。具體地，該配置 和結(jié)構(gòu)包括電流供給部、連"l妄掃描線的掃描電i 各、連4妄ft據(jù)線的 圖像信號輸出電路、連接發(fā)光控制晶體管控制線的發(fā)光控制晶體管 控制電路、掃描線、數(shù)據(jù)線、發(fā)光晶體管控制線以及有機電致發(fā)光 發(fā)光部(下文簡稱為發(fā)光部)。具體地，發(fā)光部可由例如陽電才及、 空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、陰電極等組成。在應(yīng)用本實施例的驅(qū)動方法的用于彩色顯示的有4幾EL顯示裝 置中， 一個像素包括多個子像素。具體地， 一個像素可具有一種由 包括紅色發(fā)光子像素、綠色發(fā)光子像素和藍色發(fā)光子像素的三個子 像素組成的形式。或者一個像素可由包括上述這三個子像素和另外 的一個或多個不同的子<象素的一《且子{象素《且成。例:^， 一個^f象素可 額外包括用于發(fā)射增強亮度的白色光的子像素、用于發(fā)射擴大顏色 再生范圍的補色的光的一個子像素或多個子像素、用于發(fā)射擴大顏 色再生范圍的黃色光的子像素或用于發(fā)射擴大顏色再生范圍的黃 色光和青色光的多個子像素。驅(qū)動電路的晶體管可由n溝道薄膜晶體管(TFT)形成。根據(jù) 需要，例如，對于發(fā)光控制晶體管，可使用p溝道場效應(yīng)晶體管。 此外，可使用場效應(yīng)晶體管，例如，形成在硅半導(dǎo)體基板上的MOS 晶體管。同時，電容器部可包括電極、另一個電極以及夾置在電極 之間的介電層或絕緣層。形成驅(qū)動電路的晶體管和電容器部形成在 特定平面中，例如，形成在支撐體上，且通過夾置在中間的層間絕 緣層，在驅(qū)動電路的晶體管和電容器部上形成發(fā)光部。例如，通過 接觸孔，驅(qū)動晶體管的第二源極/漏極區(qū)連接至設(shè)置在發(fā)光部中的陽 電極。應(yīng)用本實施例的驅(qū)動方法的有才幾EL顯示裝置可包括(a) 對34苗電^各；(b) 圖像信號輸出電路；(c) 以二維矩陣配置的總計N x M個有才幾電致發(fā)光元件，其 中，在第一方向上配置N個有才幾電致發(fā)光元件，以及在不同于第一 方向的第二方向上配置M個有才幾電致發(fā)光元4牛；(d) M條掃描線，連4妾至掃描電if各并在第一方向上延伸；(e) N條數(shù)據(jù)線，連接至圖像信號輸出電路并在第二方向上延伸；(f) M條發(fā)光控制晶體管控制線，連接至發(fā)光控制晶體管控 制電^各并在第一方向上延伸；以及(g) 電源供鄉(xiāng)會部。每個有機電致發(fā)光元件(下文簡稱為有機EL元件)都包括驅(qū)動電路，包括驅(qū)動晶體管、圖像信號寫晶體管、發(fā)光控制晶 體管以及電容器部；以及有機電致發(fā)光發(fā)光部。在驅(qū)動方法中，在將發(fā)光控制晶體管置于保持其導(dǎo)通狀態(tài)的狀 態(tài)之后，與從數(shù)據(jù)線向第 一節(jié)點施加圖像信號的寫處理同步地執(zhí)行 遷移率校正處理。這里，由于預(yù)先將發(fā)光控制晶體管保持為導(dǎo)通狀 態(tài)，所以僅通過圖像信號寫晶體管保持導(dǎo)通狀態(tài)的時間段來定義寫 處理的時間長度，即，遷移率校正處理的時間長度。此夕卜，當(dāng)執(zhí)行 遷移率4交正/寫處理時，以及在這種遷移率一交正/寫處理之前和之后，由于第三節(jié)點處的電位處于基本保持等于電流供給部的電壓的狀 態(tài)，所以即使驅(qū)動晶體管的柵電極處的電位發(fā)生改變，這種變化的 影響也不通過寄生電容向發(fā)光控制晶體管的柵電極傳播。由于發(fā)光 控制晶體管的4冊電才及處的電位變化對這種方式的遷移率4交正處理 的時間長度沒有4壬4可影響，所以可以消除由遷移率沖交正處理的時間 長度的變化所引起的顯示屏幕圖像質(zhì)量劣化的問題。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例1的基本由5個晶體管和1個電容器 部構(gòu)成的驅(qū)動電^各的等效電i 各圖；圖2是包括圖1所示驅(qū)動電路的顯示裝置的框圖；圖3是示出圖1所示驅(qū)動電路驅(qū)動的時序圖；圖4A 圖5E是示出形成圖1所示驅(qū)動電路的晶體管的導(dǎo)通/ 截止?fàn)顟B(tài)等的電^^圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例2的基本由4個晶體管和1個電容器 部構(gòu)成的驅(qū)動電路的等效電路圖；圖7是包括圖6所示驅(qū)動電路的顯示裝置的框圖；圖8是示出圖6所示驅(qū)動電路驅(qū)動的時序圖；圖9A-10D是示出形成圖6所示驅(qū)動電路的晶體管的導(dǎo)通/截 止?fàn)顟B(tài)等的電^各圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明實施例3的基本由3個晶體管和1個電容 器部構(gòu)成的驅(qū)動電路的等效電路圖；圖12是包括圖11所示驅(qū)動電路的顯示裝置的框圖；圖13是示出圖11所示驅(qū)動電^各驅(qū)動的時序圖；圖14A~ 15E是示出形成圖11所示驅(qū)動電^各的晶體管的導(dǎo)通/ 截止?fàn)顟B(tài)等的電路圖；圖16是示意性示出有4幾電致發(fā)光元件部分的局部截面圖；以及圖17是示出主要由5個晶體管和1個電容器部構(gòu)成的現(xiàn)有驅(qū) 動電鴻4乘作的時序圖。
具體實施方式
下面，參照其優(yōu)選實施例詳細(xì)描述本發(fā)明。然而，在描述之前， 描述本發(fā)明實施例中使用的有機EL顯示裝置的概要。用在實施例中的有機EL顯示裝置包括多個4象素。每個像素都 由多個子^f象素組成，在下面描述的實施例中，其包括紅色發(fā)光子l象 素、綠色發(fā)光子像素和藍色發(fā)光子像素。每個子像素均包括有機電 致發(fā)光元件(有才幾EL元件)10，其具有堆疊驅(qū)動電if各11和連4妄至 驅(qū)動電路11的有機電致發(fā)光發(fā)光部或發(fā)光部ELP的結(jié)構(gòu)。分別在 圖1、圖6和圖11中示出了根據(jù)實施例1、 2和3的有機EL顯示 裝置的等效電^各圖，并分別在圖2、圖7和圖12中示出了才艮據(jù)實施 例1、 2和3的有機EL顯示裝置的框圖。注意，圖1和圖2示出了 主要由5個晶體管和1個電容器部形成的驅(qū)動電路；圖6和圖7示 出了主要由4個晶體管和1個電容器部形成的另一個驅(qū)動電路；以 及圖11和圖12示出了主要由3個晶體管和1個電容器部形成的又 ——個馬區(qū)動電3各。才艮才居實施例的有才幾EL顯示裝置包4舌(a) 掃描電路101;(b) 圖像信號輸出電路102;(c) 以二維矩陣配置的總計NxM個有才幾EL元件lO,其中， 在第一方向上配置N個有才幾EL元件10，以及在與第一方向垂直的 第二方向上配置M個有才幾EL元件10;(d) M條掃描線SCL,連接至掃描電路101并在第一方向上延伸；(e ) N條數(shù)據(jù)線DTL,連接至圖像信號輸出電路102并在第 二方向上延4申；(f) M條發(fā)光控制晶體管控制線CLj^c,連接至發(fā)光控制晶 體管控制電路103并在第一方向上延伸；以及(g) 電源供^會部100。注意，雖然在圖2、圖7和圖12中示出了 3 x 3個有才幾EL元 件10, ^f旦它們始纟冬^U又是實例。發(fā)光部ELP具有已知配置和結(jié)構(gòu)，包括例如陽電極、空穴傳輸 層、發(fā)光層、電子傳輸層以及陰電極。此外，在掃描線SCL的一端 處設(shè)置掃描電路IOI。掃描電路IOI、圖像信號輸出電路102、掃描 線SCL、數(shù)據(jù)線DTL和電流供給部100可分別具有已知的配置和結(jié)構(gòu)。在驅(qū)動電路由最小部件形成的情況下，其包括驅(qū)動晶體管TDrv、 圖像信號寫晶體管TSig、發(fā)光控制晶體管TELC以及具有一對電極的 電容器部d。由具有源4及/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵電才及的n溝道 TFT形成驅(qū)動晶體管TD『此外，由具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū) 和柵電極的n溝道TFT形成圖像信號寫晶體管Tsig。此外，由具有 源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵電才及的n溝道TFT形成發(fā)光控制晶 體管TEL_—c?？捎蓀溝道TFT形成發(fā)光控制晶體管Te^c和困像信號 寫晶體管TSig。這里，配置驅(qū)動晶體管Torv,使得(A-l)源極/漏極區(qū)中的第一個(下文稱作漏極區(qū))連接至發(fā) 光控制晶體管Tic的源極/漏極區(qū)中的第二個；(A-2)源極/漏極區(qū)中的第二個(下文稱作源極區(qū))連接至設(shè) 置在發(fā)光部ELP中的陽電4及，并連4妄至電容器部d的電4及中的第 一個，以形成第二節(jié)點ND2，以及(A-3)柵電極連接至圖像信號寫晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)中 的第二個并連接至電容器部d的電極中的第二個，以形成第一節(jié)點 ND!。注意，驅(qū)動晶體管T^的漏極區(qū)以及發(fā)光控制晶體管Tex^c的 另一個源才及/漏才及區(qū)占據(jù)例如相同區(qū)域，并且該區(qū)域在下文^皮稱作第三節(jié)點ND3。此外，配置圖像信號寫晶體管TSig，使得 (B-l)源極/漏極區(qū)中的第一個連接至凄t據(jù)線DTL;以及 (B-2 )沖冊電4及連4妄至掃描線SCL,此外，配置發(fā)光控制晶體管，使得(C-l)源極/漏極區(qū)中的第一個連接至電流供給部100;以及 (C-2 )柵電極連接至發(fā)光控制晶體管控制線CLEL—c。 更具體地，從示出有才幾電致發(fā)光元件部分的示意性截面圖的圖16所示，在支撐體上形成形成驅(qū)動電路的晶體管Tsig和Tj^以及電容器部d。同時，通過夾置在其間的層間絕緣層40，在形成驅(qū)動 電路的晶體管T^和TDrv以及電容器部C！上形成發(fā)光部ELP。同時， 驅(qū)動晶體管TDrv的另一個源極/漏極區(qū)通過接觸孔連接至設(shè)置在發(fā) 光部ELP上的陽電極。注意，圖16僅示出了驅(qū)動晶體管TDrv。圖像信號寫晶體管Tsig和其它晶體管被驅(qū)動晶體管TDrv隱藏，不能被看到。