專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明，涉及一種與液晶顯示裝置(LCD)、等離子顯示裝置(PDP)、有機或者是無機電致發(fā)光顯示裝置、發(fā)光二極管(LED)顯示裝置、螢光顯示管、電場放出型顯示裝置、電泳顯示裝置、電化學發(fā)光顯示裝置等有關的顯示裝置。
背景技術：
作為有源矩陣驅(qū)動的液晶顯示裝置(LCD)，例舉了使用薄膜晶體管(TFT)的彩色液晶顯示裝置(LCD)。這個彩色液晶顯示裝置(LCD)，具有作為有源矩陣驅(qū)動基板的薄膜晶體管基板，與薄膜晶體管基板對向配置的具備公用電極的對向基板，通過兩基板之間的液晶層。薄膜晶體管基板，具有形成在柵極線及源極線交點近旁的薄膜晶體管、連接于薄膜晶體管的像素電極。通過對應各像素電極配置紅(R)、綠(G)、蘭(B)的彩色濾色器，形成各色像素。作為像素的排列方法，例舉了例如USP5144288揭示的三角形排列。USP5144288，由參照包含在揭示中。
圖1，是模式表示具有三角排列(Delta排列)像素的液晶顯示裝置(LCD)的薄膜晶體管基板的平面圖。在薄膜晶體管基板的顯示部分1中，形成了從柵極驅(qū)動器2延長的柵極驅(qū)動線4，從源極驅(qū)動器3延長的源極驅(qū)動線5。在柵極驅(qū)動線4和源極驅(qū)動線5的交點近旁形成了薄膜晶體管6，各個薄膜晶體管6與像素電極7聯(lián)接。由柵極驅(qū)動線4通過地址化的薄膜晶體管6，將對應各像素的信號從源極驅(qū)動線5提供給像素電極7。由此在像素電極7和公用電極(未圖示)之間施加了電壓，控制對應于這個像素區(qū)域的液晶層的光學特性，進行顯示。
在圖1所示的薄膜晶體管基板中，相對于柵極驅(qū)動線4的行方向上直線狀延長，源極驅(qū)動線5在列方向呈蛇行延長。還有，從同一源極驅(qū)動線5提供給信號的像素電極7，相對于源極驅(qū)動線5的每一行左右交替，也就是曲折狀配置。
另一方面，有人開發(fā)了以提高像素孔徑率為目的，在源極線上覆蓋絕緣膜，在這個絕緣膜上形成了像素電極的高孔徑率的液晶顯示裝置(LCD)。但是，如利用三角排列的高孔徑率的液晶顯示裝置(LCD)中，會發(fā)生以下所示的問題。
圖2，是模式表示圖1所示的三角形排列顯示板中源極線和像素電極之間的電容的平面圖。如圖2所示，從平面上看，各像素7是被行方向相鄰的源極線5所夾。例如，圖2所示的第1行的綠像素7G1及第3行的綠像素7G3，是被為向綠像素7G輸入像素信號PS的綠像素用源極線5G和為向與綠像素7G行方向相鄰的蘭像素7B輸入像素信號PS的蘭像素用源極線5B所夾。
另一方面，圖2所示的第2行綠像素7G2及第4行綠像素7G4，是被綠像素用源極線5G和為向與綠像素7G行方向相鄰的紅像素7R輸入像素信號PS的紅像素用源極線5R所夾。換句話說，被綠像素用源極線5G與蘭像素用源極線5B所夾的綠像素7G1、7G3，和被綠像素用源極線5G與紅像素用源極線5R所夾的綠像素7G2、7G4每一行交替排列。也就是在行方向上夾的源極線5與兩種不同類的綠像素7G每隔一行交替排列。
圖3，是圖2中以第2行的綠像素7G2為中心的像素排列的部分擴大圖。圖4，是模式表示圖3中A-B線剖面圖。圖5，是模式表示圖3中C-D線剖面圖。如圖4及圖5所示，因為像素電極7和源極線5通過絕緣膜8配置，所以就存在作為寄生電容的源極·漏極間電容。某一個像素電極7和向這個像素電極7輸入像素信號PS的源極線5(換句話說，驅(qū)動這個像素電極7的源極線5)的寄生電容為電容Csd1，某一個像素電極7和不向這個像素電極7輸入像素信號PS的源極線5(換句話說，不驅(qū)動這個像素電極7的源極線5)的寄生電容為電容Csd2。例如，在紅像素用源極線5R和紅像素7R之間存在電容Csd1，在紅像素用源極線5R和蘭像素7B或者綠像素7G之間存在電容Csd2。通過這些寄生電容Csd1、Csd2從源極線5的電位變動引入像素電極7的電位。例如，紅像素用源極線5R及綠像素用源極線5G所夾的第2行綠像素7G2從這些源極線5R、5G引入電位，綠像素用源極線5G及蘭像素用源極線5B所夾的第1行綠像素7G1從這些源極線5G、5B引入電位。因此，引入后的像素電極(例如綠像素7G)的電位Vpix可用下式表示。
