專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平面顯示面板，且特別是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板(organic electroluminescent display，簡(jiǎn)稱OELD)及其制造方法。
背景技術(shù)：
多媒體社會(huì)的急速發(fā)展，多半受惠于半導(dǎo)體元件或顯示裝置的飛躍性進(jìn)步。就顯示器而言，具有高畫(huà)質(zhì)、空間利用率佳、低消耗功率、無(wú)輻射等優(yōu)越特性的平面顯示器(Flat Panel Display)已逐漸成為市場(chǎng)的主流。
目前市面上的平面顯示器包括液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有機(jī)電致發(fā)光顯示器以及等離子顯示器(Plasma Display Panel，PDP)等等。其中，由于有機(jī)電致發(fā)光顯示器有無(wú)視角限制、低制造成本、高應(yīng)答速度(約為液晶的百倍以上)、省電、直流驅(qū)動(dòng)、工作溫度范圍大、重量輕與體積小等優(yōu)點(diǎn)，而十分符合多媒體時(shí)代顯示器的特性要求，因此具有極大的發(fā)展?jié)摿?，而有望成為下一代平面顯示器的主流。
就驅(qū)動(dòng)方式而言，有機(jī)電致發(fā)光顯示器可以分為主動(dòng)式與被動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器。由于被動(dòng)元件的壽命與發(fā)光效率會(huì)隨尺寸和分辨率的增加而急劇退化，因此與公知的多以被動(dòng)方式驅(qū)動(dòng)的低階有機(jī)電致發(fā)光顯示器相比，當(dāng)前的有機(jī)電致發(fā)光顯示器多采用主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)。
目前生產(chǎn)出一種主動(dòng)矩陣式有機(jī)電致發(fā)光顯示面板(active matrixorganic electroluminescent display panel)，其主要是在基板上形成有機(jī)功能層，其中基板上例如已形成有薄膜晶體管陣列(thin film transistor array，TFT array)。并且，在有機(jī)功能層上形成陰極層。如此，便可通過(guò)薄膜晶體管陣列來(lái)驅(qū)動(dòng)此主動(dòng)矩陣式有機(jī)電致發(fā)光顯示面板發(fā)光。
此外，有機(jī)電致發(fā)光顯示面板也可分成底部發(fā)光型和頂部發(fā)光型兩種。底部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示面板主要是依次在基板上形成透明陽(yáng)極層、有機(jī)材料層和金屬陰極層，其中雖然有機(jī)功能層所發(fā)出的光線是朝向所有可能的方向，但朝向頂部的光線會(huì)被金屬陰極層反射而朝下射出。因此，大部分的光線在通過(guò)透明陽(yáng)極層后，會(huì)從有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的底部發(fā)出。
圖1為公知的一種底部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的剖面圖。如圖1所示，公知的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板100包括基板110、多個(gè)有源元件120、介電層130、透明電極層140、有機(jī)功能層150以及陰極層160。其中，有源元件120設(shè)置于基板110上，而介電層130亦設(shè)置于基板110上，并覆蓋有源元件120。此外，透明電極層140通過(guò)介電層130的開(kāi)口130a而耦接至有源元件120，有機(jī)功能層150設(shè)置于透明電極層140上，且陰極層160設(shè)置于有機(jī)功能層150上。一般而言，有源元件120通常是薄膜晶體管，其中部份的薄膜晶體管用以提供開(kāi)關(guān)的功能，而其余部分的薄膜晶體管用以提供驅(qū)動(dòng)的功能，且薄膜晶體管可以是非晶硅薄膜晶體管(amorphous silicon TFTs，簡(jiǎn)稱a-Si TFTs)或低溫多晶硅薄膜晶體管(low temperature poly-silicon TFTs，簡(jiǎn)稱LTPSTFTs)等。