更具體地，驅(qū)動晶體管Torv包括柵電極31、柵極絕緣層32、 半導(dǎo)體層33、設(shè)置在半導(dǎo)體層33上的源4及/漏才及區(qū)35以及由源才及/ 漏極區(qū)35之間半導(dǎo)體層33的部分所提供的溝道形成區(qū)34。同時， 電容器部d包括電極36,通過柵極絕緣層32的延伸形成的介電層 以及對應(yīng)于第二節(jié)點ND2的另一個電才及37。在基才反20上形成4冊電 極31、柵極絕緣層32的一部分以及形成電容器部d的電極36。驅(qū) 動晶體管Torv的一個源極/漏極區(qū)35連接至配線38，而另一個源極 /漏極區(qū)35連接至對應(yīng)于第二節(jié)點ND2的電極37。通過層間絕緣層 40覆蓋驅(qū)動晶體管TDrv、電容器部d等。發(fā)光部ELP設(shè)置在層間 絕緣層40上，并包括陽電才及51、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸 層以及陰電極53。注意，在圖16中，由一層52表示空穴傳輸層、 發(fā)光層和電子傳輸層。在沒有設(shè)置發(fā)光部ELP的層間絕緣層40的 部分上，i殳置第二層間絕纟彖層54，并在第二層間絕纟彖層54和陰電 極53上設(shè)置基板21，使得從發(fā)光層發(fā)射的光通過基板21發(fā)射到外 部。注意，通過形成在層間絕緣層40中的接觸孔，將電極37或第二節(jié)點ND2以及陽電才及51 ;波此連4妾。此外，通過分別形成在第二 層間絕緣層54和層間絕緣層40中的4妄觸孑L 56和55,將陰電才及53 連接至設(shè)置在柵極絕緣層32的延伸部分上的配線39。有才幾EL顯示裝置包4舌以二維矩陣配置的N/3 x M個〗象素。線 順序驅(qū)動形成〗象素的有才幾EL元件10,并且顯示幀速率是FR次/秒。 具體地，同時驅(qū)動形成在m: 1,2， 3， ...，M的第m^f亍中配置的N/3 像素，即，N個子像素的有機EL元件10。換句話說，在形成一行 的有才幾EL元件10中，以有才幾EL元件10屬于的行為單位控制發(fā) 光/非發(fā)光定時。注意，將圖像信號寫入形成一行的像素中的處理可 以是將圖像信號同時寫入所有像素的處理(下文稱作同步寫處理) 或者將圖像信號順序?qū)懭胂袼氐奶幚?下文稱作順序?qū)懱幚??？?基于驅(qū)動電^各的結(jié)構(gòu)適當(dāng)選擇一種實際應(yīng)用的寫處理。這里，描述關(guān)于作為代表的形成位于第m行第n列(其中，n = 1,2， 3, ...，N)處的4象素中的一個子1象素的有才幾EL元件10的驅(qū)動 和才喿作。剛剛才是及的這種子4象素或有4幾EL元件IO在下文一皮稱作第 (n, m)個子像素或第(n, m)個有機EL元件10。在用在第m行 中配置的有才幾EL元件10的水平掃描周期，即，第m個水平掃描 周期結(jié)束之前，執(zhí)行包括下文描述的閾值電壓消除處理和遷移率校 正/寫處理的各種處理。注意，盡管在第m個水平掃描周期內(nèi)批J亍 遷移率校正/寫處理，但根據(jù)需要，可在第(m-m〃)個水平掃描周 期到第m個水平掃描周期執(zhí)行遷移率校正/寫處理。另一方面，根 據(jù)驅(qū)動電路的類型，可在第m水平掃描周期之前執(zhí)行閾值電壓消除 處理和用于閾^直電壓消除處理的預(yù)處理。然后，在上述所有處理結(jié)束之后，驅(qū)動在第m^f亍中配置的有^L EL元件10的發(fā)光部來發(fā)光。注意，發(fā)光部可在上述所有處理結(jié)束 之后立即發(fā)光，或者可在所述處理結(jié)束之后經(jīng)過預(yù)定時間,殳(例如， 經(jīng)過預(yù)定行數(shù)的水平掃描周期)后發(fā)光?？刹鹏迵?jù)有才幾EL顯示裝置的規(guī)格、驅(qū)動電路的配置等適當(dāng)?shù)卦O(shè)定預(yù)定時間段。注意，在下列描述中，為了描述方〗更，，i定發(fā)光部在處理結(jié)束后立即發(fā)光。然后， 形成在第m行中配置的每個有機EL元件10的發(fā)光部的發(fā)光持續(xù)， 直到在(m + m')行中配置的有機EL元件10的水平掃描周期開始 緊前的時間點。這里，根據(jù)有機EL顯示裝置的設(shè)計規(guī)格確定"m'"。 具體地，形成特定顯示幀的第m 4于中配置的每個有4幾EL元件10 的發(fā)光部的發(fā)光持續(xù)直到第(m + m'-1 )行。同時，從第(m + m') 個水平掃描周期的開始點到下一個顯示幀的第m個水平周期內(nèi)完 成遷移率才交正/寫處理的另一時間點，形成在第m^f亍中配置的每個有機EL元件10的發(fā)光部保持其非發(fā)光狀態(tài)。在設(shè)置上述不發(fā)光的 周期(下文可僅稱作非發(fā)光周期)的情況下，減小了伴隨有源矩陣 驅(qū)動的殘像的模糊，因此，可以提高移動畫面的質(zhì)量。然而，子像 素或有一幾EL元件10的發(fā)光狀態(tài)/非發(fā)光狀態(tài)不限于上述狀態(tài)。此 外，水平掃描周期的時間長度小于1/FRx 1/M秒。當(dāng)m + m'的值超 過M時，在下一顯示幀中處理水平掃描周期的超過部分。有時使用 一 個晶體管的兩個源極/漏極區(qū)之間的術(shù)語" 一 個源極 /漏極區(qū)，，以表示連接至電源部的一個源極/漏才及區(qū)。此外，晶體管下，電流是否,人晶體管的一個源才及/漏才及區(qū)流向另一個源4及/漏才及區(qū) 是無關(guān)緊要的。另一方面，晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)表示在源極/漏極區(qū) 之間沒有形成溝道的狀態(tài)。此外，特定晶體管的源極/漏極區(qū)連接至 另 一 晶體管的源極/漏極區(qū)表示特定晶體管的源才及/漏極區(qū)和另 一 晶 體管的源極/漏極區(qū)占據(jù)相同區(qū)域的形式。此外，不僅可以由諸如包 含雜質(zhì)的多晶硅或非晶硅形成源極/漏極區(qū)，而且還可以由金屬、合 金、導(dǎo)電樣i粒、包括這種金屬、合金或?qū)щ娢⒘５亩询B結(jié)構(gòu)、或由 有機材料或?qū)щ娋酆衔镄纬傻膶有纬稍礃O/漏極區(qū)。此外，在下面描 述使用的時序圖中，表示周期，即，時間長度的橫坐標(biāo)軸的長度僅 是示意性的，并不表示不同周期之間時間長度的比率。下面，結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例描述使用5Tr/lC驅(qū)動電路、 4Tr/lC驅(qū)動電路和3Tr/lC驅(qū)動電^各的發(fā)光部ELP的驅(qū)動方法。實施例1實施例1關(guān)于才艮據(jù)本實施例的電致發(fā)光發(fā)光部的驅(qū)動方法。在 實施例1中，驅(qū)動電i 各3皮形成為5Tr/lC驅(qū)動電^各。分別在圖1和圖2中示出了 5Tr/lC驅(qū)動電路的等效電路圖和框 圖；圖3中示出了 5Tr/lC驅(qū)動電路的驅(qū)動時序圖；以及在圖4A-圖4D和5A 5E中示意性示出了 5Tr/lC驅(qū)動電路的晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)。參考圖1 ~圖5E, 5Tr/lC驅(qū)動電路包括含有圖像信號寫晶體管 TSig、驅(qū)動晶體管TDrv、發(fā)光控制晶體管TEL—c、第一節(jié)點初始化晶 體管TND1、第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的5個晶體管，并且還包括 1個電容器部Cj。[發(fā)光控制晶體管TElj_c]發(fā)光控制晶體管TELC的一個源極/漏極區(qū)連接至用于提供電壓 Vcc的電流供給部100,而發(fā)光控制晶體管TEL_C的另 一個源才及/漏招^ 區(qū)連接至驅(qū)動晶體管TDrv的一個源4及/漏才及區(qū)。通過連4妄至發(fā)光控制晶體管T機c的柵電極的發(fā)光控制晶體管控制線CLEL一c來控制發(fā)光控制晶體管TELC的導(dǎo)通/截止才喿作。注意，i殳置電流供菱會部100, 以將電流提供給有機EL元件10的發(fā)光部ELP,從而控制發(fā)光部 ELP的發(fā)光。此外，發(fā)光控制晶體管控制線CLELc連接至發(fā)光控制 晶體管控制電路103。[驅(qū)動晶體管TDrv]如上所述，驅(qū)動晶體管TDrv的一個源極/漏才及區(qū)連接至發(fā)光控制 晶體管TEL—c的另一個源極/漏極區(qū)。具體地，驅(qū)動晶體管Torv的一 個源極/漏極區(qū)通過發(fā)光控制晶體管TEL一c連接至電流供給部100。 同時，驅(qū)動晶體管Torv的另一個源極/漏極區(qū)連接至[1]發(fā)光部ELP的陽電極，[2]第二節(jié)點初始化晶體管TND2的另一個源極/漏極區(qū)，以及[3]電容器部Ci的一個電極，并形成第二節(jié)點ND2。同時，驅(qū)動晶體管T^的柵電極連接至[1]圖像信號寫晶體管Tsig的另一個源極/漏極區(qū)，[2]第一節(jié)點初始化晶體管TND1的另一個源極/漏極區(qū)，以及[3]電容器部d的另一個電極，并形成第一節(jié)點ND!。當(dāng)有才幾EL元件10處于發(fā)光狀態(tài)時，驅(qū)動驅(qū)動晶體管TDrv，以 才艮據(jù)下列表達式(1 ) ^是供漏電流Ids:4"，d 。2 ... (1)其中|a:有纟丈遷移率 L:溝道長度 W:溝道寬度Vgs: 4冊電才及和作為源極區(qū)的另 一個源極/漏極區(qū)之間的電位差Vth:閾^直電壓C。x:(柵極絕緣層的相對介電常數(shù))x (真空介電常數(shù))/ (柵極絕 緣層的厚度)k三(1/2) ( W/L) .Cox在有機EL元件10的發(fā)光狀態(tài)中，驅(qū)動晶體管TDrv的一個源極 /漏極區(qū)用作漏才及區(qū)，而另一個源極/漏極區(qū)用作源極區(qū)。為了描述 方便，在以下的描述中，有時僅將驅(qū)動晶體管Torv的一個源極/漏極 區(qū)稱為漏極區(qū)，以及有時僅將另 一 個源極/漏極區(qū)稱為源極區(qū)。當(dāng)漏電流Ids流過有才幾EL元件10的發(fā)光部ELP時，有才幾EL 元件10的發(fā)光部ELP發(fā)光。此外，通過漏電流1&值的大小控制有 機EL元件10的發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)，即，發(fā)光亮度。[圖像信號寫晶體管TSig]如上所述，圖像信號寫晶體管Tsig的另一個源極/漏極區(qū)連接至 驅(qū)動晶體管T^的柵電極。