Vpix＝Vsl0+(Csd1/Cpix)×ΔVsl1+(Csd2/Cpix)×ΔVsl2(在此，Vsl0是引入前的電位(從用于向綠像素7G輸入像素信號的源極線5G通過薄膜晶體管施加的電位)、ΔVsl1是為向綠像素7G輸入像素信號的源極線5G的電壓振幅、ΔVsl2是為不向綠像素7G輸入像素信號的源極線5R或者5B的電壓振幅、Cpix是加在綠像素7G上的電容(寄生電容、輔助電容等)的和。)圖6，是表示從源極線5向綠像素7G的電位引入的平面圖。圖6中上段的綠像素7G1從紅像素用源極線5R及綠像素用源極線5G引入電位，圖6中下段的綠像素7G2從綠像素用源極線5G及蘭像素用源極線5B引入電位。因此，上段的綠像素7G1及下段的綠像素7G2由綠像素用源極線5G引入的電位相同。但是，從紅像素用源極線5R引入的電位和從蘭像素用源極線5B引入的電位并不一定相等，所以，就產(chǎn)生上段的綠像素7G1引入電位和下段的綠像素7G2引入電位的電位差。也就是，向綠像素7G施加的電壓可以每一行不同。這種情況下，每一行像素的亮度差呈橫紋出現(xiàn)，就得不到均勻的顯示。例如，紅像素7R為白顯示(最高透過率的狀態(tài))，綠像素7G為中間色調(diào)顯示，蘭像素7B為黑顯示(最低透過率的狀態(tài))的情況，可顯見橫紋。
這個現(xiàn)象，不只是綠像素7G，在紅像素7R及蘭像素7B上也產(chǎn)生。還有不只是三角排列，在馬賽克(mosaic)排列，正方形(square)排列也產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于降低橫紋的發(fā)生，提高顯示的品位。例如，綠像素7G中，通過由紅像素用源極線5R引入的電位和由蘭像素用源極線5B引入的電位之間生成的差發(fā)生橫紋。也就是，上述橫紋的發(fā)生，是由于上述的式中第3項值每一個水平線的都不同的原因。因此，通過縮小第3項中的Csd2，第3項的值就會變小，就可以降低橫紋的出現(xiàn)。
本發(fā)明者們，著眼于盡可能降低像素電極與未驅(qū)動該像素電極的源極線之間的寄生電容Csd2，例如，對于綠像素7G，為紅像素用源極線5R及蘭像素用源極線5B的源極·漏極電容Csd2，完成了本裝置。
本發(fā)明的顯示裝置，為在包括以蛇行的方式在列的方向延伸，分別供給像素信號的多條信號線；覆蓋上述多條信號線的絕緣膜；在上述絕緣膜上形成的，從上述的多條信號線分別輸入上述像素信號的多個像素電極的顯示裝置中，列方向相鄰的上述電極間的距離為上述信號線的線寬以上的長度。
圖7，是表示本發(fā)明的顯示裝置中像素排列的模式平面圖。圖8，是圖7中A-B線的剖面圖。本發(fā)明的顯示裝置，在列方向通過信號線5相鄰的像素電極7、7之間的距離D0為信號線5的線幅w以上的長度。
為了對比說明，表示了與圖9及圖10的比較例。圖9，是比較例的像素排列的模式平面圖。圖10，是圖9中A-B線的剖面圖。比較例的顯示裝置，在列方向通過信號線5相鄰的像素電極7、7之間的距離d為信號線5的線幅w以下的長度。因此，比較例的顯示裝置，從信號線5的行方向延伸部分和像素電極7、7在平面圖上看具有重疊部分，所以由信號線5引起的電容Csd2就大。
