專利名稱：現(xiàn)場基板處理的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及基板制造技術(shù)，更特別地涉及用于現(xiàn)場溝道蝕刻的方法和裝置。
背景技術(shù)：
在處理基板(例如，半導體基板或應(yīng)用在平板顯示器制造中的玻璃面板)中，經(jīng)常采用等離子體。作為處理基板的一部分，例如，將基板分割成多個小片(die)或每個將成為集成電路的矩形區(qū)域。然后將按照一系列步驟加工基板，其中的材料被選擇地去除(蝕刻)和/或沉積(沉積)以在其上形成電元件。
在示例性等離子體工藝中，在蝕刻之前，基板被涂覆有硬化的感光乳膠薄膜(即，例如光刻膠掩模)。然后硬化感光乳膠的區(qū)域被選擇地去除，使得下層的元件被暴露。接下來，將基板放置在等離子體室中的基板支撐結(jié)構(gòu)上，該支撐結(jié)構(gòu)被稱作卡盤或基座，包括單電極或雙電極。然后適當?shù)奈g刻劑源流入室內(nèi)并被轟擊形成等離子體，來蝕刻基板的暴露區(qū)域。
下面參考圖1，圖1示出了容性連接的等離子體處理系統(tǒng)的簡化示意圖。在常見的結(jié)構(gòu)中，等離子體處理室可以包括底部件150，位于下部室；以及可分離的頂部件152，位于上部室。第一RF發(fā)生器134(源RF發(fā)生器134)產(chǎn)生等離子體110，并控制等離子體密度，而產(chǎn)生偏壓RF的第二RF發(fā)生器138(偏壓RF發(fā)生器)通常被用于控制DC偏壓和離子轟擊能量。
還可以將匹配網(wǎng)絡(luò)136連接到源RF發(fā)生器134和偏壓RF發(fā)生器138，其用于將RF電源的阻抗與等離子體110的阻抗相匹配。此外，泵111通常用于抽空等離子體處理室102(由底部件150和可分離的頂部件152形成)中的環(huán)境空氣，以達到支撐等離子體110所需的壓力。
通常，適當?shù)臍怏w(輸入氣體)組從氣體分配系統(tǒng)122通過蓮蓬頭/接地電極109流入室102，以關(guān)閉位于下部室中的閥123。為了得到基板表面上的基本均勻的蝕刻氣體分布，通常使用具有多孔或能滲透的蓮蓬頭/接地電極109。氣體分配系統(tǒng)122通常包括容納等離子體處理氣體(例如，C4F8、C4F6、CHF3、CH2F3、CF4、HBr、CH3F、C2F4、N2、O2、Ar、Xe、He、H2、NH3、SF6、BCl3、Cl2、WF6等)的壓縮氣缸。這些等離子氣體可以被順序地離子化以形成等離子體110，以處理(例如蝕刻或沉積)基板114(例如半導體基板或玻璃面板)暴露的區(qū)域，其中基板通過邊緣環(huán)115安置在靜電卡盤116上，靜電卡盤也被用作通電電極。
此外，一些類型的冷卻系統(tǒng)140可以連接到卡盤，以在點燃等離子體時實現(xiàn)熱平衡。冷卻系統(tǒng)140通常包括冷卻器，用于通過卡盤中的空腔將冷卻劑注入；以及氦氣，用于密封卡盤116和基板114之間的小縫隙。除了去除產(chǎn)生的熱量之外，氦氣還使得冷卻系統(tǒng)140快速地控制熱耗散。即，連續(xù)地增加氦氣壓力也增加了傳熱速度。大多數(shù)等離子體處理系統(tǒng)也由包括軟件程序的復(fù)雜的計算機控制。在典型的操作環(huán)境下，通常為特定等離子體處理系統(tǒng)和特定方法配置制造工藝參數(shù)(例如，電壓、氣流混合、氣體流速、壓力等)。
在通常被稱為雙嵌入法(damascene)的常見基板制造方法中，電介質(zhì)層通過填入過孔的導電插頭被電連接。通常，在電介質(zhì)層中形成有開口，通常開口襯有阻擋材料(例如，SiCN、SiC、SiON、Si3N4等)，然后順序地填入導電材料(例如，鋁(Al)、銅(Cu)等)，導電材料使得兩組導電圖樣之間電接觸，從而建立在基板上的兩個有源區(qū)(例如，源/漏區(qū))之間的電接觸。電介質(zhì)層表面上的額外的導電材料通常通過化學機械拋光(CMP)被去除。然后沉積氮化硅覆蓋層，以覆蓋銅。
通常存在兩種制造雙嵌入式基板的方法先過孔(via-first)和先溝道(trench-first)。在先過孔方法的一個實例中，基板首先被涂覆有光刻膠，然后光刻圖樣化過孔。接下來，各向異性蝕刻穿透表面覆蓋材料，并向下蝕刻穿過基板的低k層，并停止在阻擋材料上，剛好位于下面的金屬層的上方。然后，剝?nèi)ミ^孔光刻膠層，涂覆溝道光刻膠，并進行光刻圖樣化。通常，一些光刻膠可能留在過孔的底部，或者過孔可能被有機ARC插頭覆蓋，以防止過孔下部在溝道蝕刻過程中被過蝕刻。然后，第二各向異性蝕刻穿透表面覆蓋材料并將低k材料向下蝕刻成期望深度。第二異向蝕刻形成溝道。然后剝?nèi)ス饪棠z，通過非常軟、低能量蝕刻打開過孔底部上的阻擋材料，該種蝕刻不能導致下層的銅濺入過孔。如上所述，溝道和過孔都填充有導電材料(例如，鋁(Al)、銅(Au)等)，通過化學機械拋光(CMP)來被拋光。
可選的方法是先溝道。在一個實例中，基板涂覆有光刻膠，并應(yīng)用溝道光刻圖樣。然后，各向異性干蝕刻穿透表面硬掩模(例如，SiCN、SiC、SiON、Si3N4等)，接下來去除光刻膠。另一光刻膠涂覆在溝道硬掩模的上方，然后光刻圖樣化過孔。然后，第二各向異性蝕刻穿透覆蓋層，并部分地向下蝕刻到低k材料。第二各向異性蝕刻形成部分過孔。通過溝道硬掩模，剝?nèi)ミ^孔上方用于溝道蝕刻的光刻膠。溝道蝕刻然后穿透覆蓋層并將低k材料部分地向下蝕刻到期望深度。第二異向蝕刻同時還清潔過孔，停止在位于過孔底部的最終阻擋材料上。然后可以通過特殊的蝕刻來打開最終阻擋材料。
例如，在不同等離子體處理系統(tǒng)上執(zhí)行的通用先過孔工藝通?？赡苌婕霸谖g刻和沉積工藝之間進行交替。為了便于討論，圖2示出了一組部分簡化的示例性現(xiàn)有技術(shù)的雙嵌入工藝步驟，其中，示出了理想化的層堆疊的截面圖。在后面的描述中，諸如“上方”和“下方”的術(shù)語在此可以用于描述層之間的空間關(guān)系，但是可能并不總是表示所涉及的各層之間的直接接觸。應(yīng)當注意，在各層的上方、下方、之間可能存在其它額外的層。此外，不是所有示出的層都有必要存在，一些層或所有層可以被其它不同層所替換。
