專利名稱：一種利用緩沖層制備高質(zhì)量ZnO薄膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用緩沖層制備高質(zhì)量ZnO薄膜的方法，屬于無(wú)機(jī)非金屬材料 制造工藝領(lǐng)域。
技術(shù)背景隨著第三代通訊技術(shù)的發(fā)展，聲表面波(SAW)器件的使用頻率不斷提高，從最初 的幾MHz發(fā)展到現(xiàn)在的幾GHz，如應(yīng)用于1.9GHz的個(gè)人通訊服務(wù)系統(tǒng)，2.4GHz的 無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)及高于5GHz無(wú)線多端發(fā)送系統(tǒng)。這些高頻應(yīng)用系統(tǒng)的不斷發(fā)展顯 著增大了高頻聲表面波器件的市場(chǎng)需求。而傳統(tǒng)的SAW材料聲速低，通常低于 4000m/s，僅能制備頻率相對(duì)低的器件。金剛石具聲波傳播速度在所有材料中是最快的，因此，在工藝水平相同的條件下， 金剛石材料可以制備出較高頻率的器件。與此同時(shí)金剛石具有許多優(yōu)異的電、光、熱 和機(jī)械性能及高的抗輻照強(qiáng)度和物理化學(xué)穩(wěn)定性等。如低介電常數(shù)(5.7)，高擊穿電壓U07V/cm)，高電子、空穴遷移率(分別為1800cmV^S和1200cm2/V.S)，高熱導(dǎo)率(20W/cm.K)。這些獨(dú)一無(wú)二的性能使器件即使身處高溫、強(qiáng)輻射等惡劣的環(huán)境， 在無(wú)任何保護(hù)的情況下也能安全穩(wěn)定的工作。因此以金剛石為基底的聲表面波器件受 到了越來(lái)越多的關(guān)注。但是，由于金剛石本身并不是壓電材料，無(wú)法激發(fā)和接收表面 波，因此需要在其上面沉積一層壓電薄膜制成多層的薄膜SAW器件。ZnO作為一種壓電材料，它具有較強(qiáng)的機(jī)電耦合系數(shù)，使其在超聲換能器、Bragg 偏轉(zhuǎn)器、頻譜分析器、高頻濾波器、高速光開關(guān)及微機(jī)械上有相當(dāng)廣泛的應(yīng)用。這些 器件在大容量、高速率光纖通信的波分復(fù)用、光纖相位調(diào)制、反雷達(dá)動(dòng)態(tài)測(cè)頻、電子 偵聽(tīng)、衛(wèi)星移動(dòng)通信、并行光信息處理等民用及軍事領(lǐng)域的應(yīng)用也非常廣泛。隨著通 信技術(shù)的發(fā)展及通信流量的增加，在較低頻率通信量已趨飽和，使得通信頻率向高頻 發(fā)展，同時(shí)移動(dòng)通信也要求具有更高的頻率。在高于1.5GHz的頻率范圍內(nèi)，具有低 損耗的高頻濾波器成為移動(dòng)通信系統(tǒng)的最關(guān)鍵部件之一。而ZnO是制作這種高頻表 面聲波器件的首選材料。目前，ZnO/diamond結(jié)構(gòu)的聲表面波器件的制備仍處于研發(fā)階段。SAW器件所 用的金剛石薄膜必須具有高成核密度、低表面粗糙度和高重復(fù)性，特別是對(duì)高頻SAW器件，要求非常平整的金剛石表面來(lái)刻蝕亞微米的IDT電極圖形，這樣才能最大限 度得提高器件得頻率和減小插入損耗。目前解決金剛石薄膜平整性問(wèn)題主要有如下方法l.機(jī)械拋光金剛石表面。這種 方法目前正被使用，但拋光難度大且費(fèi)時(shí)；2.生長(zhǎng)納米多晶金剛石(NCD)。這種方 法具有一定的可行性，但是表面阻抗不適合在金剛石表面直接制作IDT。由此可以看到，傳統(tǒng)方法都是以采用金剛石薄膜的生長(zhǎng)面為前提的。