專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)電激發(fā)光元件及包括其的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電激發(fā)光元件，特別是涉及一種上發(fā)光或雙面發(fā)光的有機(jī)電激發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著電子產(chǎn)品發(fā)展技術(shù)的進(jìn)步及其日益廣泛的應(yīng)用，像是移動(dòng)電話、PDA及筆記型計(jì)算機(jī)的問(wèn)市，使得與傳統(tǒng)顯示器相比具有較小體積及電力消耗特性的平面顯示器的需求與日俱增，成為目前最重要的電子應(yīng)用產(chǎn)品之一。在平面顯示器當(dāng)中，由于有機(jī)電激發(fā)光件具有自發(fā)光、高亮度、廣視角、高應(yīng)答速度及制造工藝容易等特性，使得有機(jī)電激發(fā)光件無(wú)疑的將成為下一世代平面顯示器的最佳選擇。
有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting diode，OLED)為使用有機(jī)層作為有源層(active layer)的發(fā)光二極管，近年來(lái)已漸漸使用于平面面板顯示器(flatpanel display)上。有機(jī)發(fā)光二極管依發(fā)光方向可區(qū)分為下發(fā)光式有機(jī)發(fā)光二極管、上發(fā)光式有機(jī)發(fā)光二極管及雙面發(fā)光式有機(jī)發(fā)光二極管。
無(wú)論是上發(fā)光式或雙面發(fā)光式有機(jī)發(fā)光二極管，除了陽(yáng)極及電激發(fā)光材料層外，還包括有一透明陰極，以使有機(jī)發(fā)光二極管可藉由該透明陰極而由陰極側(cè)向外發(fā)出光。該透明陰極的制備方式可為利用熱蒸鍍形成一厚度較薄的金屬層，例如鎂、銀、鋁，或是利用濺射方式形成一透明的導(dǎo)電層，例如銦錫氧化物(ITO)、或是銦鋅氧化物(IZO)。一般來(lái)說(shuō)，由于利用熱蒸鍍所形成的金屬層其對(duì)于電激發(fā)光材料層的粘附度(adhesion)較差，且薄金屬層具有較低的穿透度，因此為了得到穿透度較高的透明陰極，在工業(yè)界一般利用濺射方式來(lái)形成透明的ITO或IZO電極。
然而，在濺射形成透明導(dǎo)電層的過(guò)程中，由于作為載層(under layer)的電激發(fā)光材料層會(huì)受到靶材所射出的離子轟擊，進(jìn)而使得電激發(fā)光材料層表面氧化、變質(zhì)、或使原本的平整度被破壞，因而使得透明陰極與電激發(fā)光材料層之間的異質(zhì)界面的能障增加，導(dǎo)致載子較不易由透明陰極進(jìn)入至電激發(fā)光材料層而在界面產(chǎn)生累積，如此一來(lái)，將導(dǎo)致元件操作電壓的上升及元件壽命下降。
為了解決上述問(wèn)題，一傳統(tǒng)作法為形成一有機(jī)材料或是高分子材料層于該電激發(fā)光材料層之上(例如美國(guó)專(zhuān)利第6,402,579號(hào)所使用的CuPc(Copperphthalocyanine)及美國(guó)專(zhuān)利第6,420,031號(hào)所使用的MEH-PPV)，作為緩沖層。然而，上述的作法雖可防止電激發(fā)光材料層遭受到離子的轟擊而劣化，但緩沖層與透明電極之間的界面仍存在著平整度不佳及不純物干擾的問(wèn)題。
此外，一般來(lái)說(shuō)，一透明導(dǎo)電層在形成后，會(huì)經(jīng)過(guò)一退火制造工藝以降低界面電阻至30Ω/方。然而，由于上發(fā)光式或雙面發(fā)光式有機(jī)發(fā)光二極管的透明陰極在電激發(fā)光材料層之后才形成，為了避免傷害電激發(fā)光材料層，因此該透明陰極無(wú)法利用退火制造工藝來(lái)降低面電阻，故面電阻一般約在100Ω/方附近，如此高的面電阻將大幅增加元件所需操作電壓，造成元件發(fā)光效率降低。
因此，發(fā)展出全新的上發(fā)光式或雙面發(fā)光式有機(jī)電激發(fā)光元件結(jié)構(gòu)與制造工藝，以解決以上所述問(wèn)題，是目前有機(jī)電激發(fā)光二極管制造工藝技術(shù)上亟需研究的重點(diǎn)之一。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)電激發(fā)光元件，其具有一由n型半導(dǎo)體化合物所組成的緩沖層。該n型半導(dǎo)體化合物緩沖層具有傳遞電子的能力，也具有極足夠的剛性，可有效阻擋透明陰極濺射制造工藝的離子轟擊，除了可保護(hù)電激發(fā)光材料層不受傷害外，亦可維持緩沖層與透明陰極界面的平整。
本發(fā)明的另一目的為提供一種有機(jī)電激發(fā)光元件，其具有一低面電阻的透明陰極結(jié)構(gòu)，可有效解決面板共享源極端(透明陰極端)的跨壓過(guò)大的問(wèn)題。