步驟(a)中示出了部分蝕刻的基板。在層堆疊的底部，示出了通常為鋁或銅的金屬層210。在第一金屬層上方通常是金屬阻擋層212(例如，SiCN、SiC、SiON、Si3N4等)，其通常為大約500的厚度。金屬阻擋層212在蝕刻緊接其上方的低k材料時提供了蝕刻終止。在金屬阻擋層212的上方，可以設(shè)置由低k材料形成的中間電介質(zhì)(IMD)層214，例如，SiCN、SiOC、由Applied Materials，Inc.(www.appliedmaterials.com)提供的BLACK DIAMONDTM、由Novellus Systems，Inc.(www.novellus.com)提供的CORALTM、TEOS等中的一種，其厚度通常約為3.2k。在IMD層214上方，可以設(shè)置覆蓋層216(即，SiCN、SiOC、BLACK DIAMONDTM、CORALTM、TEOS等)，其厚度通常約為500。在覆蓋層216上方，可以設(shè)置溝道掩模層218(即，TiN、SiN、TaN等)，其通常約為300。在溝道掩模層218上方可以是另一阻擋層220(例如，PEOX等)，其通常約為300。在阻擋層220上方可以是BARC層222，其通常約為1.1k。最后，光刻膠層224位于BARC層222上方，圖樣化有過孔226，并且通常厚度約為2.8k。
基板被傳送到等離子體處理蝕刻室202(例如，Lam Research2300 ExelanTM等)。在步驟(b)，過孔226向下蝕刻到金屬阻擋層212。在步驟(c)，光刻膠層224和BARC層222被去除(剝?nèi)?。然后基板被傳送到清潔室(圖中未示出)，然后傳送到光刻膠沉積室204。通常，基板在加工站之間被傳送時，必須被清潔。
在蝕刻過程中，聚合物副產(chǎn)品形成在基板的頂部和底部也不是不常見的。通常，在蝕刻過程中形成在基板上的聚合物是有機的，并且可以包括碳(C)、氧(O)、氮(N)和/或氟(F)。然而，當作為多次不同蝕刻過程的結(jié)果不斷地沉積聚合物層時，通常在傳送過程中，一般堅固并有黏性的有機結(jié)合劑將最終消弱并剝落或片落在其它基板上。例如，通?；迨浅山M地在等離子體處理系統(tǒng)之間通過基本上清潔的容器被移動的，清潔的容器通常被稱為暗盒(cassette)。當較高位置的基板被重新定位在容器中時，部分聚合物層將落在存在有小片的下部基板上，有可能影響器件產(chǎn)量。因此，最小化基板傳輸?shù)拇螖?shù)是有意義的。
通常，使用干濕處理的結(jié)合來化學清潔基板。濕處理通常涉及將基板放置在具有溶劑和酸的結(jié)合物(例如，H2SO4、H2O2、NH4OH、HF等)的容器(例如石英、塑料等)中或可旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)盤上，以分別去除有機和無機污染物殘渣，接下來，通常使用去離子(DI)水沖洗和旋轉(zhuǎn)(spine)干處理。通常，使用兆聲來增強濕清潔處理的清潔效率。兆聲指的是安裝在容器底部的傳感器，用于產(chǎn)生高能量聲能波。這種額外的能量通常有助于從基板表面去除微粒。常見的具有兆聲功能的基板旋轉(zhuǎn)處理平臺包括由SEZ Holding Ltd.(www.sez.com)、Akrion，Inc.(www.akrion.com)和Semitool，Ltd.(www.semitool.com)提供的產(chǎn)品。
例如，稱作SC-1(標準清潔溶液#1)的常用清潔方法包括將基板放置在具有氫氧化銨(NH4OH)、過氧化氫(H2O2)和去離子水(H2O)的混合物的容器(例如石英、塑料等)或可旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)盤中。典型的混合濃度比是NH4OH∶H2O2∶H2O的比為1∶1∶5，盡管為了得到更好的清潔性能，近來采用低至0.05∶1∶5的比例。SC-1通過連續(xù)地氧化然后蝕刻基板的表面，可以有效地從基板的表面去除有機污染物，從而將污染物溶解到溶液中。通常在50℃-70℃的溫度范圍內(nèi)進行該操作。
另一種稱作SC-2(標準清潔溶液#2)的常用清潔方法包括將基板放置在具有鹽酸(HCl)、過氧化氫(H2O2)和去離子水(H2O)的混合物的石英或塑料容器中。典型的混合濃度比是HCl∶H2O2∶H2O的比為1∶1∶5。通常SC-2溶液優(yōu)選地用于從基板表面去除金屬污染物，并且通常在SC-1之后使用。與SC-1類似，其通過連續(xù)地氧化并蝕刻晶片的表面來去除金屬，從而將污染物溶解在溶液中。通常在50℃-70℃的溫度范圍內(nèi)進行該操作。
此外，還使用干清潔方法。通常，干清潔是氣相地從基板表面去除污染物的處理。通過將污染物通過化學反應(yīng)來轉(zhuǎn)換成揮發(fā)性化合物，通過動量轉(zhuǎn)移將污染物從基板表面上“敲”掉，或在微蝕刻污染物表面時將污染物清除走來驅(qū)使污染物的去除。
在基板被清潔之后，將基板傳送到光刻膠沉積室204。通常，基板放置在具有可以在高速旋轉(zhuǎn)期間固定基板的真空夾盤的軸上。液體光刻膠涂覆在基板表面上，并且來自基板旋轉(zhuǎn)的離心力將液體分布在整個基板上。光刻膠厚度與粘性和旋轉(zhuǎn)速度都有關(guān)系。即，粘性越大，光刻膠層越厚，而旋轉(zhuǎn)速度越大，光刻膠層越薄。然后烘烤光刻膠層并暴露在UV放射線下，以將光刻膠轉(zhuǎn)化成基板表面上方的堅硬的膠膜。
然后將基板傳送到另一等離子體處理蝕刻室206。通常，光刻膠被部分蝕刻，僅在過孔226中留下一部分以為后續(xù)的金屬阻擋層212蝕刻準備基板。在通常所知的PREB(光刻膠回蝕，photoresistetch back)的處理中，通常使用O2化學物質(zhì)以將光刻膠回蝕成特定等級。在此，該等級是位于過孔的頂部和底部之間的點。因此，為了防止所有的光刻膠被去除，與在完成典型蝕刻處理之后的情況一樣，光刻膠去除處理通常必須被消弱。