但是測(cè)試發(fā) 現(xiàn)金剛石薄膜的成核面即金剛石與Si襯底的結(jié)觸面，很好的映射了 Si襯底的表面形 態(tài)。采用鏡面Si襯底生長(zhǎng)的自支撐金剛石薄膜成核面的金剛石晶粒尺寸還處在成核 階段的納米級(jí)，因此表面粗糙度相當(dāng)?shù)?。因此采用自支撐金剛石膜成核面作為生長(zhǎng) ZnO薄膜的平臺(tái)，能在表面粗糙度和薄膜質(zhì)量方面都達(dá)到一個(gè)較高的標(biāo)準(zhǔn)，并保證薄 膜厚度，滿足SAW器件對(duì)金剛石薄膜襯底的要求。同時(shí)SAW器件所用的壓電薄膜要求有高度的c軸取向，高度的表面平整性，還 要有較高的電阻率和壓電性，這樣才能最大限度的提高器件的頻率和減小插入損耗。 薄膜中存在無(wú)取向的晶粒和其他缺陷均將降低器件的性能，增大插入損耗。如表面的 缺陷散射會(huì)散射聲波，產(chǎn)生能量損耗；除了表面的影響，晶界和空位也會(huì)產(chǎn)生類似的 散射和能量損失，當(dāng)晶粒的大小與聲波波長(zhǎng)在同一數(shù)量級(jí)時(shí)散射尤為嚴(yán)重。因此，控 制壓電薄膜ZnO表面及內(nèi)部的微結(jié)構(gòu)特性對(duì)制作高頻低損的器件及優(yōu)化器件性能也 是十分關(guān)鍵的。為提高ZnO薄膜性能，本發(fā)明將同質(zhì)緩沖層引入ZnO薄膜的生長(zhǎng)過(guò) 程，這一性能特別優(yōu)良的薄層對(duì)薄膜生長(zhǎng)提供緩和內(nèi)應(yīng)力和模板作用，使得高性能的 ZnO薄膜被制備出來(lái)。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種利用緩沖層制備高質(zhì)量ZnO薄膜的方法。 本發(fā)明的目的是通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。一種利用緩沖層制備高質(zhì)量ZnO薄膜的方法，其特征在于該工藝具有以下的過(guò) 程和步驟-(一)自支撐金剛石薄膜的制備-以Si片為襯底，采用熱絲CVD法制備金剛石薄膜。然后采用化學(xué)剝蝕的方法去 除Si襯底，獲得自支撐金剛石薄膜。 (1)鉭絲預(yù)處理熱絲化學(xué)氣相沉積(HFCVD)方法中采用鉭絲作為加熱源，但鉅絲的表面往往 有氧化層及其它雜質(zhì)，而且鉭受熱后也容易揮發(fā)，如直接使用會(huì)造成對(duì)襯底的污染， 所以對(duì)鉭絲的預(yù)處理是十分必要的。先用砂皮將鉭絲表面打磨干凈，抽真空完畢后， 然后通入氫氣和丙酮至4 6KPa，其中氫氣與丙酮的比例為1:1 5:1，加熱至420 450。C左右預(yù)處理20 30分鐘。這樣不僅去除了鉭絲表面的氧化層雜質(zhì)，還在鉭絲表 面形成了一層碳化物覆蓋層，以抑制后續(xù)過(guò)程中鉭的揮發(fā)，減少雜質(zhì)的引入。(2) 襯底及其預(yù)處理本發(fā)明中，金剛石膜的生長(zhǎng)以p型lcmxlcm硅片為襯底，并用其鏡面作為金剛 石生長(zhǎng)面，目的是為了降低金剛石表面粗糙度。生長(zhǎng)前，硅襯底必須經(jīng)過(guò)一定步驟的 預(yù)處理，其目的是去除硅表面氧化層，清洗表面，并適當(dāng)增加襯底表面的金剛石成核 中心。采用超細(xì)金剛石粉手工研磨的新方法即先置于HF溶液5 10分鐘以去除Si 表面氧化層，然后用顆粒度為100nm的超細(xì)金剛石粉與甘油混合液手工研磨10 15 分鐘，研磨時(shí)必須注意力度和均勻性，避免形成太深的劃痕。