專利名稱：電路基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及裝入于IC卡端子等半導(dǎo)體插件以及便攜信息終端等電子設(shè)備中的高密度印刷布線板、柔性印刷布線板等以及裝入于薄型馬達(dá)或各種磁傳感器中的線圈狀布線板等多種印刷布線板的制造方法。
背景技術(shù)：
以前，印刷電路布線的形成是采用如下所述的減成法實(shí)現(xiàn)的用抗蝕劑把所需要的電路部分保護(hù)起來，不需要的部分通過化學(xué)蝕刻等方法去除。
作為在金屬箔表面上形成抗蝕劑的方法，有在半導(dǎo)體工藝等中經(jīng)常使用的、對感光性抗蝕劑進(jìn)行曝光顯影的平版印刷工序。作為感光性抗蝕劑，有用熱滾筒將膜片狀的感光性抗蝕劑熱壓接在金屬箔表面上的而成的干膜片、或通過滾筒涂敷等對液態(tài)感光性抗蝕劑進(jìn)行涂敷而形成的液態(tài)抗蝕劑。
近年來，伴隨著電子設(shè)備的小型化及高性能化，印刷布線板的布線導(dǎo)體的高密度化和間距狹小化的要求越來越高。為了形成在這種減成法中的微細(xì)布線，正在對電路金屬箔層的薄膜化、抗蝕劑的薄膜化以及高解析度的抗蝕材料進(jìn)行開發(fā)，圖2是表示根據(jù)以往方法的例子的導(dǎo)體布線的形成方法的工序圖。在圖2(a)中，在具有絕緣基材5的、附有銅箔的絕緣性基板1的銅箔2(例如厚度為35μm)上，利用熱滾筒將由負(fù)性干膜片形成的第1抗蝕劑膜3(例如厚度為10μm)熱壓接在銅箔表面上，對該抗蝕劑膜3進(jìn)行曝光處理。圖2(a)表示曝光處理后的狀態(tài)，在該圖中，3a表示顯影后殘存的部分。
在圖2(b)中，上述曝光處理后的基板1通過用碳酸鈣等進(jìn)行噴射顯影而殘留下來3a作為蝕刻掩模。在圖2(c)中，顯影處理之后的基板1被用酸性蝕刻液(例如氯化亞鐵液)噴射，上述的銅箔2被上述酸性蝕刻液選擇性地蝕刻掉。這時(shí)，由于蝕刻液侵入到抗蝕劑和金屬箔的界面上并在水平方向上推進(jìn)，所以在抗蝕劑的端部產(chǎn)生了浮出部(以下，將向水平方向的蝕刻稱作“側(cè)面蝕刻”)。側(cè)面蝕刻推進(jìn)時(shí)抗蝕劑的剛性下降，所以抗蝕劑由于蝕刻液的噴射而變形，阻礙了抗蝕劑下的蝕刻液的流動(dòng)，布線6下部形成拉起裙擺時(shí)的形狀，得不到希望的高縱橫比的布線導(dǎo)體形狀。圖2(d)是相對于蝕刻后的基板1實(shí)施了剝離處理(例如堿性的氫氧化鈉水溶液)之后的圖。
在專利文獻(xiàn)1中公開了下述方法在附有金屬箔的絕緣性基板表面上的金屬箔上，形成樹脂抗蝕劑圖形膜，以該膜作為抗蝕劑而將上述金屬箔的膜厚的一部分半蝕刻掉，之后，通過加熱到上述樹脂抗蝕劑圖形膜的軟化溫度以上，上述樹脂抗蝕劑圖形膜發(fā)生熱變形，并附著在通過半蝕刻形成的金屬圖形的側(cè)壁部上，該樹脂抗蝕劑圖形成為在對金屬箔的膜厚的殘存的部分進(jìn)行蝕刻之時(shí)的側(cè)面抗蝕劑，所以可以得到側(cè)面蝕刻較少的布線導(dǎo)體。