減少O2化學物質(zhì)并因此控制蝕刻速度的一種方法可以是將大量的惰性氣體加到氣體混合物中。即，當在等離子體處理室中惰性氣體(例如，氬)的量增加時，更多的氧離子碰撞并與惰性氣體分子交換能量，吸收離開基板表面的熱量并因此減少光刻膠蝕刻速度。
另一種減少O2化學物質(zhì)的方法可以是使用對蝕刻劑具有親和力的材料預(yù)涂覆等離子體處理室，以減少等離子體中蝕刻劑自由基(etchant radical)的有效量，并因此最優(yōu)化光刻膠蝕刻速度。例如，使用Cl2預(yù)涂覆該室可以減少等離子體中可用的蝕刻劑自由基的有效量。通常，預(yù)涂覆材料的量越大，可用于蝕刻處理的可用的氧自由基的數(shù)量越少。
然而，用于PREB的等離子體處理室可能不會被優(yōu)化為可能需要不同處理化學物質(zhì)和室條件的多個連續(xù)處理步驟(例如，PREB、溝道蝕刻、光刻膠剝離等)。例如，在典型的蝕刻室中，可能難以最優(yōu)化與惰性氣體結(jié)合的O2在基板的表面上的分布。然而，當?shù)入x子體蝕刻掉光刻膠時，基板上具有較高地勢的區(qū)域與具有較低地勢的區(qū)域相比蝕刻所花費的時間更長，可能產(chǎn)生不均勻的光刻膠剖面的情況。此外，因為邊緣更靠近等離子體電勢，所以基板的外邊緣與中心相比，可能收集更多的電子(因此增加相應(yīng)蝕刻速度)。因此，在基板表面上不對稱分布O2有利于確保大體上均勻的蝕刻速度。
此外，維持基本上清潔的室條件以最小化室記憶效應(yīng)并維持連續(xù)基板之間的可重復(fù)結(jié)果是重要的。因為在許多等離子體處理系統(tǒng)中，完全去除PREB污染物沉積物可能是很耗時的，所以通常僅在微粒污染物等級達到不可接受的等級時，才清潔等離子體處理室。然而，很難確切地確定何時處理條件改變?yōu)槌鏊_定的參數(shù)。在不通過首先的初始處理和其后的部分測試制造基板的情況下，通常在現(xiàn)場沒有有效的方法來確定等離子體處理是否已經(jīng)超出所確定的參數(shù)。即，在一批基板已經(jīng)被處理完之后，從該批中獲取一個樣品基板并對其進行測試。因此，為了最大化所需清潔之間的時間長度，通常對于PREB處理，優(yōu)選專用的等離子體處理室。通常，為了最大化基本投資，較舊的機器可以專用于特定任務(wù)或處理，例如PREB。
在完成PREB處理之后，基板可以如前所述被再次清潔(未示出)，然后被傳送到等離子體蝕刻室208，在此，阻擋層220(例如PEOX等)可以被去除，并且金屬阻擋層212可以被蝕刻。首先，在步驟(f)，去除阻擋層220。通常，在上一PREB步驟之后，在去除阻擋220時，剩余的光刻膠228防止金屬阻擋層212受到等離子體損壞。即，光刻膠228的一部分被蝕刻，而不是金屬阻擋層212被蝕刻。接下來，在步驟(g)，如上所述，剩下的光刻膠被去除(剝離)。最后，金屬阻擋層212被蝕刻。通常，襯里去除處理(LRM，liner removal process)可以用于蝕刻金屬阻擋層212。
然而，有利地，在處理基板的過程中，將在單一處理(即，現(xiàn)場)期間中的步驟盡可能多的結(jié)合對最小化每個基板的處理，從而提高產(chǎn)量，改進整個生產(chǎn)能力，幫助最小化所需的等離子體處理室的數(shù)量，以及最小化在基板傳送過程中的基板瑕疵。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例涉及用于處理基板的等離子體處理系統(tǒng)。該等離子體處理系統(tǒng)包括氣體分配系統(tǒng)。該等離子體處理系統(tǒng)還可以包括氣流控制組件，其連接到氣體分配系統(tǒng)，并用于控制由氣體分配系統(tǒng)提供的一組輸入氣體。該等離子體處理系統(tǒng)還可以包括第一組噴嘴，其連接到氣流控制組件，并用于提供處理基板的第一部分所用的第一組氣體。該等離子體處理系統(tǒng)還可以包括第二組噴嘴，其連接到氣流控制組件，并用于提供處理基板的第二部分所用的第二組氣體。第一組氣體可以表示該組輸入氣體的第一部分，而第二氣體組可以表示該組輸入氣體的第二部分。第一組氣體的流速可以不同于第二組氣體的流速。
上述發(fā)明內(nèi)容僅涉及在此披露的本發(fā)明的多個實施例中的一個，但是不用于限制在權(quán)利要求中所闡述的本發(fā)明的范圍。下面，將結(jié)合附圖更詳細地描述本發(fā)明的這些和其它特征。


以附圖中的示意圖為例，描述本發(fā)明，但并不局限于此，其中相同的參考標號表示相似的元件，其中圖1示出了容性連接(capacitively couple)的等離子體處理系統(tǒng)的簡化示意圖；圖2示出了一組部分簡化的現(xiàn)有技術(shù)雙嵌入處理步驟的實例，其中示出了層堆疊的理想的截面圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的一組部分簡化的雙嵌入處理步驟，其中，在改進的等離子體處理室中，PREB處理步驟已經(jīng)與金屬層阻擋蝕刻處理步驟相結(jié)合；
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的改進的容性連接的具有頂部電極溫度控制系統(tǒng)和微差等離子氣體注入的等離子體處理系統(tǒng)的簡化示意圖；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的圖4中所示溫度控制系統(tǒng)的簡化截面圖；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的圖5的溫度控制系統(tǒng)的部分放大截面示意圖；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的溫度控制裝置的頂部示意圖；以及圖8示出了在根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的等離子體處理系統(tǒng)中的多區(qū)域蓮蓬頭/接地電極的氣流控制組件的簡化圖。