研磨完畢后將襯底置于 丙酮溶液中超聲浴清洗10 15分鐘，以除去襯底表面油污，然后置于去離子水中超 聲浴清洗10 15分鐘，重復(fù)上述清洗步驟3 5次，直至表面非常潔凈，最后取出襯 底烘干。(3) 金剛石膜的沉積鉭絲預(yù)處理及襯底預(yù)處理完成后，將硅片置于試樣臺(tái)上，鏡面向上，然后進(jìn)行 金剛石膜的沉積，其操作步驟依次如下(a) 抽真空利用真空泵依次對(duì)反應(yīng)室、氫氣支路和丙酮支路抽真空，最終使 反應(yīng)室本底真空〈5Pa;(b) 氣體流量、氣壓調(diào)節(jié)抽真空完畢后，依次打開質(zhì)量流量計(jì)通入氫氣和丙酮，氫氣與丙酮的比例為1:1 5:1，再通過(guò)調(diào)節(jié)減壓閥將反應(yīng)室的氣壓穩(wěn)定在設(shè)計(jì)值 0.8 1.5Pa;(c) 升溫氣壓穩(wěn)定后，打開冷卻水和加熱電壓，并以約1/2 V/min的速率升 高加熱電壓，最終使反應(yīng)溫度處于580 620'C，加偏流4A，成核30分鐘；(d) 降溫維持工藝條件80 120小時(shí)，停止通入丙酮，并以約l/3V/min的 速率降低電壓以降低反應(yīng)溫度直至室溫，最后關(guān)閉氫氣和冷卻水，取出樣品；(4)硅襯底剝離為了得到自支撐金剛石膜，在上述處理結(jié)束后，將制備的具有很大厚度的金剛 石薄膜置于HF與HN03摩爾濃度為1:1的溶液中，在室溫下腐蝕10 15小時(shí)，待Si襯底 溶解后可得到所需的自支撐形金剛石薄膜； (二)直流磁控濺射法制備ZnO薄膜一般說(shuō)來(lái)，要形成重復(fù)性好、缺陷少、壓電性能優(yōu)良的ZnO薄膜并不容易，薄 膜中存在的無(wú)取向晶粒，表面缺陷，晶界，空位等都會(huì)對(duì)器件性能產(chǎn)生不良影響。引 入ZnO同質(zhì)緩沖層對(duì)緩和薄膜與襯底間的應(yīng)力，獲得結(jié)晶性好、性能優(yōu)良的薄膜起 著很大的作用。本發(fā)明中，采用直流反應(yīng)磁控濺射法制備ZnO薄膜，并以自支撐金剛石作為襯 底，靶材為99.99%金屬鋅靶。沉積過(guò)程中，氫氣(Ar)為濺射氣體，氧氣(02)為反應(yīng)氣 體。(1) 自支撐金剛石薄膜表面清洗為消除表面污垢和微粒對(duì)薄膜沉積的影響，先把金剛石襯底置于丙酮中超聲浴 清洗10 15分鐘，然后置于去離子水中超聲浴清洗10 15分鐘，重復(fù)上述清洗步驟 3 5遍直至表面非常潔凈，最后取出襯底烘干。(2) 在自支撐金剛石薄膜上制備ZnO緩沖層 將自支撐金剛石襯底固定在磁控濺射腔體中，鏡面向下，然后進(jìn)行ZnO薄膜的沉積，其操作步驟依次如下(a) 抽真空利用直聯(lián)泵對(duì)反應(yīng)室、Ar氣和02氣管道抽真空，最終使反應(yīng)室 本底真空〈5Pa;利用分子泵對(duì)反應(yīng)室抽真空，最終使反應(yīng)室本底真空〈3X10—Spa(b) 啟輝抽真空完畢后，打開Ar質(zhì)量流量計(jì)通入Ar氣，并調(diào)節(jié)流量〉150sccm (standard-state cubic centimeter per minute標(biāo)況毫升每分鐘)，開穩(wěn)流源啟輝。(c) 氣體流量，工作氣壓調(diào)節(jié)待輝光區(qū)穩(wěn)定后，通入02氣，調(diào)節(jié)Ar ， 02 流量比Ar:Ch在1:1 1:3之間，調(diào)節(jié)工作氣壓0.2 0.9Pa。(d) 濺射功率的調(diào)整調(diào)整濺射功率50 100W，待各參數(shù)穩(wěn)定后，保持濺射 時(shí)間20 60分鐘，沉積ZnO緩沖層。