專利名稱：電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種裝載IC元件的非接觸式個(gè)體識(shí)別裝置，尤其涉及一種適宜取得廉價(jià)、高生產(chǎn)效率且良好的通信特性的電子裝置。
背景技術(shù)：
近年來，使用RFID(Radio Frequency Identificatin無線射頻識(shí)別)標(biāo)簽的非接觸式個(gè)體識(shí)別系統(tǒng)，做為管理物品的商品壽命整體的系統(tǒng)，在制造、物流、販賣的所有產(chǎn)業(yè)中引起關(guān)注。尤其是使用2.45GHz微波的無線電方式的RFID標(biāo)簽，以在IC元件外部安裝天線的構(gòu)造，可使通信距離達(dá)到數(shù)米的特征特別受到注目，當(dāng)前，正以大量商品的物流及物品管理或制造物品履歷管理等為目的，進(jìn)行系統(tǒng)的構(gòu)筑。
使用上述微波的無線電方式的RFID標(biāo)簽，例如公知的有株式會(huì)社日立制作所和株式會(huì)社Renesas科技有限公司所開發(fā)的TCP(Tape Carrier Package帶狀載體封裝)型核心標(biāo)簽(Inlet)。
另外，其他的核心標(biāo)簽(Inlet)構(gòu)造，例如株式會(huì)社日立制作所的宇佐美所發(fā)明的，在使IC元件的電極在相對的1組面的各自上各形成一個(gè)的IC元件中，偶極天線連接于各自的面所形成的各電極上的玻璃二極管封裝構(gòu)造(日本特開2002-269520號(hào)公報(bào))。更且由宇佐美等人，開發(fā)出將上述2個(gè)電極在IC元件相對的1組面的各個(gè)上各形成一個(gè)的IC元件，安裝于切口激勵(lì)切口型偶極天線時(shí)，以天線夾持上述IC元件中在相對的1組面的各自上各形成一個(gè)的各電極，成為一種夾層天線構(gòu)造(ISSCC Digest of Technical Papers，pp.398-399，2003年)。具有切口激勵(lì)切口的偶極天線構(gòu)造，可通過調(diào)整此切口的寬度及長度，來整合天線的阻抗及上述IC元件的輸入阻抗，故可提高通信距離。
為了以使用RFID標(biāo)簽的非接觸式個(gè)體識(shí)別系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)大量商品的物流及物品管理，必須對每個(gè)商品安裝RFID標(biāo)簽，故必須大量且廉價(jià)地生產(chǎn)RFID標(biāo)簽。
然而，將信號(hào)輸入輸出用的2個(gè)電極形成于同一面內(nèi)的IC元件，必須使IC元件上的電極與天線電路高精確度對正對位。尤其是在取得了良好的通信特性的激勵(lì)型偶極天線構(gòu)造中，IC元件的2個(gè)電極跨越激勵(lì)切口連接于天線上來形成共振電路，故在同一面上形成所有電極的IC元件中，必須將信號(hào)輸入用的2個(gè)電極與切口高精確度對正對位。因此，一直以來雖然都使用TAB(Tape Automated Bonding，卷帶自動(dòng)結(jié)合)制法將IC元件一個(gè)個(gè)地安裝于天線基板上，但上述的TAB制法中，是對于每一個(gè)在同一面上形成所有電極的IC元件，皆進(jìn)行從切片薄膜利用真空吸附器吸附在同一面上形成所有電極的IC元件或?qū)⑵鋵φc天線基板對位及加熱壓焊，進(jìn)而樹脂密封等各工序，故各工序的生產(chǎn)間隔時(shí)間難以縮短至1秒左右或1秒以下，對大量生產(chǎn)的生產(chǎn)效率成為大問題。
另外，生產(chǎn)間隔時(shí)間越長，該部分人事費(fèi)用也越多，將妨礙低成本化，加上為了以金·錫或金·焊錫粘合來連接于同一面上形成所有電極的IC元件和天線基板，故基板材料必須使用將聚亞胺薄膜粘貼在銅箔上的耐熱性優(yōu)良的高價(jià)的帶狀基材，而難以生產(chǎn)廉價(jià)的核心標(biāo)簽(Inlet)。