具體實施例方式
下面將參考在附圖中示出的優(yōu)選實施例，詳細描述本發(fā)明。在下面的描述中，為了提供對本發(fā)明的全面理解，描述多個特定細節(jié)。然而，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，本發(fā)明的實施可以不需要一些或所有這些細節(jié)。在其它情況下，為了避免對本發(fā)明造成不必要的混淆，沒有詳細描述眾所周知的處理步驟和/或結(jié)構(gòu)。
盡管不希望局限于理論，但是發(fā)明人在此認為，在改進的等離子體處理室中PFEB處理步驟可以與金屬層阻擋蝕刻處理步驟結(jié)合。在實施例中，改進的等離子體處理室可以是由Lam ResearchCorporation(www.lamrc.com)提供的Lam Research 2300 ExelanTMFlex等離子體處理系統(tǒng)的一部分。
如上所述，PREB處理通常使用減少的O2化學物質(zhì)回蝕光刻膠成特定等級。例如，一定量的惰性氣體可以被添加到氣體混合物中，以減少蝕刻速度。此外，等離子體處理室可以預(yù)涂覆有對蝕刻劑有親和力的材料，以減少在等離子體中的蝕刻劑自由基的有效量并因此最優(yōu)化蝕刻速度。例如，使用對氧有親和力的材料(例如，Cl2)預(yù)涂覆該室，將減少可用于蝕刻光刻膠的等離子體中的氧自由基的有效量。通常，預(yù)涂覆材料的量越大，可用于蝕刻處理的可用氧自由基的量越小。通常，由于考慮到污染物和處理控制，可以使用專用的等離子體處理室。
以有利的方式，改進的等離子體處理系統(tǒng)可以設(shè)計為具有頂部電極溫度控制系統(tǒng)和微差等離子氣體注入(differential plasma gasinjection)中的至少一個，以消弱O2蝕刻處理并最小化污染物。
在一個實施例中，改進的等離子體處理系統(tǒng)可以無晶片自動清潔處理，以大體上去除PREB污染物，使得處理條件在基板的連續(xù)處理步驟中保持在預(yù)定參數(shù)中。此外，因為改進的等離子體處理系統(tǒng)大體上去除大部分的PREB污染物，在室清潔之間所需的時間大體上被保持或改進。
本發(fā)明的一個或多個實施例涉及用于處理基板的等離子體處理系統(tǒng)。等離子體處理系統(tǒng)可以包括氣體分配系統(tǒng)(即，供氣系統(tǒng))。等離子體處理系統(tǒng)還可以包括氣流控制組件，其連接到氣體分配系統(tǒng)并用于控制由氣流控制組件提供的一組輸入氣體。該組輸入氣體包括至少一種氣體。等離子體處理系統(tǒng)還可以包括第一組噴嘴，其連接到氣流控制組件并用于提供處理基板的第一部分所用的第一組氣體。第一組氣體可以表示該組輸入氣體的第一部分。等離子體處理系統(tǒng)還可以包括第二組噴嘴，其連接到氣流控制組件并用于提供處理基板的第二部分所用的第二組氣體。第二組氣體可以表示該組輸入氣體的第二部分。第一組氣體的流速可以不同于第二組氣體的流速。
在一個或多個實施例中，基板的第一部分可以表示基板的中心區(qū)域，基板的第二部分可以表示基板的邊緣區(qū)域，并且第一組氣體的流速可以高于第二組氣體的流速。
在一個或多個實施例中，等離子體處理系統(tǒng)還可以包括溫度控制系統(tǒng)，其連接到等離子體處理系統(tǒng)的上部室。溫度控制系統(tǒng)包括加熱單元，其用于加熱設(shè)置在上部室內(nèi)的電極。
隨著處理基板過程中電極被加熱，附著于基板、電極和等離子體處理室的壁上的污染物(聚合物副產(chǎn)品)的量可以有效地減少，從而通過泵排出的污染物的量可以有效地增加。因此，位于該基板之下的基板的污染物可以減少，從而可以減少與清潔基板有關(guān)的時間、精力和成本。此外，可以減少電極的污染物，因此減少了更換或清潔電極的頻率以及與之相關(guān)的成本。電極可以表示為蓮蓬頭。此外，等離子體處理室的污染物可以被減少，因此在相同的等離子體處理室中可以對基板執(zhí)行更多的處理步驟，而不需要移動到不同的等離子體處理室。更有利地，可以提高產(chǎn)量和效率，并減少處理基板中的成本。
本發(fā)明的一個或多個實施例涉及一種包括阻擋層和沉積的光刻膠的基板的處理方法。該方法可以包括在等離子體處理室中提供和離子化第一組氣體以部分蝕刻在基板的第一部分上沉積的光刻膠。該方法還可包括在等離子體處理室中提供和離子化第二組氣體以部分蝕刻在基板的第二部分上沉積的光刻膠。該方法還可包括在相同的等離子體處理室中去除阻擋層。
在一個或多個實施例中，該方法還可包括加熱等離子體處理系統(tǒng)的電極。該電極可以表示為用于將第一組氣體和第二組氣體中的至少一種傳遞到等離子體處理室中的蓮蓬頭。
本發(fā)明的一個或多個實施例涉及一種在等離子體處理系統(tǒng)中處理基板的方法。該方法包括加熱等離子體處理系統(tǒng)的電極以減少基板的處理速度。
本發(fā)明的特征和優(yōu)點將通過以下結(jié)合附圖的詳細說明而變得更加容易理解。
參考圖3，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的部分簡化的一組雙嵌入處理步驟，其中，在改進的等離子體處理室中，PREB處理步驟已經(jīng)與金屬層阻擋蝕刻處理步驟結(jié)合。
在步驟(a)中，示出了部分蝕刻的基板。在層堆疊的底部，示出了通常為鋁或銅的金屬層310。在第一金屬層上方通常是金屬阻擋層312(例如，SiCN、SiC、SiON、Si3N4等)，其厚度通常約為500。在金屬阻擋層312上方，設(shè)置有中間電介質(zhì)(IMD)層314，其由包括低k材料的材料(例如，SiCN、SiOC、BLACKDIAMONDTM、CORALTM、TEOS等)構(gòu)成并且厚度通常約為3.2k。在IMD層314上方，設(shè)置有覆蓋層(cap layer)316(例如，SiCN、SiOC、BLACK DIAMONDTM、CORALTM、TEOS等)，其厚度約為500。在覆蓋層316上方，可以設(shè)置溝道掩模層318(例如，TiN、SiN、TaN等)，其通常約為300。在溝道掩模層318上方可以有另一阻擋層320(例如，PEOX等)，其通常約為300。在阻擋層320上方可以是BARC層322，其通常約為1.1k。最后，在BARC層322上方可以是光刻膠層324，通過過孔326圖樣化，并且厚度通常約為2.8k。