同時，圖像信號寫晶體管T^的一個源 極/漏極區(qū)連接至數(shù)據(jù)線DTL,使得將用于控制發(fā)光部ELP亮度的 圖像信號(驅(qū)動信號或亮度信號)Vsig通過數(shù)據(jù)線DTL從圖像信號 輸出電路102提供給一個源極/漏極區(qū)。注意，可通過數(shù)據(jù)線DTL 將諸如用于預(yù)充電驅(qū)動的信號和各種基準(zhǔn)電壓的各種信號或電壓 提供給一個源極/漏極區(qū)。通過連接至圖像信號寫晶體管T^的柵電 極的掃描線SCL控制圖像信號寫晶體管TSig的導(dǎo)通/截止操作。[第一節(jié)點初始化晶體管TND1]如上所述，第一節(jié)點初始化晶體管TND1的另一個源極/漏極區(qū) 連接至驅(qū)動晶體管Torv的柵電極。同時，將用于對第一節(jié)點NDj處的電位，即，驅(qū)動晶體管Torv柵電極處的電位進行初始化的電壓 V。ft提供給第一節(jié)點初始化晶體管TND1的一個源才及/漏極區(qū)。通過連接至第一節(jié)點初始化晶體管TND1的柵電極的第一節(jié)點初始化晶體 管控制線AZ^M控制第一節(jié)點初始化晶體管TND1的導(dǎo)通/截止操作。 第 一 節(jié)點初始化晶體管控制線AZND!連接至第 一 節(jié)點初始化晶體管 4空制電^各104。[第二節(jié)點初始化晶體管TND2]第二節(jié)點初始化晶體管TND2的另一個源極/漏極區(qū)連接至驅(qū)動晶體管Torv的源極區(qū)。同時，將用于對第二節(jié)點M〕2處的電位，即， 驅(qū)動晶體管Torv源極區(qū)處的電位進行初始化的電壓Vs^是供給第二節(jié)點初始化晶體管TND2的一個源極/漏極區(qū)。此外，通過連接至第 二節(jié)點初始化晶體管TND2的柵電極的第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZ冊2控制第二節(jié)點初始化晶體管丁ND2的導(dǎo)通/截止操作。第二 節(jié)點初始化晶體管控制線AZND2連接至第二節(jié)點初始化晶體管控制電路105。 [發(fā)光部ELP]如上所述，發(fā)光部ELP的陽電極連接至驅(qū)動晶體管TDrv的源極 區(qū)。同時，對發(fā)光部ELP的陰電才及施加電壓VCat。由參考符號CEL 表示發(fā)光部ELP的寄生電容。此外，由Vth-EL表示發(fā)光部ELP的發(fā) 光需要的閾值電壓。具體地，如果在發(fā)光部ELP的陽電4及和陰電極 之間施加大于電壓Vth-EL的電壓，則發(fā)光部ELP發(fā)光。在下面的描述中，雖然施加具有下面所給值的電壓或電位，它 們只是用于解釋的值，但電壓或電位的值不限于所給出的值。VSie:用于控制發(fā)光部ELP亮度的圖像信號...0 ~ 10伏Vcc:用于4空制發(fā)光部ELP發(fā)光的電流供纟會部的電壓 …20伏V0fs:用于對驅(qū)動晶體管TDrv^冊電極處的電位，即，第一節(jié)點NDi 處的電位進行初始化的電壓…0伏Vss:用于對驅(qū)動晶體管Torv源極區(qū)處的電位，即，第二節(jié)點ND2 處的電位進行初始化的電壓...-IO伏Vth:用于驅(qū)動晶體管TDrv的閾值電壓...3伏VCat:施加給發(fā)光部ELP的陰電才及的電壓 ...0伏Vth—E1/.發(fā)光部ELP的閾值電壓 ...3伏下面描述5Tr/lC驅(qū)動電路的操作。注意，如上所述，盡管假定 在完成包4舌閾4直電壓消除處理和遷移率4交正/寫處理的所有處理之 后立即開始發(fā)光狀態(tài)，但5Tr/lC驅(qū)動電路的操作不限于此。這類似地應(yīng)用于實施例2和3，即，4Tr/lC驅(qū)動電路和3Tr/lC驅(qū)動電路的描述。[周期TP (5) —J (參考圖4A)該[周期TP (5) 一]是在作為先前顯示幀中的操作完成先前操 作周期內(nèi)的各種處理之后第(n,m)個有才幾EL元件10保持發(fā)光狀 態(tài)的時間^殳。具體地，基于下文給出的表達式(4)的漏電流I'&流 過組成第(n, m)個子像素的有機EL元件10的發(fā)光部ELP,且形 成第(n,m)個子^f象素的有才幾ELit/f牛10的亮度具有7于應(yīng)于漏電流 r&的值。這里，圖像信號寫晶體管TSig、第一節(jié)點初始化晶體管TND1和第二節(jié)點初始化晶體管TND2處于截止?fàn)顟B(tài)，以及發(fā)光控制晶體管TEL—c和驅(qū)動晶體管Torv處于導(dǎo)通狀態(tài)。第(n, m)個有機EL元件 IO的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)，直到在第(m + m')行中配置的有機EL元件 10的水平掃描周期開始的時間點。注意，可以應(yīng)用另一種配置，其 中，在當(dāng)前顯示幀中的第m個水平掃描期內(nèi)包括[周期TP (5) 0]~ [周期TP (5) 4]的時間段。在圖3示出的[周期TP (5) o]-[周期TP (5) 4]的時間段內(nèi)， 先前操作周期中完成各種處理之后的發(fā)光狀態(tài)結(jié)束之后，直到執(zhí)行 下一遷移率沖交正/寫處理緊前的時間點處，#1行才乘作。具體地，[周 期TP (5) o]-[周期TP (5) 4]的時間段具有例如從先前顯示幀中 的第(m + m')個水平掃描周期的開始定時到當(dāng)前顯示幀中的第(m - 1 )個水平掃描周期的結(jié)束定時的時間長度。注意，在當(dāng)前顯示 幀中的第m個水平掃描周期內(nèi)可包括[周期TP( 5 )o] ~ [周期TP( 5 ) 4]的時間段。然后，在[周期TP (5) o]-[周期TP (5) 4]的時間段內(nèi)，第(n， m)個有機EL元件IO處于非發(fā)光狀態(tài)。具體地，在[周期TP(5) o] ~ [周期TP ( 5 ) d的時間段和[周期TP ( 5 ) 3] ~ [周期TP ( 5 ) 4]的時間段內(nèi)，由于發(fā)光控制晶體管TEL—c處于截止?fàn)顟B(tài)，所以有機 EL元件10不發(fā)光。注意，在[周期TP (5) 2]內(nèi)，發(fā)光控制晶體管 TELC呈現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)。然而，在該周期內(nèi)，執(zhí)行下文描述的閾值電壓 消除處理。盡管在閾值電壓消除處理的描述中給出詳細(xì)描述，但如 果假定滿足下文給出的表達式(2 )，則有機EL元件10不發(fā)光。下面，首先描述[周期TP (5) o]-[周期TP (5) 4]的時間段。 注意，根據(jù)有機EL顯示裝置的設(shè)計，可適當(dāng)?shù)卦O(shè)定[周期TP (5 ) J的開始定時和[周期TP (5) !] [周期TP (5) 4]的時間長度。[周期TP (5)0]如上所述，在[周期TP (5) 0]內(nèi)，第(n, m)個有才幾EL元件 IO處于非發(fā)光狀態(tài)。圖像信號寫晶體管TSig、第一節(jié)點初始化晶體管TND!和第二節(jié)點初始化晶體管TND2處于截止?fàn)顟B(tài)。同時，在從[周期TP (5) m]到[周期TP (5) o]的轉(zhuǎn)變時間點處，將發(fā)光控制晶體管Telc置于截止?fàn)钕?。因此，第二?jié)點ND"即，驅(qū)動晶體管TDrv的源極區(qū)或發(fā)光部ELP的陽電極處的電位下降至Vth-EL + VCat，并 將發(fā)光部ELP置于非發(fā)光狀態(tài)。此外，處于浮置狀態(tài)的第一節(jié)點NDp即，驅(qū)動晶體管Torv的柵電極處的電位以這種方式下降，以跟隨第二節(jié)點ND2處的電位的下降。[周期TP (5) !](參考圖4B和圖4C)在[周期TP (5) ^內(nèi)，執(zhí)行用于隨后執(zhí)行下文描述的閾值電壓 消除處理的預(yù)處理。具體地，對第一節(jié)點ND!施加第一節(jié)點初始化 電壓，以及對第二節(jié)點ND2施加第二節(jié)點初始化電壓，使得第一節(jié) 點ND!和第二節(jié)點ND2之間的電位差可超過驅(qū)動晶體管TDrv的閾值 電壓Vth，此外發(fā)光部ELP的陰電極和第二節(jié)點ND2之間的電位差 可不超過發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth-EL。更具體地， 一旦[周期TP(5) d開始，第一節(jié)點初始化晶體管控制電路104和第二節(jié)點初始 化晶體管控制電路105就進行操作，以將第一節(jié)點初始化晶體管控 制線AZND1和第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZND2設(shè)定為高電平， 從而將第一節(jié)點初始化晶體管TND1和第二節(jié)點初始化晶體管TND2 置于導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點NDi處的電位變?yōu)殡妷篤0fs,例如， 0伏。同時，第二節(jié)點ND2處的電位變?yōu)殡妷篤ss,例如，-IO伏。 然后，在完成[周期TP (5) J之前，第二節(jié)點初始化晶體管控制電路105進行操作，以將第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZND2設(shè)定為 低電平，從而將第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2置于截止?fàn)钕?。注意?可將第一節(jié)點初始化晶體管TN!m和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2同時置于導(dǎo)通狀態(tài)，或者首先將第一節(jié)點初始化晶體管丁Nm置于導(dǎo)通狀態(tài)，或相反，首先將第二節(jié)點初始化晶體管TND2置于導(dǎo)通狀態(tài)。 通過上述處理，驅(qū)動晶體管Torv的柵極區(qū)和源極區(qū)之間的電位差變得大于閾值電壓Vth，并將驅(qū)動晶體管T^置于導(dǎo)通狀態(tài)。 [周期TP (5)2](參考圖4D)然后，當(dāng)保持第一節(jié)點ND!處的電位時，施加大于[周期TP(5),]內(nèi)第二節(jié)點ND2處的電位和驅(qū)動晶體管Torv的閾值電壓V化的總和電位的電壓。將大于該電位的電壓從電流供給部IOO沖是供給驅(qū)動晶體管Torv的第一源極/漏極區(qū)，即，漏極區(qū)，以執(zhí)行閾值電壓消除 處理，該閾值電壓消除處理用于朝向驅(qū)動晶體管Torv的閾值電壓Vth改變第一節(jié)點NDi和第二節(jié)點ND2之間的電位差，具體提高第 二節(jié)點ND2處的電位。