然而，公知的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板100仍然存在一些缺點(diǎn)。舉例而言，當(dāng)薄膜晶體管的硅層被有機(jī)功能層所產(chǎn)生的光線照射時(shí)，將會(huì)產(chǎn)生光漏電流。此光漏電流不僅影響薄膜晶體管本身的電性表現(xiàn)，且在顯示器顯示圖框影像時(shí)亦會(huì)引起閃爍或串音等問(wèn)題。此外，相鄰象素之間的交互漏光亦可能造成混色，而影響顯示對(duì)比(contrast)，導(dǎo)致顯示質(zhì)量下降。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的就是提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板及其制造方法，其是將有源元件與有機(jī)功能層所發(fā)出的光線隔離，以避免有源元件產(chǎn)生光漏電流以及相鄰象素之間的漏光現(xiàn)象。
基于上述或其它目的，本發(fā)明提出一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，其主要包括基板、有源元件陣列、透明電極層、遮光層、有機(jī)功能層以及上電極層。其中，基板具有多個(gè)象素區(qū)，其中每一個(gè)象素區(qū)被劃分為元件區(qū)和發(fā)光區(qū)，而有源元件陣列設(shè)置于基板的元件區(qū)內(nèi)，且透明電極層設(shè)置于基板上，并耦接至有源元件陣列。此外，遮光層設(shè)置于基板上，且遮光層至少覆蓋有源元件陣列，并暴露出發(fā)光區(qū)內(nèi)的透明電極層。另外，有機(jī)功能層設(shè)置于遮光層所暴露的透明電極層上，而上電極層設(shè)置于有機(jī)功能層上。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板例如還包括介電層，其是設(shè)置在基板上，并覆蓋有源元件陣列。其中，介電層具有多個(gè)開(kāi)口，以暴露出部分的有源元件陣列，而透明電極層則通過(guò)這些開(kāi)口耦接至有源元件陣列。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述介電層例如還暴露出基板的發(fā)光區(qū)，其上設(shè)置有部分的透明電極層。
依照本發(fā)明之一較佳實(shí)施例所述，上述有源元件陣列例如包括多個(gè)非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFTs)或多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPSTFTs)。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述透明電極層的材料例如包括銦錫氧化物(indium-tin oxide，ITO)或銦鋅氧化物(indium-zinc oxide，IZO)。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述遮光層的材料例如是感光樹(shù)脂(photosensitive resin)。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述有機(jī)功能層包括依次堆疊的電洞注入層(hole injecting layer，HIL)、電洞傳輸層(hole transportinglayer，HTL)、發(fā)光層(emitting layer，EL)、電子傳輸層(electrontransporting layer，ETL)以及電子注入層(electron injecting layer，EIL)。
本發(fā)明還提出一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制造方法。首先，提供有源元件陣列基板，其具有多個(gè)象素區(qū)，其中每一個(gè)象素區(qū)被劃分為元件區(qū)和發(fā)光區(qū)，且元件區(qū)內(nèi)設(shè)置有有源元件陣列。此外，有源元件陣列基板上設(shè)置有透明電極層，耦接至有源元件陣列。然后，在有源元件陣列基板上形成遮光層，此遮光層至少覆蓋有源元件陣列，并暴露出發(fā)光區(qū)內(nèi)的透明電極層。接著，在遮光層所暴露的透明電極層上形成有機(jī)功能層。之后，在有機(jī)功能層上形成上電極層。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述形成遮光層的步驟例如包括在基板上形成遮光材料層，并且圖案化此遮光材料層，以暴露出發(fā)光區(qū)內(nèi)的透明電極層。另外，遮光層的材料例如是感光樹(shù)脂，而圖案化遮光材料層的方法包括進(jìn)行微影工序。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，在形成透明電極層之前，例如還包括在有源陣列基板上形成具有多個(gè)開(kāi)口的介電層，以暴露出部分的有源元件陣列，而透明電極層通過(guò)這些開(kāi)口耦接至有源元件陣列。另外，介電層例如還暴露出有源元件陣列基板的發(fā)光區(qū)，其上設(shè)置有部分的透明電極層。
