專利名稱：電路基板形成用鑄型及其制造方法、電路基板及其制造方法、多層層壓電路基板的制造方 ...的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于在絕緣性樹脂基板的厚度方向上形成
不同深度的布線圖的鑄型以及該鑄型的制造方法。更具體地說，本發(fā) 明涉及一種通過對形成于支撐基底表面的金屬層進行選擇性蝕刻，在 使熱固化性或者光固化性樹脂固化之際，于該樹脂的厚度方向上形成 不同深度的布線圖的鑄型的制造方法以及鑄型。另外，本發(fā)明還涉及一種在絕緣性樹脂基板的厚度方向上形 成有不同深度的布線圖的電路基板以及制造該電路基板的方法，進一 步涉及導電孔(Via hole)的形成方法，以及多層層壓電路基板的制造方 法。更具體地說，本發(fā)明涉及一種通過將利用蝕刻法形成了壓模圖形 的鑄型嵌入固化性樹脂中形成凹部，并在該凹部填充導電性金屬而形 成的電路基板及其制造方法，進一步涉及具有如上所述形成的布線圖 的多層層壓電路基板的制造方法，以及貫穿絕緣體層的導電孔的形成 方法。另外，本發(fā)明還涉及一種新的電路基板的制造方法以及利用 該方法制造的電路基板。更具體地說，本發(fā)明涉及一種在絕緣性基底 材料中埋入有非常微細的布線圖的電路基板的制造方法以及利用該方 法制造的電路基板。
背景技術：
作為用于安裝電子部件的方式之一，通常使用薄膜載帶。一
直以來所使用的薄膜載帶是通過在聚酰亞胺薄膜的表面上配置銅等導 電性金屬，再在由該導電性金屬構(gòu)成的層表面涂布感光性樹脂，并通 過對該感光性樹脂進行曝光顯影而形成所需圖形，然后以如此形成的 圖形為掩模抗蝕層對金屬層進行蝕刻而形成的。最近，上述薄膜載帶變得非常細線徑化，而為了形成這樣細 線徑化的布線圖，就需要使由導電性金屬構(gòu)成的金屬層變薄。這樣形 成的超微細布線圖，其線寬狹窄，而且線厚也薄，因此通電后的電阻 值容易變大，從而存在由于來自布線圖的焦耳熱使薄膜載帶自身的發(fā) 熱量變大的問題。雖然為了抑制薄膜載帶的發(fā)熱可以將所形成的布線 圖的截面積增大，但為了形成超微細布線圖，需要將用于形成布線圖 的導電性金屬層的厚度變薄，因此，在現(xiàn)有的通過對使用導電性金屬 箔等在絕緣薄膜的表面上形成的金屬層進行蝕刻而形成布線圖的薄膜 載帶的制造方法中，從發(fā)熱的問題考慮，實現(xiàn)細線徑化存在局限性。除了上述薄膜載帶的細線徑化之外，作為先端電子部件的半 導體包中，廣泛使用將多個導體層和絕緣層重疊并確保其厚度方向的 通電性的增層電路板。在該增層電路板中，作為確保層疊的層間的通 電的方法，采用在層疊的絕緣層上形成導電孔，并在該導電孔內(nèi)形 成鍍層從而確保厚度方向的導通性的方法；在導電孔內(nèi)填充導電性膏 從而確保厚度方向的導通性的方法；形成銀凸塊并通過用該銀凸塊穿 破絕緣體層從而確保厚度方向的導通性的方法；以及通過導電端子確 保厚度方向的導通性的方法等(參照非專利文獻l:工k夕卜口二々X 実裝學會誌Vo1.2、 No. 6. p450-453(1999);非專利文獻2:工k々卜 口 二々x実裝學會誌Vo 1. 2、 No. 1. p6-8 (1999))。但是，在上述方法中，形成布線圖的工序和確保電路基板的 厚度方向的導通性的工序是完全不同的工序，為了形成增層電路板必 須要經(jīng)過非常復雜的工序。并且，如上所述形成的層間連接中發(fā)生接 觸不良的情況較多，因此需要一種使用可靠并且簡便的方法來確保層 間連接的方法。再有，伴隨著布線圖的細線徑化以及布線圖的高密度 化，用于形成導電孔的空間也越來越受到限制，確保厚度方向?qū)ㄐ?的導電孔的形成面積也變小，在現(xiàn)有的通過在導電孔的內(nèi)周壁上形成 鍍層來確保厚度方向?qū)ㄐ缘姆椒ㄖ校捎趯щ娍滓约捌渲苓叺墓に?臺面占有的面積較大，因此已無法對應現(xiàn)今的布線圖的細線徑化以及 高密度化。另外，在現(xiàn)有的利用導電孔或者凸塊來確保厚度方向?qū)?性的方法中，由于在層疊的電路基板厚度方向的同 一 位置上重疊形成 導電孔等(形成層疊導電)是非常困難的，因此大多數(shù)情況下是使各 層上形成的導電孔的厚度方向上的位置錯開而形成(順序增層)，因而 半導體包的設計自由度受到限制。從而，最近提案有一種被稱為壓印法的抗蝕圖形的制造方法 (例如參照非專利文獻S.Y.Chou等,Appl.Phys丄ett.,voll67，p3314(19 95))。該利用壓印法形成圖形的方法，首先通過利用電子束蝕刻法等對 硅基板進行蝕刻而形成表面具有凹凸形狀的鑄型，然后在基板上涂布 PMMA等樹脂膜，將該樹脂膜與基板一同加熱到軟化點以上的溫度之后， 在該軟化后的樹脂膜上按壓鑄型，從而將形成在鑄型上的凹凸轉(zhuǎn)印到 樹脂膜上，再將樹脂膜冷卻到軟化點以下的溫度使轉(zhuǎn)？I到樹脂膜上的 凹凸形狀固定。接著，將鑄型從樹脂膜表面撤去，并通過反應離子蝕 刻(RIE)等各向異性等離子蝕刻法，將具有凹凸的樹脂膜內(nèi)的存在于凹
部底面的殘膜去除。壓印法是利用在硅基板的表面上形成的具有凹凸 的樹脂膜形成抗蝕圖形的方法。上述壓印法需要在將形成于硅基板上的凹凸轉(zhuǎn)印到樹脂膜
上之際對樹脂進行加熱至所用樹脂的軟化點以下的溫度，并在轉(zhuǎn)印完 凹凸之后，將樹脂冷卻到軟化點以下的溫度，因此存在處理時間變長 的問題。另外，上述壓印法中所用的鑄型，由于利用電子束蝕刻法等 對例如硅基板進行蝕刻而形成的，因此還存在將轉(zhuǎn)印了凹凸的樹脂層 從鑄型中進行脫模時，樹脂膜的一部分殘留在鑄型內(nèi)的問題。為解除上述問題，專利文獻1 (日本專利特開2004-304097 號公報)中公開了如下內(nèi)容在壓印法中，使用光固化性樹脂代替如 PMMA的熱固化性樹脂，并使用具有透光性的鑄型基板作為鑄型。通 過使用這樣的光固化性樹脂利用光固化反應使樹脂固化，從而無需進 行加熱 冷卻鑄型的工序，由于利用光固化使樹脂固化因此可以簡化 其制造工序。但是，在上述方法中，由于鑄型是通過在硅基板表面上利用 電子束蝕刻法等進行蝕刻而形成有凹凸形狀的，因此當從轉(zhuǎn)印了形成 于鑄型上的凹凸的光固化性樹脂中將鑄型脫模時，出現(xiàn)固化的樹脂容 易殘留在鑄型內(nèi)的問題。另外，在專利文獻2 (日本專利特開2000-194142號公報) 也公開了使用光固化性樹脂代替熱固化性樹脂的技術方案，但也存在 與上述同樣的問題。再有，專利文獻3 (日本專利特開2003-77807號公報)中公 開了一種具有表面處理層的鑄型，該表面處理層是利用含有氟素原子 的等離子處理，對具有形成有圖形形成用凸部或者凹部的按壓面的鑄 型主體進行了疏水化處理的表面處理層。通過如上所述的利用含有氟 素原子的等離子處理進行表面處理，可 一 定程度改善脫模時存在的問
因此即使改善了凹凸的表面狀態(tài)，也依然存在從嵌入如上所述形成的 凹凸內(nèi)所形成的樹脂固化體中將鑄型進行脫模時，形成的凹凸容易發(fā) 生損壞的問題。另外，如上所述，近來電子產(chǎn)品的小型化進一步發(fā)展，為了 形成上述微細節(jié)距的布線圖，例如金屬面腐蝕法(Subtractive法)等被 認為較合適。但是，即使是利用被認為適用于形成上述微細節(jié)距布線圖的 金屬面腐蝕法(Subtractive法)制造超微細節(jié)距布線圖，由于布線圖是 在絕緣基板的表面突出成凸狀而形成的，因此在進行焊接時，由于焊 料流動而使布線圖的基部(絕緣基板一側(cè)布線圖的底部)，成為相鄰布 線圖之間短路的原因。尤其是，在現(xiàn)今的超微細圖形化的布線圖中，上述由焊料的 流出造成的短路的危險性變得更高。作為防止形成上述由焊接引起的橋接的方法，雖然有用阻焊 劑填埋布線圖間隙的方法，但該方法中，當布線圖為超微細節(jié)距時， 須要非常高的印制定位精度的同時，即使定位再精確地進行涂布也會
由于涂布的阻焊劑流出，幾乎不可能使涂布預定部分和實際涂布的部 分達到完全一致。另外，還有使用感光膠來代替上述阻焊劑的方案，但在光掩 模的定位精度上也同樣存在局限，用作制造超微細節(jié)距布線圖之際的 方法是不完善的。另外，除了上述的定位問題之外，雖然在布線圖中利用使用 了焊點的小片尺寸包(CSP)作為輸出端子的情況較多，但利用現(xiàn)有的 金屬面腐蝕法(Subtractive法)制造的CSP,存在其包括臺肩部的凸緣 面積容易變得不均勻、熔融的焊點高度不整齊的問題。另外，上述CSP 中，當在形成于如聚酰亞胺絕緣薄膜上的孔部凸緣上配置焊點來進行 焊接時，在凸緣底部的角落部容易產(chǎn)生空洞，從而存在使用焊點的電 連接的可靠性問題。另外，在日本專利特開2003-218500號7>才艮(專利文獻4) 中，公開了一種埋入導體圖形薄膜的制造方法，其將層疊在支撐體上 的導電性金屬箔加工成布線圖，并將這樣形成的布線圖埋入熱塑性樹 脂中，然后將支撐體剝離，從而在熱塑性樹脂薄膜中埋入布線圖。但是，在該方法中，被埋入在熱塑性樹脂中的導體圖形是利 用光刻法對銅箔等導電性金屬進行蝕刻而形成的，其并不適用于具有 超微細節(jié)距布線圖的電路基板的制造。
專利文獻1:日本專利特開2004-304097號公報
專利文獻2:日本專利特開2000-194142號公才艮
專利文獻3:日本專利特開2003-77807號公報
專利文獻4:日本專利特開2003-218500號7>報
非專利文獻l:日本電子設備線路(electronics )安裝學會志，vol.2 No.6. p450-453(1999)"增層電路板的制作方法和特點"
非專利文獻2:日本電子設備線路(electronics )安裝學會志，vol.2: No.l p6-8(1999)"增層寺支術的發(fā)展和未來"
非專利文獻3: S.Y. Chou等，Appl. Phys. Lett"vo1.167, p3314(1995)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種利用于通過所謂壓印法形成布 線圖的鑄型及其制造方法。本發(fā)明的另 一 目的在于提供一種新的使用壓印用鑄型的電 路基板的制造方法，以及由此所形成的新的電^各基板。進一步，本發(fā)明的目的在于提供一種使用上述鑄型在電路基 板的表面及背面形成通電的導電孔的形成方法。并且，本發(fā)明的目的還在于提供一種將上述形成的電路基板 進行多層層疊的多層電路基板的制造方法。更進一步，本發(fā)明的目的還在于提供一種在絕緣體中埋入超 微細布線圖的電路基板的新的制造方法。進一步，本發(fā)明的目的還在于提供一種通過上述電路基板的 制造方法形成的新的電路基板。為解決上述問題，本發(fā)明的電路基板形成用鑄型的特征在 于，由支撐基底、和在該支撐基底的一個表面上突出形成的壓模圖形
構(gòu)成，且該壓模圖形的同一截面上的支撐基底側(cè)截面寬度大于其前端 側(cè)截面寬度。本發(fā)明的電路基板形成用鑄型中，支撐基底可以做成透光性基底。進一步，本發(fā)明的電路基板形成用鑄型，是用于在光固化性 或者熱固化性樹脂層上形成圖形的電路基板形成用鑄型，其特征在于， 該電路基板形成用鑄型由支撐基底和壓模圖形構(gòu)成，在該電路基板形 成用鑄型上形成有至少兩種不同高度的壓模圖形，并且該壓模圖形中 高度最高的壓模圖形的高度，與供該壓模圖形嵌入的樹脂層的厚度之 差為0.1 3Mm。即，所形成的高度最高的壓模圖形的高度低于樹脂層 厚度O.l ~3 pm。
于，在形成于支撐基底的一個表面上的金屬層表面上形成感光性樹脂 層，并通過對該感光性樹脂層進行曝光顯影而形成由該感光性樹脂固 化體構(gòu)成的圖形，然后至少進行一次選擇性蝕刻工序，以該圖形作為 掩模材料對該金屬層選擇性蝕刻，從而在支撐基底的表面上形成由該 金屬構(gòu)成的圖形。如上所述，本發(fā)明的電路基板形成用鑄型，由于是利用蝕刻 液對金屬層進行蝕刻而形成壓模圖形，因此壓模圖形的截面形狀形成 為其支撐基底側(cè)的底邊寬于其頂部的梯形形狀，從而脫模變得容易， 可制造出缺陷少的電路基板。本發(fā)明的電路基板，具有表面存在凹部的絕緣體層和填充在 該凹部的導電性金屬，其特征在于，利用填充在該凹部的導電性金屬
而形成有布線圖，并且該凹狀布線圖的截面寬度形成為，自該絕緣體 層的表面朝向深部逐漸減小。本發(fā)明的電路基板可通過如下方法制造.'在支撐體表面具有 未固化或者半固化的固化性樹脂層的層壓體的該固化性樹脂層中，
嵌入由支撐基底和在該支撐基底的一個表面上突出形成的壓模圖 形構(gòu)成、且該壓模圖形的同一截面上的支撐基底側(cè)截面寬度大于前端 側(cè)截面寬度而形成的電路基板形成用鑄型，在轉(zhuǎn)印該壓模圖形并使該 固化性樹脂層固化之后，
從該鑄型中將層壓體脫模，
再在該脫模后的層壓體表面上淀積導電性金屬，
然后，通過將該淀積金屬層研磨至露出層壓體的固化性樹脂固化 體層表面，從而形成凹狀布線圖。另外，本發(fā)明的導電孔的形成方法，其特征在于，
在支撐體表面具有未固化或者半固化的固化性樹脂層的層壓體的 固化性樹脂層中，
嵌入由支撐基底和在該支撐基底的一個表面上突出形成的壓模圖 形構(gòu)成、且該壓模圖形的同一截面上的支撐基底側(cè)截面寬度大于前端 側(cè)截面寬度而形成的電路基板形成用鑄型，在轉(zhuǎn)印了該壓模圖形并使 該固化性樹脂層固化之后，
從該鑄型中將層壓體脫模，
再在該脫模后的層壓體表面上淀積導電性金屬，
然后，通過將該淀積金屬層研磨至露出層壓體的固化性樹脂固化 體層表面，從而形成貫穿該層壓體的固化性樹脂層的導電孔。本發(fā)明的多層層壓電路基板的制造方法，其特征在于，至少
進4亍一次》。下工序
在由導電性金屬構(gòu)成的支撐體表面具有未固化或者半固化的固化 性樹脂層的層壓體的該固化性樹脂層中，
嵌入由支撐基底和在該支撐基底的一個表面上突出形成的壓模圖 形構(gòu)成、且該壓模圖形的同 一截面上的支撐基底側(cè)截面寬度大于前端 側(cè)截面寬度而形成的電路基板形成用鑄型，在轉(zhuǎn)印了該壓模圖形并使 該固化性樹脂層固化之后，
從該鑄型中將層壓體脫模，
優(yōu)選在去除凹部底面的污垢之后，再在該脫才莫后的層壓體表面上 淀積導電性金屬，
然后，通過將該淀積金屬層研磨至露出層壓體的固化性樹脂固化 體層表面，從而形成凹狀布線圖，同時形成貫穿該層壓體的固化性樹 脂層的導電孔，
然后在形成有該凹狀布線圖以及導電孔的固化性樹脂固化體表面 上形成未固化或者半固化的固化性樹脂層，并在該固化性樹脂層中，
嵌入由支撐基底和在該支撐基底的一個表面上突出形成的壓模圖 形構(gòu)成、且該壓模圖形的同 一截面上的支撐基底側(cè)截面寬度大于前端 側(cè)截面寬度而形成的電路基板形成用鑄型，在轉(zhuǎn)印了該壓模圖形并使 該固化性樹脂層固化之后，