基板被傳送到等離子體處理蝕刻室302(例如，由Lam ResearchCorporation提供的Lam Research 2300 EXELANTM等)。在步驟(b)，向下蝕刻過孔326到金屬阻擋層312。在步驟(c)，去除光刻膠層324和BARC層322。然后將基板傳送到清潔室(未示出)，然后傳送到光刻膠沉積室304。當基板在加工站之間傳送時，可以被清潔。通常，可以使用一種或多種干濕處理(例如，SC-1、SC-2、兆聲、干清潔等)或其結(jié)合來化學清潔基板。在清潔基板之后，將基板傳送到光刻膠沉積室304。
然而，與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，接下來可以將基板傳送到改進的等離子體處理室308，以執(zhí)行步驟(e)中的PREB處理步驟和步驟(f)中的金屬層阻擋蝕刻處理步驟，而不需要在步驟(f)中額外的清潔步驟。在步驟(e)的PREB處理中，部分地去除光刻膠328，僅留下過孔326中的一部分，以為后續(xù)的金屬阻擋層312準備好基板。在一個或多個實施例中，在步驟(e)，改進的等離子體處理室308被加熱，以使在步驟(e)中產(chǎn)生的一定量的污染物(例如，聚合體副產(chǎn)品)通過連接到等離子體處理室308的泵被排出，而不污染等離子體處理室308。因此，等離子體處理室308可以處于步驟(f)所期望的條件，并且不需要將基板傳送到不同的等離子體處理室。在完成PREB處理之后，在步驟(f)，在相同的改進的等離子體處理室308中去除阻擋層320。接下來，在步驟(g)，剩余的光刻膠如上所述被去除。最后，在步驟(h)蝕刻金屬阻擋層312。
下面，參考圖4，圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的改進的容性連接等離子體處理系統(tǒng)的簡化圖，該系統(tǒng)具有頂部的電極溫度控制系統(tǒng)和微差等離子氣體注入。改進的等離子體處理室可以包括位于下部室的底部件450、可分離的頂部件452、以及至少部分位于頂部件452中的溫度控制系統(tǒng)453。
在一個或多個實施例中，溫度控制系統(tǒng)453可以包括加熱單元和冷卻單元(或加熱和冷卻單元)并且可以連接到等離子體處理系統(tǒng)的上部室482。加熱和冷卻單元可以用作將熱量通過相同的熱接觸面?zhèn)魅牖騻鞒錾喜渴?82。在一個或多個實施例中，溫度控制系統(tǒng)453可以包括加熱和冷卻單元，其通過閉鎖機構(gòu)連接到上部室482的外表面。在一個或多個實施例中，閉鎖機構(gòu)可以包括夾具組件。在一個或多個實施例中，夾具組件直接集成在加熱和冷卻單元中。
在一個或多個實施例中，第一RF發(fā)生器434(源RF發(fā)生器434)產(chǎn)生等離子體并且控制等離子體密度，而第二RF發(fā)生器438(偏壓RF發(fā)生器438)產(chǎn)生偏壓RF，并常用于控制DC偏壓和離子轟擊能量。匹配網(wǎng)絡(luò)436可以連接到源RF發(fā)生器434和偏壓RF發(fā)生器438，并且可以用于將RF電源的阻抗與等離子體440的阻抗相匹配。此外，泵411可以用于將環(huán)境大氣從等離子體處理室402中排出，以實現(xiàn)支撐(sustain)等離子體440所需的壓力。泵411還可以用于將污染物從等離子體處理室402中排出。
在一個或多個實施例中，一組適當?shù)臍怏w從氣體分配系統(tǒng)422流入到室402中以關(guān)閉位于下部室中的閥423。與通常設(shè)置的等離子體處理室不同，蓮蓬頭/接地電極409可以包括不同組或不同區(qū)域的獨立所控的噴嘴(例如，為了最優(yōu)化基板均勻性)。蓮蓬頭/接地電極409可以連接到氣流控制組件425，其可以靠近上部室482設(shè)置并連用于關(guān)閉閥423。
在一個或多個實施例中，在多區(qū)域蓮蓬頭/接地電極上的區(qū)域包括中心噴嘴組，其主要將第一組等離子氣體(處理氣體)引入到等離子體的中心來蝕刻基板444的第一區(qū)域(例如，中心區(qū)域)；以及邊緣噴嘴組，其主要將第二組等離子氣體(處理氣體)注入到等離子體的剩余部分，來蝕刻基板444的第二區(qū)域(例如，邊緣區(qū)域)。更有利地，第一組等離子氣體和第二組等離子氣體的流速可以被控制，使得基板444可以以相同的方式被蝕刻。流速可以是不同的。在一個或多個實施例中，第一組等離子氣體的流速可以高于第二組等離子氣體的流速。
在一個或多個實施例中，氣流控制組件425包括不銹鋼導管、閥、旁路和流量限制中的一個或多個，該氣流控制組件在蓮蓬頭/接地電極409處提供必要的氣流調(diào)節(jié)。這些等離子氣體可以被順序地離子化以形成等離子體440，以處理(例如，蝕刻或沉積)基板(例如，半導體基板或玻璃面板)444的暴露區(qū)域，該基板通過邊緣環(huán)445位于靜電卡盤416上，靜電卡盤也被用作通電電極。
第一組等離子氣體和第二組等離子氣體中的一個或多個可以包括氧氣和惰性氣體中的一種或多種。以有利的方式加熱頂部電極(蓮蓬頭/接地電極409)可以激勵等離子氣體，增加氧離子和惰性氣體分子之間的碰撞的次數(shù)，從而潛在地減少了光刻膠蝕刻速度?？蛇x地或附加地，參考圖4，加熱蓮蓬頭/接地電極409可以減少附著于基板444、蓮蓬頭/接地電極409、頂部件452、底部件450和靜電夾具416中的一個或多個上的污染物的量。因此，一定量的污染物可以通過泵411從等離子體處理室402中排出。