若使用以上述天線將2個(gè)電極在相對的1組面的各自上各形成一個(gè)的IC元件，其中在各自的面上各形一個(gè)成的電極加以包夾的夾層天線構(gòu)造，則不需要將激勵(lì)切口和上述IC元件中在各自的面各形成一個(gè)的各電極加以高精確度對正對位，而只需將電極形成于IC元件的兩面。這些電極，一直以來多使用電阻抗小、耐氧化性佳的金，而妨礙低成本化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是監(jiān)于上述問題提出的，提供一種廉價(jià)、生產(chǎn)效率優(yōu)良，且可取得良好通信特性的電子裝置。
為了解決上述課題，本發(fā)明提供的電子裝置包含IC元件和第1及第2電路層，其中上述IC元件具有由硅所構(gòu)成的基底基板、在上述基底基板的一方的面上形成半導(dǎo)體電路的半導(dǎo)體電路層和形成于上述半導(dǎo)體電路層上的電極，上述第1電路層通電連接于上述基底基板的另一方的面上或上述電極的任一方上，上述第2電路層通電連接于上述基底基板的另一方的面上或上述電極余下的一方上。
最好上述第1及第2電路層的至少一個(gè)以上的層具有發(fā)信、收信或收發(fā)信的功能。
此電子裝置最好包含IC元件和做為收發(fā)信天線而動(dòng)作的第1及第2電路層，上述IC元件具有由硅所構(gòu)成的基底基板、在基底基板的一方的面上形成半導(dǎo)體電路的半導(dǎo)體電路層和形成于半導(dǎo)體電路層上的電極，位于相互面對的1組面的各個(gè)上的上述基底基板面的另一方的面及上述電極的任一方與上述第1電路層通電連接，余下的一方與上述第2電路層通電連接。
此電子裝置最好包含IC元件、形成有切口且做為收發(fā)信天線而動(dòng)作的第1電路層和通電連接上述IC元件與上述天線且做為短路板而動(dòng)作的第2電路層，其中上述IC元件具有由硅所構(gòu)成的基底基板、在基底基板的一方的面上形成了半導(dǎo)體電路的半導(dǎo)體電路層和形成于半導(dǎo)體電路層上的電極，位于相互面對的1組面的各個(gè)上的上述基底基板面的另一方的面及上述電極的任一方與上述第1電路層通電連接，而余下一方與上述第2電路層通電連接。
至少上述基底基板的另一方的面通過導(dǎo)電性粘合劑連接在上述第1或第2導(dǎo)電層上為佳。
最好上述導(dǎo)電性粘合劑由熱硬化性的基質(zhì)樹脂和粒狀或鱗片狀或針狀的金屬片所構(gòu)成。
至少上述基底基板的另一方的面通過異向?qū)щ娦哉澈蟿┻B接在上述第1或第2導(dǎo)電層上為佳。
上述異向?qū)щ娦哉澈蟿┳詈冒|(zhì)樹脂和由金屬粒子或在表面形成金屬層的有機(jī)樹脂粒子所構(gòu)成的導(dǎo)電性粒子。
上述IC元件最好通過上述異向?qū)щ娦詷渲幕|(zhì)樹脂密封。
最好上述第1及第2電路層的至少一方包含由鋁或銅所構(gòu)成的導(dǎo)電層。
最好上述第1及第2電路層的至少一方被由有機(jī)樹脂構(gòu)成的基底材料所支撐，上述有機(jī)樹脂是從聚氯乙烯樹脂(PVC)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、乙二醇變性聚對苯二甲酸乙二酯(PETG)、聚萘乙烯(PEN)、聚碳酸酯樹脂(PC)、2軸延伸共聚酯(O-PET)和聚酰亞胺樹脂等中選擇的。
最好上述第1或第2電路層的至少一方被由紙所構(gòu)成的基底基材所支撐者。
若利用本發(fā)明，則可實(shí)現(xiàn)廉價(jià)、高生產(chǎn)效率且取得優(yōu)良通信特性的電子裝置。


圖1是表示俯視本發(fā)明的核心標(biāo)簽(Inlet)的構(gòu)造的圖。
圖2是表示俯視本發(fā)明的夾層天線構(gòu)造的核心標(biāo)簽(Inlet)的構(gòu)造和剖面構(gòu)造的圖。
圖3是用以說明本發(fā)明第1實(shí)施方式的制造工序圖。
圖4是用以說明本發(fā)明第2實(shí)施方式的制造工序圖。
圖5是用以說明本發(fā)明第3實(shí)施方式的制造工序圖。
圖6是用以說明本發(fā)明第4實(shí)施方式的制造工序圖。
圖中1-切口；2-第1連接部；3-第2連接部；4-第3連接部；10-IC元件；11-基底基板；12-半導(dǎo)體電路層；13-電極；20-第1電路層；21-天線電路；22-基底基材；30-第2電路層；31-導(dǎo)電層；32-基底基材；40-異向?qū)щ娦哉澈蟿樱?1-導(dǎo)電粒子；42-基質(zhì)樹脂；50-導(dǎo)電性粘合劑。