將該固化性樹脂固化體從鑄型中脫模，
優(yōu)選在去除凹部底面的污垢之后，
再在該脫模后的固化性樹脂層層壓體表面上淀積導電性金屬，
然后，通過將該淀積金屬層研磨至露出層壓體的固化性樹脂固化 體層表面，從而形成凹狀布線圖，同時形成貫穿該層壓體的固化性樹 脂層的導電孔的工序。在本發(fā)明中，因使用具有通過對金屬層進行蝕刻而形成的壓
模圖形的鑄型，在未固化或者半固化的固化性樹脂層上形成凹部，并 向該凹部填充導電性金屬，從而在固化性樹脂固化體的內(nèi)部形成有凹 狀布線圖，所以這樣形成的凹狀布線圖將形成為，同一截面上的截面 寬度自作為絕緣體層的固化性樹脂固化體表面朝向深部逐漸減小。并 且，在本發(fā)明的電路基板上可以具有不同深度的多種凹狀布線圖，進 一步也可以使上述不同深度的凹狀布線圖中的最深地形成的凹狀布線 圖 一直貫穿到作為絕緣體層的固化性樹脂固化體的背面 一側(cè)。這種一 直貫穿到絕緣體層背面?zhèn)鹊陌紶畈季€圖就是確保該電路基板的表面及 背面通電性的導電孔。根據(jù)本發(fā)明的電路基板的制造方法，能夠在絕緣體層上形成 凹狀布線圖的同時，可在該絕緣體層上形成導電孔。而且，由于本發(fā)明中所使用的鑄型是通過對金屬層進行蝕刻 來形成壓模圖形的，壓模圖形的截面形狀形成為其支撐基底側(cè)底邊寬 于其頂部的梯形形狀，因此脫模變得容易，可制造出缺陷少的電路基 板。本發(fā)明的電路基板的制造方法，其特征在于，其是通過在 有機絕緣性基底材料以及形成于該有機絕緣性基底材料表面的金屬薄 膜的表面上，抵接壓?；妆砻嫔闲纬捎袎耗D形的精密壓模并進行 加壓，在自該金屬薄膜側(cè)朝向有機絕緣基底材料的深部，形成與形成 在該精密壓模上的壓模圖形相對應形態(tài)的凹部之后，再在該金屬薄膜 上形成比上述所形成的凹部的深度更厚的金屬鍍層，并向利用該精密 壓模形成的凹部填充鍍層金屬，然后將該金屬鍍層研磨至從該金屬鍍 層的表面露出有機絕緣性基底材料，從而形成布線圖。另外，本發(fā)明的電路基板的特征在于，在形成于有機絕緣性 基底材料上的凹部的表面，隔著金屬薄膜而填充有鍍層金屬，從而形 成有布線圖。優(yōu)選在上述布線圖的表面上形成與填充在該凹部的金屬不 同的金屬的鍍層。本發(fā)明的鑄型，是在形成于支撐基底表面的金屬層表面上形 成感光性樹脂層，并對該感光性樹脂層進行曝光顯影而形成所需圖形， 然后以如此形成的圖形為抗蝕劑對金屬層進行蝕刻從而形成所需的壓 模圖形。若觀察如上所述形成的壓模圖形的截面，則壓模圖形的支撐 基底側(cè)底部的截面寬度大于其頂部的寬度。因此，可將該鑄型壓入未固化或者半固化的固化性樹脂中， 并通過對嵌入到本發(fā)明鑄型上所形成的圖形間的未固化或者半固化狀 態(tài)的樹脂施加光和/或熱而使其固化。而且，這樣固化的樹脂固化體與 形成在鑄型上的壓模圖形相反地形成為，其鑄型的支撐基底側(cè)的前端 部(頂部)的截面寬度比支撐基底側(cè)的基端部的截面寬度要窄，因此 在從固化后的樹脂固化體上將本發(fā)明的鑄型脫模時，能夠容易地將鑄 型進行脫模，也不會在鑄型表面上附著樹脂固化體等。另外，本發(fā)明的鑄型，可以通過經(jīng)多個步驟對形成在支撐基 底表面的金屬層進行蝕刻，形成不同高度的壓模圖形，并通過形成幾 乎與如上形成的高度最高的壓模圖形的高度同等厚度的固化性樹脂 層，從而可以將由該高度最高的壓模圖形所形成的凹部，作為在由樹
脂固化體(薄膜、薄板或者板)形成的絕緣體層上用于形成導電孔的 貫穿孔利用。進一步，使用本發(fā)明的鑄型形成的凹狀布線圖的線寬通常在 10jam以下，進一步通過提高曝光 顯影精度還可以形成具有納米級 尺寸線寬的布線圖，但即使將線寬做得如此微細，也可以通過在樹脂 固化體(絕緣體層)的厚度方向上較深地形成凹狀布線圖，而確保使 用本發(fā)明的鑄型形成的凹狀布線圖的截面積在一定值以上，因此，通 過使用本發(fā)明的鑄型而使所形成的凹狀布線圖的電阻值不會變得非常在本發(fā)明的電路基板中，在通過使固化性樹脂層固化而形成 的絕緣體層上形成有自表面朝向深度方向的凹狀布線圖，該凹狀布線 圖可以通過使用鑄型，在固化性樹脂層上轉(zhuǎn)印壓模圖形而形成。所述 鑄型為，在形成于支撐基底表面的金屬層表面上形成感光性樹脂層， 并對該感光性樹脂層進行曝光顯影而形成所需圖形，然后通過以如此 形成的圖形作為掩模材料對金屬層進行蝕刻而形成所需壓模圖形的鑄 型。即，本發(fā)明中使用的鑄型是通過在形成于支撐基底表面的金 屬層表面上形成感光性樹脂層，通過對該感光性樹脂層進行曝光顯影 而形成所需圖形，然后以如此形成的圖形作為掩模材料對金屬層進行 蝕刻而形成所需的壓模圖形。若觀察如上所述形成的壓模圖形的截面， 則其具有壓模圖形形成為其支撐基底側(cè)底部的截面寬度大于其頂部寬
度的梯形形狀。通過將該形成在鑄型上的壓模圖形嵌入固化性樹脂層 并使固化性樹脂層固化，然后從該鑄型中將固化性樹脂固化體脫模， 而可以在固化性樹脂固化體(絕緣體層)上形成用于形成凹狀布線圖
的凹部。由于如上所述在絕緣體層上形成凹部的壓模圖形的形狀具有 如上的略梯形形狀，因此可以容易地進行脫模，且固化性樹脂固化體 (絕緣體層)上不易產(chǎn)生缺落等，尤其是即使形成各個線寬狹窄、線 深較深的凹部，也容易脫模，不易產(chǎn)生缺陷。因此，根據(jù)本發(fā)明，可 以容易地形成將布線寬度變窄以提高布線密度、將布線深度加深以降 低面積電阻值的布線。進一步，如上所述本發(fā)明的電路基板中的凹狀布線圖的線寬
通常在10ym以下，進一步通過提高曝光 顯影精度還可以形成具有 納米級尺寸線寬的凹狀布線圖。而且，即使將線寬做得如此微細，也 可以通過在樹脂固化體的厚度方向上較深地形成布線圖，而確保形成 在電路基板上的凹狀布線圖的截面積在一定值以上，因此，本發(fā)明的 電路基板上所形成的凹狀布線圖的電阻值不會變得非常高，從而可以另外，例如可以通過反復進行半蝕刻形成鑄型的壓模圖形， 以使其形成為具有高度不同的圖形，并通過使用這樣的壓模圖形而能 夠一次形成深度不同的凹部?？梢酝ㄟ^使用形成在上述鑄型上的高度最高的壓模圖形而 形成的、貫穿固化性樹脂固化體(絕緣體層)的貫通孔，形成導電孔。 并且，根據(jù)本發(fā)明可以同時進行上述導電孔的形成與布線圖的形成。進一步，通過反復進行使用上述鑄型在固化性樹脂層上轉(zhuǎn)印 所需圖形而形成凹狀布線圖的操作，從而可以制造將多個電路基板進 行層疊的多層層壓電路基板。在該多層層壓電路基板中，可以任意地 選定其確保層疊的電路基板間通電的導電孔的形成位置，而且，能夠
確保在層疊的電路基板間進行可靠地電連接，并且如上地在層疊的基 板之間形成電連接的導電孔的所占面積也小。在本發(fā)明的電路基板的制造方法中，使用具有在表面形成有
極薄且延展性良好的金屬覆膜的有機絕緣性基底材料表面上形成的， 自金屬覆膜側(cè)凸起的反布線圖的精密壓模(壓模)，在基底材料上形成 布線圖的溝槽之后，取出精密壓模，然后在如上形成的溝槽內(nèi)通過電 鍍淀積金屬，向凹部淀積金屬將其填埋后，通過對鍍層進行研磨至從 形成的電鍍層表面露出有機絕緣性基底材料的樹脂層，從而形成布線 圖，因此，該布線圖是以埋入有機絕緣性基底材料中的狀態(tài)形成。如 上所述，該布線圖形成在與有機絕緣性基底材料的表面實質(zhì)上同一個 面上。由于該布線圖實質(zhì)上并未突出于有機絕緣性基底材料的表面， 因此即使布線圖的節(jié)距寬度較窄，也不會在布線圖間發(fā)生焊接橋接。 另外，由于該布線圖是通過研磨鍍層而形成的，因此可以使表面狀態(tài) 一致。而且，由于該布線圖形成在與有機絕緣性基底材料實質(zhì)上同一 個面上，因此即使在該布線圖上配置焊點也不會在凸緣底部存在角落 部，因而在該部分不會形成空隙。因此，能夠使利用焊點的連接變得 可靠性非常高。


圖1為本發(fā)明的電路基板形成用鑄型以及使用該鑄型形成 電路基板時的實施例模式截面圖。
圖2為制造本發(fā)明的電路基板形成用鑄型的工序的實施例模式截面圖。
圖3為使用本發(fā)明的電路基板形成用鑄型形成布線圖的工序的實 施例模式截面圖。
圖4為使用本發(fā)明的電路基板形成用鑄型制造雙面印刷電路基板 的制造工序的實施例模式截面圖。
圖5為使用本發(fā)明的電路基板形成用鑄型制造增層電路基板的制 造工序的實施例模式截面圖。
圖6為使用鑄型形成導電孔時的各工序中的基板的實施例截面圖。 圖7為本發(fā)明的電路基板形成用鑄型的另一制造例的示意圖。 圖8為本發(fā)明的電路基板形成用鑄型的又一制造例的示意圖。
圖1Q為制造本發(fā)明的電路基板時的各工序中的基板截面的模式圖。
圖11為本發(fā)明中使用的精密壓模截面的模式圖。 附圖標記 10 電路基板形成用鑄型
11 硬質(zhì)金屬層
12 支撐基底
13 感光性樹脂層
13a、 13b、 13c、 13d 圖形(掩才莫材料) 14a、 14b、 14c 壓才莫圖形 14a-1、 14b-t、 14c-1 壓才莫圖形的頂部 14a-b、 14b-b、 14c-b 壓才莫圖形的底部 16掩模
24a、 24b、 24c、 24d、 24e、 24f、 24g 空隙 25 殘留層 30 層壓體
32 支撐體
32a、 32b、 32c、 32d 凹狀布線圖
33 未固化的固化性樹脂層
34固化體層(絕緣體層)(感光性樹脂)
34a 絕緣體層
41 淀積金屬(層)
45 導電性金屬
45a、 45b、 454c 導電性金屬
46a、 46b、 46c 凹狀布線圖
55d、 55e、 55f、 55g 凸狀布線圖
Tal 壓模圖形14a的高度
Rd 固化性樹脂層的厚度
Bt 厚度差
110 有機絕緣性基底材料
111 支撐體
112 金屬薄膜 120 凹部
122 金屬鍍層 124 鍍層金屬
126 布線圖
127 上端部
128 鍍層
129 非電解鍍錫層 130精密壓模
131 壓模基底
133壓模圖形
135 研磨工具
具體實施例方式下面，對本發(fā)明的電路基板形成用鑄型及其制造方法、使用 該鑄型的電路基板及其制造方法、以及導電孔的形成方法進行詳細的 說明。進一步，對本發(fā)明的新的電路基板的制造方法以及利用該方法 獲得的電路基板進行詳細的說明。圖1中模式化地表示了本發(fā)明的電路基板形成用鑄型以及 使用該鑄型形成電路基板時的實施例。在圖1中，本發(fā)明的電if各基板形成用鑄型以附圖標記10表 示。本發(fā)明的電路基板形成用鑄型IO具有支撐基底12和形成于該支 撐基底12的一個表面上的壓模圖形14a、 14b。形成本發(fā)明的電路基板形成用鑄型10的支撐基底12,是用 于保持壓模圖形14a、 14b,可以由金屬、玻璃、樹脂等形成。對于該 支撐基底12,當利用感光性樹脂的固化體形成電路基板的絕緣體層時， 優(yōu)選將該支撐基底12做成透光性基底。透光性基底12，只要是用于固 化感光性樹脂34的光可透過該基底的物質(zhì)即可。對于光固化性樹脂的 固化，可以使用電子射線、紫外線、可視光、紅外線等各種光線，但 優(yōu)選使用波長較短的可視光或者紫外線等。當形成電路基板的絕緣體層為熱固化性樹脂的固化體時，構(gòu) 成本發(fā)明的電路基板形成用鑄型10的支撐基底12可以由金屬、合成 樹脂、玻璃等，或者將它們組合后的板狀體形成。另外，形成本發(fā)明的電路基板形成用鑄型10的支撐基底12， 當形成電路基板的絕緣體層為感光性樹脂的固化體時，其是可透過用 于固化感光性樹脂34的光的基底，可使用由石英、石英玻璃、玻璃、 透明合成樹脂等，或者將它們組合而形成的板狀體。尤其是在本發(fā)明 中，當絕緣體層為感光性樹脂的固化體時，優(yōu)選使用波長短的可視光 或者紫外線，而作為透光性基底12優(yōu)選使用具有可使上述光線透過的 特性的石英、石英玻璃、派拉克斯玻璃(注冊商標)等。另外，當使 用透光性樹脂作為透光性基底12時，可以使用上述光線的透過性較好 的丙烯酸樹脂、聚對苯二曱酸乙二 (醇)酉旨、聚萘二甲酸乙二醇酯、 聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸曱酯等。另外，由于通過蝕刻形成壓模圖形， 因此在此使用的透光性樹脂優(yōu)選使用相對于蝕刻液穩(wěn)定的樹脂。另夕卜， 光固化性樹脂34大部分利用光化聚合作用而固化，但為了利用光化聚 合作用使其完全固化，需使光照射的時間非常長，通常，優(yōu)選在將光 固化性樹脂34固化到可保持利用電路基板形成用鑄型賦形的形態(tài)的程 度之后，進行加熱固化以使固化反應徹底進行，在如上進行加熱固化 時，優(yōu)選使用能夠承受如上熱固化時的加熱溫度，例如軟化溫度在120 。C以上的樹脂。由于上述條件，本發(fā)明中在使用透光性樹脂時，優(yōu)選 使用聚碳酸酯。上述支撐基底12并非必須需要具有撓性，并且，由于在壓 模時要施加一定程度的壓力，因此優(yōu)選具有一定程度的厚度，該支撐 基底12的厚度通常在0.3 ~ 50mm,優(yōu)選在0.5 ~ 20mm范圍內(nèi)。在上述支撐基底12的表面形成有壓模圖形14a、 14b、 14c…'。在本發(fā)明的電路基板形成用鑄型IO上，如圖l以及圖2(i) 所示，形成有高度不同的多個壓模圖形14a、 14b、 14c.…。并且，如
圖1以及圖2 (i)所示，在本發(fā)明的電路基板形成用銬型IO上所形成
的壓模圖形14a、 14b、 14c .的頂部14a-t、 14b-t的壓模圖形截面寬 度Wa2或者Wb2,與壓模圖形14a、 14b、 14c 的支撐基底12側(cè)底 部14a-b、 14b-b的截面寬度Wal或者Wbl不同。例如，當將底部14a-b 的截面寬度Wal和頂部14a-t的截面寬度Wa2進行比較觀察，則明顯 發(fā)現(xiàn)頂部14a-t的截面寬度Wa2窄于底部14a-b的截面寬度Wal而形 成。通過如上地將壓模圖形的頂部截面寬度窄于底部而形成，在附圖 標記34所示的固化性樹脂固化之后，可以將本發(fā)明的電路基板形成用 鑄型10良好地進行脫模。尤其是在本發(fā)明中，通過使頂部和底部的截 面寬度之比(W/W2)，具體地說使Wal八Va2、或者Wbl/Wb2通常在 1.01 ~ 2.0，優(yōu)選在1.1 ~ 1.5范圍內(nèi)，而能夠容易地進行脫模。當Wl/W2 低于上述下限值時，則鑄型的離脫性變差，而當高于上述上限值時， 則微細電路的形成變得困難。而且，當固化性樹脂為光固化性樹脂時， 如上所述通過對壓模圖形施加傾斜度，而使壓模圖形的法面上也可以 照射到通過透光性基底側(cè)照射來的光，進而該法面部分也進行光固化， 因此脫模時的由光固化性樹脂形成的圖形形狀不易崩潰，進一步，由 于法面的光固化反應的進行，從而有效地防止固化性樹脂附著到壓模 圖形上。另外，在本發(fā)明的電路基板形成用鑄型IO上形成有高度不 同的多個壓模圖形。圖1中表示了形成有具有與固化性樹脂34的層厚 Rd幾乎相同的高度Tal的壓模圖形14a,和具有該高度Tal的約1/2 的高度Tbl的壓模圖形14b的形態(tài)，圖2(i)中表示了除了形成有壓 模圖形14a以及壓模圖形14b之外，還形成有具有壓模圖形14b約一 半高度的壓模圖形14c的形態(tài)。其中，如圖1所示，最高的壓模圖形