(3) ZnO主層的沉積ZnO緩沖層制備結(jié)束后，調(diào)節(jié)氣體流量調(diào)節(jié)Ar ， 02流量比Ar:02在1:2 1:4之間，調(diào)節(jié)工作氣壓0.3 0.8Pa，調(diào)整濺射功率100 200W，開樣品盤自轉(zhuǎn)，襯底加熱 到200 250 °C ，沉積時(shí)間為3 5小時(shí)。 同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下顯著優(yōu)點(diǎn)(1) 采用自支撐金剛石膜的背面(成核面)作為后續(xù)ZnO薄膜的沉積面，能很 好解決金剛石襯底厚度和表面粗糙度之間的矛盾。(2) 采用兩步法制備高度定向ZnO薄膜。采用直流濺射法，可以使用金屬Zn 靶，這種靶制造方便，可以實(shí)現(xiàn)高純，價(jià)格低廉，成膜速率高。引入ZnO緩沖層， 對(duì)于在金剛石薄膜上制備的ZnO具有重要的意義，很可能得到高c軸取向，結(jié)晶性 好、性能優(yōu)良的ZnO薄膜。


圖1為本發(fā)明/ZnO同質(zhì)緩沖層/自支撐金剛石薄膜結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2為本發(fā)明ZnO薄膜X射線衍射(XRD)圖譜 圖3為本發(fā)明ZnO薄膜原子力顯微鏡(AFM)圖具體實(shí)施方式
下面對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。 實(shí)施例l本實(shí)施例的工藝過(guò)程和步驟如下 (一)自支撐金剛石薄膜的制備(1) 鉭絲預(yù)處理用砂皮將鉭絲表面打磨干凈，抽真空到5Pa，然后通入氫氣和丙酮分別為200sccm 和50sccm，調(diào)整氣壓5KPa，加熱至430'C,預(yù)處理30分鐘。(2) 襯底及其預(yù)處理釆用p型lcmxlcm硅片為襯底，并用其鏡面作為金剛石生長(zhǎng)面。將Si先置于 HF溶液中10分鐘，然后用顆粒度為100nm的超細(xì)金剛石粉與甘油混合液手工研磨 15分鐘。研磨完畢后將襯底置于丙酮溶液中超聲浴清洗15分鐘，然后置于去離子水 中超聲浴清洗15分鐘，重復(fù)上述清洗步驟3次，最后取出襯底烘干。 G)金剛石膜的沉積將硅片置于試樣臺(tái)上，鏡面向上，然后進(jìn)行金剛石膜的沉積，其操作步驟依次如下(a) 抽真空利用真空泵依次對(duì)反應(yīng)室、氫氣支路和丙酮支路抽真空，最終使 反應(yīng)室本底真空4.5Pa;(b) 氣體流量、氣壓調(diào)節(jié)抽真空完畢后，依次打幵質(zhì)量流量計(jì)通入氫氣和丙酮，其中氫氣和丙酮硫量分別為200sccm和65sccm，再通過(guò)調(diào)節(jié)減壓閥將反應(yīng)室的 氣壓穩(wěn)定在1Pa;(c) 升溫氣壓穩(wěn)定后，打開冷卻水和加熱電壓，并以l/2V/min的速率升高加 熱電壓，最終使反應(yīng)溫度處于620'C，加偏流4A，成核30分鐘。調(diào)整氫氣和丙酮流量分別為200sccm和50sccm,反應(yīng)溫度為680°C，工作氣壓5 Pa，沉積時(shí)間120小時(shí)；(d) 降溫維持工藝條件至預(yù)定的時(shí)間后，先停止通入丙酮，并以約1/3V/min 的速率降低電壓，以降低反應(yīng)溫度直至室溫，最后關(guān)閉氫氣和冷卻水，取出樣品；(4)硅襯底剝離制備的具有很大厚度的金剛石薄膜置于HF與HN03摩爾濃度為1:1的溶液中，在 室溫下腐蝕12小時(shí)，待Si襯底溶解后得到所需的自支撐形金剛石薄膜； (二 )直流磁控濺射法制備ZnO薄膜本發(fā)明中，采用直流反應(yīng)磁控濺射法制備ZnO薄膜，并以自支撐金剛石作為襯 底，其中自支撐金剛石厚度約40(Him。