更具體地，當(dāng)保持第一節(jié)點初始化晶體管TNJM的導(dǎo)通狀態(tài)時，發(fā)光控制晶體管控制電路103進行#:作，以將發(fā)光控制晶體管控制線CLEL—c設(shè)定為高電平，從而將發(fā)光控制晶體 管TELc置于導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，盡管第一節(jié)點NDi處的電位沒有改 變，即，保持電壓Voft二O伏，4旦第二節(jié)點ND2處的電位朝向第一節(jié)點NDi處的電位與驅(qū)動晶體管丁Drv的閾值電壓Vth的電位差發(fā)生改變。具體地，處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2處的電位上升。然后， 如果驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差達到閾值電壓 Vth，則將驅(qū)動晶體管T^置于截止?fàn)顟B(tài)。更具體地，處于浮置狀態(tài) 的第二節(jié)點ND2處的電位接近V0fs — Vth = - 3 V > Vss,并最終變得 等于V③-Vth。這里，如果保證下面給出的表達式(2),即，如果 選才奪并確定電位以滿足表達式(2),則發(fā)光部ELP不發(fā)光。注意， 在閾值電壓消除處理中，第一節(jié)點ND!和第二節(jié)點ND2之間的電位差，即，驅(qū)動晶體管Torv的沖冊電極和源極區(qū)之間的電位差接近驅(qū)動 晶體管TDrv的闊值電壓Vth的程度定性地依賴于閾值電壓消除處理的時間。因此，例如，如果保證用于閾值電壓消除處理的時間充分長，則第一節(jié)點ND!和第二節(jié)點ND2之間的電位差達到驅(qū)動晶體管Torv的閾值電壓Vth，并將驅(qū)動晶體管T^置于截止?fàn)顟B(tài)。另一方面，例如，如果將用于閾值電壓消除處理的時間較短，則第一節(jié)點NDi和第二節(jié)點ND2之間的電位差有時變得大于驅(qū)動晶體管Torv的閾值 電壓Vth，從而，沒有將驅(qū)動晶體管TDrv置于截止?fàn)顟B(tài)。換句話說， 作為閾值電壓消除處理的結(jié)果，沒有必要將驅(qū)動晶體管Torv置于截 止?fàn)顟B(tài)。(Vofs —Vth) < ( Vth.EL + Vcat) …(2)在該[周期TP ( 5 ) 2]內(nèi)，第二節(jié)點ND2處的電位最終變?yōu)?Vofs-Vth。換句話說，第二節(jié)點ND2處的電位僅依賴于驅(qū)動晶體管丁Drv的閾值電壓Vth和用于對驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極進行初始化的電壓Voft?；蛘邠Q句話說，第二節(jié)點ND2處的電位不依靠閾值電壓Vth-EL。[周期TP (5)3](參考圖5A)此后，當(dāng)保持第一節(jié)點初始化晶體管TNm的導(dǎo)通狀態(tài)時，發(fā)光 控制晶體管控制電路103進行操作，以將發(fā)光控制晶體管控制線CLEL一c置于低電平，從而將發(fā)光控制晶體管TEL—c置于截止?fàn)顟B(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點ND,處的電位沒有改變，即，電位保持Vofs:O伏， 此外，處于浮置狀態(tài)中的第二節(jié)點ND2處的電位沒有改變，而是保 持Vof「Vth = -3伏。[周期TP (5)4](參考圖5B)然后，第一節(jié)點初始化晶體管控制電路104進行操作，以將第 一節(jié)點初始化晶體管控制線AZND!設(shè)定為低電平，從而將第一節(jié)點 初始化晶體管Tnd!置于截止?fàn)钕?。第一?jié)點NDt和第二節(jié)點ND2 處的電位沒有實質(zhì)變化。盡管實際由寄生電容的靜電耦合等引起電 位變^R:，〗旦通常可以忽略這個變4b?，F(xiàn)在，描述[周期TP (5) 5]-[周期TP (5) 7]的時間萃殳內(nèi)的才喿 作。注意，如下所述，在[周期TP (5) 5]內(nèi)，寺丸4亍用于遷移率4交正 /寫處理的預(yù)處理，并在[周期TP (5) 6]內(nèi)，同步才丸4亍遷移率才交正/ 寫處理。盡管如上所述需要在第m個水平掃描周期內(nèi)執(zhí)行所提及的 處理，但根據(jù)需要，可以橫跨多個掃描周期執(zhí)行處理。類似地，這 同樣應(yīng)用于實施例2和3。然而，在實施例1中，為了描述方^f更， 假定[周期TP ( 5 ) 5]的開始定時和[周期TP ( 5 ) 6]的結(jié)束定時分別 與第m個水平掃描周期的開始定時和結(jié)束定時一致。通常，在驅(qū)動晶體管TDrv由多晶硅薄膜晶體管等形成的情況下， 不能避免在晶體管之間發(fā)生差異。因此，即使對遷移率不同的多個 驅(qū)動晶體管Torv的柵電極施加相同值的圖像信號VSig，但在流過具 有高遷移率p的驅(qū)動晶體管Torv和具有低遷移率|a的另一個驅(qū)動晶體管Torv的漏電流Ids之間仍然存在差異。因而，如果出現(xiàn)剛剛提及的差異，則損害有機EL顯示裝置屏幕的均勻性。[周期TP (5)5](參考圖5C)因此，執(zhí)行基于驅(qū)動晶體管Torv的遷移率H的大小的驅(qū)動晶體 管Torv源極區(qū)或第二節(jié)點ND2中的電位的包括校正的遷移率校正/寫處理，即，遷移率4交正處理。然而，在遷移率4交正/寫處理之前才丸行隨后的預(yù)處理。具體地，發(fā)光部控制晶體管T化c被置于區(qū)基于 來自發(fā)光控制晶體管控制線CLELC的信號而保持導(dǎo)通狀態(tài)的狀態(tài)。 更具體地，發(fā)光控制晶體管控制電路103進行操作，以將發(fā)光控制 晶體管控制線CL化c設(shè)定為高電平，從而將發(fā)光控制晶體管TEL—c 置于導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點NDi處的電位沒有改變而是保持電 壓Voft二O伏，此外，處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2處的電位沒有 改變，而是保持V0fs_Vth =-3伏。在這種狀態(tài)下，第三節(jié)點ND3 處的電^f立通常變?yōu)殡妷篤cc。[周期TP (5) 6](參考圖5D)然后，執(zhí)行基于驅(qū)動晶體管Tr^的遷移率p大小的驅(qū)動晶體管丁Drv的源極區(qū)，即，第二節(jié)點ND2的電位校正，即，遷移率校正處 理，并同時執(zhí)行向驅(qū)動晶體管Tr^的寫處理。換句話說，執(zhí)行遷移 率校正/寫處理。具體地，當(dāng)?shù)谝还?jié)點初始化晶體管TNJM和第二節(jié)點初始化晶體 管TND2保持截止?fàn)顟B(tài)時，圖像信號輸出電路102進行操作，以將數(shù)據(jù)線DTL的電位設(shè)定為用于控制發(fā)光部ELP亮度的圖像信號(驅(qū) 動信號或亮度信號)VSig。然后，掃描電路101進行操作，以將掃 描線SCL設(shè)定為高電平，從而將圖像信號寫晶體管Tsig置于導(dǎo)通狀 態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點ND!處的電位上升至圖像信號電壓VSig。然后， 在經(jīng)過預(yù)定時間段to之后，掃描電路101進行操作，以將掃描線SCL 設(shè)定為低電平，從而將圖像信號寫晶體管Tsig置于截止?fàn)顟B(tài)，從而將第一節(jié)點NDp即，驅(qū)動晶體管Torv的柵電極置于浮置狀態(tài)。結(jié)果，在驅(qū)動晶體管IWv的遷移率|a值較高的情況下，驅(qū)動晶體管 Torv的源極區(qū)中電位的增長量AV，即，電位校正值較大。然而，在 驅(qū)動晶體管Torv的遷移率p值較低的情況下，驅(qū)動晶體管Td^的源 才及區(qū)中電位的增長量AV，即，電位才交正值4交小。這里，由下列表達式(3 )給出驅(qū)動晶體管TDw的柵電極和源極區(qū)之間的電位差Vgs: Vg = VSigVs - V。fs - Vth + AVVgs-VSig_ (Vofs-Vth + AV) ... (3)具體地，在驅(qū)動晶體管TDrv的遷移率校正/寫處理中獲得的電位 差Vgs僅依賴于用于控制發(fā)光部ELP亮度的圖像信號(驅(qū)動信號、亮度信號)Vsig、驅(qū)動晶體管Torv的閾值電壓Vth、以及依賴于用于對驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極進行初始化的電壓Voft和驅(qū)動晶體管丁Drv的遷移率H的電位的增長量AV或電位校正值。因而，電位差Vgs與發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth_EL無關(guān)。注意，可一艮據(jù)有一幾EL顯示裝置的i更計，預(yù)先確定^U于遷移率 校正/寫處理的[周期TP ( 5 ) 6]的總時間t。作為設(shè)計值。此外，確定 [周期TP (5) 6]的總時間to,使得此時驅(qū)動晶體管Torv源極區(qū)中的 電位V。fs-Vth + AV滿足下列表達式(2')。然后，同樣由遷移率才交 正/寫處理同時執(zhí)行系數(shù)k (三(1/2) (W/L) .C。x)偏差的校正。Vofs _ Vth + AV < Vth.EL + VCat … UO[周期TP (5)7](參考圖5E)由于通過上述才喿作完成閾<直電壓消除處理和遷移率才交正/寫處 理，所以根據(jù)來自掃描線SCL的信號將圖像信號寫晶體管T^置于截止?fàn)顟B(tài)，以將第一節(jié)點ND,置于浮置狀態(tài)，乂人而通過驅(qū)動晶體管 T^將對應(yīng)于第 一節(jié)點ND和第二節(jié)點ND2之間的電4立差^f直的電;充 從電流供給部100提供給發(fā)光部ELP，以驅(qū)動發(fā)光部ELP。換句話 i兌，驅(qū)動發(fā)光部ELP發(fā)光。具體i也，在經(jīng)過預(yù)定時間t。之后，掃描電^各101進4亍才喿作，以 將掃描線SCL設(shè)定為低電平，從而將圖像信號寫晶體管Tsig置于截 止?fàn)顟B(tài)，從而將第一節(jié)點ND!，即，驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極置于 浮置狀態(tài)。