14a的高度Tal可以是與固化性樹脂層的厚度Td相同厚度(或者高度)， 但由于和形成有固化性樹脂層34的支撐體32的接觸，當壓模圖形14a 的前端和支撐體32直接接觸時，容易產(chǎn)生金屬壓模圖形14a的前端磨 耗，因此如圖1所示優(yōu)選使固化性樹脂層34的厚度僅增加厚度Bt。通 常Bt的厚度為0.01 3lam左右。本發(fā)明的電路基板形成用鑄型IO可以通過在支撐基底12表 面上形成硬質(zhì)的金屬層11，并對該硬質(zhì)金屬層11進行選擇性蝕刻而形成。圖2(a) ~ (i)中表示了在如玻璃基底的透光性金屬12的 表面上形成金屬層l]，再在該金屬層11的表面形成感光性樹脂層13， 并在該感光性樹脂層13的表面配置形成有所需圖形的掩模16 (圖2 (a))，從該掩模16—側(cè)照射光，對感光性樹脂層13進行曝光顯影， 從而形成圖形13a的狀態(tài)(圖2 (b))。作為形成在此所使用的金屬層 11的金屬可以列舉的有鎳、鎳合金、鈷、鈷合金、銅、銅合金以及 它們的合金。另外，由于要反復使用該鑄型，因此該金屬優(yōu)選是硬質(zhì) 的，以不易在使用中產(chǎn)生磨耗，另外，由于要通過適用合適的蝕刻液 和蝕刻方法進行精密蝕刻，因此上述金屬優(yōu)選是蝕刻特性好的金屬。 在本發(fā)明中，尤其優(yōu)選蝕刻特性好的銅、鎳。另外，根據(jù)具體情況， 也可以在上述金屬上電鍍鉻等硬質(zhì)金屬。
所不同，但是如上所述，通過使用蝕刻特性好的金屬，可以形成如頂 部的最大截面寬度例如在650000nm以下、優(yōu)選在35000nm以下、更 優(yōu)選在10000nm以下的較粗的圖形，以及頂部的最小截面寬度例如在
10nm以上、優(yōu)選在100nm以上、更〗尤選在1000以上的4交細線徑的壓 模圖形(頂部截面寬度)。本發(fā)明的電路基板形成用鑄型IO可以通過例如圖2所示的
工序進行制造。圖2是基于經(jīng)過三次蝕刻工序制造本發(fā)明的電路基板形成 用鑄型的實施例，表示其各個工序中的鑄型截面的模式圖。在本發(fā)明的電路基板形成用鑄型10的制造方法中，如圖2 (a)所示，在支撐基底12的一個表面上形成金屬層11。該金屬層ll 例如可以是利用非電解鍍法、電鍍法、層疊法、濺鍍法等在支撐基底 12的表面上形成上述金屬。由于鍍法可獲得高硬度的金屬層，因而優(yōu) 選。該金屬層11的厚度可以根據(jù)所要形成的布線圖的深度進行適當選 定，但通常在65 n m以下，優(yōu)選在50 M m以下，更優(yōu)選在40 jj m以下。 厚度的下限值雖沒有特殊的限定，但考慮到生產(chǎn)穩(wěn)定性，通常在2jam 以上，優(yōu)選在5 n m以上，更優(yōu)選在10 ja m以上。在如上形成的金屬層11的表面上形成感光性樹脂層13，并 在該感光性樹脂層13的表面上配置形成有所需形狀的掩模16，從該掩 模16的上面照射光，對感光性樹脂層13進行曝光。關于在本發(fā)明中 形成感光性樹脂層13的感光性樹脂，例如有以下類型當如上所述地 照射光時，被光照射的部分進行固化的類型，和涂布感光性樹脂時形 成固化體，而向該固化體照射光時，被光照射的部分以可溶出的程度 被軟化的類型，在本發(fā)明中可以使用其中任意 一種類型的感光性樹脂。 圖2所示的是使用第二種類型材料的實施例。在圖2 (a)以及(b)中，利用掩模16曝光顯影后的圖形用 附圖標記13a表示。即，如圖2(a)所示，在金屬層11的表面上形成 感光性樹脂層13，然后在該感光性樹脂層13的表面上配置掩模16, 并對感光性樹脂層13進行曝光，接著通過顯影，如圖2(b)所示，將 與掩模16對應部分的感光性樹脂固化體13a殘留在金屬層11表面上。在本發(fā)明中，以如上地殘留在金屬層11表面上的感光性樹 脂的固化體13a作為抗蝕劑，對金屬層11進行蝕刻。這里，金屬層11的蝕刻中所使用的蝕刻劑，根據(jù)形成金屬 層11的金屬不同而有所不同，可以使用本領域技術人員在通常的蝕刻 工序中使用的蝕刻劑。尤其是作為銅、銅合金、鎳或者鎳合金的蝕刻 劑，若使用含有防止側(cè)面蝕刻的緩蝕劑、金屬鹽、以及含有氧化劑的 硫酸系或者鹽酸系的混合液的蝕刻液，則可高效、短時間地對金屬層 進行蝕刻，并且該蝕刻之際具有不易產(chǎn)生側(cè)面蝕刻的特性，因此尤其 優(yōu)選作為形成本發(fā)明的電路基板形成用鑄型之際的蝕刻液。圖2(c)中表示了將如上所述形成的感光性樹脂的固化體用 作抗蝕劑13a對金屬層11進行了半蝕刻的狀態(tài)。如上所述，通過半蝕刻使未被抗蝕劑13a保護的部分的金屬 層ll蝕刻，而由抗蝕劑13a保護的部分則不被蝕刻而殘留下來，具有 與抗蝕劑13a幾乎相同的上表面形狀的金屬柱等的金屬圖形14a,以相 對于殘留的金屬層11呈梯形形狀的形態(tài)幾乎垂直地直立設置。優(yōu)選在如上所述地進行了第一次蝕刻之后，根據(jù)需要，通 過例如堿清洗等，對在該第一次蝕刻中用作抗蝕劑的由感光性樹脂的 固化體構(gòu)成的抗蝕劑13a進行去除。通過進行抗蝕劑的去除而可以高
精度地加工鑄型。在此所使用的堿清洗液，例如可使用0.5~l%NaOH
水溶液。在如上所述地進行了第一次蝕刻之后，通過對殘留的金屬層 11、以及經(jīng)上述工序形成的壓模圖形、以及需重新形成壓模圖形的部 分的表面，使用與上述同樣形成的、由感光性樹脂的固化體構(gòu)成的圖 形(抗蝕劑)13b進行保護的同時再次進行蝕刻，從而在未形成壓模圖 形的金屬層11的表面上再重新形成壓模圖形。即，如圖2 (d)所示，在經(jīng)最初的蝕刻工序形成的壓模圖 形14a的頂部，以及未形成上述壓模圖形14a的金屬層11的表面上， 涂布感光性樹脂，重新形成感光性樹脂層13。然后，通過在如上重新 形成的感光性樹脂層13的上面配置形成有所需圖形的掩模16,并對感 光性樹脂層13進行曝光 顯影，如圖2 (d)以及(e)所示，形成由 感光性樹脂固化體構(gòu)成的圖形，再通過以該圖形作為抗蝕劑13b對金 屬層ll進行蝕刻，如圖2(f)所示，除了在上一工序中形成的壓模圖 形14a之外，還能夠形成高度低于該壓模圖形14a的壓模圖形14b。其 中，由于上述理由，這里所使用的抗蝕劑13b優(yōu)選通過堿清洗等進行 去除。通過如上所述地將第二次蝕刻工序作為半蝕刻工序，如圖 2 (f)所示，可以使金屬層11殘留，然后如圖2(g)所示，在該殘留 的金屬層11的表面上形成感光性樹脂層13，接著使用壓模16對該感 光性樹脂層13進行曝光 顯影，從而由感光性樹脂的固化體形成圖形 (抗蝕劑)13c,并與上述同樣地，通過進行蝕刻而可以形成壓模圖形 14c。
在上述圖2所示的實施例中，如圖2(i)所示，進行三個階 段的蝕刻，形成了高度不同的壓模圖形14a、 14b、 14c。未形成上述壓 模圖形14a、 14b、 14c的部分的金屬層11,通過蝕刻而被去除，在未 形成壓模圖形14a、 14b、 14c的部分的表面露出有支撐基底12。如上所述形成在支撐基底12表面上的壓模圖形14a、 14b、 14c，當觀察其同一截面時，則發(fā)現(xiàn)其頂部14a-t、 14b-t、 14c-t的寬度 形成為窄于支撐基底12側(cè)的底部14a-b、 14b-b、 14c-b的寬度。即， 當對單一的壓模圖形進行觀察時，由于該壓模圖形的頂部14a-t、 14b-t、 14c-t 一側(cè)與蝕刻液的接觸時間，長于支撐基底12側(cè)的底部14a-b、 14b-b、 14c-b—側(cè)的接觸時間，因此形成為自壓模圖形14的支撐基底 12—側(cè)的底部14a-b、 14b-b、 14c-b朝向前端，其圖形寬度逐漸變窄， 壓模圖形14的截面的圖形寬度形成為，在壓模圖形的頂部14a-t、14b-t、 14c-t處其截面寬度最窄，因此，壓模圖形14的截面具有近似梯形形狀。如上所述，通過將形成于本發(fā)明的電路基板形成用鑄型10 上的壓模圖形14形成為前端細窄，使得例如在如圖l所示的將壓模圖 形14a、 14b嵌入未固化的樹脂中并使樹脂34固化之后，再將電路基 板形成用鑄型IO去除，進行脫模之際，能夠?qū)耗D形14容易地從 樹脂固化體中拔出。尤其是在脫模之際樹脂固化體也不會附著在壓模 圖形14的法面上，可以無需頻繁地清洗本發(fā)明的電路基板形成用鑄型 10而進一亍壓才莫加工。其中，上述實施例，為了殘留金屬層11而將第一次的蝕刻 處理設為半蝕刻工序，需要再一次對殘留的金屬層11進行蝕刻，但也 可以通過一次蝕刻將金屬層11去除。這種進行一次蝕刻工序的本發(fā)明的電路基板形成用鑄型可以作為用于形成貫穿絕緣薄膜或者絕緣基板 表面及背面的導電孔的鑄型利用。另外，本發(fā)明的電路基板形成用鑄型除了可通過上述蝕刻的
方法形成之外，還可以如圖7所示，利用選擇性鍍層處理形成。即，
在如上所述玻璃板等的支撐基底的情況下，首先形成與玻璃的粘貼性 良好的金屬基層，在其表面留出預形成壓模圖形的部分，并涂布保護 層。未涂布該保護層的部分，露出有支撐基底的基表面，然后通過對 如上露出應形成壓模圖形表面的支撐基底進行第一次鍍層處理，從而 可以在支撐基底的露出表面上形成鍍層。如上所述地在支撐基底上形 成多個基底露出面并通過鍍層處理，則可以形成具有同一高度(鍍層 厚度)的多個鍍層。如此形成的多個鍍層就成為本發(fā)明的電路基板形 成用鑄型的壓模圖形。上述電路基板形成用鑄型中，當需如上所述形 成高度不同的壓模圖形時，則使如上所述進行第一次鍍層處理而直立 設置的壓模圖形中的，欲使其高度變高的壓模圖形保持原型不變，而 在欲維持其高度不變的壓模圖形表面上涂布保護層，并進行鍍層處理。 如上所述地欲維持其高度的高度低的壓模圖形的表面，由于被保護層 所覆蓋，因此不會由于該鍍層處理而層疊鍍層，但在未被上述保護層 覆蓋的壓模圖形的上部則層疊新的鍍層，這樣通過層疊鍍層可以使壓 模圖形的自支撐基底的高度變高。通過反復進行如上所述的利用保護 層的覆蓋和鍍層處理，能夠形成自支撐基底的高度不同的多個壓模圖 形。這里，形成壓模圖形的鍍層優(yōu)選由硬質(zhì)金屬形成，例如可以由鍍 鎳層等形成。如上形成的壓模圖形，由于其支撐基底側(cè)的基部與鍍液 的接觸時間長，因此支撐基底側(cè)的基部的寬度形成為大于該壓模圖形
的前端部的寬度。因此，如上所述形成的壓模圖形的截面形狀，與上 述通過蝕刻所形成的壓模圖形同樣地，其截面形狀成為梯形形狀。其中，在如上所述通過鍍層處理形成壓模圖形之后，例如利 用堿清洗液、有機溶劑等將保護層去除。另外，本發(fā)明的電路基板形成用鑄型也可以通過激光加工來 形成。即，如圖8所示，通過向玻璃等可用作鑄型的材料，無級變化 激光強度的同時對該基材進行激光蝕刻加工，從而可以在支撐基底表 面上形成和上述同樣的壓模圖形。下面，對使用如上所述形成的電路基板形成用鑄型的，電路 基板的制造方法進行說明。圖3 (a) ~ (f)是使用本發(fā)明的電路基板形成用鑄型的， 本發(fā)明的電路基板的制造工序的一個實施例中的截面圖。圖3 (a)中，附圖標記IO表示在圖2中所制造的本發(fā)明的 電路基板形成用鑄型，與圖2中的鑄型相反，其支撐基底12位于上部， 自該支撐基底12的下表面下垂地配置有壓模圖形。另外，在圖3(a) 中附圖標記30表示在支撐體32的表面上配置有未固化或者半固化的 固化性樹脂層33的層壓體。這里，未固化的固化性樹脂層33經(jīng)固化 而形成絕緣體層，因此在此所使用的固化性樹脂是經(jīng)固化而形成絕緣 體層的樹脂。作為上述固化性樹脂的示例可以列舉的有熱或光固化性聚 酰亞胺、熱或光固化性的環(huán)氧樹脂、熱或光固化性的聚氨脂樹脂等的 前體或者半固化狀態(tài)(B級物質(zhì))。另外，本發(fā)明中所制造的電路基板， 由于在形成布線圖之際需要反復進行加熱工序、蝕刻處理工序、水洗
工序、金屬擴散工序、鍍層工序、焊接工序等、和加熱.冷卻工序、 水接觸'干燥工序等，因此優(yōu)選具有良好的耐熱性、耐水性、耐4^性、 耐酸性、耐熱收縮.耐熱膨脹性等尺寸穩(wěn)定性等特性，在上述樹脂中， 尤其優(yōu)選使用熱及/或光固化性的聚酰亞胺、熱及/或光固化性的環(huán)氧樹脂。上述未固化或者半固化的固化性樹脂，優(yōu)選為，通過對其加
熱以及/或者照射光而在短時間內(nèi)進行固化，并具有即使撤去鑄型也能 夠保持在該電路基板形成用鑄型上所形成的形態(tài)的程度的形態(tài)保持性。構(gòu)成層壓體30的支撐體32只要最低限也具有保持未固化的 固化性樹脂層33的自身形態(tài)保持性即可，但優(yōu)選為如后敘，由導電性 金屬形成該支撐體32，以便使未固化的感光性樹脂層固化之后，在該 經(jīng)固化的固化性樹脂層(絕緣體層)34的背面形成凸狀布線圖。這里， 當使用導電性金屬作為支撐體32時，作為導電性金屬可以使用銅、銅 合金、鋁、鋁合金、銀、銀合金等。使用上述導電性金屬時的支撐體 32的厚度通常為1 ~ 40 ja m,優(yōu)選為2 ~ 20 ja m。例如在使用銅作為該支撐體32的情況下，可以使用電解銅 箔或者壓延銅箔中的任何一種。在本發(fā)明中，使用上述電路基板形成用鑄型IO制造電路基 板之際，如圖3 (a)所示，將本發(fā)明的電路基板形成用鑄型IO的壓模 圖形14,嵌入形成在層壓體30的支撐體32表面的未固化或者半固化 的固化性樹脂層33中。圖3 (b)中表示了將壓模圖形14嵌入到感光 性樹脂層33的狀態(tài)，在進行電路基板形成用鑄型IO嵌入的階段，固化性樹脂層33并未固化，通過與支撐基底12 —起按壓壓模圖形14， 將未固化的固化性樹脂擴張，從而使壓模圖形14嵌入固化性樹脂層內(nèi)。在如上所述地將壓模圖形嵌入固化性樹脂層33內(nèi)之后，通 過對固化性樹脂33進行加熱以及/或者照射光而使其固化。在本發(fā)明中，當對感光性樹脂層進行光固化時，從形成于本 發(fā)明的電路基板形成用鑄型IO上的、透光性基底12—側(cè)進行光照射， 以使感光性樹脂層33固化。即，由于在未形成電路基^1形成用鑄型10 的壓模圖形14的支撐基底(透光性基底)12的表面上不存在金屬，因 此該部分使光線透過從而使層壓體30的感光性樹脂層33光固化。另 一方面，壓模圖形14由金屬形成，并且由于該部分不透光，因此會認 為感光性樹脂不固化，但由于光的折射、反射等原因，由于壓模圖形 14而無法直接照射光的部分的感光性樹脂的至少一部分產(chǎn)生光固化。 此時，鑄型的透光部與圖形的面積的比率優(yōu)選處在80:20-20:80范圍 內(nèi)。用于上述使感光性樹脂固化的光照射能量通常在50 ~ 2000mJ/cm2， 優(yōu)選在100 ~ 1000mJ/cm2范圍內(nèi)，例如使用波長250 ~ 450nm的紫外線 時，照射時間為5 ~ 120秒，優(yōu)選為15 ~ 50秒。由于通過如上所述地經(jīng)由電路基板形成用鑄型10的透光性 基底12，對上述感光性樹脂進行光照射，從而使感光性樹脂的至少一 部分固化，因此轉(zhuǎn)印到該感光性樹脂層33上的形態(tài)，即使將電路基板 形成用鑄型IO拔出，上述所形成的形態(tài)也不會崩潰。另外，當由熱固化性樹脂形成固化性樹脂層33時，則在壓 力機上配置加熱裝置，并在壓模圖形14嵌入的狀態(tài)下使熱固化性樹脂 固化。此時的溫度根據(jù)所使用的熱固化性樹脂的不同而有所不同，例如使用熱固化性環(huán)氧樹脂前體或者半固化后的環(huán)氧樹脂時，通過在通