參考圖5，圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的圖4中溫度控制系統(tǒng)453的簡化截面圖。冷卻通道502形成在導熱體506中，以容納冷卻導管504。冷卻通道502是具有本身折疊的路徑的單一迂回通道，以平均導熱體506之上的熱負荷。以該種方式，可以減少熱導體506的變形。冷卻導管504可以承載所選擇的流體介質(zhì)，以有效地將熱能從上部室傳走。根據(jù)本發(fā)明，可以使用任意量的冷卻液體。在一個實施例，使用水作為流體介質(zhì)。冷卻導管504可以通過任何本領(lǐng)域中已知的多種方式附著有熱導體506。在一些實施例中，在需要更多有效的冷卻時，冷卻導管504可以被固定在具有導熱材料(例如，聚合物樹脂)的冷卻通道502中。
下面，參考圖6，圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的圖5的溫度控制系統(tǒng)453的部分放大截面圖。在本發(fā)明的一個或多個實施例中，導熱材料644包括一個或多個熱界面層。導熱材料644可以用于改進表面之間(在該實例中，為在上部室側(cè)壁612和散逸帶(dissipation band)648之間)的金屬與金屬的接觸。在一個或多個實施例中，導熱材料644可以包括導熱墊。在一個或多個實施例中，導熱材料644可以包括導熱油脂。散逸帶648可以包括一個或多個熱界面層。通常，散逸帶648用于在導熱體506的表面上均勻地散布熱負荷。由散逸帶648實現(xiàn)的熱負荷的散逸不同于由導熱材料644所實現(xiàn)的熱負荷的傳導，這是因為散逸大體上相對于界面層表面呈放射狀，而傳導大體上相對于界面層表面垂直。散逸帶648可以由選自本領(lǐng)域中已知的多種合適的散熱材料中的任意一種材料形成。在一個或多個實施例中，散逸帶648由6000系列鋁制成。
加熱層650還可以包括一個或多個熱界面層。在一個實施例中，加熱層650可以是KAPTON蝕刻箔加熱器。加熱器的容量是根據(jù)處理要求參數(shù)來選擇的。熱阻擋層652還可以包括一個或多個熱界面層。最后的層(未示出)可以粘合到導熱體506的外表面。在一些實施例中，該最后的層(未示出)是熱穩(wěn)定器(thermal arrest)。熱穩(wěn)定器可以將熱控制裝置與環(huán)境溫度變化隔開，從而實現(xiàn)裝置更好的處理控制。所討論的每層可以通過使用本領(lǐng)域中已知的任何導熱粘合劑而彼此粘合。在一些實施例中，可以使用雙面熱粘合膠帶(例如來自Chomerics(www.chomerica.com，Parker Hannifin公司的分公司)的THERMATTACHT412)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該應(yīng)該意識到所描述的層可能不是按比例顯示的實際實施例。相反，各層僅用于說明的目的。材料選擇和設(shè)計限制將決定層的尺寸。
參考圖7，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的溫度控制裝置453的頂部示意圖。在本發(fā)明的一個或多個實施例中，控制裝置453的特征在于其圓形結(jié)構(gòu)。安裝塊732可以與導熱體506的每端相連接。安裝塊732可以具有多個功能。首先，安裝塊732可以作為夾具系統(tǒng)728的附著點，以將溫度控制裝置453固定到等離子體處理裝置的上部室?？梢砸员绢I(lǐng)域所共知的任何方式來實現(xiàn)夾緊。
在一個或多個實施例中，安裝塊732可以作為冷卻導管502(如圖5所示)的入口720和出口724中的一個或多個的附著點。至少一個入口720和至少一個出口724可以安裝在任一安裝塊732上。可以使用任何數(shù)量的本領(lǐng)域中已知的合適的配件作為用于冷卻導管的附著點。設(shè)置把手716可以有助于操控溫度控制裝置453。把手716可以與溫度控制裝置熱絕緣，以減少或消除系統(tǒng)中的熱噪聲。在不背離本發(fā)明的情況下，根據(jù)需要可以添加另外的把手。704示出了溫度感測裝置。溫度感測裝置704可以用于在溫度過高的情況下互鎖等離子體控制系統(tǒng)。在一個實施例中，電阻溫度檢測器(RTD)可以用于感測溫度。加熱器附著點708可以與導熱體506連接。加熱器附著點708可以為加熱器層提供應(yīng)力解除并且提供到達嵌入在溫度控制裝置453中的加熱器的方便通路。理想情況下，加熱器附著點708與溫度控制裝置453熱隔離，以不會將熱噪聲引入系統(tǒng)。
加熱頂部電極的優(yōu)點包括增加了氧離子和惰性氣體分子之間的碰撞次數(shù)，從而潛在地減少了光刻膠蝕刻速度。
下面，參考圖8，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的用于等離子體處理系統(tǒng)中的多區(qū)域蓮蓬頭/接地電極的氣流控制組件425(如圖4所示)的簡化圖。以有利的方式，等離子氣體的流量可以在基板的中心和邊緣之間被獨立地調(diào)節(jié)。通常，一組合適的氣體通過氣流控制組件425從氣體分配系統(tǒng)422到位于上部件452的蓮蓬頭/接地電極409而流入到等離子體處理室(未示出)中。蓮蓬頭/接地電極409可以包括一組獨立受控的噴嘴，第一組在中心區(qū)域，以及第二組在圓周或邊緣區(qū)域。這些等離子體處理氣體可以被順序地離子化以形成等離子體(未示出)，以處理基板暴露的區(qū)域(未示出)。
氣體分配系統(tǒng)422可以在連接點A用于主要關(guān)閉位于下部室中的閥802，該閥可以通過連接點B經(jīng)由導管808a連接到上部-下部室界面807。上部-下部室界面807可以使上部件450(位于上部室中)安全地從底部件452(位于下部室中)移開，以用于清潔和維護，而不會破壞氣流控制組件425和氣體分配系統(tǒng)422。