具體實(shí)施例方式
以下，用附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
本發(fā)明的電子裝置，包含一面形成有電極，而另一面為由硅所構(gòu)成的基底基板即IC元件；和至少至少做為收發(fā)信號(hào)天線的任一個(gè)而動(dòng)作的第1及第2電路層。
圖1是本實(shí)施方式的電子裝置即RFID標(biāo)簽用核心標(biāo)簽(Inlet)的一例，是表示在偶極天線上安裝了IC元件的核心標(biāo)簽(Inlet)的概略圖。圖1(a)是俯視的概略圖，圖1(b)是A-A’部的剖面概略圖。在上述IC元件10上分別形成有由硅構(gòu)成的基底基板11、形成于基底基板11一方的面上的半導(dǎo)體電路層12，和形成于此半導(dǎo)體電路層12上的電極13。上述IC元件10是通過電極13，經(jīng)由異向?qū)щ娦哉澈蟿?0所包含的導(dǎo)電粒子41，而連接于做為天線來動(dòng)作的第1電路層20。另外，上述IC元件10是通過基底基板11的另外一方的面，經(jīng)由異向?qū)щ娦哉澈蟿?0所包含的導(dǎo)電粒子41，而連接于同樣做為天線來動(dòng)作的第2電路層30。IC元件10的電極13與第1電路層20通電連接，基底基板11與第2電路層30通電連接。
另外，本發(fā)明的電子裝置包含一面形成有電極13、其相對的面為由硅所構(gòu)成的基底基板11的IC元件10；形成有切口且做為收發(fā)信號(hào)天線而動(dòng)作的第1電路層20；和通電連接上述IC元件與上述第1電路層20且做為短路板而動(dòng)作的第2電路層30。
具有激振切口的偶極天線構(gòu)造，通過調(diào)整此切口的寬度及長度，可整合天線的阻抗和上述IC元件10的輸入阻抗，是取得良好通信特性的理想構(gòu)造。
圖2是本實(shí)施方式的電子裝置亦即RFID標(biāo)簽用核心標(biāo)簽(Inlet)的一例，其表示在激勵(lì)切口型偶極天線上具有安裝了IC元件10的夾層天線構(gòu)造的核心標(biāo)簽(Inlet)。圖2(a)是俯視此核心標(biāo)簽(Inlet)的概略圖，圖2(b)是圖2(a)的B-B’部分的剖面概略圖。用圖2，簡要說明上述核心標(biāo)簽(Inlet)的構(gòu)造。
在IC元件10上，與圖1(b)所示的例相同，分別形成有由硅所構(gòu)成的基底基板11、形成于基底基板11的面上的半導(dǎo)體電路層12和形成于此半導(dǎo)體電路層12上的電極13。上述IC元件10是通過電極13，經(jīng)由異向?qū)щ娦哉澈蟿?0所包含的導(dǎo)電粒子41，而以第1連接部2連接于由基底基材22及天線電路21所構(gòu)成的第1電路層20上。同樣地，經(jīng)由異向?qū)щ娦哉澈蟿?0所包含的導(dǎo)電粒子41，分別以第2連接部3連接上述IC元件10的基底基板11和由基底基材32及導(dǎo)電層31所構(gòu)成的第2電路層、以第3連接部4連接第2電路層30和第1電路層20。上述IC元件10的基底基板11的第2連接部3和第1電路層20上的第3連接部4，是跨越形成于第1電路層20上的切口1而連接的構(gòu)造。即，上述IC元件10的電極13和基底基板11，是經(jīng)由第1連接部2、天線電路21、第3連接部4、第2電路層30的導(dǎo)電層30及第2連接部3通電連接的。另外，第1電路層20和第2電路層30的空隙，是以異向?qū)щ娦哉澈蟿?0的粘結(jié)料粘合料樹脂42進(jìn)行密封。另外，圖2雖表示IC元件10的基底基板11連接于第2電路層30的導(dǎo)電層31，電極13連接于天線電路21的構(gòu)造，但即使將IC元件10的基底基板11和電極13反轉(zhuǎn)的構(gòu)造，也不會(huì)改變做為核心標(biāo)簽(Inlet)的功能。
其次，對具有夾層天線構(gòu)造的RFID標(biāo)簽用核心標(biāo)簽(Inlet)的制造方法，舉例說明。