對此，本發(fā)明的顯示裝置中，因為從信號線5的行方向延伸部分和像素電極7、7在平面圖上看不重疊，所以由信號線5引起的電容Csd2就小。如參照圖6所說明的那樣，橫紋是由不同的源極線之間的引入電位差而產(chǎn)生。因為引入電位是寄生電容產(chǎn)生的起因，所以，通過減小寄生電容Csd2，減小引入電位，不同源極線之間的引入電位的差也得到減小。因此，可以得到減少了橫紋的良好的顯示品位。
在理想的狀態(tài)下，上述信號線，在行方向上，與從上述信號線輸入上述像素信號的第1像素電極通過上述絕緣膜形成第1電容，并且，還與通過上述信號線與上述第1像素電極在行方向上相鄰的第2像素電極通過上述絕緣膜形成第2電容，所述第1電容比第2電容大。
或者是，上述信號線的一部分，在行方向上，與從上述信號線輸入上述像素信號的第1像素電極在平面上重疊，且與通過通過上述信號線與第1像素電極相鄰的第2像素電極在平面上重疊，上述第1像素電極和上述信號線的重疊區(qū)域，比上述第2像素電極和上述信號線的重疊區(qū)域的面積大。
圖11，是最好狀態(tài)的顯示裝置中的像素排列的模式平面圖。圖12，是圖11中C-D線剖面圖。最好狀態(tài)的顯示裝置，在信號線的列方向的延長部分和行方向上相鄰的兩個像素電極從平面圖上重疊區(qū)域的面積在兩像素電極之間不同。例如圖11及圖12所示，綠像素用源極線5G和從這個源極線5G輸入像素信號的綠像素7G的重疊區(qū)域的寬度D1，比綠像素用源極線5G和紅像素7R的重疊區(qū)域的寬度D2寬。換句話說，綠像素用源極線5G和綠像素7G之間的第1電容Csd1，比綠像素用源極線5G和紅像素7R之間的第2電容Csd2大。
如參照圖6說明的那樣，對于在圖6的上段的綠像素7G1及下段的綠像素7G2，由于綠像素用源極線5G引入的電位相同，由其他的源極線5R、5B引入的電位不同，因而產(chǎn)生橫紋。根據(jù)最好狀態(tài)的顯示裝置，由于其他源極線5R、5B引起的電容Csd2小，可以減小其他源極線5R、5B的引入電位的影響。因此，由圖6上段的綠像素7G1和下段綠像素7G2引入的電位的差更小，可以抑制橫紋的發(fā)生。
在另外的理想的狀態(tài)下，在平面圖中，上述信號線的至少一部分與從上述信號線輸入上述像素信號的第1像素電極重疊，上述信號線與通過上述信號線與上述第1像素電極相鄰的第2像素電極不重疊。根據(jù)這種狀態(tài)，由于可以進一步減小第2電容Csd2，所以也就可以進一步抑制橫紋的發(fā)生。
本發(fā)明的顯示裝置，還包括進行上述像素電極和上述信號線之間的開關控制的開關元件；用于開關控制上述開關的供給掃描信號的掃描線亦可。還可以有用于形成輔助電容的輔助電容線。
上述掃描線形成的區(qū)域或者是上述輔助電容線的形成區(qū)域，包含列方向相鄰的上述像素電極間的區(qū)域亦可。換句話說，在列方向通過信號線相鄰的上述像素電極間的區(qū)域由上述掃描線或者是上述輔助電容線遮光亦可。
還可以有，包括上述掃描線及上述輔助電容線的任何一個不同的遮光層亦可。例如，具有與上述掃描線同層形成的遮光層，與布線及電極都不接觸的遮光層，與上述掃描線相連接的遮光層，與上述輔助電容線相連接的遮光層亦可。
且，本發(fā)明說明書中“行方向”及“列方向”，并不一定是意味著橫方向和縱方向。還有，也不是一定要兩個方向相互垂直的意思，而是意味著兩個方向相互交叉。例如，可以設定對于行方向傾斜的方向為列方向。
根據(jù)本發(fā)明，可以降低橫紋的發(fā)生，提高顯示品位。


圖1，是模式表示具有三角排列(Delta排列)像素的液晶顯示裝置(LCD)的薄膜晶體管基板的平面圖。
圖2，是模式表示圖1所示的排列顯示板中源極線和像素電極之間的電容的平面圖。
圖3，是圖2中以第2行的綠像素7G2為中心的像素排列的部分擴大圖。
圖4，是模式表示圖3中A-B線剖面圖。
圖5，是模式表示圖3中C-D線剖面圖。