本發(fā)明的又一目的為提供一種顯示裝置，包括本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件。
為獲致上述的目的，本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，至少包括一基板，且一陽(yáng)極、一電激發(fā)光材料層、一緩沖層及一透明陰極依序形成于該基板之上。其中，該緩沖層包括n型半導(dǎo)體化合物。
此外，根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，該有機(jī)電激發(fā)光元件的透明陰極，依序由一透明導(dǎo)電層、一金屬層及一保護(hù)層，所構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中基板可為透明或是不透明基板。該有機(jī)電激發(fā)光元件可為一上部發(fā)光(top-emission)元件，亦可為一兩面發(fā)光型元件。
再者，本發(fā)明所述的顯示裝置，包括一符合本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，以及一電源供應(yīng)單元，其中，該電源供應(yīng)單元耦接至有機(jī)電激發(fā)光元件，用以供電至該全彩化有源式有機(jī)電激發(fā)光元件。
為使本發(fā)明的上述目的、特征能更明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實(shí)施例，以更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。


圖1為顯示本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件一優(yōu)選實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為顯示本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件另一優(yōu)選實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為顯示本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件又一優(yōu)選實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為顯示本發(fā)明所述的透明陰極其金屬層20b的厚度與透明陰極面的關(guān)系圖。
圖5為顯示本發(fā)明所述的透明陰極其金屬層20b的厚度與透明陰極透光率的關(guān)系圖。
圖6為顯示本發(fā)明實(shí)施例1所述的有機(jī)電激發(fā)光元其剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7為顯示本發(fā)明實(shí)施例2所述的有機(jī)電激發(fā)光元其剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8為顯示本發(fā)明比較實(shí)施例1所述的有機(jī)電激發(fā)光元其剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖9為顯示本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件實(shí)施例1、實(shí)施例2、及比較實(shí)施例1的操作電壓與電流密度的關(guān)系圖。
圖10為顯示本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件實(shí)施例1、實(shí)施例2、及比較實(shí)施例1的操作電壓與亮度的關(guān)系圖。
圖11為顯示本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件實(shí)施例1、實(shí)施例2、及比較實(shí)施例1的操作電壓與光色(cie-x)的關(guān)系圖。
圖12為顯示本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件實(shí)施例1、實(shí)施例2、及比較實(shí)施例1的操作電壓與光色(cie-y)的關(guān)系圖。
圖13為顯示本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件實(shí)施例1、實(shí)施例2及比較實(shí)施例1的操作電壓與與發(fā)光效率的關(guān)系圖。