本發(fā)明中上述電子裝置的制造方法的第1例，是至少具有使用金屬箔構(gòu)成天線電路的工序；及通過在基底基材上設(shè)置上述天線電路而形成第1電路層的工序，或通過由在基底基材上設(shè)置的金屬箔來設(shè)置天線電路以形成上述第1電路層的工序；在上述天線電路上的IC元件裝載部及與第2電路層的連接部上形成第1導(dǎo)電性粘合劑層或異向?qū)щ娦哉澈蟿拥墓ば?；將IC元件與上述第1電路層的天線電路對位并暫時(shí)固定的工序；在上述IC元件上形成第2導(dǎo)電性粘合劑層或異向?qū)щ娦哉澈蟿拥墓ば?；為使與被暫時(shí)固定的上述IC元件及上述第1電路層上的特定位置通電連接而使對正形成有導(dǎo)電層的第2電路層對位的工序；在上述IC元件及第1電路層上，經(jīng)由第2導(dǎo)電性粘合劑層或異向?qū)щ娦哉澈蟿樱瑢⒌?電路層整體加熱壓焊的工序。
另外，本發(fā)明中的上述電子裝置的制造方法的第2例，是至少具有使用金屬箔構(gòu)成天線電路的工序；及通過在基底基材上設(shè)置上述天線電路而形成第1電路層的工序，或是由基底基材上設(shè)置的金屬箔來設(shè)置天線電路以形成上述第1電路層的工序；在上述第1電路層的天線電路上的IC元件裝載部上形成第1導(dǎo)電性粘合劑層或異向?qū)щ娦哉澈蟿拥墓ば?；在上述?電路層的天線電路上，對位IC元件并暫時(shí)固定的工序；在上述IC元件上，形成第2導(dǎo)電性粘合劑層或異向?qū)щ娦哉澈蟿拥墓ば?；為使與被暫時(shí)固定的上述IC元件及上述第1電路層上的特定位置通電連接而使形成有導(dǎo)電層的第2電路層對位的工序；在上述IC元件上，經(jīng)由第2導(dǎo)電性粘合劑層或異向?qū)щ娦哉澈蟿樱瑢⑸鲜龅?電路層整體加熱壓焊的工序；在上述第1電路層的天線電路的特定位置上，施加超聲波而壓合上述第2電路層的工序。
另外，本發(fā)明中上述電子裝置的制造方法的第3例，至少具有使用金屬箔構(gòu)成天線電路的工序；及通過在基底基材上設(shè)置上述天線電路而形成第1電路層的工序，或是由基底基材上設(shè)置的金屬箔來設(shè)置天線電路以形成第1電路層的工序；在上述天線電路上的IC元件裝載部上形成第1導(dǎo)電性粘合劑層或異向?qū)щ娦哉澈蟿拥墓ば?；在上述?電路層的天線電路上，對位IC元件并暫時(shí)固定的工序；在上述IC元件上，形成第2導(dǎo)電性粘合劑層或異向?qū)щ娦哉澈蟿拥墓ば?；為使與被暫時(shí)固定的上述IC元件及上述第1電路層上的特定位置通電連接而使對正形成有導(dǎo)電層的第2電路層對位的工序；在上述IC元件上，經(jīng)由第2導(dǎo)電性粘合劑層或異向?qū)щ娦哉澈蟿?，將?電路層整體加熱壓焊的工序；將上述第2電路層，在上述第1電路層的天線電路的特定位置上，以具有多個(gè)針狀突起的夾具，加以機(jī)械式壓接的工序。
在上述第1例～第3例中，即使將IC元件的電極及基底基板中任一方與第1電路層連接，或是即使在電極及基底基板的面方向旋轉(zhuǎn)，作為電子裝置的性能也不會(huì)改變；因上述IC元件不需排列于特定方向，故本發(fā)明的構(gòu)造適于實(shí)現(xiàn)大量生產(chǎn)。
在上述第1例～第3例中，至少IC元件的基底基板的連接部，是經(jīng)由導(dǎo)電粘合劑或異向?qū)щ娦哉澈蟿┒纬傻?。上述?dǎo)電性粘合劑包含熱硬化性的基質(zhì)樹脂和粒狀或鱗片狀或針狀的金屬片。另外，上述異向?qū)щ娦哉澈蟿┌|(zhì)樹脂和金屬粒子或在表面形成金屬層的由有機(jī)樹脂粒子所構(gòu)成的導(dǎo)電性粒子。在將IC元件和第1及第2電路層加熱壓焊時(shí)，基質(zhì)樹脂中所包含的金屬片或?qū)щ娦粤Ｗ?，?huì)以緊貼于IC元件的由硅所構(gòu)成的基底基板上的狀態(tài)被固定，故可得良好的通電連接。
在經(jīng)由異向?qū)щ娦哉澈蟿舆M(jìn)行連接時(shí)，通過將IC元件與第1及第2電路層加熱壓焊來進(jìn)行通電連接，并可密封第1及第2電路層的空隙。此時(shí)，異向?qū)щ娦哉澈蟿拥暮穸群嫌?jì)，至少為上述IC元件的厚度的2分之1以上，可取得與第1及第2電路層的密封性，在實(shí)現(xiàn)高可靠度的點(diǎn)上最為理想。