圖6，是表示從源極線5向綠像素7G的電位引入的平面圖。
圖7，是表示本發(fā)明的顯示裝置中像素排列的模式平面圖。
圖8，是圖7中A-B線的剖面圖。
圖9，是比較例的像素排列的模式平面圖。
圖10，是圖9中A-B線的剖面圖。
圖11，是最好狀態(tài)的顯示裝置中的像素排列的模式平面圖。
圖12，是圖11中C-D線剖面圖。
圖13，是擴大表示薄膜晶體管基板上的一個像素的平面圖。
圖14，是圖13中A-B-C線剖面圖。
圖15，是圖13中D-E線剖面圖。
圖16，是擴大表示實施方式2所涉及的薄膜晶體管基板上的一個像素的平面圖。
圖17，是擴大表示實施方式3所涉及的薄膜晶體管基板上的一個像素的平面圖。
圖18，是模式表示像素電極7的變形例的平面圖。
(符號說明)1顯示部分2柵極驅(qū)動器3源極驅(qū)動器4柵極線4a 柵極電極5源極線(信號線)5R 紅像素用源極線5G 綠像素用源極線5B 蘭像素用源極線6薄膜晶體管(TFT)7像素(電極)7R 紅像素7G 綠像素7B 蘭像素8絕緣膜10 玻璃基板11 基層膜12 半導體層13 柵極絕緣膜
14 層間絕緣膜15 輔助電容線16 漏極電極PS 像素信號Csd1像素電極和驅(qū)動該像素電極的源極線之間的寄生電容Csd2像素電極和不驅(qū)動該像素電極的源極線之間的寄生電容D0 列方向相鄰像素電極間的距離w 信號線的寬度D1 像素電極和驅(qū)動該像素電極的源極線的重疊區(qū)域的寬度D2 像素電極和不驅(qū)動該像素電極的源極線的重疊區(qū)域的寬度具體實施方式
以下，參照圖面說明本發(fā)明的實施方式。在以下的實施方式中，說明有關液晶顯示裝置(LCD)，但是，本發(fā)明的顯示裝置，不只限于液晶顯示裝置(LCD)，還包括有機或者是無機電致發(fā)光顯示裝置，等離子顯示裝置(PDP)，發(fā)光二極管(LED)顯示裝置，螢光顯示管，電場放出型顯示裝置，電泳顯示裝置，電化學發(fā)光顯示裝置等的各種顯示裝置。
且，本說明書所使用的參照標號，總括表示同族的構(gòu)成要素，省略英文字只用數(shù)字表示。例如，概括用源極線5表示紅像素用源極線5R、綠像素用源極線5G及蘭像素用源極線5B。
(第一實施例)實施方式1的液晶顯示裝置(LCD)，具有薄膜晶體管基板，與此相對配置的彩色濾色器(CF)基板，被兩基板所夾的向相液晶材料的液晶層。彩色濾色器基板，具有紅綠蘭三色彩色濾色器層，覆蓋彩色濾色器層的由ITO(銦錫氧化物)等形成的公用電極，覆蓋公用電極的液晶取向膜。且，彩色濾色器層有時也形成在薄膜晶體管基板上。
參照圖1說明本實施方式的薄膜晶體管基板。在薄膜晶體管基板的顯示部分1上，形成了從柵極驅(qū)動器2延伸的多條柵極線4，從源極驅(qū)動器3延伸的多條源極線5。在多條柵極線4和多條源極線5的各個交點近旁，形成了作為開關元件的多個薄膜晶體管6，在各個薄膜晶體管6上連接著像素電極7。在像素電極7上形成有由聚酰亞胺等制成的液晶取向膜。由柵極線4通過地址化了的薄膜晶體管6，將從源極線5的對應于各像素的信號(像素信號)提供給像素電極7。由此，在像素電極7和彩色濾色器基板的公用電極之間施加了電壓，控制對應于這個像素區(qū)域的液晶層的光學特性，進行顯示。
在本實施方式的液晶顯示裝置(LCD)中，像素電極7和公用電極的重疊區(qū)域成為像素。本說明書中，為了說明方便，稱對應于紅綠蘭三色彩色濾色器層的像素為紅像素7R、綠像素7G及蘭像素7B。還有，對應于各色的像素電極7也簡單稱為像素7。例如，對應于綠色的像素電極7也稱為綠像素7G。
在圖1的薄膜晶體管基板上，在行方向上紅像素7R、綠像素7G及蘭像素7B周期地循環(huán)成直線狀排列著。還有在每一行只以約1.5像素間距在行方向上偏離排列著同色像素7。柵極線4在行方向上直線延伸。相對于此，源極線5在蛇行的同時，換句話說使其成為彎曲狀或者是曲線狀在列方向延伸。由同一源極線5提供給信號(象素信號)的像素電極7，相對于源極線5的每一行左右交替，也就是成曲折狀的配置。