同時，發(fā)光控制晶體管TE^保持導(dǎo)通狀態(tài)，并且發(fā)光 控制晶體管的漏極區(qū)保持為其連接至用于控制發(fā)光部ELP發(fā) 光的電壓Vcc(例如，20伏)的電流供給部100的狀態(tài)。結(jié)果，第 二節(jié)點ND2處的電位上升。這里，由于驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極處 于上述浮置狀態(tài)，并且還存在電容器部C,，所以通過驅(qū)動晶體管 T^v的柵電極發(fā)生類似于自舉電路的現(xiàn)象。因此，第一節(jié)點NDi處的電位也上升。結(jié)果，驅(qū)動晶體管Torv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差Vgs保持表達式(3)的值。此外，由于第二節(jié)點ND2處的電位 上升并超過Vth.EL + VCat,所以驅(qū)動發(fā)光部ELP開始發(fā)光。此時， 由于流過發(fā)光部ELP的電流是從驅(qū)動晶體管TDrv的漏極區(qū)流向源極 區(qū)的漏電流Ids，所以其可由表達式(1)表示。這里，才艮據(jù)表達式 (1)和(3)，可將表達式(1)變換為下列表達式(4):Ids = k>- ( Vsig - V0fs - AV ) 2 ... (4)因此，在電壓Voft設(shè)定為0伏的情況下，流過發(fā)光部ELP的漏電流Ids與由驅(qū)動晶體管Tx^的遷移率^所引起的第二節(jié)點ND2,即驅(qū)動晶體管TDrv的源極的電壓校正值A(chǔ)V的值和用于控制發(fā)光部 ELP的亮度的圖像信號Vsig的值的差值的平方成比例地增長。換句 話說，流過發(fā)光部ELP的漏電流Ids既不依賴于發(fā)光部ELP的閾值 電壓Vth-EL,也不依賴于驅(qū)動晶體管T^的閾值電壓Vth。因此，發(fā) 光部ELP的發(fā)光量，即，亮度，既不受發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth.EL的影響，也不受驅(qū)動晶體管Torv的閾值電壓Vth的影響。因此，第(n, m)個有才幾EL元件10的亮度具有對應(yīng)于漏電流Ids的<直。此外，由于電位校正值A(chǔ)V隨著驅(qū)動晶體管Torv遷移率p的增 加而增加，所以表達式(4)左側(cè)的值減小。因此，即使遷移率ja 的值表達式(4)中較高，但由于(VSig - Vofs - AV ) 2的值減小，所以可以校正漏電流Ids。換句話說，即使驅(qū)動晶體管T^具有不同 的遷移率^，但如果圖像信號Vsig的值相等，則漏電流I&變得基本相等，因此，流過發(fā)光部ELP以4空制發(fā)光部ELP的亮度的漏電，危 Ids是均勻的。換句話說，可以校正由遷移率ia的偏差所引起的發(fā)光 部的亮度偏差，由此可校正系數(shù)k的偏差。發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)直到第(m + m' - 1 )個水平掃描 周期。該時間點對應(yīng)于[周期TP (5) J的末端。因此，完成有機EL元件IO，即，第(n，m)個子像素(有機 EL元件10 )的發(fā)光才喿作。通過實施例1的驅(qū)動方法，在發(fā)光控制晶體管TEL—c保持導(dǎo)通 狀態(tài)的狀態(tài)下將圖l象信號Vsig從數(shù)據(jù)線DTL施加給第一節(jié)點NDj 的寫處理中，同步執(zhí)行遷移率4交正處理。因此，4又通過圖像信號寫 晶體管TSig保持為導(dǎo)通狀態(tài)的時間來定義遷移率校正/寫處理的時 間長度。此外，當(dāng)沖丸行遷移率才交正/寫處理時、之前和之后，由于第 三節(jié)點ND3處的電位處于其基本保持為電流供給部的電壓Vcc的狀 態(tài)，所以即使驅(qū)動晶體管丁Drv柵電極處的電位改變?yōu)閳D像信號VSig, 改變的影響也沒有通過寄生電容傳播到發(fā)光控制晶體管TEL—c的柵 電才及。因jt匕，的諸如顯示屏幕圖像的質(zhì)量劣化的問題《實施例2實施例2是對實施例1的修改。在實施例2中，由4Tr/lC驅(qū)動 電路形成驅(qū)動電路。在圖6和圖7中中分別示出了 4Tr/lC驅(qū)動電路 的等效電路圖和框圖；圖8中示出了 4Tr/lC驅(qū)動電路的驅(qū)動時序圖； 以及圖9A 9D和10A~ IOD中示意性示出了 4Tr/lC驅(qū)動電i 各的晶 體管等的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)。在4Tr/lC驅(qū)動電路中，從上述5Tr/lC驅(qū)動電路中省略了第一 節(jié)點初始化晶體管TND1。具體地，4Tr/lC驅(qū)動電路包括含有圖像信 號寫晶體管Tsig、驅(qū)動晶體管T^、發(fā)光控制晶體管Tel一c以及第二 節(jié)點初始化晶體管Tnd2的4個晶體管，并且還包括1個電容器部 C"[發(fā)光控制晶體管TElj—c]發(fā)光控制晶體管T^c具有與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述發(fā) 光控制晶體管Telc相同的結(jié)枸。因此，這里省略了對發(fā)光控制晶體管丁elc的重復(fù)描述以避免冗余。[驅(qū)動晶體管TDrv]驅(qū)動晶體管了Drv具有與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述驅(qū)動晶體管TDrv相同的結(jié)構(gòu)。因此，這里省略了對驅(qū)動晶體管Torv的重復(fù)描述以避免冗余。[第二節(jié)點初始化晶體管TND2]第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2具有與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2相同的結(jié)枸。因此，這里省略對第 二節(jié)點初始化晶體管TND2的重復(fù)描述以避免冗余。[圖像信號寫晶體管TSig]圖像信號寫晶體管Tsig具有與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述圖 像信號寫晶體管Tsig相同的結(jié)構(gòu)。因此，這里省略對圖像信號寫晶 體管Tsig的重復(fù)描述以避免冗余。注意，然而，盡管圖像信號寫晶 體管TSig的一個源極/漏極區(qū)連接至數(shù)據(jù)線DTL，但是不僅將用于控 制發(fā)光部ELP亮度的圖像信號Vsig并且將用于對驅(qū)動晶體管TDrv 的柵電極進行初始化的電壓Voft從圖像信號輸出電路102提供給該 源極/漏極區(qū)。關(guān)于這點，圖像信號寫晶體管Tsig的操作不同于在 5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述圖像信號寫晶體管TSig的操作。注意， 可以通過數(shù)據(jù)線DTL將諸如用于預(yù)充電驅(qū)動的信號的不同于圖傳_ 信號V^或電壓Voft的信號或電壓從圖像信號輸出電路102提供給 一個源才及/漏才及區(qū)。[發(fā)光部ELP]發(fā)光部ELP具有與5Tr/lC驅(qū)動電^各描述中的上述發(fā)光部ELP 相同的結(jié)構(gòu)。因此，這里省略對發(fā)光部ELP的重復(fù)描述以避免冗余。下面，描述4Tr/lC驅(qū)動電路的操作。[周期TP (4) —!](參考圖9A)在[周期TP(4)—J內(nèi)，例如，執(zhí)行用于先前顯示幀的操作。 這種情況下的纟喿作與5Tr/lC驅(qū)動電^各描述中的上述[周期TP( 5 )一J 內(nèi)的"t喿作相同。在圖8中示出的[周期TP (4) o]-[周期TP (4) 4]的時間段分 別對應(yīng)于圖3中示出的[周期TP(5)0] [周期TP(5)4]的時間,殳， 并且是執(zhí)行下 一 遷移率校正/寫處理緊前的定時的操作周期。類似于5Tr/lC驅(qū)動電路，第(n， m )個有機EL元件10在[周期TP ( 4 ) 0] ~ [周期TP (4) 4]的時間段內(nèi)處于非發(fā)光狀態(tài)。然而，4Tr/lC驅(qū)動電 路的操作與5Tr/lC驅(qū)動電路的操作的不同之處在于，在圖8示出的 第m個水平掃描期內(nèi)不^f又包括[周期TP (4) 5]~[周期TP (4) 6] 的時間段，而且還包括[周期TP (4) 2] [周期TP (4) 4]的時間段。 為了描述方便，假定[周期TP (4) 2]的開始定時和周期TP (4) 6] 的結(jié)束定時分別與第m個水平掃描期的開始定時和結(jié)束定時一致。下面，描述[周期TP (4) Q] [周期TP (4) 4]的時間l更內(nèi)的才乘 作。注意，類似于前面5Tr/lC驅(qū)動電路的描述，根據(jù)有機EL顯示 裝置的設(shè)計，可適當(dāng)?shù)卦O(shè)定[周期TP (4) !]的開始定時和[周期TP(4) !] [周期TP (4) 4]的時間長度。[周期TP (4)0]一旦/人先前顯示幀轉(zhuǎn)變?yōu)楫?dāng)前顯示幀就4丸^f亍該[周期TP (4)0] 內(nèi)的操作，并且實際上與5Tr/lC驅(qū)動電^各描述中的上述[周期TP( 5 ) o]內(nèi)的操作相同。[周期TP (4),](參考圖9B)[周期TP (4) J對應(yīng)于5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述[周期TP(5) 山在[周期TP (4) !]內(nèi)，執(zhí)行用于執(zhí)行下文描述的閾值電壓 消除處理的預(yù)處理。 一旦[周期TP (4) d開始，第二節(jié)點初始〗匕晶 體管控制電路105進行操作，以將第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZND2設(shè)定為高電平，從而將第二節(jié)點初始化晶體管丁ND2置于導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第二節(jié)點ND2處的電位變得等于電壓Vss，例如，-10伏。此外，處于浮置狀態(tài)的第一節(jié)點ND,,即，驅(qū)動晶體管Torv 的柵電極處的電位降低，以跟隨第二節(jié)點ND2處電位的降低。注意， 由于[周期TP (4) !]內(nèi)第一節(jié)點ND!