依照本發(fā)明之一較佳實(shí)施例所述，上述形成有機(jī)功能層的步驟例如包括依次形成電洞注入層、電洞傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
在本發(fā)明之有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，由于有源元件受到遮光層的保護(hù)，因此可以避免光漏電流的問(wèn)題，并可減少相鄰象素之間的漏光現(xiàn)象。因此，本發(fā)明之有機(jī)電致發(fā)光顯示面板可具有較高的可靠性以及較佳的顯示質(zhì)量。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1為公知的一種底部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的剖面圖。
圖2為本發(fā)明之較佳實(shí)施例之一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的剖面圖。
圖3A～3F依次為本發(fā)明之較佳實(shí)施例中具有非晶硅薄膜晶體管之有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制造流程剖面圖。
圖4A～4H依次為本發(fā)明之較佳實(shí)施例中具有低溫多晶硅薄膜晶體管之有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制造流程剖面圖。
主要元件標(biāo)記說(shuō)明100有機(jī)電致發(fā)光顯示面板110基板120多個(gè)有源元件130介電層130a開(kāi)口140透明電極層150有機(jī)功能層160陰極層200有機(jī)電致發(fā)光顯示面板210基板212象素區(qū)212a元件區(qū)212b發(fā)光區(qū)220有源元件陣列222有源元件240透明電極層242透明電極250有機(jī)功能層260上電極層262上電極270遮光層280非晶硅薄膜晶體管282柵極284柵極絕緣層286通道層
288源極/漏極290介電層290a開(kāi)口310多晶硅薄膜晶體管312柵極314島狀多晶硅層314a通道區(qū)314b源極/漏極區(qū)316柵極絕緣層320介電內(nèi)層320a開(kāi)口330源極/漏極金屬接點(diǎn)340介電層340a開(kāi)口具體實(shí)施方式
圖2為本發(fā)明之較佳實(shí)施例之一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的剖面圖。如圖2所示，有機(jī)電致發(fā)光顯示器200主要包括基板210、有源元件陣列220、透明電極層240、遮光層270、有機(jī)功能層250以及上電極層260?；?10具有多個(gè)象素區(qū)212，且每一個(gè)象素區(qū)212被劃分為元件區(qū)212a和發(fā)光區(qū)212b，其中元件區(qū)212a設(shè)置有有源元件陣列220，其包括多個(gè)有源元件222。
請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D2，透明電極層240包括多個(gè)透明電極242，其設(shè)置于基板210上，并耦接至相對(duì)應(yīng)的有源元件陣列220。此外，遮光層270設(shè)置于基板210上，且此遮光層270至少覆蓋有源元件222，并暴露出發(fā)光區(qū)212b內(nèi)的部分透明電極242。另外，有機(jī)功能層250設(shè)置于遮光層270所暴露的部分透明電極242上，而上電極層260例如包括多個(gè)上電極262，其設(shè)置于有機(jī)功能層250上。
基于上述，由于遮光層270可遮擋從有機(jī)功能層250所發(fā)出的光線，以保護(hù)有源元件222，因此可以大幅度地避免光漏電流的產(chǎn)生，并可降低相鄰象素區(qū)之間的混光問(wèn)題。
在本實(shí)施例中，基于通道層(圖中未標(biāo)出)的材料的不同，有源元件222例如可分為非晶硅薄膜晶體管或低溫多晶硅薄膜晶體管，其中部分的薄膜晶體管用以作為開(kāi)關(guān)元件，而其余部分的薄膜晶體管用以作為驅(qū)動(dòng)元件。當(dāng)然，本發(fā)明之有機(jī)電致發(fā)光顯示面板所使用的晶體管類型亦不限定于此。下文將對(duì)該有機(jī)電致發(fā)光顯示面板200的結(jié)構(gòu)及其制造方法作詳細(xì)說(shuō)明。
圖3A～3F依次為本發(fā)明之較佳實(shí)施例中具有非晶硅薄膜晶體管的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制造流程剖面圖。雖然有機(jī)電致發(fā)光顯示面板上具有多個(gè)陣列排列的象素結(jié)構(gòu)，然為了使說(shuō)明更為清楚和簡(jiǎn)單，圖3A～3F僅表示了單一象素結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程。