常100-200。C、優(yōu)選在130 200。C的溫度下加熱15~ 180分鐘、優(yōu)選
3 0 ~ 90分鐘，從而能夠形成固化性樹脂的固化體。其中，固化性樹脂是利用光或者熱而固化的，但為了更有效 地進行固化反應，也可以在進行光照射的同時進行加熱。在將光和熱 并用于固化反應時，通過如上所述經(jīng)過一 定加熱時間進4亍加熱，并在 加熱到易迅速地進行固化反應的溫度條件之后，再如上所述短時間進 行光照射，從而能夠有效地完成固化反應。在本發(fā)明中，在如上所述通過進行光照射或者加熱而形成層 壓體30上所形成的固化性樹脂層33的固化體34之后，如圖3 (c)所 示，通過撤去電路基板形成用鑄型10而在該固化性樹脂層33的固化 體34上，形成與壓模圖形14a、 14b、 14c相對應的空隙24a、 24b、 24c。 如此通過使固化性樹脂層33固化而形成的固化性樹脂層33的固化體， 在該電路基板中就成為絕緣體層34。如上所述，上述固化性樹脂層33的厚度Rd形成為，稍厚于 在電路基板形成用鑄型IO上所形成的壓模圖形14中的最高的壓模圖 形14a的高度Tal，而該感光性樹脂層33的厚度Rd,和最高的壓模圖 形14a的高度Tal的厚度差(Bt)的固化性樹脂層的殘留層25則殘留 在支撐體32的表面。另外，在通過撤去電路基板形成用鑄型10而形 成的空隙24a、 24b、 24c的內(nèi)周壁面上也會殘留樹脂殘渣。在本發(fā)明中，優(yōu)選實施去除位于上述絕緣體層(固化性樹脂 層的固化體層)34上所形成的最深的空隙24a的底部的殘留層25而使
該最深的空隙24a的底部與支撐體32連通，然后進一步去除殘留在空 隙24a、 24b、 24c的殘漆的處理。殘留在空隙24a底部的殘留層25可以通過除污處理進行去 除。通過進行該除污處理，能夠?qū)埩粼谧钌畹目障?4a底部的殘留 層25去除，從而在該最深空隙24a底部上4吏支撐體32的上表面露出。 并且，還可以將殘留在空隙24a、 24b、 24c內(nèi)部的殘渣去除。圖3(d)表示如上所述進行了除污處理之后的基板的截面 圖。如圖3 (d)所示，在最深的空隙24a的底部露出有，層疊在絕緣 體層34上的支撐體32的上表面。在本發(fā)明中，在具有如上形成的空隙的絕緣體層34表面淀 積導電性金屬。該導電性金屬的淀積不僅在絕緣體層34的表面，在空 隙24a、 24b、 24c內(nèi)部也進行淀積，空隙24a、 24b、 24c內(nèi)部—皮淀積出 的金屬所填充。進一步，該淀積金屬層41覆蓋絕緣體層34的表面整體。上述淀積金屬層41是用于形成凹狀布線圖、或者在厚度方 向上將布線圖電連接的導電孔內(nèi)的導電體，其由導電性金屬形成。作 為上述導電性金屬的示例可以列舉的有銅、銅合金、錫、錫合金、 銀、銀合金、金、金合金、鎳、鎳合金、以及含有這些導電性金屬的 合金等。在本發(fā)明中，作為該淀積的導電性金屬優(yōu)選使用銅或者銅合 金。上述金屬可以利用干式法或者濕式法中的任意一種方法進 行淀積，尤其在本發(fā)明中，優(yōu)選利用非電解鍍法以及/或者電鍍法進行 淀積。這里，作為非電解鍍液以及電鍍液，使用現(xiàn)有技術所用的適于 孔填充的鍍液。通過進行上述鍍處理，在空隙24a、 24b、 24c內(nèi)部淀 積導電性金屬從而填充，同時在絕緣體層34的表面也形成通常0.01 ~ 15]im、優(yōu)選0.5~3|um的導電性金屬層41。其中，填充于上述絕緣 體層34上所形成的最深的空隙24a中的導電性金屬45a,其前端部一 直到達支撐體32并于支撐體32相接觸，其基端由于位于和形成有支 撐體32的絕緣體層34的配置支撐體32的面相反的面上，因此該填充 在最深的空隙24a中的導電性金屬45a就成為電連接絕緣體層34的表 面及背面的通電部。在如上所迷形成淀積金屬層41之后，如圖3 (f)所示，對 淀積在絕緣體層34表面上的淀積金屬層41進行研磨，以使絕緣體層 34的表面露出。對于該研磨，有化學研磨和機械研磨，而在本發(fā)明中 可以采用任意一種研磨方法，并且也可以將二者進行組合使用。根據(jù) 需要，在圖3 (d)的處理之后還可以通過非電解鍍鎳而形成防護層。 通過研磨制成平滑除有利于布線電路的細線徑化，還有利于安裝可靠 性的提高。若如上所示通過對絕緣體層34的表面進行研磨而使絕緣體 層34的表面露出，則填充在空隙24a中的導電性金屬45a、填充在空 隙24b中的導電性金屬45b、填充在空隙24c中的導電性金屬45c在絕 緣體層34的表面上呈絕緣狀態(tài)，從而分別成為埋設在絕緣體層34中 的獨立的凹狀布線圖46a、 46b、 46c。圖3 (f)所示的凹狀布線圖46b和凹狀布線圖46c的截面積 相同，但凹狀布線圖46b在絕緣體層34的表面上所占的面積，是凹狀 布線圖46c在絕緣體層34的表面上所占面積的1/2。因此，若要形成 相同截面積的凹狀布線圖，如圖3 (f)中附圖標記46b所示的，通過
將凹狀布線圖在絕緣體層34的深度方向上較深地形成，從而能夠形成 高布線密度的電路基板。并且，即使在使凹狀布線圖細線徑化的情況 下，也可以通過在厚度方向較深地形成凹狀布線圖，乂人而使凹狀布線 圖的截面積變大，進而使通電時的來自上述凹狀布線圖的發(fā)熱變少。另夕卜，凹狀布線圖46a形成為貫穿絕緣體層34的表面及背 面，而上述凹狀布線圖46a可以用作電連接絕緣體層34表面及背面的 導電孔。尤其是，在背面?zhèn)鹊闹误w32是由銅箔等導電性金屬所形 成的情況下，可以通過利用通用的方法形成凸狀布線圖，而能夠形成 由導電孔在絕緣體層34的表面及背面形成電連接的雙面電路基板。即， 如圖4 (a)所示在絕緣體層34上形成凹狀布線圖46a、 46b、 46c之后， 在由銅等導電性金屬構(gòu)成的支撐體32的表面上形成感光性樹脂層13。 然后如圖4 (b)所示，在該感光性金屬層13的表面上配置形成有所需 形態(tài)的掩模16,并通過進行曝光'顯影從而形成感光性樹脂層13的固 化體層13a。接著，如圖4 (c)所示，以該固化體層13a作為掩模材料 對支撐體32進行蝕刻，從而形成凸狀布線圖32a、 32b、 32c、 32d。如圖4(c)所示，凸狀布線圖32a,其底部與凹狀布線圖46a 相連接，并且，凸狀布線圖32d，其底部與凹狀布線圖46a相連接，該 電路基板借助絕緣體層34,在表面及背面分別形成有獨立的凸狀布線 圖或者凹狀布線圖，同時這些布線圖通過貫穿絕緣體層34形成的凹狀 布線圖46a(導電孔)而電連接。另外，根據(jù)本發(fā)明，還可以制造多層層壓基板(增層電路基板)。例如，如圖3所示地在支撐體32的表面上形成固化性樹脂 固化體(絕緣體層)34,并在該絕緣體層34內(nèi)形成凹狀布線圖46a、 46b、 46c，在該絕緣體層的表面上形成未固化或者半固化的固化性樹 脂層之后，如圖5 (a)所示，按壓電路基板形成用鑄型10,使該鑄型 10上所形成的壓模圖形14a、 14b、 14c嵌入固化性樹脂層中。然后通 過從電路基板形成用鑄型10的透光性基底12 —側(cè)照射光，或者對固 化性樹脂進行加熱，而使固化性樹脂層固化。在該固化之際，與上述 內(nèi)容同樣地，也可以在對固化性樹脂進行加熱的同時進行光照射。在如上所述地使固化性樹脂層固化之后，通過將電3各基板形 成用鑄型IO撤去，如圖5 (b)所示，形成由固化性樹脂固化體構(gòu)成的 絕緣體層34a。在該絕緣體層34a上形成有，與電路基板形成用鑄型 IO上所形成的壓才莫圖形的形狀相對應形狀的空隙24d、 24e、 24f、 24g。 在如上所述形成的空隙24d、 24e、 24f、 24g中，空隙24d、 24e為最深 的空隙，而在空隙24d和形成于該空隙24d下部的布線圖46a之間、 以及空隙24e和形成于該空隙24e下部的布線圖46c之間有殘留層25, 上述空隙24d以及空隙24e,未到達位于其下部的布線圖46a以及布線 圖46c。接著，如圖5(c)所示，進行除污處理，將殘留層25去除， 從而使空隙24d、空隙24e與位于其下部的布線圖46a、布線圖46c相 連通，同時將附著在與空隙24d、 24e、 24f、 24g相接的絕緣體層壁面 等上的殘渣去除。在進行了上述除污處理之后，與圖3 (e)所示的同樣地，在 空隙24d、 24e、 24f、 24g內(nèi)以及絕緣體層34a的表面上淀積導電性金 屬。然后，通過研磨淀積在絕緣體層34a表面上的導電性金屬以使絕 緣體層34a的表面露出，從而如圖5 (d)所示，可以使各凹狀布線圖 55d、 55e、 55f、 55g在寬度方向上獨立。另一方面，凹狀布線圖55d 和形成于其下面的電^各基板的凹狀布線圖46a電連H另外，凹狀布 線圖55e和形成于其下面的凹狀布線圖46c電連接，凹狀布線圖55d 以及凹狀布線圖55e形成為，將該層的表面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)壬系牟季€圖進 行電連接的導電孔。從而，通過反復進行上述工序，可以制造多層層疊的多層層 壓電路基板。如上所述，若使用本發(fā)明的電路基板形成用鑄型，則可以在 絕緣體層34a上形成凹狀布線圖55d、 55e、 55f、 55g的同時，使形成 在絕緣體層34a上的凹狀布線圖，和形成在該布線圖下部的絕緣體層 34上的布線圖，在厚度方向上進行連接，而且如上所述可以任意地設 定在厚度方向?qū)紶畈季€圖進行連接的導電孔的形成位置。進一步， 在該導電孔內(nèi)填充有與形成布線圖的導電性金屬相同的金屬，使厚度 方向的導通可靠性明顯提高的同時，也無需向?qū)щ娍變?nèi)填充導電性金 屬以外的其他物質(zhì)。其中，圖5中絕緣體層34形成在支撐體32之上，并在層疊 電路基板之際直接使用該支撐體32,但當使用導電性金屬作為該支撐 體32時，也可以如圖4所示，蝕刻該支撐體32而形成凸狀布線圖。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以在層疊多層層壓電路基板之際 同時形成凹狀布線圖和導電孔。而且，由于在如上形成的導電孔內(nèi)不 含有除形成凹狀布線圖的導電性金屬之外的物質(zhì)，因此不會使該導電 孔內(nèi)的電阻值變高。上述實施例是同時形成導電孔和凹狀布線圖的示例，但根據(jù) 本發(fā)明也可以在絕緣體層上僅形成導電孔。例如，如圖6(a) ~ (d)所示，形成具有導電孔形成用壓 模圖形14的鑄型10。即，如圖6 (a)所示，在支撐基底12的表面上 形成金屬層11,再在該金屬層11的表面上形成感光性樹脂層13,通 過在感光性樹脂層13的表面上配置掩模16并對感光性樹脂層13進行 曝光'顯影，而形成由感光性樹脂固化體構(gòu)成的圖形13a(參照圖6(b))。接著，如圖6(c)所示，通過以圖形13a為掩模材料對金屬 層11進行蝕刻，從而形成壓模圖形14。如此通過蝕刻形成的壓模圖形 14,其上表面被作為掩模材料的圖形13a所保護，由該圖形13保護的 金屬層11上表面的截面寬度與圖形13a的截面寬度略相同，但由于金 屬性壓模圖形14是通過以圖形13a為掩模材料對金屬層11進行獨刻 而形成的，因此所形成的壓模圖形14越靠近支撐基底12其截面寬度 逐漸變大。圖6 (d)中表示了例如通過堿清洗等將作為掩模材料的圖 形13a去除后的鑄型10，在該鑄型IO上所形成的壓模圖形14,其支 撐基底12—側(cè)的截面寬度14bt大于壓模圖形14頂部14tp而形成的截 面形狀具有梯形的形狀。圖6(e)表示的狀態(tài)是，向形成于支撐體32表面的未固化 或者半固化的固化性樹脂層33中，嵌入如上所述形成的^^型10，從而 在未固化或者半固化的固化性樹脂層33上轉(zhuǎn)印了形成于鑄型10上的 壓模圖形14的形態(tài)。在如上所述地將壓模圖形14嵌入到固化性樹脂 層33之后，通過加熱或者光照射使固化性樹脂層33固化，從而形成 固化性樹脂固化體34。如此形成的固化性樹脂固化體34成為該電路基 板的絕緣體層34。
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說明書第37/64頁在如上所述地使固化性樹脂層34固化之后，通過撤去鑄型 10，而如圖6 (f)所示，在絕緣體層34上形成了與壓模圖形14相對 應形態(tài)的空隙24。如上形成的空隙24,為了防止金屬壓模圖形14的前端部發(fā) 生缺損，而使固化性樹脂層的厚度稍厚于壓模圖形14的高度， 一般情 況下在空隙24的底部都殘存有殘留層25,而為了形成導電孔時，則需 去除殘留層25。在本發(fā)明中，為去除上述殘留層25,進一步將殘存在空隙 24內(nèi)壁等上的殘渣(smear )去除，而進行除污處理。通過如上所述進行除污處理，如圖6(g)所示，空隙25貫 穿絕緣體層34, —直到達位于絕緣體層34下部的支撐體。在如上形成貫穿孔之后，如圖6(h)所示，通過在包括貫 穿孔在內(nèi)的絕緣體層表面上淀積導電性金屬45,而向貫穿孔內(nèi)填充導 電性金屬的同時，在未形成貫穿孔的絕緣體層34的表面上也形成導電 性金屬45的淀積層41。通過研磨如上形成的導電性金屬的淀積層41至絕緣體層34 露出，而可以去除絕緣體層34表面的導電性金屬的淀積層41,形成導 電孔46。如上所述形成的導電孔46是向空隙24填充導電性金屬而形 成的，其作為用于確保絕緣體層34的表面及背面電連接的導電孔，具 有非常高的可靠性。
而且如上形成的導電孔可以在絕緣體層34的任意位置上形