所用鋅靶的純度為99.99%,耙直徑120mm，厚 度5mm，靶與基片的距離為80mm，反應(yīng)沉積過(guò)程中，氫氣(Ar)為濺射氣體，氧氣(02) 為反應(yīng)氣體，純度均為99.99%。(1) 自支撐金剛石薄膜表面清洗 先把金剛石襯底置于丙酮中超聲浴清洗IO分鐘，然后置于去離子水中超聲浴清洗15分鐘，可重復(fù)上述清洗步驟3遍直至表面非常潔凈，最后取出襯底烘干；(2) 在自支撐金剛石薄膜上制備ZnO緩沖層 將自支撐金剛石襯底固定在磁控濺射腔體中，鏡面向下，然后進(jìn)行ZnO薄膜的沉積，其操作步驟依次如下(a) 抽真空利用直聯(lián)泵對(duì)反應(yīng)室、Ar氣和02氣管道抽真空，最終使反應(yīng)室 本底真空為4.5Pa;利用分子泵對(duì)反應(yīng)室抽真空，最終使反應(yīng)室本底真空為2X10—3Pa(b) 啟輝抽真空完畢后，打開Ar質(zhì)量流量計(jì)通入Ar氣，并調(diào)節(jié)流量160sccm, 開穩(wěn)流源啟輝；(C)氣體流量，工作氣壓調(diào)節(jié)待輝光區(qū)穩(wěn)定后，通入02氣，調(diào)節(jié)Ar ， 02 流量比Ar:02為1:1，調(diào)節(jié)工作氣壓0.2Pa;(d)濺射功率的調(diào)整調(diào)整濺射功率100W，待各參數(shù)穩(wěn)定后，保持濺射時(shí)間 30分鐘，沉積ZnO緩沖層；(3) ZnO主層的沉積 ZnO緩沖層制備結(jié)束后，調(diào)節(jié)氣體流量調(diào)節(jié)Ar ， 02流量比為1:3，調(diào)節(jié)工作氣 壓0.5Pa，調(diào)整濺射功率200W，開樣品盤自轉(zhuǎn)，襯底加熱到25(TC，沉積時(shí)間為3小 時(shí)。通過(guò)X射線衍射(XRD)圖譜(附圖2)上可以看出所制備的ZnO薄膜具有良 好結(jié)晶質(zhì)量和c軸取向性；原子力顯微鏡(AFM)(附圖3)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，ZnO薄膜晶 粒尺寸小，薄膜的晶體質(zhì)量高，表面粗糙度低。
權(quán)利要求
1.一種利用緩沖層制備高質(zhì)量ZnO薄膜的方法，其特征在于該方法具有以下的工藝過(guò)程和步驟(一)自支撐金剛石薄膜的制備1)鉭絲預(yù)處理熱絲化學(xué)氣相沉積方法中采用鉭絲作為加熱源，先用砂皮將鉭絲表面打磨干凈，抽真空完畢后，通入氫氣和丙酮至4～6KPa，其中氫氣與丙酮的比例為1∶1～5∶1，加熱至420～450℃左右預(yù)處理20～30分鐘；2)襯底預(yù)處理先將p型1cm×1cm硅片置于HF溶液中5～10分鐘，然后在顆粒度為100nm的超細(xì)金剛石粉與甘油混合液中手工研磨10～15分鐘，將硅片置于丙酮溶液中超聲浴清洗10～15分鐘，然后置于去離子水中超聲浴清洗10～15分鐘，重復(fù)上述清洗步驟3～5次，直至表面非常潔凈，最后取出硅片烘干；3)金剛石膜的沉積將預(yù)處理后的硅片置于試樣臺(tái)上作為襯底，其鏡面向上作為金剛石生長(zhǎng)面，進(jìn)行金剛石膜的沉積；(a)抽真空利用真空泵依次對(duì)反應(yīng)室、氫氣支路和丙酮支路抽真空，最終使反應(yīng)室本底真空＜5Pa；(b)氣體流量、氣壓調(diào)節(jié)依次打開質(zhì)量流量計(jì)通入氫氣和丙酮，氫氣與丙酮的比例為1∶1～5∶1，再通過(guò)調(diào