專利文獻(xiàn)1特開2001-094234號公報(bào)如上所述，電路布線是通過把所需要的電路部用抗蝕劑保護(hù)起來、不需要的部分通過化學(xué)蝕刻等去除的減成法進(jìn)行的。但是，這種電路圖形中的各圖形寬度是由流過那里的電流量和構(gòu)成圖形的導(dǎo)體箔的厚度決定的。不得不維持著電流電容來實(shí)現(xiàn)微細(xì)化以及增高布線高度。但是，在利用以往的方法形成高縱橫比的微細(xì)布線時(shí)，由于側(cè)面蝕刻而導(dǎo)致抗蝕劑的機(jī)械強(qiáng)度下降，阻礙了流向抗蝕劑下的液流，從而不能得到所希望的蝕刻形狀，或者印刷布線板內(nèi)的金屬導(dǎo)體寬度會(huì)產(chǎn)生離散。
雖然可以通過增加抗蝕劑的厚度來提高抗蝕劑的強(qiáng)度，但是如果抗蝕劑的厚度增加則一般不但會(huì)導(dǎo)致抗蝕劑的解析度下降，而且在狹小的間隙部中，抗蝕劑之間的液體流動(dòng)受阻而難以形成微細(xì)布線。如果能夠如專利文獻(xiàn)1中記載的那樣使抗蝕劑圖形膜產(chǎn)生熱變形，并使其附著在通過半蝕刻而形成的金屬圖形的側(cè)壁部上，則可以得到側(cè)面蝕刻較少且縱橫比高的布線導(dǎo)體。但是使熱變形的抗蝕劑圖形均勻地再附著在金屬銅箔上在工業(yè)上是困難的。而且，還可以預(yù)想到由于再次附著的抗蝕劑圖形是產(chǎn)生3維的變形、從而剝離也會(huì)變得困難。
從這樣的背景可以判斷，根據(jù)以往的減成法難以形成高縱橫比的布線。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，是考慮了上述問題而作出的，其目的在于提供能夠形成高縱橫比布線的電路基板的制造方法。
作為達(dá)到上述目的的方法，本發(fā)明具有下述特征在附有金屬箔的絕緣性樹脂基板表面的金屬箔上形成第1感光性抗蝕劑膜，之后進(jìn)行曝光，在前述感光性抗蝕劑膜上形成第2感光性抗蝕劑膜并進(jìn)行曝光，之后通過顯影而形成由前述第1及第2感光性抗蝕劑膜構(gòu)成的抗蝕劑圖形，對前述金屬箔進(jìn)行蝕刻。
根據(jù)本發(fā)明，由于不必使用特殊的感光性抗蝕劑，可以使用一般的感光性抗蝕劑，所以可以容易且廉價(jià)地提供在以往難以實(shí)現(xiàn)的高縱橫比的布線基板。而且還有不必使用特殊的裝置而使用一般的印刷電路布線制造裝置就可以制造出來的優(yōu)點(diǎn)。


圖1是本發(fā)明的一實(shí)施例的電路基板制造工序圖。
圖2是現(xiàn)有例的電路基板制造工序圖。
具體實(shí)施例方式
下面，一邊參照圖示的實(shí)施例一邊進(jìn)一步說明本發(fā)明。圖1是本發(fā)明的一實(shí)施例的、可以形成高縱橫比的導(dǎo)體布線的電路基板的制造工序圖。
在圖1(a)中，在附有銅箔的絕緣性基板1的銅箔2(例如厚度為35μm)上，利用熱滾筒將由負(fù)性干膜片形成的第1抗蝕劑膜3(例如厚度為10μm)熱壓接在銅箔表面上，并對該抗蝕劑膜3進(jìn)行曝光處理。圖1(a)是表示實(shí)施曝光處理后的狀態(tài)，在該圖中，3a表示顯影后殘存的部分。而5是表示絕緣基材。