成，并且也可以使電路基板表面上的導電孔形成面積變小。進一步， 根據(jù)該方法，則導電孔的橫截面形狀無需限定為圓形或者略圓形等現(xiàn) 有技術中的導電孔所采用的形態(tài)，例如也可以形成帶狀的導電孔等。在如上所述形成導電孔46之后，可以通過在絕緣體層34的 表面上形成導電性金屬層，在該導電性金屬層上進一步形成感光性樹 脂層，并對該感光性樹脂層進行曝光 顯影，再進行選擇性蝕刻而形 成凸狀布線圖。另外，也可以直接在絕緣體層34表面上形成感光性樹 脂層，對該感光性樹脂層進行曝光.顯影而形成所需圖形，并以所形 成的圖形為掩模材料重新淀積導電性金屬，從而形成布線圖。再有， 還可以代替上述說明中的對如6 (h)中形成的金屬層進行研磨至使絕 緣體層34露出，而在該導電性金屬的淀積層表面上形成感光性樹脂層， 對該感光性樹脂進行曝光.顯影從而形成由感光性樹脂固化體構(gòu)成的 所需圖形，再以該圖形為掩模材料對導電性金屬的淀積層進行選擇性 蝕刻，從而形成布線圖。另外，當使用導電性金屬作為位于絕緣體層34背面?zhèn)鹊闹?撐體32時，與圖4所示的同樣地，在由該導電性金屬構(gòu)成的支撐體32 的表面上形成感光性樹脂層，通過對該感光性樹脂層進行曝光.顯影 而形成所需圖形，再以如此形成的圖形為掩模材料對由導電性金屬構(gòu) 成的支撐體32進行選擇性蝕刻，進而可以在絕緣體層34的背面一側(cè) 也形成布線圖。如上所述獲得的在雙面形成有布線圖的雙面基板，可以直接 作為電路基板使用，并且也可以作為形成上述多層層壓電路基板之際
的電路基板使用，在該雙面電路基板的表面上進一步層疊多層的電路基板。在本發(fā)明中使用的電路基板形成用鑄型由支撐基底、和通過 對層疊在該支撐基底表面的金屬層進行選4奪性蝕刻而形成的壓模圖形 構(gòu)成，由于金屬蝕刻的特性，所形成的壓模圖形的頂部截面寬度必定 小于支撐基底側(cè)的壓模圖形的截面寬度。因此，在本發(fā)明中，可在將 上述電路基板形成用鑄型嵌入未固化的固化性樹脂層中，并使該固化 性樹脂固化，從而將該固化性樹脂轉(zhuǎn)變?yōu)榻^緣體層之后，在將該電路 基板形成用鑄型和絕緣體層進行脫模分離之際，能夠容易地將電路基 板形成用鑄型和絕緣體層分離。尤其是，壓模圖形是通過蝕刻而形成 的，因此其截面形狀形成為朝向頂部截面寬度逐漸變窄的梯形，再有， 由于固化性樹脂在進行固化之際稍稍進行固化收縮，因此使脫模變得 非常容易。另夕卜，通過使用本發(fā)明的電路基板形成用鑄型，可以在絕緣 體層上同時形成凹狀布線圖和貫穿該絕緣體層的導電孔。而且，由于 如上所形成的凹狀布線圖的形成金屬和導電孔的形成金屬相同，因此 在所形成的凹狀布線圖和導電孔之間不會發(fā)生電特性變動。另外，通過使用本發(fā)明的電路基板形成用鑄型，通過改變形 成該鑄型之際的蝕刻狀態(tài)，而可以改變所形成的壓才莫圖形的高度。因 此，可以通過形成在絕緣體層上的布線圖的深度，來調(diào)整對布線圖的 電阻產(chǎn)生影響的布線圖的截面積。在現(xiàn)有^f支術的、通過對形成于絕緣 薄膜表面的導電性金屬層進行選擇性地蝕刻而形成的電路基板中，由 于電阻會變高因而將其布線圖的寬度制成細于35 m m是非常困難的， 但通過使用本發(fā)明的電路基板形成用鑄型形成電路基板，則即使線寬低于35|am，也可以通過將布線圖向絕緣體層的深度方向較深地形成 而使布線圖的截面積保持在一定值以上，因此可以使布線圖進一步細
線徑化。接著，本發(fā)明對與上述不同的新的電路基板的制造方法以及 利用該方法獲得的電路基板進行詳細的說明。圖9、圖10為制造本發(fā)明的電路基板時的各工序中的基板 截面的模式圖。圖9 ( a)中，在本發(fā)明中所使用的有機絕緣性基底材料用附 圖標記110表示。該有機絕緣性基底材料110可以由具有電絕緣性的 有機材料形成。另外，該有機絕緣性基底材料110例如可以使用液晶 聚合物、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、固化或者未固化的層壓糊劑。這里， 作為層壓糊劑例如可以列舉巴川制紙所制造的X糊。該有機絕緣性基底材料IIO通常具有撓性。例如環(huán)氧樹脂、 聚酰亞胺樹脂、固化后的層壓糊等大多為硬質(zhì)，當使用這些硬質(zhì)的樹 脂時，例如可以通過使用環(huán)氧樹脂固化前體、聚酰胺酸、未固化的層 壓糊劑等，在使用精密壓模之際，在軟質(zhì)的狀態(tài)下使用其，而在后序 工序中在進行加熱或者曝光之際將其固化。在將上述樹脂固化的同時 使用有機絕緣性基底材料110之際，可以使用支撐體以涂布固化前的 樹脂。圖9 (a)中，支撐體用附圖標記111表示。該支撐體111是在 形成有機絕緣性基底材料110的中間工序中用于支撐有^/L絕緣性基底 材料110的，因而不需要非有絕緣性。作為該支撐體111例如可以使 用電解銅箔、鋁箔等金屬箔以及合成樹脂薄膜等。該支撐體111是用 于保持固化未完成等形態(tài)未固定的有機絕緣性基底材料110的形態(tài)的，
因而在有機絕緣性基底材料110的形態(tài)固定之后可以將其剝離去除， 另外也可以留著該支撐體111而形成為有機絕緣性基底材料110的一 部分。因此，本發(fā)明中所使用的有機絕緣性基底材料110，只要其 利用壓模形成有凹部的層具有如上所述的絕緣性且具有撓性即可，可 以是單層結(jié)構(gòu)也可以是多層結(jié)構(gòu)。上述有機絕緣性基底材料110的厚度只要具有利用壓?？?形成凹部的厚度即可，由于所形成的凹部的深度通常為5~30Mm,因 而有機絕緣性基底材料110的形成凹部部分的厚度大于等于該凹部深 度即可，當使用單層的有機絕緣性基底材料110時，有機絕緣性基底 材料110的厚度通常為12.5 ~ 75 M m，另外當使用多層結(jié)構(gòu)的有機絕緣 性基底材料110時，形成有凹部的表層的厚度通常為12.5~50|am。在本發(fā)明中，在上述有機絕緣性基底材料110的一個面上形 成金屬薄膜112。這里形成的金屬薄膜112,由厚度通常在0.1 ~ 1 jum,優(yōu)選 在0.2 ~ 0.8 m m范圍內(nèi)的延展性良好的金屬形成。通過形成上述厚度的 金屬薄膜，即使對壓模進行加壓也不易在金屬薄膜上產(chǎn)生裂縫等缺陷。 對于金屬薄膜112，從防止壓模按壓時的斷裂的觀點考慮，優(yōu)選其伸長 率e在0.07以上，進一步優(yōu)選伸長率e在0.2以上。雖然對伸長率e 的上限值沒有特殊的限制，但從經(jīng)驗上該上限值為0.5左右。通過使用 具有如上伸長率e的金屬薄膜，使裂縫等缺陷不易發(fā)生。這里，金屬 薄膜的伸長率e,是在常溫下將規(guī)定長度的金屬薄膜延伸至斷裂時的延 伸長度除以原金屬薄膜的長度之后的值，例如若以將10mm的金屬薄
膜延伸至13mm時斷裂的情況為例進行說明，則(13mm-10mm)/10mm =0.3,該"0.3 (無次方)"即為該金屬薄膜的伸長率e。在本發(fā)明中，具有上述特性的金屬薄膜例如可以使用如下記 載的方法形成。第一種方法是通過上述有機絕緣性基底材料110的非電解 鍍銅形成延展性良好的金屬薄膜的方法。在該方法中，為了在上述有機絕緣性基底材料IIO表面使銅 容易淀積，而優(yōu)選在施加了活性化處理之后再進行非電解鍍銅。作為 該活性化處理，尤其優(yōu)選吸附催化劑的方法，以上述有機絕緣性基底 材料110表面通過非電解鍍銅而使銅容易淀積。對于上述催化劑的吸 附，是先對形成有機絕緣性基底材料的樹脂表面進行膨潤，然后利用 高錳酸鉀等氧化劑對該表面進行處理，從而將表層氧化去除。在對該 表面進行中和處理之后，再使用例如室町亍々/又(株)制的MK-140的 調(diào)節(jié)器(conditioner)進行處理。通過進行如上的處理，可以對有機絕 緣性基底材料的表面賦予可吸附催化劑的活性。在如上所述對有機絕 緣性基底材料的表面進行催化劑吸附活性化處理之后，使用含有例如 過硫酸鉀等蝕刻劑的微蝕液進行顯微浸蝕以去除表面的氧化物，然后 使用硫酸水溶液對可能會殘留在有機絕緣性基底材料表面的過硫酸鉀 殘渣進行去除。如上所述地在經(jīng)過表面調(diào)整后的有機絕緣性基底材料上，吸 附例如Pd-Sn催化劑等的金屬淀積用催化劑。關于該Pd-Sn催化劑的 吸附，只需將有機絕緣性基底材料浸泡于含有催化劑的溶液中即可。 此時，可以將有機絕緣性基底材料一下子浸泡于含有Pd-Sn催化劑的
溶液中，也可以另外準備含有Pd-Sn催化劑的預浸液，將有機絕緣性 基底材料先由該預浸液浸泡之后，再浸泡到含有Pd-Sn催化劑的溶液 中，由此使含有Pd-Sn催化劑的溶液不易發(fā)生液劣化。如上所述，通過浸入含有Pd-Sn催化劑的溶液中，4吏Pd-Sn 催化劑吸入在有機絕緣性基底材料的表面上。將如上地吸附有Pd-Sn催化劑的有機絕緣性基底材料取出， 并經(jīng)過水洗而能夠使吸附在有機絕緣性基底材料表面的Sn基本上去 除，而Pd成為吸附在表面上的狀態(tài)。為了進一步提高吸附有上述Pd 的有機絕緣性基底材料表面上的催化劑活性，例如在使用室町亍々乂 X(株)制的KM-370等硫酸類藥物進行處理之后，通過非電解鍍銅形成 銅層。如上所述吸附有Pd的有機絕緣性基底材料的表面，對于非 電解鍍銅表現(xiàn)出較高的活性，可以從非電解鍍銅液中高效地淀積出銅， 而由如此淀積出的銅構(gòu)成的非電解鍍銅層具有良好的延展性。第二種方法是，在上述有機絕緣性基底材料10上層疊例如 厚度為5 10Mm左右的銅箔之后，對經(jīng)過加熱處理后的退火銅箔進行 半蝕刻至厚度通常為0.1~ljum、優(yōu)選為0.08 ~ 0.5 的方法。通過 對欲在此所使用的銅箔進行退火處理，使銅箔的良好延展性進一步提 高。在該方法中，在將銅箔層疊到上述有機絕緣性基底材料10的表面 上之后，再加熱進行熱處理。加熱處理溫度優(yōu)選設定為使銅箔的伸長 率e成為0.35以上(35%以上)，具體地說，該退火處理的溫度通常設 定為180 25(TC范圍內(nèi)的溫度。將如上所述經(jīng)過層疊并進行了退火處理后的銅箔半蝕刻至
規(guī)定的厚度。這里所使用的半蝕刻液可以使用一般的蝕刻液，可通過 調(diào)整蝕刻時間來調(diào)整殘留銅箔厚度。通常壓延銅箔的延展性比電解銅 箔優(yōu)良，因此這里優(yōu)選使用壓延銅箔。第三種方法是，通過在上述有機絕緣性基底材料上濺鍍厚度 為0.1 ~ 1 nm的銅，從而形成延展性良好的金屬薄膜的方法。即，在該方法中，使用濺鍍裝置向有機絕緣性基底材料的表 面進行銅的濺鍍，從而形成規(guī)定厚度的賊鍍銅層。如此形成的賊鍍銅 層具有良好的延展性。第四種方法是在如上所述形成的濺鍍銅層的表面上形成鍍 鋅層之后，再進行退火處理從而獲得金屬薄膜。如上在濺鍍銅層的表 面形成鍍鋅層，再通過在通常160 280。C范圍內(nèi)的溫度下對如上獲得 的銅層和鍍鋅層的層壓體進行加熱，從而使形成各自的層的銅以及鋅 相互進行擴散形成合金層。該合金層的厚度如上所述通常為0.1-1 m m, 4尤選為0.2~0.8Mm。當采用上述方法時，濺鍍銅層的厚度通常為0.07 ~ 0.7 jum、 優(yōu)選為0.14 ~ 0.56 Mm,鍍鋅層的厚度通常為0.03 ~ 0.3 |am、優(yōu)選為 0.06 ~ 0.24 jam。并且，濺鍍銅層的厚度和鍍鋅層的厚度之比(Cu:Zn) 設定為通常在8:2 6:4范圍內(nèi)，優(yōu)選在7.5:2.5 ~ 6.5:3.5范圍內(nèi)。這樣
的厚度比，即合金層中具有如上銅和鋅的比率的金屬薄膜具有非常好 的延展性，非常不易產(chǎn)生裂縫等缺陷。第五種方法是在上述有機絕緣性基底材料的表面上形成 Zn-Al系超塑性合金的方法。這里使用的Zn-Al系超塑性合金具有非常
優(yōu)良的延展性，此類Zn-Al系超塑性合金例如可以使用濺鍍裝置形成 濺鍍合金層。該Zn-Al系超塑性合金層的厚度如上所述通常為0.1-1 Mm,優(yōu)選為0.2 ~ 0.8 ju m。再有，并不局限于如上的Zn-Al系超塑性合金，例如可通過 使用Fe-Cr-Ni系合金、Ti-Al-V系合金、Al-Mg系合金等超塑性合金， 與上述Zn-Al系超塑性合金時同樣地形成超塑性合金層，從而形成具 有和由Zn-Al系超塑性合金形成的超塑性合金層同等良好延展性的金
屬薄膜。進一步，在本發(fā)明中，除了上述方法之外，當然也可以采用 可形成具有和通過上述方法形成的延展性良好的金屬薄膜同等特性的 金屬薄膜的其他方法。例如，在采用聚酰亞胺作為有機絕緣性基底材 料時，適用直接敷金屬法。圖9(b)中表示了在上述有機絕緣性基底材料110的表面 形成有如上所述形成的延展性良好的金屬薄膜112的基板的截面。其 中，在圖9 (b)中省略了關于圖9(a)中所示的支撐體111的記載。 該支撐體111為任意的層，即使在配置該支撐體111的情況下，也可以 在有機絕緣性基底材料111具有了自身形態(tài)保持性之后的任意時刻將 其剝離去除，因此在以下附圖中也和圖9 (b)同樣地省略其記載。在本發(fā)明的電路基板的制造方法中，如圖9(c)所示，將精 密壓模130與如上所述形成于有機絕緣性基底材料110表面上的延展 性良好的金屬薄膜112相抵接并進行加壓，從而在具有延展性的金屬 薄膜112上形成凹部。本發(fā)明中所使用的精密壓模130,通常如圖11所示具有， 形成該精密壓模的壓?；?31、和形成于該壓?；?31表面上的壓 模圖形133。另外，該精密壓模130還可以具有加熱裝置(未圖示)。壓模基底131是用于保持形成在精密壓模130上的壓模圖形 133的，通常由金屬、樹脂板等硬質(zhì)材料，或者樹脂薄膜、樹脂片等具 有撓性的軟質(zhì)材料形成。在本發(fā)明所使用的精密壓模130中，在上述壓?；?31的 表面上形成有壓模圖形。該壓模圖形可以通過以下方法形成，即，在壓?；?31表 面上選擇性淀積金屬而形成的方法，或者通過在壓?；?31的表面 上形成圖形，并以該圖形為掩膜材料進行選擇性蝕刻從而形成壓模圖 形的方法。例如，可以在壓?；?31的表面上形成感光性樹脂層，通 過對該感光性樹脂層進行曝光 顯影而形成所需圖形，再通過以該圖 形為掩膜材料進行鍍層處理，使金屬淀積從而形成壓模圖形。在該方 法中，在對感光性樹脂層進行曝光 顯影之際，使欲形成布線圖的部 分能夠開口地對感光性樹脂進行曝光顯影。然后，通過以由如上所述 形成的感光性樹脂固化體構(gòu)成的圖形為掩膜材料并進行鍍層處理，由 淀積出的金屬形成壓模圖形之后，將由感光性樹脂固化體構(gòu)成的掩膜 材料去除，從而形成壓模圖形。該壓模圖形由如上通過鍍層處理淀積 出的金屬形成。這里，作為形成壓模圖形133的金屬的示例，可以列 舉的有鎳、銅、鉻、錫、鋅、銀、金等可通過鍍層處理淀積的金屬。 可以通過至少進行一次如上所述的選擇性鍍層處理工序來形成壓模圖