)節(jié)減壓閥將反應(yīng)室氣壓穩(wěn)定在0.8～1.5Pa；(c)升溫打開冷卻水和加熱電壓開關(guān)，以約1/2V/min的速率升高加熱電壓，最終使反應(yīng)溫度處于580～620℃，加偏流4A，成核30分鐘；(d)進(jìn)行金剛石膜的沉積80～120小時(shí)，停止通入丙酮，并以約1/3V/min的速率降低電壓以降低反應(yīng)溫度直至室溫，最后關(guān)閉氫氣和冷卻水，取出樣品；4)硅襯底剝離將制備的金剛石薄膜置于HF與HNO3摩爾濃度為1∶1的溶液中，在室溫下腐蝕10～15小時(shí)，待Si襯底溶解后得到所需的自支撐金剛石薄膜；(二)直流磁控濺射法制備ZnO薄膜1)自支撐金剛石薄膜表面清洗將金剛石襯底置于丙酮中超聲浴清洗10～15分鐘，然后置于去離子水中超聲浴清洗10～15分鐘，重復(fù)上述清洗步驟3～5次，直至表面非常潔凈，最后取出襯底烘干；2)在自支撐金剛石薄膜上制備ZnO緩沖層將自支撐金剛石襯底固定在磁控濺射腔體中，鏡面向下，然后進(jìn)行ZnO薄膜的沉積；(a)抽真空利用直聯(lián)泵對(duì)反應(yīng)室、Ar氣和O2氣管道抽真空，最終使反應(yīng)室本底真空＜5Pa；利用分子泵對(duì)反應(yīng)室抽真空，最終使反應(yīng)室本底真空＜3×10-3Pa；(b)啟輝抽真空完畢后，通入Ar氣，并調(diào)節(jié)流量＞150標(biāo)況毫升每分鐘，開穩(wěn)流源啟輝；(c)氣體流量，工作氣壓調(diào)節(jié)待輝光區(qū)穩(wěn)定后，通入O2氣，調(diào)節(jié)Ar、O2流量比Ar∶O2在1∶1～1∶3之間，調(diào)節(jié)工作氣壓為0.2～0.9Pa；(d)濺射功率的調(diào)整調(diào)整濺射功率50～100W，待各參數(shù)穩(wěn)定后，保持濺射時(shí)間20～60分鐘，沉積ZnO緩沖層；3)ZnO主層的沉積ZnO緩沖層制備結(jié)束后，調(diào)節(jié)氣體流量調(diào)節(jié)Ar、O2流量比Ar∶O2在1∶2～1∶4之間，調(diào)節(jié)工作氣壓為0.3～0.8Pa，調(diào)整濺射功率100～200W，開樣品盤自轉(zhuǎn)，襯底加熱到200～250℃，沉積時(shí)間為3～5小時(shí)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種利用緩沖層制備高質(zhì)量ZnO薄膜的方法，該方法主要步驟硅襯底預(yù)處理后放入熱絲化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室內(nèi)作為沉積襯底；在氫氣和丙酮的混合反應(yīng)氣體中進(jìn)行金剛石薄膜成核、生長(zhǎng)，然后用HNO₃與HF的混合溶液浸泡腐蝕掉硅襯底形成自支撐金剛石薄膜；再在自支撐金剛石膜上用直流磁控濺射法制備ZnO薄膜，先在Ar、O₂氣氛中濺射沉積ZnO緩沖層，然后進(jìn)行ZnO主層的沉積。本發(fā)明制作工藝簡(jiǎn)化，成本低，有利于促進(jìn)高質(zhì)量ZnO薄膜器件的大規(guī)模應(yīng)用。ZnO薄膜晶粒尺寸小，薄膜的晶體質(zhì)量高，表面粗糙度低。
文檔編號(hào)C30B25/06GK101323971SQ200810040639
公開日2008年12月17日 申請(qǐng)日期2008年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月16日
發(fā)明者可 唐, 夏義本, 王林軍, 管玉蘭, 賴建明, 健 黃 申請(qǐng)人:上海大學(xué)