在上述第1例～第3例中，形成第1電路層的天線電路的金屬箔，及形成第2電路層的導(dǎo)電層，至少一方為鋁或銅。
在上述第1例～第3例中，第1及第2金屬箔的至少一方是被由有機(jī)樹脂或紙所構(gòu)成的基底基材來支撐的。上述有機(jī)樹脂，是由聚氯乙烯樹脂(PVC)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、乙二醇變性聚對苯二甲酸乙二酯(PETG)、聚萘乙烯(PEN)，聚碳酸酯樹脂(PC)、2軸延伸共聚酯(O-PET)，聚酰亞胺樹脂等中選擇。
在上述第1例～第3例中，做為第1電路層的形成方法，例如使用金屬箔形成天線電路后通過將其設(shè)置于基底基材上，來形成第1電路層的方法；及通過在基底基材上設(shè)置金屬箔后，以蝕刻等形成天線電路，來形成第1電路層的方法。
在上述第1例～第3例中，做為用以形成第2導(dǎo)電層而將導(dǎo)電層設(shè)置于基底基材上的方法，例如有將金屬箔單純粘貼在上述基底基材上的方法；因沒有對上述金屬箔進(jìn)行蝕刻等處理的必要，故在實(shí)現(xiàn)低成本化點(diǎn)上最為理想。
在上述第1例～第3例中，以圖1的A-A’方向做為寬度方向時(shí)，第2電路層必須具有跨越切口而架在上述IC元件上的長度，而以具有與天線電路的寬度約相等的長度，在核心標(biāo)簽(Inlet)整體的外觀上最為理想。
在上述第1例～第3例中，經(jīng)過上述各工序，而可取得本發(fā)明的電子裝置亦即核心標(biāo)簽(Inlet)構(gòu)造。
對上述核心標(biāo)簽(Inlet)來說，在以RFID狀態(tài)使用時(shí)，在核心標(biāo)簽(Inlet)的上下設(shè)置覆蓋板，可保護(hù)電路并防止短路最為理想。
在上述第1例～第3例中，通過使用上述IC元件和第2電路層，做為跨越切口的連接構(gòu)造，不需高精密度的將上述IC元件和天線電路上的激勵(lì)切口對正對位；故即使使用例如篩網(wǎng)或模具來校正多個(gè)上述IC元件般的粗糙位置確度，也可整體良好的安裝在第1電路層上。亦即，對比一個(gè)個(gè)地安裝上述IC元件的情況，可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)良的生產(chǎn)效率。通過提高生產(chǎn)效率，可縮短每1個(gè)核心標(biāo)簽(Inlet)的生產(chǎn)間隔時(shí)間。
在上述第1例～第3例中，為了使用上述IC元件和第2電路層，形成跨越切口的連接構(gòu)造，又為了經(jīng)由導(dǎo)電性粘合劑或異向?qū)щ娦哉澈蟿┒M(jìn)行連接，故不需在上述IC元件的由硅所構(gòu)成的基底基板上用金等形成電極，而可實(shí)現(xiàn)低成本化。
在上述第1例～第3例中，上述IC元件與第1及第2電路層的通電連接，是經(jīng)由導(dǎo)電性粘合劑或異向向?qū)щ娦哉澈蟿觼磉M(jìn)行；又第1及第2電路層的通電連接，是經(jīng)由導(dǎo)電性粘合劑或異向?qū)щ娦哉澈蟿拥倪B接，或施加超聲波進(jìn)行的連接，或以具有多個(gè)針狀突起的夾具加以機(jī)械式壓接，故不需要天線電路上的表面電鍍，且也不需要為了形成金屬粘合而承受200℃以上高溫焊接的高耐熱性基底基材，故可使用廉價(jià)的基底基材及天線電路，而實(shí)現(xiàn)低成本化。
例如比起現(xiàn)有的以金·錫接合等的連接，必須使用高耐熱性的聚酰亞胺作為第1電路層的基底基材，與此相對，本發(fā)明是例如可使用廉價(jià)的聚對苯二甲酸乙二酯等的。另外，上述連接部在天線電路上的表面，不需施加鍍錫等，故可使用錫或焊錫等電鍍性差的但便宜的鋁，來做為天線電路的材料。從而，例如在聚對苯二甲酸乙二酯基底基材上，以鋁形成天線電路而得到的第1電路層，是用以制造廉價(jià)RFID核心標(biāo)簽(Inlet)的理想部件。
即，本發(fā)明的電子裝置，是包含IC元件，形成有切口且做為收發(fā)信號(hào)天線而動(dòng)作的第1電路層，和通電連接上述IC元件與上述天線且做為短路板而動(dòng)作的第2電路層的電子裝置，其特征在于，上述IC元件是具有由硅所構(gòu)成的基底基板、在基底基板上形成半導(dǎo)體電路的半導(dǎo)體電路層和形成于半導(dǎo)體電路層上的電極，而位于相互面對的1組面的各個(gè)的上述電極(基底基板的一方的面)及上述基底基板面(基底基板的其他方的面)的一方與上述第1電路層通電連接，而余下的另一方與上述第2電路層通電連接。