形133，而在欲形成高度不同的壓模圖形時，可以通過進行兩次以上的 上述選擇性鍍層處理工序，根據(jù)鍍層處理的次數(shù)而形成高度不同的壓
模圖形。另夕卜，例如使用可蝕刻處理的金屬形成壓模圖形時，在銅、 鐵、鎳等金屬表面上形成感光性樹脂層，通過對該感光性樹脂層進行 曝光 顯影而形成由感光性樹脂構(gòu)成的掩膜材料，并通過使用該掩膜 材料對金屬進行蝕刻，從而形成壓模圖形。在該方法中，由于是通過 對金屬進行蝕刻而形成壓模圖形，因此由感光性樹脂固化體構(gòu)成的掩 膜材料的形狀，是與欲形成的壓模圖形幾乎相同的形狀。該方法中所 使用的蝕刻劑可以根據(jù)被蝕刻金屬的種類而進行適當選擇。通過進行至少一次上述蝕刻處理，可以形成金屬制的壓模圖 形。另外，當形成高度不同的壓模圖形時，則進行兩次以上上述蝕刻處理。另外，在本發(fā)明中，壓模圖形也可以通過在按照上述記載的 方法對金屬進行蝕刻形成規(guī)定的圖形之后，再在該圖形的表面上形成 鍍層方法進行制造。如上所述形成的壓模圖形133，根據(jù)壓?？梢孕纬蔀槭股鲜?延展性良好的金屬薄膜上不形成裂縫的高度。該壓模圖形133的高度 通常為l~40|im、優(yōu)選為5~30|am。即使以如此高度的圖形形成壓 模，也不易在具有良好延展性的金屬薄膜上產(chǎn)生裂縫等缺陷，而且在 后續(xù)的研磨工序中進行研磨之際形成的布線圖也不易發(fā)生斷線。如上所述形成的壓模圖形的截面形狀可以做成矩形形狀、梯 形形狀、三角形形狀等各種形狀。在本發(fā)明中，如圖9 (d)所示，將上述精密壓模130與金 屬薄膜112相抵接并進行加壓，從而在具有良好延展性的金屬薄膜112 上形成，自延展性好的金屬薄膜112 —側(cè)朝向有機絕緣性基底材料110 的深部的，并與上述壓模圖形133相對應的形態(tài)的凹部120。即，如圖9 (d)所示，在延展性好的金屬薄膜112上配置 精密壓模130，并使延展性金屬薄膜112進行延展的同時，朝向其下部 的有機絕緣性基底材料110壓入壓模圖形133，從而形成與壓模圖形 133的形狀相對應的凹部120。通過如上所述地壓入壓才莫圖形133,使 金屬薄膜112進行延展的同時嵌入有機絕緣性基底材料110中，但由 于該金屬薄膜112如上所述具有良好的延展性，因此不易產(chǎn)生裂縫等 缺陷，所形成的凹部120的內(nèi)壁面由延展的金屬薄膜所覆蓋。在如上所述利用精密壓模130形成凹部120之際，當金屬薄 膜112形成為電路時，若將該電路表面的線寬設為d、深度設為h、金 屬薄膜至斷裂的伸長率設為e時，則金屬薄膜優(yōu)選具有如下公式(1 ) 所示的關系。(公式1 )
<formula>formula see original document page 59</formula>通過如上所述地使延展性良好的金屬薄膜112的伸長率e、 所形成的電路表面的線寬d ( jam)以及深度h ( |am)滿足上述公式 (l)所示的關系，從而能夠良好地形成布線圖。在本發(fā)明中，施加到精密壓模130上的壓力，根據(jù)有機絕緣 性基底材料110的種類的不同而有所不同，但通常設定在0.1 ~ 20kg/mm2,優(yōu)選在0.2 ~ 10kg/mm2范圍內(nèi)。上述加壓在加熱的情況下
也可以進行。此時的加熱溫度設定為通常100~300°C，優(yōu)選150-200 。C范圍內(nèi)的溫度。通過上述在加熱的情況下進行加壓，可使形成在精 密壓模130上的壓模圖形133向有機絕緣性基底材料110中的嵌入變 得容易，并且通過加熱可使形成有機絕緣性基底材料110的樹脂的固 化反應能夠快速地進行。因此，通過上述在加熱的情況下進行加壓， 從而使有機絕緣性基底材料110的形態(tài)固定。上述條件下的精密壓模130的壓入時間通常為0.2 ~ 60分 鐘，優(yōu)選為0.3~30分鐘。在如上所述地將精密壓模130壓入完成后，將該精密壓模 130抬起從而撤去。如上所述形成凹部120之后，通過鍍層處理在金屬薄膜112 上形成厚度大于凹部120深度的金屬鍍層122。在本發(fā)明中，該金屬鍍層122優(yōu)選通過電鍍形成。通過在有 機絕緣性基底材料110的表面上設置金屬薄膜112，而可以使該工序中 的電鍍能夠順利地進行。如圖9(e)所示，在本發(fā)明中，優(yōu)選通過電鍍形成厚度大于 凹部120深度的金屬鍍層122。即，在上述工序中所形成的凹部120的 深度成為與壓才莫圖形133的通常1 40jam、優(yōu)選5 ~ 30 ju m的高度相 對應的深度，而該電鍍層通常形成為相對于該凹部120的深度h通常 為101~200%的厚度，優(yōu)選為110~150%的厚度。通過將電鍍層相對 于凹部深度的厚度控制在上述范圍內(nèi)，從而可以使凹部內(nèi)完全由淀積 出的金屬所填埋。通過形成上述厚度的電鍍層，可以-使凹部120由淀積金屬完 全填埋的同時，未形成凹部120部分的金屬薄膜12的表面也被電鍍層
所覆蓋。這里，電鍍層122優(yōu)選為銅的電鍍層。在該電鍍中所使用的 鍍液的銅濃度通常在5 30g/升、優(yōu)選8 25g/升的范圍內(nèi)，使用該鍍 液時的電流密度通常為0.5 ~ 8A/dm2、優(yōu)選為l 6A/dm2，鍍液的溫度 設定為通常19~28°C、優(yōu)選21-26。C范圍內(nèi)的溫度。在上述條件下，電鍍時間通常為1~10分鐘，優(yōu)選為2~8分鐘。在本發(fā)明中，如上所述通過電鍍形成金屬鍍層122之后，如 圖9 (f)、圖10 (g)所示，研磨金屬鍍層122至從該金屬鍍層122表 面露出有機絕緣性基底材料110，從而在有機絕緣性基底材料110上形 成凹部120被鍍層金屬124所填充的布線圖126。即，在該研磨工序中，使用研磨工具135從金屬鍍層的表面 將該金屬鍍層122研磨去除，接著對有機絕緣性基底材料110表面的 金屬薄膜112也進行研磨去除。因此，通過上述研磨，如圖10(h)所 示，從有機絕緣性基底材料110的表面將金屬薄膜112去除，從而使 有機絕緣性基底材料110露出。另一方面，由于凹部120埋入在有機 絕緣性基底材料110中，因此填充在該凹部120中的鍍層金屬124以 及其下面的延展性金屬薄膜112不會被研磨，從而形成埋設在有機絕 緣性基底材料110中的布線圖126。最初使用#200~#320號的電刷進 行粗研磨至露出有機絕緣性基底材料110的表面，接著再用#600 ~ #800 號的拋光輪平整表面。精拋光工序中，可以釆用化學研磨和物理研磨兩種方法，但
由于物理研磨的工序簡單因而優(yōu)選。采用物理研磨時，作為研磨工具
235,除了可以使用一般的研磨刷、拋光輪之外，還可以使用含有磨粒 的研磨劑組合物。作為在這里可使用的研磨刷、拋光輪，可以列舉的 是粗糙度在#1500號以上，優(yōu)選在#2500號以上的研磨刷、拋光輪。另外，當使用研磨劑組合物時，可以使用含有磨粒平均粒子 直徑為1 nm以下、優(yōu)選為0.3 Mm以下的鋁礬土磨粒的組合物。優(yōu)選 使用如上所述不同粗糙度的研磨工具135依次進行研磨。通過依次使 用上述研磨工具135，可以有效地進行研磨的同時，不會進行過度的研 磨，因此所形成的布線圖不會受到損傷。上述粗研磨優(yōu)選進行到有機絕緣性基底材料110的表面基 本露出為止。如上地進行粗研磨之后，進行拋光精研磨，從而將銅圖 形表面平滑地整形。如上所述通過進行拋光，將殘留在有機絕緣性基底材料110 表面的金屬鍍層122以及金屬薄膜112去除，從而能夠形成埋入有機 絕緣性基底材料110中并多個形成的布線圖126。在如此形成的布線圖 之間，僅存在有機絕緣性基底材料110，所形成的多個布線圖126成為 和鄰4妾的布線圖126不通電地獨立的狀態(tài)。另外，上述通過進行研磨所形成的布線圖126的上端部127 與有機絕緣性基底材料110的表面成為同一個面。如上所述所形成的由延展性好的鍍層金屬以及金屬薄膜構(gòu) 成的布線圖126，其上端部127形成在與有機絕緣性基底材料的表面同 一個面上并露出，但布線圖的其他部分則埋入在有機絕緣性基底材料
內(nèi)而形成。在使用該電路基板時，將形成在與有機絕緣性基底材料的
表面同一個面上的布線圖126的上端部127作為連接部使用，而該形
態(tài)的電路基板中不會發(fā)生焊料流動。如上所述通過進行研磨獲得的電路基板，可以直接使用，但 優(yōu)選進一步利用與形成布線圖126的金屬不同的金屬，對在有機絕緣 性基底材料110的表面上露出的布線圖126的上端部127進行鍍層處理。作為構(gòu)成在此通過鍍層處理所形成的層的不同金屬，優(yōu)選使 用可提高在后續(xù)工序中所使用的焊料的潤濕性的金屬。在本發(fā)明中，當通過電鍍使銅淀積出從而制造布線圖126 時，可以對布線圖126的上端部127施加鍍錫、鍍金、鍍鎳、鍍金-鎳、 鍍焊料、鍍無鉛焊料等。尤其是在本發(fā)明中，為了同時保證焊料潤濕 性和防蝕效果而優(yōu)選進行鍍錫或者鍍金。圖10(i)中表示了如上經(jīng)過鍍層處理后的本發(fā)明的電路基 板，其中鍍層以附圖標記128表示。例如，進行鍍錫時，鍍錫層的厚度通常在0.1-0.7 Mm,優(yōu) 選在0.2 0.5Mm范圍內(nèi)。上述鍍錫層優(yōu)選通過非電解鍍錫或者電鍍錫形成。作為在這 里可使用的非電解鍍錫液，可以使用通常所使用的鍍錫液，在該鍍錫 液中，錫濃度通常為15 35g/升，優(yōu)選為19 29g/升。若如上所述形成的金屬鍍層128為如鍍金層或者鍍錫層，并 且通過電鍍形成該鍍層時，則如圖10 (i)所示，其從有機絕緣性基底
材料110的表面突出而形成。為了維持表面的平滑度優(yōu)選使所形成的
鍍層的厚度在0.5nm以下。另外，若通過非電解鍍錫形成上述鍍錫層 時，則如圖10 (j)所示，在該非電解鍍錫之際，布線圖126表面的銅 與錫進行取代從而形成非電解鍍錫層129,該非電解鍍錫層129的上表 面形成在和有機絕緣性基底材料110的表面同一個面上。如上所述金 屬鍍層優(yōu)選通過取代型非電解鍍形成。如上所述形成的本發(fā)明的電路基板，在形成于有機絕緣性基 底材料110中的凹部120的表面上，隔著金屬薄膜112填充有鍍層金 屬124,從而形成有布線圖126。進一步，優(yōu)選在如上形成的布線圖126的表面上，形成由和 填充在凹部120中的鍍層金屬124不同的金屬構(gòu)成的金屬鍍層128。本發(fā)明的電路基板，由于將布線圖126埋設在有^/L絕緣性基 底材料110的內(nèi)部，因此即使布線圖126的間隔非常微細，在鄰接的 布線圖126之間也不會形成短路。因此，在本發(fā)明的電路基板上，可 以較窄地形成布線圖126的節(jié)距寬度，在本發(fā)明中，若布線圖的節(jié)距 寬度在20jam以上就可以制造，尤其適用于制造布線圖的節(jié)距寬度為 30~ 300 nm的電路基板。進一步，本發(fā)明的電路基板中的布線圖的寬 度通常為5 ~ 150 nm,優(yōu)選為15~100nm。根據(jù)本發(fā)明的電路基板的制造方法，可以形成將布線圖埋入 有機絕緣性基底材料中的電路基板。即，在形成于有機絕緣性基底材 料110上的凹部120中，隔著延展性良好的金屬薄膜112而填充有鍍 層金屬，該布線圖126的上端部127形成在和有機絕緣性基底材料110 的表面同一個面上。上述布線圖126隔著延展性良好的金屬薄膜112
埋設在有機絕緣性基底材料110中，布線圖126凹陷形成在有機絕緣
性基底材料110中，因此有機絕緣性基底材料110和布線圖126的粘 合性高。進一步，通過如上所述將布線圖126形成在和有機絕緣性基 底材料110同一個面上，并通過將該布線圖126作為焊點的焊盤使用， 從而使焊點焊盤的面積變得均勻，使焊點高度不會出現(xiàn)不一致的現(xiàn)象。 進一步，若將上述布線圖作為焊點的焊盤使用，則由于該焊點焊盤上 不存在角落部分，因此焊接時不會形成空洞等，從而提高使用焊點的 電連接的可靠性。(實施例)
接著，通過本發(fā)明的實施例對本發(fā)明進行更詳細的說明，但本發(fā) 明并不局限于此。(電路基板形成用鑄型的調(diào)制)
對作為支撐基底的厚度5mm的玻璃基板的表面進行鋅酸鹽處理 (鋅處理)之后，通過非電解鍍形成厚度0.3nm的鎳層，再通過電鍍 形成厚度20 jam的銅層。然后在該銅層的表面上形成了干燥涂布厚度 為2 ja m的感光性樹脂層。再在該感光性樹脂層的表面上配置形成有規(guī) 定圖形的掩模，并通過曝光顯影，從而形成由感光性樹脂的固化體構(gòu) 成的線寬為20|am的抗蝕劑層。然后厚度方向上蝕刻銅層約1/2 (約 10jum)(第一蝕刻工序)。接著，利用堿水溶液對上述第一蝕刻工序中所使用的掩模材 料(=抗蝕劑層=感光性樹脂的固化體)進行去除之后，在銅層表面涂 布感光性樹脂并使其干燥涂布厚度為3ym。接著在如上形成的感光性
樹脂層的表面上配置形成有規(guī)定圖形的掩模，并通過曝光顯影，從而
形成由感光性樹脂的固化體構(gòu)成的線寬為10jum的第二抗蝕劑層。然 后在厚度方向上蝕刻銅層1/2 (約10pm)至露出玻璃基^反為止(第二 蝕刻工序)。如上完成了第二蝕刻工序之后，利用44清洗將抗蝕劑去除， 從而獲得本發(fā)明的電路基板形成用鑄型。如上獲得的電路基板形成用鑄型，在透光性基底的玻璃基板 的表面上直立設置有高度為10Mm的壓模圖形和高度為20nm的壓模 圖形。這些壓模圖形的頂部的截面寬度為5j^m,而玻璃基板側(cè)的壓模 圖形的截面寬度為8 Mm,所形成的壓模圖形的截面形狀為底邊8pm、 上邊5jum的梯形形狀。
(電路基板的制造)
在厚度12ym的電解銅箔的表面上涂布環(huán)氧類熱固化性樹脂，風 干后，在120。C下加熱5分鐘，從而制成具有半固化狀態(tài)樹脂層的覆樹 脂銅箔。如上形成的樹脂層的厚度為20jam。將上述覆樹脂銅箔配置到壓力機的下模上，在上模上配置上 述電路基板形成用鑄型，并將鑄型加熱到130°C。使上述壓力機的上模和下模接近，以使上述壓力機的電路基 板形成用鑄型上所形成的壓模圖形嵌入電路基板形成用鑄型的樹脂 層，從而將電路基板形成用鑄型的壓模圖形的凹凸嵌入到覆樹脂銅箔 的樹脂層中。此時，按壓電路基板形成用鑄型，使電路基板形成用鑄 型上所形成的壓模圖形中的最高的壓模圖形壓擠覆樹脂銅箔的樹脂，至幾乎到達銅箔的上表面為止，并在該狀態(tài)下以180。C的溫度保持45