首先，如圖3A所示，在基板210上先形成柵極282，其中基板210上劃分有元件區(qū)212a和發(fā)光區(qū)212b。之后，在柵極282和基板210上形成柵極絕緣層(gate-insulating layer)284，并且在柵極282上方的柵極絕緣層284上形成通道層286，其中通道層286的材料是非晶硅。然后，在通道層286的兩側(cè)形成源極/漏極288，而此柵極282、通道層286和源極/漏極288在基板210的元件區(qū)212a內(nèi)構(gòu)成非晶硅薄膜晶體管280。
之后，如圖3B所示，在非晶硅薄膜晶體管280上形成介電層290，此介電層290的材料例如為氮化硅(silicon nitride)。接著，通過(guò)一光罩工序在介電層290中形成開(kāi)口290a。在一較佳實(shí)施例中，位于基板210的發(fā)光區(qū)212b內(nèi)的部分介電層290與柵極絕緣層284也可通過(guò)此光罩工序同時(shí)被移除。
然后，如圖3C所示，在介電層290上形成透明電極242，且透明電極242通過(guò)開(kāi)口290a耦接至非晶硅薄膜晶體管280的源極/漏極288。在一較佳實(shí)施例中，介電層290與柵極絕緣層284暴露出基板210的發(fā)光區(qū)212b，因此部分的透明電極242可直接形成在基板210的發(fā)光區(qū)212b上。形成透明電極的方法例如包括化學(xué)氣相沉積(chemical vapour deposition，簡(jiǎn)稱CVD)，或者是物理氣相沉積(physical vapour deposition，簡(jiǎn)稱PVD)，其例如是以熱蒸鍍(thermal evaporation)、電子束鍍膜(electron beam coating)或?yàn)R鍍(sputtering)來(lái)形成透明電極242。在本發(fā)明中，透明電極242例如是由透明導(dǎo)電材料所制成，其中此透明導(dǎo)電材料例如是銦錫氧化物(indium-tin oxide，ITO)或銦鋅氧化物(indium-zinc oxide，IZO)。
之后，如圖3D所示，在基板210上形成遮光層270，其中構(gòu)成遮光層270的材料例如是感光樹(shù)脂，然后進(jìn)行微影工序(photolithography process)，以圖案化此遮光層270，并暴露出發(fā)光區(qū)212b內(nèi)的透明電極242。
接著，如圖3E所示，在遮光層270所暴露出的透明電極242上形成有機(jī)功能層250，其形成方法例如包括真空蒸鍍法(vacuumevaporation)、熱蒸鍍法(thermal evaporation)、旋轉(zhuǎn)涂布法(spincoating)或其它沉積方法。根據(jù)所選擇的材料，所屬本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可選擇適當(dāng)?shù)姆椒?。在本發(fā)明中，透明電極242作為陽(yáng)極，而有機(jī)功能層250則是透明電極242上的多層堆疊結(jié)構(gòu)，其由下到上依次包括電洞注入層、電洞傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。當(dāng)然，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，有機(jī)功能層250也可以是單層結(jié)構(gòu)(雙極發(fā)光層)、雙層結(jié)構(gòu)(包括電洞傳輸層和電子傳輸發(fā)光層)或是三層結(jié)構(gòu)(包括電洞傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層)。因此，本發(fā)明并不限定有機(jī)功能層250的堆疊層數(shù)，一般而言，此堆疊層數(shù)取決于實(shí)際元件的設(shè)計(jì)。
之后，如圖3F所示，在有機(jī)功能層250上形成上電極262。在此實(shí)施例中，上電極262作為陰極層，且例如是由金屬材料所制成。依據(jù)上述制造過(guò)程，便可形成如圖2所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板200。
圖4A～4H依次為本發(fā)明之較佳實(shí)施例中具有低溫多晶硅薄膜晶體管的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制造流程剖面圖。雖然有機(jī)電致發(fā)光顯示面板上具有多個(gè)陣列排列的象素結(jié)構(gòu)，然為了使說(shuō)明更為清楚而簡(jiǎn)單，圖4A～4H僅表示了單一象素結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程。