如在上述第1例～第3例所做的說明，至少通過將上述IC元件中由硅所構(gòu)成的基底基板面與第1及第2電路層的通電連接部經(jīng)由導(dǎo)電性粘合劑或異向?qū)щ娦哉澈蟿﹣磉M(jìn)行，則可低成本的生產(chǎn)核心標(biāo)簽(Inlet)，而大幅度提高其生產(chǎn)效率。
實(shí)施例以下，用附圖更加詳細(xì)地說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本發(fā)明并非限定于這些實(shí)施例。
第1實(shí)施例以下用圖3說明第1實(shí)施例。
首先如圖3(a)所示，在厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二酯基底基材22上，在用粘合劑貼上厚度9μm的鋁箔而成為膠帶狀基材的鋁箔面上，以網(wǎng)板印刷形成蝕刻保護(hù)層后，使用氯化鐵水溶液做為蝕刻液，形成天線電路21，而做成第1電路層10。在此，使天線電路21的天線寬度為2.5mm，切口寬度0.5mm。附圖包含以下工序，表示在圖2的B-B’剖開時(shí)的剖面。
其次，如圖3(b)所示，在天線電路21上的特定位置，將寬2mm的異向?qū)щ娬澈媳∧?AC-2052P-45(日立化成工業(yè)有限公司)制造)以80℃壓疊，剝除分隔膜而形成異向?qū)щ娬澈蟿?0。
其次，如圖3(c)所示，將IC元件10定位于天線電路21上的特定位置，并暫時(shí)固定。圖中表示電極13與天線電路21的面相對，但將其上下反轉(zhuǎn)而使基板11相對于天線電路21的面并暫時(shí)固定，亦無差別。
其次，如圖3(d)所示，在厚50μm的聚對苯二甲酸乙二酯基底基材32上，以粘合劑粘貼厚度9μm的鋁箔而成為寬2mm的膠帶狀基材的鋁箔面上，將與上述膠帶狀基材同寬度的上述異向?qū)щ娦哉澈媳∧?00以80℃壓疊，剝除分隔膜，而形成附帶異向?qū)щ娦哉澈蟿?0的第2電路層30后，將上述異向?qū)щ娦哉澈蟿?0以面對IC元件10的方向，與第1電路層20在特定位置對正，并暫時(shí)固定。
其次，如圖3(e)所示，由附帶異向?qū)щ娦哉澈蟿?0的第2電路層30側(cè)降下壓焊頭，在壓力12MPa，溫度180℃，加熱時(shí)間15秒的條件下，將上述附帶異向?qū)щ娦哉澈蟿?0的第2電路層30相對第1電路層20的上述IC元件10及天線電路21，在特定位置整體加熱壓焊，同時(shí)密封第1電路層20和第2電路層30之間的空隙。在壓焊頭上，使可連接上述IC元件10和第1電路層20及第2電路層30，并同時(shí)連接第1電路層20及第2電路層30地，在特定位置形成上述IC元件10的厚度部分的突起。
在以上工序中，可得到圖2及圖3(e)所示形狀的核心標(biāo)簽(Inlet)。另外，進(jìn)行通信實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，并無通信不良。
若使用本工序，則無須在IC元件10中由硅所構(gòu)成的基底基板11(上述其他一方的面)上形成電極，故可以低成本實(shí)現(xiàn)具有良好通信特性的核心標(biāo)簽(Inlet)。
第2實(shí)施例以下，用圖4說明第2實(shí)施例。
首先，如圖4(a)所示，到圖3(c)為止使用與第1實(shí)施例相同的工序，進(jìn)行上述第1電路層20的加工，將上述異向?qū)щ娦哉澈媳∧函B在天線電路上而形成異向?qū)щ娦哉澈蟿?0，然后在天線電路21上的特定位置，暫時(shí)固定上述IC元件10。
其次，如圖4(b)所示，在上述IC元件10中，在與面對天線電路21的面相反的面上，涂布含有銀填充物的導(dǎo)電性粘合劑50。
其次，如圖4(c)所示，在厚50μm的聚對苯二甲酸乙二酯基底基材32上，以粘合劑粘貼厚度9μm的鋁箔做為導(dǎo)電層31，而成為寬2mm的膠帶狀的第2電路層30后，將上述鋁箔導(dǎo)電層31以相對于IC元件10的方向，與第1電路層20在特定位置對正，并暫時(shí)固定。