處的電位依賴于[周期TP (4)」]內(nèi)第一節(jié)點NDi處的電位，而[周期TP (4) —J內(nèi)第一節(jié)點ND! 處的電位又依賴于先前幀中圖像信號VSig的值，所以不采用固定值。[周期TP (4)2](參考圖9C)此后，圖像信號輸出電路102進行才喿作，以將凄t據(jù)線DTL處 的電位i殳定為電壓Vofs,以及掃描電路101進4亍才喿作，以^)奪掃描線 SCL設(shè)定為高電平，從而以將圖像信號寫晶體管TSig置于導(dǎo)通狀態(tài)。 結(jié)果，第一節(jié)點ND,處的電位變得等于電壓V0fs,其可以是例如0 伏。第二節(jié)點ND2處的電位保持為電壓Vss,其可以是例如-10伏。 此后，第二節(jié)點初始化晶體管控制電路105進行操作，以將第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZND2設(shè)定為低電平，從而以將第二節(jié)點初 始化晶體管T,2置于截止?fàn)顟B(tài)。注意，可與[周期TP (4) !]的開始點或在[周期TP (4) ^內(nèi)同 時將圖像信號寫晶體管Tsig置于導(dǎo)通狀態(tài)。通過上述處理，驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位 差變得大于閾值電壓Vth,并將驅(qū)動晶體管Torv置于導(dǎo)通狀態(tài)。[周期TP (4)3](參考圖9D)然后，執(zhí)行閾值電壓消除處理。具體地，當(dāng)保持圖像信號寫晶體管Tsig的導(dǎo)通狀態(tài)時，發(fā)光控制晶體管控制電路103進行操作， 以將發(fā)光控制晶體管控制線CLEL—c置于高電平，從而將發(fā)光控制晶 體管Tc置于導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，盡管第一節(jié)點ND,處的電位沒有 改變而是保持V0fs = 0伏，但是第二節(jié)點ND2處的電位朝向驅(qū)動晶 體管TDrv的閾值電壓Vth與第 一節(jié)點NDi處的電位的差而發(fā)生改變。 換句話說，處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2處的電位上升。然后，當(dāng) 驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差達到閾值電壓Vth時，驅(qū)動晶體管T^進入截止?fàn)顟B(tài)。更具體地，處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2處的電位接近Vofs - Vth = -3伏，并最終變得等于Vofs — Vth。這里，如果保證上面給出的表達式(2)，或者換句話說，如果 選擇并確定電壓以滿足表達式(2)，則發(fā)光部ELP不發(fā)光。在該[周期TP (4) 3]內(nèi)，第二節(jié)點ND2處的電位最終變得等于 Vofs-Vth。換句話說，第二節(jié)點ND2處的電位僅依賴于驅(qū)動晶體管T^的閾值電壓Vth和用于對驅(qū)動晶體管Torv柵電極進行初始化的電壓Voft。然后確定第二節(jié)點ND2處的電位。因此，第二節(jié)點ND2 處的電位與發(fā)光部ELP的閾值電壓V化EL無關(guān)。[周期TP (4)4](參考圖10A)此后，當(dāng)保持圖像信號寫晶體管Tsig的導(dǎo)通狀態(tài)時，發(fā)光控制 晶體管控制電路103進行操作，以將發(fā)光控制晶體管控制線CLEL—C 置于低電平，從而將發(fā)光控制晶體管TEL—c置于截止?fàn)顟B(tài)。結(jié)果， 第一節(jié)點ND!處的電位沒有改變而是4呆持電壓Vofs = 0伏，此外， 第二節(jié)點ND2處的電位基本沒有改變而是4呆持電壓V0fs — Vth = - 3 伏。在這種情況下，盡管實際上由寄生電容的靜電耦合等引起電位 差，^旦通?？梢院雎赃@個差?，F(xiàn)在，描述[周期TP (4) s]-[周期TP (4) 7]的時間段內(nèi)的才乘 作。那些周期內(nèi)的操作基本與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述[周期 TP (5) 5] [周期TP (5) 7]的時間#殳內(nèi)的才喿作相同。[周期TP (4)5](參考圖10B)此后，執(zhí)行用于遷移率校正/寫處理的預(yù)處理。具體地，可執(zhí)行 與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述[周期TP ( 5 ) 5]內(nèi)的操作相同的操 作。具體地，發(fā)光控制晶體管控制電路103進行操作，以將發(fā)光控制晶體管控制線CLEL—c設(shè)定為高電平，從而將發(fā)光控制晶體管TEIj_c 置于導(dǎo)通狀態(tài)。[周期TP (4) 6](參考圖IOC)然后，執(zhí)行基于驅(qū)動晶體管T^的遷移率p大小的驅(qū)動晶體管Torv的源才及區(qū)，即，第二節(jié)點ND2處的電位才交正，即，遷移率才交正 處理，并同時執(zhí)行向驅(qū)動晶體管TDrv的寫處理。換句話說，執(zhí)行遷移率校正/寫處理。具體地，可以執(zhí)行與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的 上述[周期TP (5) 6]內(nèi)的操作相同的操作。具體地，當(dāng)保持第二節(jié) 點初始化晶體管TND2的截止?fàn)顟B(tài)時，圖像信號輸出電路102進行操 作，以將lt據(jù)線DTL處的電^f立乂人電壓Vofs變?yōu)橛糜诳刂瓢l(fā)光部ELP 亮度的圖像信號Vsig,然后，掃描電路101進行操作，以將掃描線 SCL設(shè)定為高電平，從而將圖像信號寫晶體管Tsig置于導(dǎo)通狀態(tài)。 結(jié)果，類似于上文描述的5Tr/lC驅(qū)動電路的情況，第一節(jié)點ND, 處的電位上升至圖像信號電壓VSig,并且第二節(jié)點ND2處的電位基 本升至Vofs-Vth + AV。因此，第一節(jié)點NDi和第二節(jié)點ND2之間 的電位差，即，驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差 Vgs變得等于從上面給出的表達式(3)獲得的值。注意，可根據(jù)有 機EL顯示裝置的設(shè)計，預(yù)先確定[周期TP (4) 6]的總時間t()作為 設(shè)計值。換句話i兌，同樣在4Tr/lC驅(qū)動電^各中，在驅(qū)動晶體管TDrvW 遷移率才交正/寫處理中獲得的電位差Vgs l又依賴于用于控制發(fā)光部 ELP亮度的圖像信號Vsig、驅(qū)動晶體管TDrv的閾值電壓Vth、用于對 驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極進行初始化的電壓V0fs、以及依賴于驅(qū)動 晶體管Torv的遷移率p的電位的增長量AV或電位校正值。換句話說，電位差Vgs與發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth—EL無關(guān)。[周期TP (4)7](參考圖IOD)通過上述才喿作完成閾值電壓消除處理和遷移率才交正/寫處理。才丸 行與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述[周期TP (5) 7]內(nèi)相同的處理。因此，由于第二節(jié)點ND2處的電位上升并很快超過Vth稅+ Vcat，所以發(fā)光部ELP開始發(fā)光。此時，由于可以從上面給出的表達式(4) 獲得流過發(fā)光部ELP的電流，所以流過發(fā)光部ELP的漏電流Ids不依賴于發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth孔和驅(qū)動晶體管Torv的閾值電壓Vth的任意一個。換句話說，發(fā)光部ELP的發(fā)光量或亮度不受發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth-el和驅(qū)動晶體管Torv的閾值電壓V出的任意一個的影響。此外，可以抑制由驅(qū)動晶體管TWv遷移率(a的偏差所 引起的漏電流I d s偏差的出現(xiàn)。然后，發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)直到第(m + m'-l)個水 平掃描周期。該時間點對應(yīng)于[周期TP (4) .!]的末端。因此，完成有才幾EL元件IO，即，第( n， m )個子像素或有機 EL元件10的發(fā)光4喿作。實施例3實施例3同樣是對實施例1的々務(wù)改。在實施例3中，由3Tr/lC 驅(qū)動電^各形成驅(qū)動電^各。圖11和圖12中分別示出了 3Tr/lC驅(qū)動電 路的等效電路圖和框圖；圖13中示出了 3Tr/lC驅(qū)動電路的驅(qū)動時 序圖；以及圖14A 14D和15A-15D中示意性示出了 3Tr/lC驅(qū)動 電路的晶體管等的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)。在3Tr/lC驅(qū)動電路中，從上述5Tr/lC驅(qū)動電路中省略了包括第一節(jié)點初始化晶體管TWM和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的雨個晶體管。具體地，3Tr/lC驅(qū)動電路包括含有圖像信號寫晶體管TSig、發(fā)光控制晶體管T機c以及驅(qū)動晶體管Td 的3個晶體管，并且還 包括1個電容器部d。[發(fā)光控制晶體管TEL c]發(fā)光控制晶體管Telc具有與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述發(fā) 光控制晶體管Telc相同的結(jié)枸。因此，這里省略對發(fā)光控制晶體 管TEL—c的重復(fù)描述以避免冗余。[驅(qū)動晶體管TDrv]驅(qū)動晶體管Td「v具有與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述驅(qū)動晶體管Torv相同的結(jié)構(gòu)。因此，這里省略對驅(qū)動晶體管Torv的重復(fù)描述以避免冗余。[圖像信號寫晶體管TSig]圖像信號寫晶體管Tsig具有與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述圖 像信號寫晶體管Tsig相同的結(jié)構(gòu)。