分鐘，從而使覆樹脂銅箔表面的環(huán)氧樹脂固化。經(jīng)過45分鐘之后，將壓力機的上模抬起進行脫模。脫模時 在電路基板形成用鑄型上沒有樹脂的附著，容易地完成了電路基板形 成用鑄型的脫模。另外，在脫模后的覆樹脂銅箔的樹脂層上轉(zhuǎn)印了電 路基板形成用鑄型上所形成的壓模圖形，在該轉(zhuǎn)印的圖形上也未發(fā)生 缺陷等。另外，在鑄型上也未發(fā)生缺陷。對上述轉(zhuǎn)印了圖形的覆樹脂銅箔進行除污處理，將形成于最 深處的空隙的底部的樹脂殘渣進行了去除，以在該空隙的底部使銅箔 露出，同時對空隙內(nèi)的樹脂殘渣也進行了去除。接著，在形成有空隙的覆樹脂銅箔的樹脂層表面上淀積銅， 并在空隙內(nèi)填充銅。由于通過上述淀積銅，在樹脂層的表面上也淀積 了銅，因此對淀積在樹脂層表面的銅進行了研磨，至從淀積銅一側(cè)露 出樹脂層的表面為止。如上所述在覆樹脂銅箔的樹脂層側(cè)形成銅制的凹狀布線圖 之后，在覆樹脂銅箔的電解銅箔一側(cè)的表面上涂布感光性樹脂，通過 對如此形成的感光性樹脂進行曝光顯影，形成由感光性樹脂固化體構(gòu) 成的圖形，并通過以該圖形為掩模材料，利用蝕刻液對覆樹脂銅箔的 電解銅箔進行蝕刻，從而形成了凸狀布線圖。如上所述地形成了以環(huán)氧樹脂固化體作為絕緣體層，并且具 有自該絕緣體層的一個表面朝向深度方向凹陷形成為凹狀、且線寬為 10 jam的凹狀布線圖；和在該絕緣體層的另 一個表面上形成為凸狀的 凸狀布線圖的雙面印刷電路基板。形成于該電路基板的兩個表面上的
布線圖，通過填充在由電路基板形成用鑄型的20 jum高度的壓才莫圖形 形成的空隙(導電孔)中的銅而電連接。在作為支撐體的厚度12 jam的電解銅箔上，涂布了厚度為 20 |a m的玻璃遷移溫度Tg=180°C的環(huán)氧樹脂。將如上形成的環(huán)氧樹脂層進行膨潤，并使用氧化劑將其氧化 去除，在進行了中和處理之后，使用調(diào)節(jié)器進行污垢的去除以及催化 劑吸附活性化處理，并利用高錳酸鉀進行微蝕去除氧化物，再利用硫 酸將過硫酸殘渣去除。上述工序中的處理時間均分別為數(shù)分鐘。接著，為了保護催化劑液，在另外的Pd-Sn催化劑中進行預 浸處理之后，在上述環(huán)氧樹脂表面上附著Pd-Sn催化劑。在通過對如 上形成的催化劑層進行水洗而將Sn去除，進一步為了促進催化劑活性 而使用硫酸類藥物進行了處理之后，將該經(jīng)催化劑活性化的環(huán)氧樹脂 在非電解鍍銅液中處理15分鐘，從而形成厚度為0.4 Mm的覆銅膜。 在如此形成覆銅膜之后，進行水洗，從而形成在環(huán)氧樹脂層的表面上 具有厚度0.4jam的非電解鍍層的35mmx40mm的雙層基底材料(覆 電解銅箔支撐體)。其中，使用同樣的方法另外制作的雙層基底材料的 非電解鍍層的伸長率e為0.1。在該雙層基底材料的厚度0.4|am的非電解鍍層面上搭置 15mm x 15mm的鍍金精密壓模，該精密壓模上形成有布線高度為10 ju m、節(jié)距為180 jam (線寬100nm、間隔80 ja m )的梯形形狀的圖形， 然后使用脈沖加熱熱壓裝置(日本7tf才二々X社制造)，以3mm寬 的加熱工具在200g/mm2的壓力下，對上述鍍金精密壓才莫加熱按壓 160°C x 19.8秒，從而在雙層基底材料的0.4 jum非電解鍍銅層表面上 形成與鍍金精密壓模上所形成的凸部相對應的凹部。如上所述通過使用鍍金精密壓模，使得在鍍金精密壓模上所 形成的凸部作為雙層基底材料的壓印(凹部)而形成。壓印(凹部) 的深度h為10jam。即使通過如上形成壓印(凹部)，在非電解鍍銅層 上也未產(chǎn)生裂縫等。其中，通過如上所述的加熱條件下進行加壓，而 固化了環(huán)氧樹脂。接著，使用銅濃度為18g/升的通孔鍍層用硫酸銅鍍液，將電 流密度設定為4A/dm2,在強力攪拌、常溫下進行20分鐘銅電鍍，從而 形成了厚度為17pm (相對于凹部深度h為170%)的電鍍銅層。接著，對如上形成的電鍍銅層，使用#280號砂紙自表面進 行粗研磨之后，使用#600號砂紙進行修整，接著用#1500號拋光4侖進 行拋光精研磨，從而將形成在樹脂基板表面上的電鍍銅層去除，然后 再將位于電鍍銅層下面的非電解鍍銅層去除，從而露出環(huán)氧樹脂基板。通過如上將多余的電鍍銅層進行研磨去除，從而形成了在與 所使用的鍍金精密壓模上所形成的圖形對稱的凹部填充有銅電鍍金屬 的布線圖。如上形成的布線圖的節(jié)距寬度為180jum。使用非電解鍍錫液(LT-34、 口 一厶7 〉卜、八一X社制造)， 在70。C x2.5分鐘的條件下，對如上形成的布線圖進行非電解鍍錫，從 而以非電解鍍錫層將布線圖表面的平均厚度0.5 ju m的銅進行了置換。如上所述形成的布線圖中，由電解銅構(gòu)成的布線圖凹陷地形 成在樹脂基板中，而在其上面形成的非電解鍍錫層還是形成在與樹脂 基底材料的表面同一個面上。另外，在最初作為支撐體使用的電解銅
箔支撐體的一側(cè)，也成為附著有鍍銅和鍍錫的形態(tài)，獲得了與上述布 線圖不導通的雙金屬基板。在厚度為10jam的反射爐精煉銅壓延銅箔上層疊50|um的 液晶聚合物(對全芳香族聚酯樹脂進行了取向控制的聚合物)，在180 。C下退火處理1小時，然后對將伸長率提高到35%以上(0.35以上) 的35mm x 40mm的雙層層壓體的壓延銅箔層進行半蝕刻，以使其厚度 成為ljum。其中，所使用的壓延銅箔的伸長率e為0.12。另外，還準備了具有突起高度為5)am,節(jié)距為50pm(線
寬30jam、間隔20 Mm)的電路(矩形)的，15mm x 15mm、厚度為 0.2mm的硅制精密壓模。將該硅制精密壓模搭置在形成有如上調(diào)制的1 jum銅層的樹 脂基板的銅層表面上，使用脈沖加熱熱壓裝置(日本7tf才二々7社 制造)，用3mm寬的加熱工具(又一/《一< 社制造)，在200g/mm2 的壓力下，加熱加壓35CTC x 5秒鐘之后，在雙層基底材料上形成了深 度為5jum、寬度為30jam的布線漕。如上所述將硅制精密壓模在加熱的條件下進行按壓從而形 成了凹部，但在如上將厚度調(diào)整至1 |i m的延展性良好的壓延銅箔上并 未發(fā)生龜裂等。接著，撤去精密壓模，使用銅濃度為18g/升的通孔鍍層用硫 酸銅鍍液，在強力攪拌、電流密度為4A/dm2、常溫下進行15分鐘銅電 鍍，從而在整個表面上形成了厚度為13jam的電鍍銅層。
實施例2
接著，對如上形成的電鍍銅層，使用#280號砂、紙自表面進 行粗研磨之后，使用#600號砂紙進行修整，接著利用#1500號拋光輪 進行拋光精研磨，從而將形成在樹脂基板表面上的電鍍銅層以及1 ym 厚的銅箔層去除，使作為樹脂基板的液晶聚合物的表面露出。通過如上將多余的鍍層進行研磨去除，從而在與所使用的 硅制精密壓模上所形成的圖形對稱的凹部中填充銅電鍍金屬，形成布 線圖。如上形成的布線圖的節(jié)距寬度為50Mm。使用非電解鍍錫液(LT-34、 口一厶7〉卜、/、一7社制造)，
在70°C x 2.5分鐘的條件下，對如上所述形成的布線圖進行非電解鍍錫, 從而以非電解鍍錫層將布線圖表面的平均厚度0.5 |i m的銅進行了置換。如上所述形成的布線圖中，由電解銅構(gòu)成的布線圖凹陷地 形成在由液晶聚合物構(gòu)成的樹脂基板中，而在其上面形成的非電解鍍 錫層還是形成在和由液晶聚合物構(gòu)成的樹脂基底材料的表面同一個面上。
實施例3制造了在尺寸為15mmx 15mm的硅基片上，形成了 16條長 度為10mm的，布線高度為5ym、節(jié)距為30 ju m (線寬18 ju m、間隔 12 jam)的凸圖形的精密壓模。另外，在厚度為35 jam的聚酰亞胺薄膜(宇部興産(株) 制造、商品名一hf U 、y々X S )的表面，濺鍍厚度為250A的Ni-Cr (Cr含量為20重量％ )合金，接著再濺鍍厚度為2000A的Cu,從而 調(diào)制了伸長率e=0.15左右的覆濺鍍金屬層的有機絕緣性基底材料。在如上所述調(diào)制的覆濺鍍金屬層的有機絕緣性基底材料的 濺鍍金屬層表面，抵接精密壓模，并使用脈沖加熱熱壓裝置(日本7 hf才二々7社制造、TCW-125 )，用3mm寬的加熱工具，施加7550g/mm2 的壓力，在300。C下加熱加壓19.8秒鐘。在將其冷卻至常溫之后，將加熱工具拿起，并將精密壓模撤去。由此可確認到在覆濺鍍金屬層的有機絕緣性基底材料的賊 鍍金屬層面上形成有深度約5Mm的凹狀圖形。而在如此形成的濺鍍金 屬層上未發(fā)現(xiàn)裂縫等。對如上所述形成有凹狀圖形的覆賊鍍金屬層的有機絕緣性 基底材料，使用銅濃度為15g/升的通孔鍍層用硫酸銅鍍液并將液溫調(diào) 整到22。C，在強力攪拌、電流密度3A/dn^的條件下進行12分鐘銅電 鍍，從而在有機絕緣性基底材料的整個表面上形成了厚度為8 u m的電
鍍銅層。接著，用#280號的砂紙并使用旋轉(zhuǎn)式研磨機對如上所述形 成的電鍍銅層表面進行粗研磨，并在作為有機絕緣性基底材料的聚酰 亞胺薄膜表面露出時，將砂紙換為弁600號的砂紙并進行研磨，將研磨 痕跡細化平整。進一步，邊滴入分散有平均粒徑為ljum的磨粒的研磨 液(S^—社制造)的同時，邊使用#1500號的砂紙(丸本又卜^7X (株)制造)進行研磨，接著將砂紙變換為#2400號砂紙(丸本X卜^ 7X (株)制造)，邊滴入分散有平均粒徑為0.3 jam的磨粒的研磨液 的同時邊進行了拋光。其結(jié)果是，獲得了具有與表面平滑且有光澤的聚酰亞胺薄膜 (有機絕緣性基底材料)相同高度、由銅形成的布線圖的電路基板。 其中，所形成的布線圖與形成在精密壓模上的凸狀圖形相對稱。接著，將上述電路基板放入鍍金液(EEJA社制、亍〉八k 、乂夕7#8400)中，通過在鍍液溫度65。C、電流密度0.5 A/dm2條件下， 進行了 2分鐘的電鍍金，從而如圖9 (i)所示，獲得了具有在布線圖 的上面突出形成有自有機絕緣性基底材料的表面厚度為0.5 ju m的鍍金 層的布線圖的電路基板。雖然鍍金層與有機絕緣性基底材料表面不在同 一個面上，但 在焊接等時并不會出現(xiàn)實質(zhì)性問題。
工業(yè)利用性本發(fā)明的電路基板形成用鑄型，其在基底表面上形成有截面 形狀為梯形的壓模圖形，通過將該壓模圖形嵌入未固化或者半固化的 固化性樹脂中，而可以形成轉(zhuǎn)印了壓模圖形的空隙，由于該壓模圖形 的截面形狀為梯形，因而可以使脫模容易地進行。通過向如上所述利用電路基板形成用鑄型形成的空隙中淀 積導電性金屬，從而能夠形成凹狀布線圖。而且可以通過將如上所述 形成的凹狀布線圖在絕緣體層中較深地形成，而能夠確保凹狀布線圖 的截面積在一定值以上，因此，即使將凹狀布線圖細線徑化，也能夠 抑制凹狀布線圖電阻值的上升。另外，通過在本發(fā)明的電路基板形成用鑄型上設置可貫穿絕 緣體層的壓模圖形，從而可以與布線圖一起同時形成貫穿絕緣體層表 面及背面的導電孔。另外，根據(jù)本發(fā)明的電路基板的制造方法，可以一次同時形
成不同線寬以及線深度的凹狀布線圖。而且，由于為制造本發(fā)明電路 基板所使用的鑄型的截面，其壓模圖形的形狀是前端變細的梯形形狀， 因此使用該壓模圖形轉(zhuǎn)印該壓模圖形之后，脫模之際脫模非常容易進 行，同時轉(zhuǎn)印形成的圖形也不易產(chǎn)生缺陷。根據(jù)本發(fā)明的電路基板的制造方法，可以如上所述在電路基 板上形成線寬被非常地細線徑化的凹狀布線圖，但即使是如此被細線 徑化的布線，也可以將該布線形成至絕緣體層的深部中，通過這樣朝 向深度方向較深地形成布線，從而可以使該布線的電阻值不會變高。由于如上形成的凹狀布線圖的電阻值不會變高，因此即使進 行通電，從電路基板上也不易產(chǎn)生發(fā)熱。進一步，通過如上所述使用鑄型，可以形成層疊了多個電路 基板的多層層壓電路基板，如此制造的多層層壓電路基板，其所層疊 的電路基板間具有非常高的可靠性。進一步，對于在上述多層層壓電 路基板中的確保厚度方向的電連接的導電孔，可以在形成凹狀布線圖 的同時一起制造。而且，用于形成上述導電孔而占有的面積與導電孔 表面的面積基本相同，因此為了形成導電孔，并不需要如平刃口凹臺 等多余的占用面積。另外，在上述多層層壓電路基板中，由于可以將 上述導電孔的形成位置設在任意的位置，因此電路基板的設計自由度 變得非常高。尤其是在本發(fā)明的方法中，在形成導電孔時也可以層疊 地形成導電孔。根據(jù)本發(fā)明的方法所制造的電路基板，由于是在有機絕緣性 基底材料中埋入導體，因此即使使用鍍銅附著強度較低的樹脂作為基
板時，也可以實現(xiàn)樹脂基板和導體間具有很高的粘合性。因此，用于 制造電路基板而可作為基底材料使用的樹脂的選擇范圍變大，可以使 用那些雖然具有良好的絕緣性能、耐藥性、耐熱性、良好的電特性等， 但由于和布線圖的粘合性較低而很難用作基底材料的樹脂，制造新的 電路基板，并通過對樹脂基底材料進行選擇，使得對所獲得的電路基 板賦予所需特性變得非常容易。另外，在本發(fā)明的電路基板中，由于具有所形成的布線圖埋
入樹脂中的結(jié)構(gòu)，因此即使進行了微細節(jié)距化，在焊點間也不會產(chǎn)生 焊接橋接。尤其，本發(fā)明的電路基板，即使使用焊點作為外部端子進行 安裝，其焊接連接部的耐疲勞可靠性也較高，從而能夠確立可靠性高 的電連接。
權(quán)利要求
1、一種電路基板形成用鑄型，其特征在于，由支撐基底、和在該支撐基底的一個表面上突出形成的壓模圖形構(gòu)成，且該壓模圖形的同一截面上的支撐基底側(cè)截面寬度大于其前端側(cè)截面寬度。
2、 如權(quán)利要求1所述的電路基板形成用鑄型，其特征在于，在形 成于所述電路基板形成用鑄型上的壓模圖形按壓于未固化或者半固化 的固化性樹脂的狀態(tài)下使固化性樹脂固化，從而可將對應于該壓模圖 形的形態(tài)轉(zhuǎn)印到固化性樹脂上。
3、 如權(quán)利要求1所述的電路基板形成用鑄型，其特征在于，所述 支撐基底為透光性基底，通過將形成于該電路基板形成用鑄型上的壓 模圖形按壓于未固化或者半固化的光固化性樹脂，并透過該透光性基 底對該光固化性樹脂進行曝光，使該光固化性樹脂的至少 一部分固化， 從而可轉(zhuǎn)印與壓模圖形對應的規(guī)定圖形。
4、 如權(quán)利要求1所述的電路基板形成用鑄型，其特征在于，在所 述電路基板形成用鑄型上的未形成有壓模圖形的部分，支撐基底的表 面被露出。
5、 如權(quán)利要求1所述的電路基板形成用鑄型，其特征在于，所述 支撐基底為透光性基底，該透光性基底由石英、玻璃板或者透光性合 成樹脂板形成。
6、 如權(quán)利要求1所述的電路基板形成用鑄型，其特征在于，在形 成于所述電路基板形成用鑄型上的壓模圖形的同 一截面上，該壓模圖 形的頂部截面寬度W2與支撐基底側(cè)底部截面寬度Wl之比(Wl/W2 ) 處于1.01-2.0范圍內(nèi)。
7、 如權(quán)利要求1所述的電路基板形成用鑄型，其特征在于，在所 述支撐基底表面上形成有自支撐基底表面到頂部的高度不同的至少兩 種高度的壓模圖形。