在圖1(b)中，在實(shí)施上述曝光處理后的絕緣性基板上，利用熱滾筒將由負(fù)性干膜片形成的第2抗蝕劑膜4(例如厚度為20μm)熱壓接在抗蝕劑膜3表面上，并對該抗蝕劑膜4進(jìn)行曝光處理。這時(shí)，曝光到比上述抗蝕劑膜3a更靠內(nèi)側(cè)(例如10μm)的面上這一點(diǎn)很重要。圖2(b)表示實(shí)施曝光處理后的狀態(tài)，在該圖中，4a表示顯影后殘存的部分。
在圖1(c)中，上述曝光處理后的基板1通過用碳酸鈣等進(jìn)行噴射顯影而殘留下來3a、4a作為抗蝕劑掩模。
在圖1(d)中，顯影處理之后的基板1被酸性蝕刻液(例如氯化亞鐵液)噴射，上述的銅箔2被上述酸性蝕刻液選擇性地蝕刻。這時(shí)，由于側(cè)面蝕刻，在抗蝕劑3a的端部會(huì)產(chǎn)生浮出的部分。但是，由于3a和4a粘接在一起，所以剛性較高。因此蝕刻液的噴射時(shí)抗蝕劑也不會(huì)變形，從而不會(huì)阻礙抗蝕劑下液體的流動(dòng)。而且，抗蝕劑膜3a較薄，加之，雖然抗蝕劑4a比3a厚但由于比抗蝕劑3a縮回一些故而很少阻礙蝕刻液的流動(dòng)，所以可以得到希望的蝕刻形狀的布線7。
圖1(e)是對得到了希望的蝕刻形狀之后的基板1進(jìn)行了過剝離處理(例如堿性的氫氧化鈉水溶液)之后的圖。
并且，在本實(shí)施方式中，作為感光性樹脂抗蝕劑使用的是負(fù)性抗蝕劑，但也可以使用正性抗蝕劑。并且，在本實(shí)施方式中，作為感光性樹脂抗蝕劑使用的是干膜片，但也可以使用液態(tài)抗蝕劑。并且，在本實(shí)施方式中，第1及第2感光性樹脂抗蝕劑都由干膜片(dry film)制成，但也可以是液態(tài)抗蝕劑和干膜片的組合。
而且，本實(shí)施方式中，使用的是在單面上附有銅箔的、附有銅箔的絕緣性基板，但也可以使用雙面或者多層基板。
權(quán)利要求
1.一種電路基板的制造方法，在附有金屬箔的絕緣性樹脂基板表面的金屬箔上形成第1感光性抗蝕劑膜，之后進(jìn)行曝光，在前述感光性抗蝕劑膜上形成第2感光性抗蝕劑膜并進(jìn)行曝光，之后通過顯影而形成由前述第1及第2感光性抗蝕劑膜構(gòu)成的抗蝕劑圖形，并對前述金屬箔進(jìn)行蝕刻。
全文摘要
在附有金屬箔的絕緣性樹脂基板表面的金屬箔(2)上形成第1感光性抗蝕劑膜(3)，之后進(jìn)行曝光。然后，在第1感光性抗蝕劑膜(3)上形成第2感光性抗蝕劑膜(4)并進(jìn)行曝光，之后，通過顯影而形成由第1及第2感光性抗蝕劑膜(3、4)構(gòu)成的抗蝕劑圖形(3a、4a)。之后，蝕刻金屬箔(2)而形成高縱橫比的布線(7)。具有這種高縱橫比的布線(7)的電路基板，不必使用特殊裝置，使用一般的印刷基板制造裝置就可以容易且廉價(jià)地制造出來。
文檔編號H05K3/06GK1678171SQ20051005956
公開日2005年10月5日 申請日期2005年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月29日
發(fā)明者莊村光信 申請人:日本梅克特隆株式會(huì)社