簡(jiǎn)單符號(hào)說(shuō)明10～有機(jī)電激發(fā)光元件；12～基板；14～陽(yáng)極；16～電激發(fā)光材料層；16a～發(fā)光層； 16b～空穴注入層；16c～空穴傳輸層； 16d～電子傳輸層；16e～電子注入層； 17～薄導(dǎo)電層；18～緩沖層； 20～透明陰極；20a～透明導(dǎo)電層； 20b～金屬層；20～保護(hù)層； 100～有機(jī)電激發(fā)光元件；110～基板； 120～反射層；130～陽(yáng)極； 140～電激發(fā)光材料層；141～空穴注入層； 142～空穴傳輸層；143～發(fā)光層； 144～電子傳輸層；145～電子注入層； 150～薄導(dǎo)電層；160～緩沖層； 170～透明導(dǎo)電層；180～復(fù)合陰極結(jié)構(gòu)； 181～透明導(dǎo)電層；182～金屬層；以及 183～保護(hù)層。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其特點(diǎn)在于其具有一由n型半導(dǎo)體化合物所構(gòu)成的緩沖層，且該緩沖層形成于電激發(fā)光材料層與透明陰極之間。本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光裝置，其至少包括基板、陽(yáng)極、電激發(fā)光材料層、n型半導(dǎo)體化合物緩沖層、及透明陰極。
以下，顯示符合本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件的一優(yōu)選實(shí)施例，茲配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如下請(qǐng)參照?qǐng)D1，該有機(jī)電激發(fā)光元件10包括一基板12，例如玻璃、陶瓷、塑料基板或是半導(dǎo)體基板。該基板可視需要加以選用，亦即若欲形成一上發(fā)光式(top-emission)有機(jī)電激發(fā)光元件，則該基板可為一不透明基板此外，若欲形成一兩面發(fā)光式有機(jī)電激發(fā)光元件，則該基板可為一透明基板。
接著，形成一陽(yáng)極14于該基板12的上表面。該陽(yáng)極可為透明電極、金屬電極或是復(fù)合電極，其材料可例如為可擇自于由鋰、鎂、鈣、鋁、銀、銦、金、鎢、鎳、鉑、上述元素所形成的合金、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO)、氧化鋅(ZnO)或其結(jié)合，而其形成方式可為熱蒸鍍、濺射或等離子體強(qiáng)化式化學(xué)氣相沉積方式。在本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中，在該陽(yáng)極14與該基板12之間可還包括一反射層。
接著，形成一電激發(fā)光材料層16于該陽(yáng)極14之上。該電激發(fā)光材料層16至少包括一發(fā)光層16a(light emitting layer)，且更可包括一空穴注入層16b、一空穴傳輸層16c、一電子傳輸層16d、及一電子注入層16e，仍請(qǐng)參照?qǐng)D1。該電激發(fā)光材料層16的各膜層可分別為小分子有機(jī)電激發(fā)光材料或高分子有機(jī)電激發(fā)光材料，若為小分子有機(jī)發(fā)光二極管材料，可利用真空蒸鍍方式形成有機(jī)發(fā)光二極管材料層；若為高分子有機(jī)發(fā)光二極管材料，則可使用旋轉(zhuǎn)涂布、噴墨或網(wǎng)版印刷等方式形成有機(jī)發(fā)光二極管材料層。此外，該發(fā)光層16a可包括一有機(jī)電激發(fā)光材料及一摻雜物(dopant)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可視所使用的有機(jī)電激發(fā)光材料及所需的元件特性而改變所搭配的摻雜物的摻雜量。因此，摻雜物的摻雜量的多寡非關(guān)本發(fā)明的特征，非為限制本發(fā)明范圍的依據(jù)。該摻雜物可為能量轉(zhuǎn)移(energy transfer)型摻雜材料或是載體捕集(carrier trapping)型摻雜材料，且該摻雜物有助于抑制該有機(jī)電激發(fā)光材料的濃度消光現(xiàn)象，并使元件獲致高效率及高亮度。該有機(jī)電激發(fā)光材料可為熒光(fluorescence)發(fā)光材料。而在本發(fā)明的某些優(yōu)選實(shí)施例中，該有機(jī)電激發(fā)光材料亦可為磷光(phosphorescence)發(fā)光材料。
接著，一緩沖層18形成于該電激發(fā)光材料層16之上，其中該緩沖層包括n型半導(dǎo)體化合物，該n型半導(dǎo)體化合物為寬能隙半導(dǎo)體，厚度介于10～2000之間，優(yōu)選介于50～1500，且其能隙大于1.0eV，可例如為富勒烯(fullerene)化合物。此外根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，為促使載子易由n型半導(dǎo)體化合物緩沖層進(jìn)入電激發(fā)光材料層，該有機(jī)電激發(fā)光元件可還包括一導(dǎo)電層17形成于該n型半導(dǎo)體化合物緩沖層18及該電激發(fā)光材料層16之間，該薄導(dǎo)電層17可例如為一厚度介于10～500的金屬層，例如鋁金屬層，請(qǐng)參照?qǐng)D2。