上部-下部室界面807可以連接到連接點C，其在導管816、在連接點F連接到邊緣控制閥806(第二控制閥806)的支路導管810、以及在連接點D連接到中心控制閥804(第一控制閥804)的支路導管812之間分叉。導管816還在連接點I連接到限制流量導管880和限制流量導管822。
如果邊緣控制閥806和中心控制閥804都關(guān)閉，則流向蓮蓬頭/接地電極409的兩個區(qū)域的等離子氣體可以大體上被限制。打開一個閥可以增加流向相應(yīng)區(qū)域的等離子氣體流量，而打開兩個閥可以大體上平衡兩個區(qū)域之間的等離子氣體流量。
邊緣控制閥806可以在連接點G連接到可變流量導管818，該邊緣控制閥反過來在連接點J連接到前面提到的限制流量導管880。同樣地，中心控制閥804可以在連接點E連接到可變流量導管814，該中心控制閥反過來在連接點H連接到前面提到的限制流量導管822。
邊緣導管884可以在連接點K連接到蓮蓬頭/接地電極409，而中心導管886可以在連接點L連接到蓮蓬頭/接地電極409，其將氣體注入等離子體處理室(未示出)。
氣流控制組件的優(yōu)點包括在基板表面上不對稱分布O2以確?；旧暇鶆虻奈g刻速度的能力。
根據(jù)以上所述可知，本發(fā)明的實施例可以提高在處理基板中的均勻性，從而有利地增加產(chǎn)量。此外，本發(fā)明的實施例可以減少基板和等離子體處理室的清潔要求和頻率，從而增加產(chǎn)量并降低成本。此外，在一個或多個實施例中，諸如PREB和阻擋層去除的更多的處理步驟可以在相同的等離子體處理室中執(zhí)行，而不需要將基板傳送到不同的等離子體處理室。因此，減少了傳送基板的頻率。從而，基板污染物的可能性被大體減少，并且處理可以被大體上簡化。有利地，產(chǎn)量可以被進一步增加，生產(chǎn)力可以被進一步提高，并且成本可以被進一步減少。
盡管根據(jù)幾個優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明，在本發(fā)明的范圍內(nèi)存在替換、改變和等同物。例如，盡管結(jié)合Lam Research公司的等離子體處理系統(tǒng)(例如，EXELANTM、EXELANTMHP、EXELANTMHPT、2300 VERSYSTMSTAR等)對本發(fā)明進行了描述，也可以使用其它的等離子體處理系統(tǒng)。本發(fā)明還可以應(yīng)用于具有不同直徑的基板(例如，200mm、300mm等)。同樣，可以使用包括不同于氧氣的氣體的光刻膠等離子體蝕刻劑。也應(yīng)當注意，存在多種實現(xiàn)本發(fā)明方法的替換方法。此外，本發(fā)明的實施例可應(yīng)用于其它用途。例如，盡管以蝕刻處理為實例進行了描述，但是本發(fā)明的實施例可以應(yīng)用于沉積處理。在此提供的摘要部分是為了方便，而且因為字數(shù)的限制，其是為了閱讀方便而寫的，而不應(yīng)用于限制本發(fā)明的范圍。綜上所述，所附權(quán)利要求應(yīng)該被解釋為包括所有在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的替換、改變和等同物。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理系統(tǒng)，用于處理基板，所述等離子體處理系統(tǒng)包括氣體分配系統(tǒng)；氣流控制組件，連接到所述氣體分配系統(tǒng)，并用于控制由所述氣體分配系統(tǒng)提供的一組輸入氣體，所述一組輸入氣體包括至少一種氣體；第一組噴嘴，連接到所述氣流控制組件，并用于提供用于處理所述基板的第一部分的第一組氣體；以及第二組噴嘴，連接到所述氣流控制組件，并用于提供用于處理所述基板的第二部分的第二組氣體，其中，所述第一組氣體表示所述一組輸入氣體的第一部分，所述第二組氣體表示所述一組輸入氣體的第二部分，以及所述第一組氣體的流速不同于所述第二組氣體的流速。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，所述基板的所述第一部分表示所述基板的中心區(qū)域，所述基板的所述第二部分表示所述基板的邊緣區(qū)域，以及所述第一組氣體的流速高于所述第二組氣體的流速。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，所述第一組噴嘴和所述第二組噴嘴中的至少之一表示所述等離子體處理系統(tǒng)的電極的一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，所述一組輸入氣體包括氧氣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，所述一組輸入氣體包括惰性氣體，所述惰性氣體被配置為與由所述第一組氣體和所述第二組氣體中的至少一種產(chǎn)生的等離子體進行碰撞。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，用于執(zhí)行無晶片自動清潔處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，還包括溫度控制系統(tǒng)，連接到所述等離子體處理系統(tǒng)的上部室，所述溫度控制系統(tǒng)包括加熱單元，其用于加熱設(shè)置在所述等離子體處理系統(tǒng)的所述上部室內(nèi)部的電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，所述電極包括所述第一組噴嘴和所述第二組噴嘴中的至少一個。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，所述溫度控制系統(tǒng)還包括冷卻單元，用于將熱量從所述上部室中傳走。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，所述溫度控制系統(tǒng)包括散逸帶和導熱層，所述散逸帶設(shè)置在所述加熱單元和所述上部室之間，并用于執(zhí)行熱負荷的放射狀散逸，以及所述導熱層設(shè)置在所述散逸帶和所述上部室之間，并用于在垂直于所述上部室和所述導熱層之間界面的方向上傳導所述熱負荷。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，還包括加熱單元，用于加熱所述等離子體處理系統(tǒng)的電極和等離子體處理室中的至少一個，從而減少附著在所述等離子體處理系統(tǒng)的所述電極和所述等離子體處理室中的至少一個上的污染物的量。