首先，如圖4A所示，在基板210的元件區(qū)212a上形成低溫多晶硅薄膜晶體管310，其中，柵極312設(shè)置于基板210上，而一島狀多晶硅層314位于柵極312和基板210之間，且柵極絕緣層316位于柵極312和島狀多晶硅層314之間。此外，島狀多晶硅層314包括通道區(qū)314a和摻雜的源極/漏極區(qū)314b，其中通道區(qū)314a位于柵極312下方，而摻雜的源極/漏極區(qū)314b則位于通道區(qū)314a的兩側(cè)。多晶硅材料具有較高的電子遷移率(electron mobility)，而在制造低溫多晶硅薄膜晶體管310的同時(shí)，亦可同時(shí)在外圍電路內(nèi)制造互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(complementarymetal-oxide-semiconductor，簡(jiǎn)稱CMOS)晶體管。然而，關(guān)于此低溫多晶硅薄膜晶體管310或互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管的詳細(xì)制造過(guò)程應(yīng)為所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知，其詳細(xì)制造過(guò)程將不再重復(fù)贅述。
之后，如圖4B所示，在基板210上形成介電內(nèi)層320以覆蓋島狀多晶硅層314和柵極312，然后在介電內(nèi)層320和柵極絕緣層316中形成開(kāi)口320a以暴露出部分的源極/漏極區(qū)314b。
接著，如圖4C所示，在介電內(nèi)層320上形成源極/漏極金屬接點(diǎn)330，且源極/漏極金屬接點(diǎn)330通過(guò)開(kāi)口320a耦接至源極/漏極區(qū)314b。
然后，如圖4D所示，在基板210上形成另一介電層340，以覆蓋住源極/漏極金屬接點(diǎn)330和介電內(nèi)層320。之后，進(jìn)行光罩工序，以在介電層340中形成開(kāi)口340a，此開(kāi)口340a暴露部分的源極/漏極金屬接點(diǎn)330。構(gòu)成柵極絕緣層316、介電內(nèi)層320和介電層340的材料例如為氮化硅。在一較佳實(shí)施例中，位于基板210的發(fā)光區(qū)212b內(nèi)的部分柵極絕緣層316、介電內(nèi)層320和介電層340也可通過(guò)此光罩工序同時(shí)被移除。
接著，如圖4E所示，在介電層340上形成透明電極242，且透明電極242通過(guò)開(kāi)口340a耦接至源極/漏極金屬接點(diǎn)330。在一較佳實(shí)施例中，柵極絕緣層316、介電內(nèi)層320和介電層340暴露出基板210的發(fā)光區(qū)212b，因此部分的透明電極242可直接形成在基板210的發(fā)光區(qū)212b上。在本發(fā)明中，透明電極242的材料例如是透明導(dǎo)電材料，其例如包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
之后，如圖4F～4H所示，在基板210上依次形成遮光層270、有機(jī)功能層250和上電極262。依據(jù)上述制造過(guò)程，便可形成圖2所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板200，其中詳細(xì)制造過(guò)程如圖3A至3F所示，在此不再重復(fù)贅述。
綜上所述，本發(fā)明之有機(jī)電致發(fā)光顯示面板及其制造方法至少具有以下優(yōu)點(diǎn)(1)在有源元件上形成遮光層，用以遮擋從有機(jī)功能層發(fā)出的光線，因此可以大幅度地避免光漏電流的產(chǎn)生，進(jìn)而提高可靠性和顯示質(zhì)量。
(2)部分透明電極可直接設(shè)置于基板的發(fā)光區(qū)上，因此所形成的有機(jī)功能層會(huì)低于有源元件，以增進(jìn)遮光效果。
(3)遮光層可以有效減少相鄰象素之間的漏光，進(jìn)而提高顯示對(duì)比。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動(dòng)與改進(jìn)，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，其特征在于包括基板，具有多個(gè)象素區(qū)，其中每一個(gè)象素區(qū)劃分有元件區(qū)和發(fā)光區(qū)；有源元件陣列，設(shè)置在上述基板的上述元件區(qū)內(nèi)；透明電極層，設(shè)置在上述基板上，并耦接至上述有源元件陣列；遮光層，設(shè)置于上述基板上，其中該遮光層至少覆蓋上述有源元件陣列，并暴露出上述發(fā)光區(qū)內(nèi)的上述透明電極層；有機(jī)功能層，設(shè)置在上述遮光層所暴露的上述透明電極層上；以及上電極層，設(shè)置在上述有機(jī)功能層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，其特征在于還包括介電層，其設(shè)置在上述基板上，以覆蓋上述有源元件陣列，其中該介電層具有多個(gè)開(kāi)口，以暴露出部分的上述有源元件陣列，而上述透明電極層通過(guò)上述開(kāi)口耦接至上述有源元件陣列。