最后，形成一透明陰極20于該緩沖層18之上，值得注意的是，該透明陰極20緊鄰著該緩沖層18。在此，該透明陰極20可單純?yōu)橐煌该鲗?dǎo)電層，該透明導(dǎo)電層包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO)、氧化鋅(ZnO)、鎵化氮、鎵化銦氮、硫化鎘、硫化鋅、鎘化硒、或是硒化鋅。
此外，為進(jìn)一步將透明陰極20的面電阻降低至30Ω/方以下，根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，該透明陰極20可具有一復(fù)合膜層結(jié)構(gòu)，由下到上依序由一透明導(dǎo)電層20a、一金屬層20b及一保護(hù)層20c所構(gòu)成，請(qǐng)參照?qǐng)D3。其中該透明導(dǎo)電層20a可包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO)、氧化鋅(ZnO)、鎵化氮、鎵化銦氮、硫化鎘、硫化鋅、鎘化硒、或是硒化鋅；該保護(hù)層20c的主要功用在于保護(hù)該金屬層20b不受外在環(huán)境中的水氣或氧氣影響而氧化，該保謢層20c的材料可為透明電極、導(dǎo)電高分子、或是寬能隙半導(dǎo)體，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO)、氧化鋅(ZnO)、鎵化氮、鎵化銦氮、硫化鎘、硫化鋅、鎘化硒、硒化鋅、聚吡咯、聚苯胺或聚噻吩。為有效降低該透明陰極20的面電阻，該金屬層20b的材料優(yōu)選為導(dǎo)電率大于105cm-1Ω-1的金屬，例如為銀。此外，請(qǐng)參照?qǐng)D4及圖5，分別顯示該金屬層20b在不同厚度下對(duì)于該透明陰極20的面電阻及透光率的關(guān)系，由圖中可知，該金屬層20b的厚度優(yōu)選介于20～50之間。
以下藉由實(shí)施例1、實(shí)施例2及比較實(shí)施例1來(lái)說(shuō)明本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件的各層實(shí)際組成及本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)所在。
電激發(fā)光材料層16于該陽(yáng)極14之上。該電激發(fā)光材料層16至少包括一發(fā)光層16a(light emitting layer)，且還可包括一空穴傳輸層16b、一空穴注入層16c、一電子傳輸層16d、及一電子注入層16e。
實(shí)施例1請(qǐng)參照?qǐng)D6，該有機(jī)電激發(fā)光元件100為一上發(fā)光式元件，而該基板110為一玻璃基板。該基板110上為一反射層120，其材料為鈦，厚度為500。而該陽(yáng)極130為ITO透明電極，厚度為750；該電激發(fā)光材料層140由下往上依序包括一空穴注入層141、空穴傳輸層142、發(fā)光層143、電子傳輸層144、及電子注入層145。該空穴注入層141的材料為CuPc(Copperphthalocyanine)，厚度為200；該空穴傳輸層142的材料為NPB(N，N′-di-1-naphthyl-N，N′-diphenyl-1，1′-biphenyl-1，1′-biphenyl-4，4′-diamine)，厚度為400；該發(fā)光層143的厚度為300，以Alq3(tris(8-hydroxyquinoline)aluminume)及NPB(1∶1)作為有機(jī)電激發(fā)光材料，并以C545T(10-(2-Benzothiazolyl)-2，3，6，7-tetrahydro-1，1，7，7-tetramethyl-1H，5H，11H-(1)-benzopyropyrano(6，7-8-i，j)quinolizin-11-one)作為摻質(zhì)物，C545T的摻雜量為1.1％wt，以該有機(jī)電激發(fā)光材料的總重量為基準(zhǔn)；該電子傳輸層144的材料為Alq3，厚度為400；該電子注入層145的材料為氟化鋰(lithiumfluoride)，而厚度為10。該緩沖層160的材料為包括富勒烯(fullerene)，厚度為50。其中，在該電激發(fā)光材料層140及緩沖層160之間還包括一薄導(dǎo)電層150，而該導(dǎo)電層150的材料為鋁，厚度為20。該透明陰極為一透明導(dǎo)電層170，其材料為IZO電極，厚度為800。該有機(jī)電激發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)可表示為T(mén)i 500/ITO 750/CuPc 200/NPB 400/(Alq3∶NPB＝1∶1)∶C545T1.1％300/Alq3400/LiF 10/Al 20/fullerene 50/IZO 800該有機(jī)電激發(fā)光元件的性能測(cè)試結(jié)果如表1所示。
表1實(shí)施例1有機(jī)電激發(fā)光元件的光電特性