圖13，是擴大表示薄膜晶體管基板上的一個像素的平面圖。圖14，是圖13中A-B-C線剖面圖。參照圖13、圖14及圖15，說明本實施方式的薄膜晶體管基板的制造工序的同時，說明薄膜晶體管基板的具體構(gòu)成。
首先，在玻璃基板10的基板全表面上，由等離子CVD(熱解化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition))法成膜SiON膜(厚度100nm左右)，形成基層膜11。在基層膜11全表面上，通過等離子CVD法，用乙硅烷(Si2H6)作原料成膜非晶態(tài)多晶硅膜(厚度50nm左右)。再通過熱處理，使非晶態(tài)多晶硅膜結(jié)晶化。其后，由光蝕刻法形成圖形，形成半導體層12。
形成了半導體層12的基層膜11的全表面上，通過等離子CVD法成膜SiON膜(厚度115nm左右)，形成柵極絕緣膜13。在柵極絕緣膜13的全表面上，由濺射法順次成膜氮化鉭膜(厚度50nm左右)及鎢膜(厚度370nm左右)。且，代替氮化鉭膜及鎢膜的積層膜，選用鉭、鎢、鈦、鉬、鋁及銅組成的金屬組中至少一種金屬，以從上述金屬組選出的至少一種金屬為主要成份的合金材料或者是化合物材料形成單層膜或者是積層膜亦可。
其后，由使用光蝕刻法形成圖形，形成柵極線4，柵極電極4a，輔助電容線15及根據(jù)要求形成的遮光層(未圖示)。且，遮光層與柵極線4、柵極電極4a及輔助電容線15的任何一個接觸(物理接觸)都可，或者是，與柵極線4、柵極電極4a及輔助電容線15的任何一個都不接觸亦可。在本實施方式中，為兩個柵極電極4a形成的多柵極型，但是，柵極電極4a為一個亦可。
以柵極電極4a為掩膜，通過柵極絕緣膜13向半導體層12摻入雜質(zhì)，在對應于柵極電極4a的部分形成溝道區(qū)域、其外側(cè)形成源極電極區(qū)域及漏極電極區(qū)域。通過加熱處理，進行所攙雜元素的活化。其后，摻入作為雜質(zhì)的磷形成N溝道型薄膜晶體管(TFT)6，摻入硼形成P溝道型薄膜晶體管(TFT)6。
在玻璃基板10上，通過CVD法成膜氮化硅膜及氧化硅膜的二層構(gòu)造形成的積層膜(厚度為950nm左右)，形成層間絕緣膜14。在柵極絕緣膜13及層間絕緣膜14上形成到達半導體層12的源極電極區(qū)域的接觸孔CH1的同時，在柵極絕緣膜13及層間絕緣膜14上形成到達半導體層12的漏極電極區(qū)域的接觸孔CH2。
在層間絕緣膜14的全表面，由濺射法順次形成鈦膜(厚度為100nm左右)、鋁膜(厚度為500nm左右)及鈦膜(厚度為100nm左右)。其后，通過用光蝕刻法形成圖形，形成源極線(包含源極電極)5及漏極電極16。通過進行加熱處理，進行半導體層12的氫化。這個氫化工序，是由包含在氮化硅膜等制成的層間絕緣膜14中的氫，將半導體層12中的硅的懸掛鍵封端化的工序。再有，在層間絕緣膜14上，涂布膜厚為1.6μm左右的丙烯樹脂等的有機絕緣材料，形成絕緣膜8。
在絕緣膜8上形成到達漏極電極16的接觸孔CH3。在絕緣膜8上，由噴涂法成膜厚度為100nm的ITO膜后，由光蝕刻法形成圖形制成像素電極7。再有，由印刷法在像素電極7及絕緣膜8上形成聚酰亞胺系樹脂薄膜后，通過實施研磨處理形成液晶取向膜。由以上工序，形成本實施方式的薄膜晶體管基板。
接下來，說明彩色濾色器基板及本實施方式的液晶顯示裝置(LCD)的制造工序。在玻璃基板上涂布鉻(Cr)或者是作為黑色樹脂的黑色掩膜材料，在光工序中形成遮光層(厚度為100nm左右)。就紅綠蘭的每一個進行彩色濾色器膜的噴涂、進行光工序的所規(guī)定圖形的形成及燒成，形成紅綠蘭的彩色濾色器層(厚度為2μm)。通過在彩色濾色器層上涂布1μm左右厚的丙烯樹脂，形成覆蓋涂層。在覆蓋涂層上通過掩膜成膜ITO膜(厚度為100nm左右)，形成公用電極。與薄膜晶體管基板一樣，在彩色濾色器基板上形成液晶取向膜。