12.一種用于處理基板的方法，所述基板包括阻擋層和沉積的光刻膠，所述方法包括以下步驟在等離子體室中提供并離子化第一組氣體，以部分地蝕刻在所述基板的第一部分處的所述沉積的光刻膠；在所述等離子體室中提供并離子化第二組氣體，以部分地蝕刻在所述基板的第二部分處的所述沉積的光刻膠；以及在所述等離子體室中去除所述阻擋層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述基板的所述第一部分表示所述基板的中心區(qū)域，以及所述基板的所述第二部分表示所述基板的邊緣區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一組氣體和所述第二組氣體具有相同的成分，并且所述第一組氣體和所述第二組氣體具有不同的流速。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，將所述第一組氣體和所述第二組氣體同時提供到所述等離子體處理室中。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括控制所述第一組氣體和所述第二組氣體，使得所述第一組氣體和所述第二組氣體具有不同的流速。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括控制一組輸入氣體以產(chǎn)生所述第一組氣體和所述第二組氣體。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，通過第一組噴嘴提供所述第一組氣體，通過第二組噴嘴提供所述第二組氣體，以及所述第一組噴嘴和所述第二組噴嘴中的至少一個表示所述等離子體處理系統(tǒng)的電極的一部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括執(zhí)行無晶片自動清潔處理。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述沉積的光刻膠沉積在所述基板的過孔元件和溝道元件中的至少一個中。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括加熱至少一部分所述等離子體處理室，以減少附著于所述等離子體處理室的污染物的量。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括加熱所述等離子體處理系統(tǒng)的電極，所述電極用于提供所述第一組氣體和所述第二組氣體中的至少一種。
23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括提供惰性氣體以與由所述第一組氣體和所述第二組氣體中的至少一種所產(chǎn)生的等離子體碰撞，從而減少所述處理的處理速度。
24.一種在等離子體處理系統(tǒng)中，處理等離子體處理室中的基板的方法，所述方法包括將第一組氣體注入到所述等離子體處理室；將第二組氣體注入到所述等離子體處理室；將所述第一組氣體激勵成等離子體；使用所述等離子體，在所述基板上執(zhí)行蝕刻和沉積中的至少一種；以及加熱所述等離子體處理系統(tǒng)的電極，以增加所述等離子體和所述第二組氣體之間的碰撞，從而減少蝕刻和沉積中的所述至少一種的處理速度。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述等離子體處理系統(tǒng)的所述電極用于注入所述第一組氣體和所述第二組氣體中的至少一種。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述第一組氣體包括氧氣。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述第二組氣體包括惰性氣體。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，將所述第一組氣體通過第一組噴嘴以第一流速以及通過第二組噴嘴以第二流速注入到所述等離子體處理室中，所述第一流速不同于所述第二流速，所述第一組噴嘴位于所述基板的第一區(qū)域上方，所述第二組噴嘴位于所述基板的第二區(qū)域上方。
29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，還包括加熱至少一部分所述等離子體處理室，以減少附著于所述等離子體處理室的污染物的量。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種用于處理基板的等離子體處理系統(tǒng)。該等離子體處理系統(tǒng)包括氣體分配系統(tǒng)。該等離子體處理系統(tǒng)還包括氣流控制組件，其連接到氣體分配系統(tǒng)，并用于控制由氣體分配系統(tǒng)提供的一組輸入氣體。該等離子體處理系統(tǒng)還包括第一組噴嘴，其連接到氣流控制組件，并用于提供處理基板的第一部分所用的第一組氣體。該等離子體處理系統(tǒng)還包括第二組噴嘴，其連接到氣流控制組件，并用于提供處理基板的第二部分所用的第二組氣體。
文檔編號H05K3/02GK101031181SQ200610161719
公開日2007年9月5日 申請日期2006年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月13日
發(fā)明者黃廣瑤, 劉福倫, 楊玉偉 申請人:朗姆研究公司