實(shí)施例2請(qǐng)參照?qǐng)D7，實(shí)施例2所述的有機(jī)電激發(fā)光元件100除了透明陰極部份以一復(fù)合陰極結(jié)構(gòu)180取代透明導(dǎo)電層170外，其余各膜層的組成皆與實(shí)施例1相同。該復(fù)合陰極結(jié)構(gòu)180由下到上依序?yàn)橐煌该鲗?dǎo)電層181、一金屬層182、及一保護(hù)層183。該透明導(dǎo)電層181的材料為IZO，厚度為400；該金屬層182的材料為銀，厚度為20；該保護(hù)層183的材料為IZO，厚度為400。該有機(jī)電激發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)可表示為T(mén)i 500/ITO 750/CuPc 200/NPB 400/(Alq3∶NPB＝1∶1)∶C545T1.1％300/Alq3400/LiF 10/Al 20/fullerene 50/IZO 400/Ag 20/IZO 400該有機(jī)電激發(fā)光元件的性能測(cè)試結(jié)果如表2所示。
表2實(shí)施例2有機(jī)電激發(fā)光元件的光電特性測(cè)試結(jié)果

比較實(shí)施例1比較實(shí)施例1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件結(jié)構(gòu)為去除實(shí)施例1所述的緩沖層160，請(qǐng)參照?qǐng)D8。該有機(jī)電激發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)表示為T(mén)i 500/ITO 750/CuPc 200/NPB 400/(Alq3∶NPB＝1∶1)∶C545T1.1％300/Alq3400/LiF 10/Al 20/IZO 800該有機(jī)電激發(fā)光元件的性能測(cè)試結(jié)果如表3所示。
表3比較實(shí)施例1有機(jī)電激發(fā)光元件的光電特性測(cè)試

圖9至圖13為實(shí)施例1、實(shí)施例2、及比較實(shí)施例1的元件特性關(guān)系圖，說(shuō)明本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件與現(xiàn)有技術(shù)的差異性。圖9為顯示電壓與電流密度的關(guān)系圖；圖10為顯示操作電壓與亮度的關(guān)系圖；圖11為顯操作電壓與光色(cie-x)的關(guān)系圖；圖12為顯示操作電壓與光色(cie-y)的關(guān)系圖；而圖13為顯示電壓與發(fā)光效率的關(guān)系圖。
由圖9、圖10及表4可看出，本發(fā)明所述的有機(jī)電激發(fā)光元件(實(shí)施例1及2)與現(xiàn)有有機(jī)電激發(fā)光元件(比較實(shí)施例1及2)相比，在相同亮度下具有較低的元件驅(qū)動(dòng)電壓及優(yōu)選的元件效率。其原因在于本發(fā)明在進(jìn)行IZO的濺射制造工藝前，預(yù)先形成一n型半導(dǎo)體化合物層，作為濺射緩沖層，防止電激發(fā)光材料層140或是薄導(dǎo)電層150遭受離子轟擊所導(dǎo)致的劣化或侵蝕的現(xiàn)象。此外，如本發(fā)明實(shí)施例2所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，本發(fā)明所述的陰極電極除了具有一透明導(dǎo)電層外，還可包括一層薄的良導(dǎo)電金屬層及一保護(hù)層，可使得該透明陰極的面電阻降低30Ω/方以下。如此一來(lái)，可大幅降低有機(jī)電激發(fā)光元件的操作電壓，提升元件效率。
表4

綜上所述，本發(fā)明揭露的雙混合層結(jié)構(gòu)的有機(jī)電激發(fā)光元件，具有較低的操作電壓、及優(yōu)選的發(fā)光效率，可用來(lái)取代傳統(tǒng)上發(fā)光式或雙面發(fā)光式的有機(jī)電激發(fā)光元件，且可更進(jìn)一步解決傳統(tǒng)上發(fā)光式或雙面發(fā)光式有機(jī)電激發(fā)光元件其透明陰極面電阻過(guò)高的問(wèn)題。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電激發(fā)光元件，包括一基板；一第一電極，形成于該基板之上；一電激發(fā)光材料層，形成于該第一電極之上；一緩沖層，形成于該電激發(fā)光材料層之上，其中該緩沖層包括n型半導(dǎo)體化合物；以及一第二電極，形成于該緩沖層之上。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該第二電極緊鄰該緩沖層。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該緩沖層的厚度介于10～2000的范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該第一電極的材料為一金屬電極或透明電極。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該基板為玻璃基板、陶瓷基板、塑料基板或半導(dǎo)體基板。