薄膜晶體管基板或者是彩色濾色器基板上散布球狀隔片(spacer)或者是形成柱狀隔片。通過周邊的密封材料粘合兩基板，進行燒成。將粘合的基板以顯示板單位分割。在分割后的顯示板單元中用減壓法注入如TN(Twisted Nematic)液晶材料，經(jīng)過封口形成液晶層。通過以上的工序，制成本實施方式的液晶顯示裝置(LCD)。
本實施方式的液晶顯示裝置(LCD)，如圖13及圖15所示，在列方向通過信號線5相鄰的像素電極7、7之間的間距D0為信號線(源極線)5的線幅w以上的長度。且，列方向相鄰的像素電極7、7之間的間距D0，為從一個像素電極7的一側(cè)邊緣通過列方向的信號線5到相鄰的另一個像素電極7的一側(cè)邊緣的最短距離。還有，信號線(源極線)5的線幅w，為信號線5的寬方向(相對于信號線5的延長方向的垂直方向)的信號線5的兩端邊緣之間的距離。
本實施方式的液晶顯示裝置(LCD)，從平面看信號線5的行方向延伸部分5a和像素電極7、7不重疊，所以由信號線5產(chǎn)生的寄生電容Csd2小。由此，可以降低信號線5引入的電位，就可以抑制橫紋的發(fā)生。
在列方向通過信號線5相鄰的像素電極7、7之間的間距D0比信號線(源極線)5的線寬w長的情況下，從平面上看像素電極7和信號線5之間產(chǎn)生間隙，這個間隙有可能漏光。在本實施方式中，至少在包含列方向上通過信號線5相鄰的像素電極7、7之間區(qū)域的區(qū)域上，形成了輔助電容線15。這個輔助電容線15起到遮光層的功能，所以，就可以防止像素電極7和信號線5的間隙漏光。且，輔助電容線15，通過柵極絕緣膜13與半導體層12形成輔助電容。
本實施方式中，在至少包含列方向相鄰的像素電極7、7之間區(qū)域的區(qū)域上，形成了輔助電容線15，但是，取代輔助電容線15形成掃描線(柵極線)4亦可。且，按要求形成的遮光層，可配置在列方向或者是行方向包含相鄰像素電極7、7之間區(qū)域的區(qū)域。
(第二實施方式)實施方式2的液晶顯示裝置(LCD)，與實施方式1相同，包括薄膜晶體管基板，與此相對配置的彩色濾色器(CF)基板，被兩基板所夾的向列液晶材料的液晶層。本實施方式的液晶顯示裝置(LCD)，除薄膜晶體管基板以外，與實施方式1和液晶顯示裝置(LCD)具有同樣的構(gòu)造。圖16，是擴大表示本實施方式所涉及的薄膜晶體管基板上的一個像素的平面圖。在圖16中，與實施方式1的薄膜晶體管基板的構(gòu)成要素和實質(zhì)上具有相同功能的構(gòu)成要素標有相同的符號，并省略其說明。
在本實施方式的薄膜晶體管基板中，列方向延伸的信號線5，偏向于行方向通過信號線5相鄰的像素電極7、7中由信號線5驅(qū)動的像素電極7的一側(cè)配置。下面參照圖16具體說明。例如，綠像素7G從平面看由綠像素用源極線5G及蘭像素用源極線5B所夾。綠像素用源極線5G的一部分，從平面上看與綠像素7G及蘭像素7B各自重疊。但是，綠像素用源極線5G和綠像素7G的重疊區(qū)域?qū)挾菵1，比綠像素用源極線5G和紅像素7R的重疊區(qū)域?qū)挾菵2寬。換句話說，綠像素用源極線5G和綠像素7G之間的電容量Csd1，比綠像素用源極線5G和紅像素7R之間的電容量Csd2大。
同樣，蘭像素用源極線5B和蘭像素7B的重疊區(qū)域?qū)挾菵1，比蘭像素用源極線5B和綠像素7G的重疊區(qū)域?qū)挾菵2寬。換句話說，蘭像素用源極線5B和蘭像素7B之間的電容量Csd1，比蘭像素用源極線5B和綠像素7G之間的電容量Csd2大。因此，列方向延伸的源極線5與在行方向相鄰兩個像素電極7、7中間配置的情況相比，寄生電容Csd1增加了，但是寄生電容Csd2卻減小了。