因此，這里省略對圖像信號寫晶 體管Tsig的重復(fù)描述以避免冗余。注意，然而，盡管將圖像信號寫 晶體管TSig的一個源極/漏極區(qū)連接至數(shù)據(jù)線DTL，但是不僅將用于 控制發(fā)光部ELP亮度的圖像信號Vsig并且將用于對驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極進行初始化的電壓Voft-h/Voft-l從圖像信號輸出電路102提供給該源極/漏極區(qū)。關(guān)于這點，圖像信號寫晶體管Tsig的操作不同 于5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述圖像信號寫晶體管Tsig的操作。注 意，可通過數(shù)據(jù)線DTL將諸如用于預(yù)充電驅(qū)動的信號的不同于圖 像信號V^或電壓V0fs-H/V0fs-L的信號或電壓從圖像信號輸出電路 102提供給一個源極/漏極區(qū)。盡管沒有具體限制電壓Voft，h和電壓 Voft-l的值，但它們可以是，例如，V0fs.H =約30伏 V0fs-L =約0伏[寄生電容CEL和電容C1的值的關(guān)系]如下所述，在3Tr/lC驅(qū)動電路中，需要利用數(shù)據(jù)線DTL以改 變第二節(jié)點ND2處的電位。在5Tr/lC驅(qū)動電i 各和4Tr/lC驅(qū)動電3各的描述中描述了，當(dāng)與值d和值Cgs相比較時，寄生電容CEL具有 充分高的值，并且沒有考慮基于驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極處電位的 變化Vsig-Voft的驅(qū)動晶體管Tr^的源極區(qū)，即，第二節(jié)點ND2的電位變化。另一方面，在3Tr/lC驅(qū)動電路中，根據(jù)設(shè)計，將值d設(shè)置為比其它驅(qū)動電路更高的值，例如，大約為寄生電容CEL的1/4至1/3。因此，由第一節(jié)點ND,處的電位變化所引起的第二節(jié)點ND2 處的電位變化程度比其它驅(qū)動電^各的變化程度更高。因此，在 3Tr/1 C驅(qū)動電路的下列描述中，考慮由第 一節(jié)點ND!處的電位變化 所引起的第二節(jié)點ND2處的電位變化。注意，考慮由第一節(jié)點ND！ 處的電位變化所引起的第二節(jié)點ND2處的電位變化，同樣給出驅(qū)動 時序圖。[發(fā)光部ELP]發(fā)光部ELP具有與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述發(fā)光部ELP 相同的結(jié)構(gòu)。因此，這里省略對發(fā)光部ELP的重復(fù)描述以避免冗余。下面，描述3Tr/lC驅(qū)動電路的操作。[周期TP (3) —!](參考圖14A)在[周期TP(3)—!]內(nèi)，例如，執(zhí)行先前顯示幀的操作。該周 期內(nèi)的操作與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述[周期TP (5) —d內(nèi)的 才喿作相同。圖13中示出的[周期TP(3)o] [周期TP(3)4]的時間段分別 對應(yīng)于圖3中示出的[周期TP (5) o]-[周期TP (5) 4]的時間段， 并且是執(zhí)行遷移率校正/寫處理緊前的定時的操作周期。類似于 5Tr/lC驅(qū)動電路，第(n，m)個有機EL元件10在[周期TP ( 3 ) 0] ~ [周期TP (3 ) 4]的時間段內(nèi)處于非發(fā)光狀態(tài)。然而，3Tr/lC驅(qū)動電 路的操作與5Tr/lC驅(qū)動電路的操作的不同之處在于，在圖13所示 第m個水平掃描周期中不僅包括[周期TP (3) 5] [周期TP (3)6] 的時間,殳，而且還包括[周期TP (3) d [周期TP (3) 4]的時間,殳。 為了描述方便，假定[周期TP (3) J的開始定時和周期TP (3) 6] 的結(jié)束定時分別與第m個水平掃描期的開始定時和結(jié)束定時一致。下面，描述[周期TP (30)]-[周期TP (3) 4]的時間段內(nèi)的操 作。注意，類似于前述5Tr/lC驅(qū)動電路的描述，根據(jù)有機EL顯示 裝置的設(shè)計，可適當(dāng)?shù)卦O(shè)定[周期TP (3),]-[周期TP (3) 4]的時間長度。[周期TP (3)o](參考圖14B)一旦從先前顯示幀轉(zhuǎn)換為當(dāng)前顯示幀就執(zhí)行[周期TP ( 3 ) 0]內(nèi) 的操作，并且基本與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述[周期TP (5) o]內(nèi)的操作相同。[周期TP (3) J (參考圖14C)然后，當(dāng)前顯示幀中的第m個水平掃描期開始。 一旦[周期TP (3),]的開始，圖像信號輸出電路102就進行操作，以將數(shù)據(jù)線 DTL處的電位設(shè)定為用于對驅(qū)動晶體管Ti^4冊電極進行初始化的電 壓V0fs-H，然后，掃描電路101進行操作，以將掃描線SCL設(shè)定為 高電平，從而將圖像信號寫晶體管Tsig置于導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一 節(jié)點ND,處的電位變?yōu)榈扔陔妷篤ofs_H。由于將電容器部Cl的值 C，設(shè)定得高于根據(jù)上述設(shè)計的其它驅(qū)動電路的值，所以驅(qū)動晶體管 T^源極區(qū)中的電位，即，第二節(jié)點ND2處的電位上升。然后，由 于沖黃^爭發(fā)光部ELP的電位差最終超過閾值電壓Vth-EL,所以發(fā)光部 ELP被置于導(dǎo)通狀態(tài)。然而，驅(qū)動晶體管Torv源極區(qū)中的電位立即 又降到Vth-EL + VCat。注意，在該處理中，盡管發(fā)光部ELP可以發(fā) 光，但是這種發(fā)光在瞬間發(fā)生，并且在實際l吏用中不會產(chǎn)生問題。 另 一方面，驅(qū)動晶體管TDrv的4冊電極保持電壓V0fs_H。[周期TP (3)2](參考圖14D)此后，圖像信號輸出電路102進行操作，以將數(shù)據(jù)線DTL處的電位從用于對驅(qū)動晶體管Torv柵電極進行初始化的電壓Voft-H設(shè)定為電壓V0fs-L，因此，第一節(jié)點ND,處的電位變得等于電壓V0fs_L。 然后，伴隨第一節(jié)點ND,處電位的降低，第二節(jié)點ND2處的電位同樣降低。具體地，基于驅(qū)動晶體管Torv柵電極處的電位變化V0fs_L-Voft—H的電荷被分配給電容器部Cl、發(fā)光部ELP的寄生電容CEL、 以及驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的寄生電容。注意，作為下文描述的[周期TP (3) 3]內(nèi)的操作的前提，需要第二節(jié)點ND2處的電位低于[周期TP (3 ) 2]的結(jié)束定時處的V0fs-L-Vth。設(shè)定電壓 Voft-H等的值以滿足該要求。因此，通過上述處理，驅(qū)動晶體管TD"的柵電極和源極區(qū)之間的電位差變得大于閾值電壓vth，因此，將驅(qū)動晶體管Torv置于導(dǎo)通狀態(tài)。[周期TP (3) 3](參考圖15A)然后，執(zhí)行閾值電壓消除處理。具體地，當(dāng)保持圖像信號寫晶 體管Tsig的導(dǎo)通狀態(tài)時，發(fā)光控制晶體管控制電路103進行操作，以將發(fā)光控制晶體管控制線CLELc置于高電平，從而將發(fā)光控制晶體管TEIj—c置于導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，盡管第一節(jié)點NDi處的電位沒有 改變而是保持Voft—l = 0伏，但第二節(jié)點ND2處的電位從第一節(jié)點ND,處的電位朝向驅(qū)動晶體管Torv的閾值電壓Vth的差發(fā)生改變。換句話-說，處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2處的電位上升。然后，當(dāng) 驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極和源電極之間的電位差達到閾值電壓Vth 時，驅(qū)動晶體管Tc^進入截止?fàn)顟B(tài)。更具體地，處于浮置狀態(tài)的第 二節(jié)點ND2處的電位接近V0fs-L - Vth = - 3伏，并最終變得等于V0fs-L -Vth。這里，如果保證上面給出的表達式(2),或者換句話說，如 果選擇并確定電壓以滿足表達式(2)，則發(fā)光部ELP不發(fā)光。在[周期TP (4) 3]內(nèi)，第二節(jié)點ND2處的電位最終變得等于 V0fs-L-Vth。換句話說，第二節(jié)點ND2處的電位4又依賴于驅(qū)動晶體管Torv的閾值電壓Vth和用于對驅(qū)動晶體管Torv柵電極進行初始化的電壓V0fs-L。然后確定第二節(jié)點ND2處的電位。換句話-說，第二 節(jié)點ND2處的電位與發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth_EL無關(guān)。[周期TP (4)4](參考圖15B)此后，當(dāng)保持圖像信號寫晶體管Tsig的導(dǎo)通狀態(tài)時，發(fā)光控制 晶體管控制電路103進行操作，以將發(fā)光控制晶體管控制線CLEL_C 置于低電平，從而將發(fā)光控制晶體管Te^c置于截止?fàn)钕?。結(jié)果， 第一節(jié)點ND!處的電位沒有改變而是保持電壓Vofs_L = 0伏，此外， 第二節(jié)點ND2處的電位基本沒有改變而是保持電壓V0fs_L - Vth = - 3 伏。現(xiàn)在，描述[周期TP (3) 5] [周期TP (3) 7]的時間革殳內(nèi)的才喿 作。那些周期內(nèi)的操作基本與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述[周期 TP (5) 5] 至[周期TP (5) 7]的周期內(nèi)的操作相同。[周期TP (3)5](參考圖15C)此后，#^于用于遷移率才交正/寫處理的預(yù)處理。具體地，可以執(zhí) 行與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述[周期TP ( 5 ) 5]內(nèi)的操作相同的 操作。