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，其特征在于上述介電層還暴露出上述基板的上述發(fā)光區(qū)，其上設(shè)置有部分的上述透明電極層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，其特征在于上述有源元件陣列包括多個(gè)非晶硅薄膜晶體管和多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管兩者中之一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，其特征在于上述透明電極層的材料包括銦錫氧化物和銦鋅氧化物兩者中之一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，其特征在于上述遮光層的材料為感光樹(shù)脂。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，其特征在于上述有機(jī)功能層包括依次堆疊的電洞注入層、電洞傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
8.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的方法，其特征在于包括提供有源元件陣列基板，其具有多個(gè)象素區(qū)，其中每一個(gè)象素區(qū)劃分有元件區(qū)和發(fā)光區(qū)，該有源元件陣列基板的上述元件區(qū)內(nèi)形成有有源元件陣列，且該有源元件陣列基板上形成有透明電極層，其耦接至上述有源元件陣列；在上述有源元件陣列基板上形成遮光層，其中該遮光層至少覆蓋上述有源元件陣列，并暴露出上述發(fā)光區(qū)內(nèi)的上述透明電極層；在上述遮光層所暴露的上述透明電極層上形成有機(jī)功能層；以及在上述有機(jī)功能層上形成上電極層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的方法，其特征在于形成遮光層的步驟包括在上述有源元件陣列基板上形成遮光材料層；以及圖案化上述遮光材料層，以暴露出上述發(fā)光區(qū)內(nèi)的上述透明電極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的方法，其特征在于上述遮光材料層的材料為感光樹(shù)脂，而圖案化該遮光材料層的方法包括進(jìn)行微影工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的方法，其特征在于在形成上述透明電極層之前，還包括在上述有源元件陣列基板上形成具有多個(gè)開(kāi)口的介電層，以暴露出部分的上述有源元件陣列，而上述透明電極層通過(guò)上述開(kāi)口耦接至上述有源元件陣列。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的方法，其特征在于上述介電層還暴露出上述有源元件陣列基板的上述發(fā)光區(qū)，其上設(shè)置有部分的上述透明電極層。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的方法，其特征在于形成上述有機(jī)功能層的步驟包括依次形成電洞注入層、電洞傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的方法，其特征在于上述有源元件陣列包括多個(gè)非晶硅薄膜晶體管和多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管兩者中之一種。
全文摘要
一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，其主要包括基板、有源元件陣列、透明電極層、遮光層、有機(jī)功能層以及上電極層。其中，基板具有多個(gè)象素區(qū)，其中每一個(gè)象素區(qū)被劃分為元件區(qū)和發(fā)光區(qū)，而有源元件陣列設(shè)置于基板的元件區(qū)內(nèi)，且透明電極層設(shè)置于基板上，并耦接至有源元件陣列。此外，遮光層設(shè)置于基板上，且遮光層至少覆蓋有源元件陣列，并暴露出發(fā)光區(qū)內(nèi)的透明電極層。另外，有機(jī)功能層設(shè)置于遮光層所暴露的透明電極層上，而上電極層設(shè)置于有機(jī)功能層上。
文檔編號(hào)H05B33/26GK1842232SQ20051005934
公開(kāi)日2006年10月4日 申請(qǐng)日期2005年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月29日
發(fā)明者張錫明 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司