8、 如權(quán)利要求1所述的電路基板形成用鑄型，其特征在于，所述壓模圖形由金屬形成。
9、 如權(quán)利要求1所述的電路基板形成用鑄型，其特征在于，所述 壓模圖形是通過對形成在支撐基底表面的金屬層進行蝕刻而形成的。
10、 一種電路基板形成用鑄型的制造方法，其特征在于，在形成 于支撐基底一個表面上的金屬層表面上形成感光性樹脂層，并通過對 該感光性樹脂層進行曝光顯影而形成由該感光性樹脂固化體構(gòu)成的圖 形，然后通過至少進行一次選擇性蝕刻工序，以該圖形作為掩模材料 對該金屬層進行選擇性蝕刻，從而在支撐基底表面上形成由該金屬構(gòu) 成的圖形。
11、 如權(quán)利要求IO所述的電路基板形成用鑄型的制造方法，其特 征在于，在以所述金屬層上由感光性樹脂固化體構(gòu)成的圖形作為掩模 材料對該金屬層進行選擇性蝕刻的選擇性蝕刻工序中，對該金屬層進 行半蝕刻并去除了該掩模材料之后，再次形成光感光性樹脂層，并通 過對該感光性樹脂層進行曝光顯影而形成由該感光性樹脂固化體構(gòu)成 的新的圖形，然后通過至少進行一次再蝕刻工序，以該新形成的圖形 作為掩模材料對該金屬層進行選擇性蝕刻，從而在支撐基底表面形成由該金屬構(gòu)成的具有不同高度的圖形。
12、 如權(quán)利要求11所述的電路基板形成用鑄型的制造方法，其特 征在于，進行最后的蝕刻工序，以在未形成有所述圖形的部分，使支 撐基底的表面露出。
13、 如權(quán)利要求IO所述的電路基板形成用鑄型的制造方法，其特 征在于，所述支撐基底為透光性基底，該透光性基底由玻璃板或者透 明合成樹脂板形成。
14、 一種電路基板形成用鑄型，用于在光固化性或者熱固化性樹 脂層上形成圖形，其特征在于，該電路基板形成用鑄型由支撐基底和 壓模圖形構(gòu)成，在該電路基板形成用鑄型上形成有至少兩種不同高度的壓模圖形，并且該壓模圖形中高度最高的金屬制壓模圖形形成為， 比供該壓模圖形嵌入的樹脂層厚度低0.1 ~ 3 ju m。
15、 如權(quán)利要求14所述的電路基板形成用鑄型，其特征在于，所 述壓模圖形中高度最高的金屬制壓模圖形的高度，與供該壓模圖形嵌 入的樹脂層的厚度之差為0.1~3|um。
16、 一種電路基板，具有表面存在凹部的絕緣體層和填充在該凹 部的導電性金屬，其特征在于，利用填充在該凹部的導電性金屬而形 成凹狀布線圖，并且該凹狀布線圖的截面寬度形成為，自該絕緣體層 的表面朝向深部逐漸減小。
17、 如權(quán)利要求16所述的電路基板，其特征在于，在所述絕緣體 層的背面 一 側(cè)形成有由導電性金屬形成的凸狀布線圖。
18、 如權(quán)利要求16所述的電路基板，其特征在于，所述電路基板
19、 如權(quán)利要求16至18中任意一項所述的電路基板，其特征在 于，在所述電路基板上形成貫穿絕緣體層表面?zhèn)戎帘趁鎮(zhèn)鹊陌疾?，?在該凹部填充導電性金屬以形成導電孔。
20、 如權(quán)利要求19所述的電路基板，其特征在于，由填充在貫穿 所述絕緣體層表面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)鹊陌疾康膶щ娦越饘贅?gòu)成的導電孔的背 面?zhèn)惹岸瞬?，與形成在絕緣體層背面?zhèn)鹊耐範畈季€圖相接合。
21、 如權(quán)利要求16至20中任意一項所述的電路基板，其特征在 于，所述絕緣體層由利用熱和/或光而固化的固化性樹脂的固化體形成。
22、 如權(quán)利要求18所述的電路基板，其特征在于，所述凹狀布線 圖通過如下工序形成，即，在未固化的固化性樹脂中嵌入支撐基底側(cè) 的基端部截面寬度大于其前端部截面寬度形成的壓模圖形之后，將該 固化性樹脂進行固化，并在形成有該凹部的固化性樹脂固化體的表面 側(cè)淀積導電性金屬，然后研磨該淀積金屬直到露出固化性樹脂固化體。
23、 一種電路基板的制造方法，其特征在于，在支撐體表面具有 未固化或者半固化的固化性樹脂層的層壓體的該固化性樹脂層中，嵌入由支撐基底和在該支撐基底的一個表面上突出形成的壓模圖 形構(gòu)成，且該壓模圖形的同一截面上的支撐基底側(cè)截面寬度大于其前 端側(cè)截面寬度形成的電路基板形成用鑄型，在轉(zhuǎn)印了該壓模圖形并使 該固化性樹脂層固化之后，從鑄型中將層壓體脫模，再在該脫模后的層壓體表面上淀積導電性金屬， 然后，通過將該淀積金屬層研磨至層壓體的固化性樹脂固化體層 表面露出，從而形成凹狀布線圖。
24、 如權(quán)利要求23所述的電路基板的制造方法，其特征在于，在 將所述層壓體從鑄型中脫模之后，且對其淀積導電性金屬之前，對該 脫模后的層壓體施加除污處理。
25、 如權(quán)利要求23所述的電路基板的制造方法，其特征在于，形 成所述層壓體的支撐體由導電性金屬構(gòu)成，通過在由該導電性金屬構(gòu) 成的支撐體表面上形成感光性樹脂層，并以通過對該感光性樹脂層進 行曝光 顯影而形成的布線圖作為掩模材料，對該導電性金屬進行選 擇性蝕刻，從而形成凸狀布線圖。
26、 如權(quán)利要求23所述的電路基板的制造方法，其特征在于，所 述電路基板形成用鑄型上所形成的支撐基底為透光性基底，通過將形 成在該電路基板形成用鑄型上的壓模圖形按壓到未固化的光固化性樹 脂中，并透過該透光性基底對該光固化性樹脂進行曝光，使該光固化 性樹脂的至少 一部分固化，從而轉(zhuǎn)印與壓模圖形對應的規(guī)定圖形。
27、 如權(quán)利要求23所述的電路基板的制造方法，其特征在于，所 述電路基板形成用鑄型上所形成的支撐基底為透光性基底，該透光性 基底由石英、玻璃板或者透光性合成樹脂板構(gòu)成。
28、 如權(quán)利要求23所述的電路基板的制造方法，其特征在于，形 成在所述電路基板形成用鑄型上的壓模圖形的同 一截面上，該壓模圖 形的頂部截面寬度W2和支撐基底側(cè)底部截面寬度Wl之比(Wl/W2 ) 處于1.01 ~2.0范圍內(nèi)。
29、 如權(quán)利要求23所述的電路基板的制造方法，其特征在于，在 所述電路基板形成用鑄型的支撐基底表面，形成有自支撐基底表面至 頂部的高度不同的至少具有兩種高度的壓模圖形。
30、 如權(quán)利要求23所述的電路基板的制造方法，其特征在于，所 述電路基板形成用鑄型的壓模圖形由金屬形成。
31、 如權(quán)利要求23所述的電路基板的制造方法，其特征在于，所 述電路基板形成用鑄型的壓模圖形是通過對形成于支撐基底表面的金 屬層進行蝕刻而形成。
32、 一種導電孔的形成方法，其特征在于，在支撐體表面具有未 固化或者半固化的固化性樹脂層的層壓體的該固化性樹脂層中，嵌入由支撐基底和在該支撐基底的一個表面上突出形成的壓模圖 形構(gòu)成，且該壓模圖形的同一截面上的支撐基底側(cè)截面寬度大于其前 端側(cè)截面寬度的電路基板形成用鑄型，在轉(zhuǎn)印了該壓模圖形并使該固 化性樹脂層固化之后，從鑄型中將層壓體脫模，再在該脫模后的層壓體表面上淀積導電性金屬， 然后，通過將該淀積金屬層研磨至層壓體的固化性樹脂固化體層 表面露出，從而形成貫穿該層壓體的固化性樹脂層的導電孔。
33、 如權(quán)利要求32所述的導電孔的形成方法，其特征在于，在將 所述層壓體從鑄型中脫模之后，且對其淀積導電性金屬之前，對該脫 模后的層壓體施加除污處理。
34、 如權(quán)利要求32所述的導電孔的形成方法，其特征在于，形成 所述層壓體的支撐體由導電性金屬構(gòu)成，通過在由該導電性金屬構(gòu)成 的支撐體表面上形成感光性樹脂層，并以通過對該感光性樹脂層進行 曝光 顯影而形成的布線圖作為掩模材料，對該導電性金屬進行選擇 性蝕刻，從而形成凸狀布線圖。
35、 一種多層層壓電路基板的制造方法，其特征在于，至少進行 一次如下工序在由導電性金屬構(gòu)成的支撐體表面具有未固化或者半固化的固化 性樹脂層的層壓體的該固化性樹脂層中，嵌入由支撐基底和在該支撐基底的一個表面上突出形成的壓模圖 形構(gòu)成，且該壓模圖形的同一截面上的支撐基底側(cè)截面寬度大于其前 端側(cè)截面寬度的電路基板形成用鑄型，在轉(zhuǎn)印了該壓模圖形并使該固 化性樹脂層固化之后，從鑄型中將層壓體脫模，再在該脫模后的層壓體表面上淀積導電性金屬，然后，通過將該淀積金屬層研磨至層壓體的固化性樹脂固化體層 表面露出，從而形成凹狀布線圖，同時形成貫穿該層壓體的固化性樹 脂層的導電孔，然后在形成有該凹狀布線圖以及導電孔的固化性樹脂固化體表面 上，形成未固化或者半固化的固化性樹脂層，并在該固化性樹脂層中，嵌入由支撐基底和在該支撐基底的一個表面上突出形成的壓模圖 形構(gòu)成，且該壓模圖形的同一截面上的支撐基底側(cè)截面寬度大于其前 端側(cè)截面寬度的電路基板形成用鑄型，在轉(zhuǎn)印了該壓模圖形并使該固 化性樹脂層固化之后，從鑄型中將該固化性樹脂固化體脫模，再在該脫模后的固化性樹脂層壓體表面上淀積導電性金屬，然后，通過將該淀積金屬層研磨至層壓體的固化性樹脂固化體層 表面露出，從而形成凹狀布線圖，同時形成貫穿該層壓體的固化性樹 脂層的導電孔的工序。
36、 如權(quán)利要求35所述的多層層壓電路基板的制造方法，其特征 在于，在將所述固化性樹脂固化體從鑄型中脫模之后，且對其淀積導 電性金屬之前，對該脫模后的固化性樹脂層壓體施加除污處理。
37、 如權(quán)利要求35所述的多層層壓電路基板的制造方法，其特征 在于，形成所述層壓體的支撐體由導電性金屬構(gòu)成，通過在由該導電 性金屬構(gòu)成的支撐體表面上形成感光性樹脂層，并以通過對該感光性 樹脂層進行曝光 顯影而形成的布線圖作為掩模材料，對該導電性金 屬進行選擇性蝕刻，從而形成凸狀布線圖。
38、 一種電路基板的制造方法，其特征在于，其是通過在有機絕 緣性基底材料以及形成于該有機絕緣性基底材料表面的金屬薄膜的表 面上，抵接壓?；妆砻嫔闲纬捎袎耗D形的精密壓模并進行加壓， 在自該金屬薄膜側(cè)朝向有機絕緣基底材料的深部，形成與該精密壓模 上所形成的壓模圖形相對應的形態(tài)的凹部之后，再在該金屬薄膜上形 成比上述所形成的凹部的深度更厚的金屬鍍層，并向利用該精密壓模 形成的凹部填充鍍層金屬，然后將該金屬鍍層研磨至從該金屬鍍層的 表面露出有機絕緣性基底材料，從而形成布線圖。
39、 如權(quán)利要求38所述的電路基板的制造方法，其特征在于，所 述金屬薄膜的厚度在0.1 ~ 1 m m范圍內(nèi)。
40、 如權(quán)利要求38或39所述的電路基板的制造方法，其特征在 于，所述金屬薄膜的伸長率e大于等于0.07。
41、 如權(quán)利要求39所述的電路基板的制造方法，其特征在于，通 過對所述有機絕緣性基底材料的表面進行活性化處理，并在該經(jīng)活性化處理后的有機絕緣性基底材料上，通過非電解鍍銅淀積厚度為0.1 ~liam的銅，從而形成金屬薄膜。
42、 如權(quán)利要求38所述的電路基板的制造方法，其特征在于，通 過在所述有機絕緣性基底材料上層疊銅箔之后，對經(jīng)退火處理后的銅 箔進行半蝕刻至厚度為0.1 ~ 1 jam,從而形成金屬薄膜。
43、 如權(quán)利要求38所述的電路基板的制造方法，其特征在于，通 過在所述有機絕緣性基底材料上濺鍍銅至厚度為0.1 ~ 1 jum,從而形成金屬薄膜。
44、 如權(quán)利要求38所述的電路基板的制造方法，其特征在于，通 過在所述有機絕緣性基底材料上進行銅濺鍍之后，再在該濺鍍銅層的 表面上形成鍍鋅層，然后通過進行退火處理形成濺鍍銅和鋅的合金層， 從而形成金屬薄膜。
45、 如權(quán)利要求38所述的電路基板的制造方法，其特征在于，通 過在所述有機絕緣性基底材料上進行鋅-鋁系超塑性合金的濺鍍，從而 形成金屬薄膜。
46、 如權(quán)利要求38所述的電路基板的制造方法，其特征在于，所 述有機絕緣性基底材料是液晶聚合物、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、固化或 者未固化的層壓糊劑。
47、 如權(quán)利要求38所述的電路基板的制造方法，其特征在于，若 將通過所述精密壓模所形成的電路表面的線寬設為d(jum)、深度設 為h ( ym)、金屬薄膜到達斷裂的伸長率設為e時，則金屬薄膜具有 如下公式(1 )所示的關系，公式1:<formula>formula see original document page 11</formula>
48、 如權(quán)利要求38所述的電路基板的制造方法，其特征在于，在 所述有機絕緣性基底材料的金屬薄膜上形成其厚度相對于上述所形成 的凹部的深度h,為101 ~200%的電4度層。
49、 如權(quán)利要求38至48中任意一項所述的電路基板的制造方法， 其特征在于，將金屬鍍層研磨至從所述電鍍層表面露出有機絕緣性基 底材料，從而在有機絕緣性基底材料上形成凹部填充有鍍層金屬的布 線圖之后，再在該所形成的布線圖表面上形成由不同于該填充金屬的 金屬構(gòu)成的鍍層。
50、 一種電路基板，其特征在于，在形成于有機絕緣性基底材料 上的凹部的表面，隔著金屬薄膜而填充有鍍層金屬，從而形成布線圖。
51、 如權(quán)利要求50所述的電路基板，其特征在于，所述延展性金 屬薄膜是對銅箔進行加工而形成的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電路基板的制造方法以及由該方法形成的電路基板，其將由支撐基底和在其一個表面上突出形成的壓模圖形構(gòu)成，且壓模圖形的同一截面上的支撐基底側(cè)截面寬度大于前端側(cè)截面寬度的電路基板形成用鑄型嵌入固化性樹脂層，利用壓模圖形在固化性樹脂層上轉(zhuǎn)印壓模圖形并使其固化之后，形成從鑄型脫模的層壓體，再淀積導電性金屬，并研磨該淀積金屬層以露出層壓體的固化性樹脂固化體層表面，從而形成凹狀布線圖。進一步本發(fā)明還提供另一種電路基板的制造方法以及電路基板，其是通過在形成于有機絕緣性基底材料表面的金屬薄膜的表面上，抵接壓?；妆砻嫘纬捎袎耗D形的精密壓模并進行加壓，以在有機絕緣基底材料上形成與形成在精密壓模上的壓模圖形相對應的凹部之后，再形成比該凹部的深度還厚的金屬鍍層，向凹部填充鍍層金屬，然后研磨該金屬鍍層直到露出有機絕緣性基底材料，從而形成布線圖。
文檔編號H05K3/10GK101189924SQ20068001919
公開日2008年5月28日 申請日期2006年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月1日
發(fā)明者佐藤干二, 梶野仁, 片岡龍男, 田口丈雄, 石井正人 申請人:三井金屬礦業(yè)株式會社