根據(jù)本實施方式，因為引起電容Csd2的引入電位減小，與實施方式1相比更減小了每行的引入電位差，所以就可以抑制橫紋的發(fā)生。
(實施方式3)實施方式2的液晶顯示裝置(LCD)，在行方向，像素電極7與不驅(qū)動這個像素電極7的源極線5重疊。但是，為了盡可能減小電容Csd2，理想的是像素電極7與不驅(qū)動這個像素電極的源極線5不重疊。圖17，是擴大表示本實施方式所涉及的薄膜晶體管基板上的一個像素的平面圖。在圖17中，與實施方式1的薄膜晶體管基板的構(gòu)成要素和實質(zhì)上具有相同功能的構(gòu)成要素標有相同的符號，并省略其說明。
本實施方式的薄膜晶體管基板中，列方向延伸的信號線5，與在行方向通過信號線5相鄰的兩個像素電極7、7中的一個像素電極一部分重疊，而與另一個像素電極7不重疊。以下，參照圖17具體說明。例如，綠像素用源極線5G從平面看一部分與綠像素7G重疊，但是，與行方向通過綠像素用源極線5G與綠像素7G相鄰的紅像素7R不重疊。同樣，蘭像素用源極線5B從平面看一部分與蘭像素7B重疊，但是，與行方向通過蘭像素用源極線5B與蘭像素7B相鄰的綠像素7G不重疊。根據(jù)本實施方式，與實施方式1及2相比，可以更加減小信號線5和像素電極7之間生成的寄生電容Csd2。因此，可以減小起因于電容Csd2的引入電位，所以比實施方式1及2更減小了每行的引入電位差，就可以進一步抑制橫紋的發(fā)生。
本實施方式中，不僅是行方向，在列方向也產(chǎn)生像素電極7與信號線5之間的間隙，這個間隙有可能漏光。因此，理想的是在行方向通過信號線5至少包含相鄰像素電極7、7之間區(qū)域的區(qū)域內(nèi)形成遮光層。
(實施方式4)實施方式1～3中，各像素(電極)7的形狀為矩形，但是各像素(電極)7的形狀不只限于此。圖18，是模式表示像素電極7的變形例的平面圖。例如圖18所示，像素電極7的形狀為六角形亦可。
圖18所示像素排列中，與實施方式1～3相同，紅像素7R、綠像素7G及蘭像素7B在行方向周期性排列。還有信號線蛇行在列方向延伸，掃描線蛇行在行方向延伸。
(其他實施方式)實施方式1～4中，說明了在每一行只以約1.5像素間距在行方向上偏離排列著同色像素7的三角排列。但是，本發(fā)明的顯示裝置，不只限于三角排列，是馬賽克排列、正方形排列亦可。例如，相對于奇數(shù)行像素，由相同信號線驅(qū)動的偶數(shù)行像素，只要在行方向上偏移像素寬(行方向的像素間距)的3/2范圍內(nèi)的排列即可。
實施方式1～4的液晶顯示裝置(LCD)不只是透過型，是反射型或者是透過反射兩用型亦可。例如，通過像素區(qū)域的一部分由反射像素電極形成，可以得到透過反射兩用型液晶顯示裝置(LCD)。透過型液晶顯示裝置(LCD)中通過在掃描線4或者是輔助電容線15等的形成區(qū)域上形成反射像素電極，提高有效像素面積。
像素電極7和信號線5之間的進行開關控制的開關元件不只限于薄膜晶體管(TFT)，例如，MOS-FET(Metal Oxide Semiconductor-Field EffectTra-nsistor)等的其他三端元件亦可?；蛘呤侨〈嗽褂肕IM(Metal In-sulator Metal)等的非線型兩端元件亦可。
以上，說明了本發(fā)明的理想的實施方式，但是，本發(fā)明的技術范圍不只限于上述實施方式記載的范圍。上述實施方式只是示例，由這些各構(gòu)成要素或者是各處理工序的組合，還可能變形出各種各樣的變形例，本件發(fā)明者認為這些變形例也屬本發(fā)明的范疇。