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該電激發(fā)光材料層包括空穴傳輸層、發(fā)光層、及電子傳輸層。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該電激發(fā)光材料層為小分子有機(jī)電激發(fā)光材料或高分子有機(jī)電激發(fā)光材料。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該緩沖層包括富勒烯(fullerene)化合物。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該n型半導(dǎo)體化合物為寬能隙半導(dǎo)體，且其能隙大于1.0eV。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，還包括一導(dǎo)電層形成于該電激發(fā)光材料層與該緩沖層之間。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該導(dǎo)電層的厚度介于10～500的范圍內(nèi)。
12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該第二電極為一透明導(dǎo)電層，該透明導(dǎo)電層包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO)、氧化鋅(ZnO)、鎵化氮、鎵化銦氮、硫化鎘、硫化鋅、鎘化硒、或是硒化鋅。
13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該第二電極包括一透明導(dǎo)電層，形成于該緩沖層之上；一金屬層，形成于該第一透明導(dǎo)電層之上；以及一保護(hù)層，形成于該金屬層之上。
14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該透明導(dǎo)電層包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO)、氧化鋅(ZnO)、鎵化氮、鎵化銦氮、硫化鎘、硫化鋅、鎘化硒、或是硒化鋅。
15.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該保護(hù)層的材料為透明電極、導(dǎo)電高分子、或是寬能隙半導(dǎo)體。
16.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該保護(hù)層包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO)、氧化鋅(ZnO)、鎵化氮、鎵化銦氮、硫化鎘、硫化鋅、鎘化硒、或是硒化鋅。
17.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該保護(hù)層包括聚吡咯、聚苯胺或聚噻吩。
18.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該金屬層的厚度介于10～500的范圍內(nèi)。
19.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該金屬層的導(dǎo)電率大于105cm-1Ω-1。
20.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該金屬層的材料為銀。
21.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電激發(fā)光元件，其中該第二電極層的面電阻低于30Ω/方。
22.一種顯示裝置，包括一有機(jī)電激發(fā)光元件，以及一電源供應(yīng)單元，耦接至有機(jī)電激發(fā)光元件，用以供電至該全彩化有源式有機(jī)電激發(fā)光元件，其中，該有機(jī)電激發(fā)光元件包括一基板；一第一電極形成于該基板之上；一電激發(fā)光材料層形成于該第一電極之上；一緩沖層形成于該電激發(fā)光材料層之上，其中該緩沖層包括n型半導(dǎo)體化合物；以及一第二電極形成于該緩沖層之上。
全文摘要
本發(fā)明揭露一有機(jī)電激發(fā)光元件，其為一上發(fā)光式或雙面發(fā)光式的有機(jī)電激發(fā)光元件。該有機(jī)電激發(fā)光元件包括一基板、一第一電極形成于該基板之上、一電激發(fā)光材料層形成于該第一電極之上、一緩沖層形成于該電激發(fā)光材料層之上，以及一第二電極形成于該緩沖層之上，其中，該緩沖層包括n型半導(dǎo)體化合物。
文檔編號(hào)H05B33/26GK1674745SQ20051005925
公開(kāi)日2005年9月28日 申請(qǐng)日期2005年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月25日
發(fā)明者李世昊 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司