具體地，發(fā)光控制晶體管控制電路103進行操作，以將發(fā)光 控制晶體管控制線CLEL—c設(shè)定為高電平，從而將發(fā)光控制晶體管 T^c置于導(dǎo)通狀態(tài)。[周期TP (3)6](參考圖15D)然后，執(zhí)行基于驅(qū)動晶體管T^的遷移率p大小的驅(qū)動晶體管丁Drv的源極區(qū)，即，第二節(jié)點ND2處的電位才交正，即，遷移率沖交正 處理，并同時執(zhí)行向驅(qū)動晶體管Torv的寫處理。換句話說，執(zhí)行遷移率4交正/寫處理。具體地，可4丸行與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上 述[周期TP (5) 6]內(nèi)的操作相同的操作。注意，根據(jù)有機EL顯示即，[周期TP (3) 6]的總時間to作為設(shè)計值。處理的結(jié)果是，第一 節(jié)點處的電位上升至圖4象信號電壓VSig，以及第二節(jié)點ND2 處的電位基本上升至Vofs - Vth + AV。因此，類似于上面描述的 5Tr/lC驅(qū)動電路的情況，第一節(jié)點ND!和第二節(jié)點NDz之間的電位差，即，驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差Vgs變得等于從上文給出的表達式(3)獲得的值。換句話說，同樣在3Tr/lC驅(qū)動電路中，在用于驅(qū)動晶體管TDrv 的遷移率4交正/寫處理中獲得的電位差Vgs<又依賴于用于控制發(fā)光部 ELP亮度的圖像信號Vsig、驅(qū)動晶體管TDrv的閾值電壓Vth、用于對驅(qū)動晶體管TDrv的柵電極進行初始化的電壓Vofs、以及依賴于驅(qū)動 晶體管T^的遷移率|a的電位的增長量AV或電位校正值。換句話說，電位差V^與發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth.EL無關(guān)。[周期TP (3)7](參考圖15E)通過上述操作完成了閾值電壓消除處理和遷移率4交正/寫處理。 然后，執(zhí)行與5Tr/lC驅(qū)動電路描述中的上述[周期TP (5) 7]內(nèi)的處 理相同的處理。因此，由于第二節(jié)點ND2處的電位上升并超過Vth_EL + VCat，所以發(fā)光部ELP開始發(fā)光。此時，由于可通過上文給出的 表達式(4 )獲得流過發(fā)光部ELP的電流，所以流過發(fā)光部ELP的漏電流Ids不依賴于閾值電壓Vth-EL和驅(qū)動晶體管Torv的閾值電壓V化的任意一個。換句話i兌，發(fā)光部ELP的發(fā)光量或亮度不受發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth-EL和驅(qū)動晶體管Torv的閾值電壓Vth任意一 個的影響。此外，可以抑制由驅(qū)動晶體管Torv遷移率p的偏差所引起的漏電流Ids偏差的出5見。然后，發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)直到第(m + m'-1)個水 平掃描周期。該時間點對應(yīng)于[周期TP (3) J的末端。因此，完成有機EL元件IO，即，第(n, m)個子像素或有機 EL元件10的發(fā)光才乘作。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，根據(jù)設(shè)計要求和其它因素，可以 有多種修改、組合、再組合和改進，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求 或等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種使用驅(qū)動電路的有機電致發(fā)光發(fā)光部的驅(qū)動方法，所述驅(qū)動電路包括(A)驅(qū)動晶體管，包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵電極，(B)圖像信號寫晶體管，包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵電極，(C)發(fā)光控制晶體管，包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)和柵電極，以及(D)電容器部，具有一對電極，配置所述驅(qū)動晶體管，使得(A-1)所述源極/漏極區(qū)中的第一個連接至所述發(fā)光控制晶體管的源極/漏極區(qū)中的第二個，(A-2)所述源極/漏極區(qū)中的第二個連接至設(shè)置在所述有機電致發(fā)光發(fā)光部中的陽電極，并連接至所述電容器部的電極中的第一個，以形成第二節(jié)點，以及(A-3)所述柵電極連接至所述圖像信號寫晶體管的源極/漏極區(qū)中的第二個，并連接至所述電容器部的電極中第二個，以形成第一節(jié)點，配置所述圖像信號寫晶體管，使得(B-1)所述源極/漏極區(qū)中的第一個連接至數(shù)據(jù)線，以及(B-2)所述柵電極連接至掃描線，配置所述發(fā)光控制晶體管，使得(C-1)所述源極/漏極區(qū)中的第一個連接至電流供給部，以及(C-2)所述柵電極連接至發(fā)光控制晶體管控制線，所述驅(qū)動方法包括以下步驟；(a)執(zhí)行對所述第一節(jié)點施加第一節(jié)點初始化電壓和對所述第二節(jié)點施加第二節(jié)點初始化電壓的預(yù)處理，使得所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間的電位差超過所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，以及所述有機電致發(fā)光發(fā)光部的陰電極和所述第二節(jié)點之間的電位差不超過所述有機電致發(fā)光發(fā)光部的閾值電壓；(b)在維持所述第一節(jié)點處的電位的同時，執(zhí)行朝向所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓與所述第一節(jié)點處的電位的電位差來改變所述第二節(jié)點處的電位的閾值電壓消除處理；(c)通過來自所述發(fā)光控制晶體管控制線的信號將所述發(fā)光控制晶體管置于導(dǎo)通狀態(tài)，并且當(dāng)保持所述發(fā)光控制晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)時，執(zhí)行通過所述圖像信號寫晶體管將圖像信號從所述數(shù)據(jù)線施加給所述第一節(jié)點的寫處理，其中，所述圖像信號寫晶體管通過來自所述掃描線的信號而被置于導(dǎo)通狀態(tài)；以及(d)通過來自所述掃描線的信號將所述圖像信號寫晶體管置于截止?fàn)顟B(tài)，以將所述第一節(jié)點置于浮置狀態(tài)，使得通過所述驅(qū)動晶體管將對應(yīng)于所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間的電位差值的電流從所述電流供給部提供給所述有機電致發(fā)光發(fā)光部，從而驅(qū)動所述有機電致發(fā)光發(fā)光部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光發(fā)光部的驅(qū)動方法，其 中，所述驅(qū)動電路還包括(E) 第二節(jié)點初始化晶體管，包括源極/漏極區(qū)、溝道形 成區(qū)和4冊電才及，在所述第二節(jié)點初始化晶體管中(E-l )所述源極/漏極區(qū)中的第一個連接至第二節(jié)點初始 化電壓供給線；(E-2)所述源極/漏極區(qū)中的第二個連接至所述第二節(jié) ,泉；以及(E-3 )所述柵電極連接至第二節(jié)點初始化晶體管控制線；在所述步驟(a)中，通過所述第二節(jié)點初始化晶體管將 第二節(jié)點初始化電壓/人所述第二節(jié)點初始化電壓供給線提供給所述第二節(jié)點，其中，所述第二節(jié)點初始化晶體管通過來自 所述第二節(jié)點初始化晶體管控制線的信號而被置于導(dǎo)通狀態(tài)， 然后通過來自所述第二節(jié)點初始化晶體管控制線的信號將所 述第二節(jié)點初始化晶體管置于截止?fàn)顟B(tài)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機電致發(fā)光發(fā)光部的所述驅(qū)動方法， 其中，所述驅(qū)動電^各還包括(F) 第一節(jié)點初始化晶體管，包括源極/漏極區(qū)、溝道形 成區(qū)^^冊電才及，在所述第一節(jié)點初始化晶體管中(F-l )所述源才及/漏4及區(qū)中的第一個連4妄至第一節(jié)點初始 化電壓供給線；(F-2)所述源極/漏極區(qū)中的第二個連接至所述第一節(jié) 點；以及(F-3 )所述柵電極連接至第一節(jié)點初始化晶體管控制線；在所述步驟(a)中，通過所述第一節(jié)點初始化晶體管將 第一節(jié)點初始化電壓從所述第一節(jié)點初始化電壓供給線提供 給所述第一節(jié)點，其中，所述第一節(jié)點初始化晶體管通過來自 所述第一節(jié)點初始化晶體管控制線的信號而^C置于導(dǎo)通狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明公開了使用驅(qū)動電路的有機電致發(fā)光發(fā)光部的驅(qū)動方法，該驅(qū)動電路包括驅(qū)動晶體管、圖像信號寫晶體管、發(fā)光控制晶體管以及電容器部。該驅(qū)動方法包括以下步驟執(zhí)行施加第一節(jié)點初始化電壓和施加第二節(jié)點初始化電壓的預(yù)處理；執(zhí)行閾值電壓消除處理；將發(fā)光控制晶體管置于導(dǎo)通狀態(tài)，施加圖像信號的寫處理；以及將圖像信號寫晶體管置于截止?fàn)顟B(tài)，使得將電流提供給有機電致發(fā)光發(fā)光部來驅(qū)動有機電致發(fā)光發(fā)光部。通過本發(fā)明，可以消除由遷移率校正處理的時間長度的變化所引起的顯示屏幕圖像質(zhì)量劣化的問題。
文檔編號H05B33/08GK101271665SQ20081008279
公開日2008年9月24日 申請日期2008年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月20日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 山本哲郎 申請人:索尼株式會社