其次，如圖4(d)所示，由第2電路層30側(cè)降下壓焊頭，在壓力12MPa，溫度180℃，加熱時(shí)間15秒的條件下，將上述第2電路層30相對第1電路層20的上述IC元件10及天線電路21，在特定位置整體加熱壓焊，同時(shí)密封第1電路層20和第2電路層30之間的空隙。在壓焊頭上，使可連接上述IC元件10和第1電路層20及第2電路層30，并同時(shí)連接第1電路層20及第2電路層30地，在特定位置形成上述IC元件10的厚度部分的突起。
在以上工序中，可得到圖2及圖4(d)所示形狀的核心標(biāo)簽(Inlet)。另外，進(jìn)行通信實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，并無通信不良。
若使用本工序，則無須在IC元件10中的由硅所構(gòu)成的基底基板11(上述其他一方的面)上形成電極，故可以低成本實(shí)現(xiàn)具有良好通信特性的核心標(biāo)簽(Inlet)。
第3實(shí)施例以下用圖5說明第3實(shí)施例。
首先，如圖5(a)所示，到圖3(c)為止使用與第1實(shí)施例相同的工序，進(jìn)行上述第1電路層20的加工，將上述異向?qū)щ娦哉澈媳∧函B于天線電路21上的IC元件10的安裝位置附近的特定位置上，而形成異向?qū)щ娦哉澈蟿?0，然后在天線電路21上的特定位置上，暫時(shí)固定上述IC元件10。
其次，如圖5(b)所示，用與圖3(d)相同的工序，準(zhǔn)備好將異向?qū)щ娦哉澈蟿?0形成在IC元件10的連接位置附近的特定位置上的附帶異向?qū)щ娦哉澈蟿?0的第2電路層30后，在上述異向?qū)щ娦哉澈蟿?0面對IC元件10的方向上，與第1電路層20在特定位置對正，并暫時(shí)固定。
其次，如圖5(c)所示，由第2電路層30側(cè)降下壓焊頭，在壓力12MPa，溫度180℃，加熱時(shí)間15秒的條件下，將上述第2電路層30相對第1電路層20的上述IC元件10，在特定位置整體加熱壓焊，同時(shí)密封第1電路層20和第2電路層30之間的IC元件10的附近。
其次，如圖5(d)所示，在第2電路層30和第1電路層20的連接部上，自第2電路層30側(cè)降下超聲波粘合頭110，在壓力12MPa，溫度180℃，施加時(shí)間1秒的條件下來施加輸出為1W的超聲波振動(dòng)，進(jìn)行超聲波粘合。
在以上工序中，可得到圖2及圖5(d)所示形狀的核心標(biāo)簽(Inlet)。另外，進(jìn)行通信實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，并無通信不良。
若使用本工序，則與第1及第2實(shí)施例相同，無須在IC元件10中的由硅所構(gòu)成的基底基板11(上述其他一方的面)上形成電極，故可以低成本實(shí)現(xiàn)具有良好通信特性的核心標(biāo)簽(Inlet)。
第4實(shí)施例以下用圖6說明第4實(shí)施例。
首先，如圖6(a)所示，到圖5(c)為止使用與第3實(shí)施例相同的工序，依序進(jìn)行第1電路層20的加工、異向?qū)щ娦哉澈蟿?0的形成、向天線電路21上的特定位置暫時(shí)固定IC元件10、準(zhǔn)備附帶異向?qū)щ娦哉澈蟿?0的第2電路層30及其向第1電路層20的暫時(shí)固定和第2電路層30的加熱壓焊。
其次，如圖6(b)所示，將第1電路層20和第2電路層30的連接部，以具有多個(gè)針狀凹凸的一組咬合夾具120，來進(jìn)行壓接。第1電路層20和第2電路層30的鋁箔彼此之間通過壓合而產(chǎn)生塑性變形，以機(jī)械地接觸的狀態(tài)而被固定，進(jìn)而得到通電連接。亦即，第1電路層20的天線電路21和第2電路層30的導(dǎo)電層31通電連接。
在以上工序中，可得到圖2及圖6所示形狀的核心標(biāo)簽(Inlet)。另外，進(jìn)行通信實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，并無通信不良。
若使用本工序，則與第1～第3實(shí)施例相同，無須在IC元件10中的由硅所構(gòu)成的基底基板11(上述其他一方的面)上形成電極，故可以低成本實(shí)現(xiàn)具有良好通信特性的核心標(biāo)簽(Inlet)。