本發(fā)明的顯示裝置，可以利用在液晶顯示裝置(LCD)、等離子顯示裝置(PDP)、有機或者是無機電致發(fā)光顯示裝置、發(fā)光二極管(LED)顯示裝置、螢光顯示管、電場放出型顯示裝置、電泳顯示裝置、電化學發(fā)光顯示裝置等的各種顯示裝置。例如，可以利用于個人計算機的顯示器、攜帶終端的顯示器、彩色電視。
權利要求
1.一種顯示裝置，包括以蛇行的方式在列的方向延伸，分別供給像素信號的多條信號線；覆蓋上述多條信號線的絕緣膜；在上述絕緣膜上形成的、從上述多條信號線分別輸入上述像素信號的多個像素電極；其特征為列方向相鄰的上述像素電極間的距離為上述信號線的線寬以上的長度。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征為上述信號線，在行方向上，通過上述絕緣膜與從上述信號線輸入上述像素信號的第1像素電極形成第1電容，并且，還通過上述絕緣膜與通過上述信號線同上述第1像素電極在行方向上相鄰的第2像素電極形成第2電容，第1電容比第2電容大。
3.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征為上述信號線的一部分，在行方向上，與從上述信號線輸入上述像素信號的第1像素電極在平面上重疊，且與通過上述信號線同上述第1像素電極相鄰的第2像素電極在平面上重疊，上述第1像素電極和上述信號線的重疊區(qū)域，比上述第2像素電極和上述信號線的重疊區(qū)域的面積大。
4.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征為平面圖中，上述信號線的至少一部分與從上述信號線輸入上述像素信號的第1像素電極重疊，上述信號線與通過上述信號線同上述第1像素電極相鄰的第2像素電極不重疊。
5.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征為還包括進行上述像素電極和上述信號線之間的開關控制的開關元件；以及用于供給開關控制上述開關元件的掃描信號的掃描線。
6.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征為還具有形成上述輔助電容的輔助電容線。
7.根據(jù)權利要求5所述的顯示裝置，其特征為上述掃描線的形成區(qū)域包含列方向相鄰的上述像素電極間的區(qū)域。
8.根據(jù)權利要求6所述的顯示裝置，其特征為上述輔助電容線的形成區(qū)域包含列方向相鄰上述像素電極間的區(qū)域。
9.根據(jù)權利要求5或者是7所述的顯示裝置，其特征為還包括上述掃描線和形成在同層上的遮光層。
10.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征為還包括與布線及電極的任何一個都不接觸的遮光層。
11.根據(jù)權利要求5或者7所述的顯示裝置，其特征為還包括與上述掃描線相連接的遮光層。
12.根據(jù)權利要求6或者8所述的顯示裝置，其特征為還包括與上述輔助電容線相連接的遮光層。
13.根據(jù)權利要求5或者7所述的顯示裝置，其特征為還包括用于形成輔助電容的輔助電容線，以及與上述輔助電容線相連接的遮光層。
全文摘要
一種顯示裝置，減少橫紋的發(fā)生，提高顯示品位。顯示裝置，包括以蛇行的方式在列的方向延伸，分別供給像素信號的多條信號線(5)，覆蓋上述多條信號線(5)的絕緣膜，在上述絕緣膜上形成的，從上述的多條信號線(5)分別輸入上述像素信號的多個像素電極(7)。列方向相鄰的上述電極(7、7)之間的距離D0為上述信號線(5)的線幅w以上的長度。
文檔編號H05B33/26GK1652165SQ20051000916
公開日2005年8月10日 申請日期2005年2月4日 優(yōu)先權日2004年2月4日
發(fā)明者安藤晶一, 中島睦, 白木一郎, 吉田圭介, 伊奈惠一 申請人:夏普株式會社