統(tǒng)合以上實(shí)施例的結(jié)果，以表1表示。
表1

權(quán)利要求
1.一種電子裝置，包含IC元件和第1及第2電路層，其特征在于，上述IC元件具有由硅所構(gòu)成的基底基板、在上述基底基板的一方的面上形成半導(dǎo)體電路的半導(dǎo)體電路層和形成于上述半導(dǎo)體電路層上的電極，上述第1電路層通電連接于上述基底基板的另一方的面上或上述電極的任一方上，上述第2電路層通電連接于上述基底基板的另一方的面上或上述電極余下的一方上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，至少上述基底基板的另一方的面通過導(dǎo)電性粘合劑與上述第1或第2導(dǎo)電層連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子裝置，其特征在于，上述導(dǎo)電性粘合劑是由熱硬化性的基質(zhì)樹脂和粒狀或鱗片狀或針狀的金屬片所構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，至少上述基底基板的另一方的面通過異向?qū)щ娦哉澈蟿┡c上述第1或第2導(dǎo)電層連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子裝置，其特征在于，上述異向?qū)щ娦哉澈蟿┌|(zhì)樹脂和由金屬粒子或在表面形成金屬層的有機(jī)樹脂粒子所構(gòu)成的導(dǎo)電性粒子。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的電子裝置，其特征在于，上述IC元件通過上述異向?qū)щ娦詷渲幕|(zhì)樹脂密封。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的電子裝置，其特征在于，上述第1或第2電路層的至少一方包含鋁或銅所構(gòu)成的導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的電子裝置，其特征在于，上述第1或第2電路層的至少一方被由有機(jī)樹脂構(gòu)成的基底材所支撐，上述有機(jī)樹脂是從聚氯乙烯樹脂(PVC)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、乙二醇變性聚對苯二甲酸乙二酯(PETG)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯樹脂(PC)、2軸延伸共聚酯(O-PET)、聚酰亞胺樹脂等中選擇的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的電子裝置，其特征在于，上述第1或第2電路層的至少一方被紙所構(gòu)成的基底基材所支撐。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子裝置，包含IC元件(10)、在表面形成由導(dǎo)電層所構(gòu)成的天線電路(21)的第1電路層(20)和在表面形成導(dǎo)電層(31)的第2電路層，IC元件(10)具有由硅所構(gòu)成的基底基板(11)、在基底基板(11)的一方的面上形成半導(dǎo)體電路的半導(dǎo)體電路層(12)和形成于半導(dǎo)體電路層(12)上的電極(13)，第1電路層(20)通電連接于基底基板(11)的另一方的面上或電極(13)的任一方上，第2電路層(30)通電連接于基底基板(11)的另一方的面上或電極(13)余下的一方上，由此可得到廉價(jià)、生產(chǎn)效率優(yōu)良且通信特性良好的電子裝置。
文檔編號(hào)H05K3/32GK1918583SQ20058000408
公開日2007年2月21日 申請日期2005年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月6日
發(fā)明者田崎耕司, 石坂裕宣, 澀谷正仁, 田中耕輔, 新澤正久, 殿塚秀彥, 巖田克也 申請人:日立化成工業(yè)株式會(huì)社