專利名稱:含有紫外光穩(wěn)定劑的有機電致發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本申請涉及有機電致發(fā)光顯示裝置(organic electroluminescentdisplaydevice),特別是,涉及含有紫外(UV)光穩(wěn)定劑成分的有機電致發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù):
常見的有機電致發(fā)光顯示裝置由多層構(gòu)成,例如陽極和陰極電極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。在小分子有機電致發(fā)光顯示裝置情況下,可以通過真空沉積而引入各個層,并且通過共沉積法在一層中混合至少一種或多種材料是容易的。
在使用聚合物層作為空穴注入層情況下,在制備溶液過程中,可以與溶液一起溶解UV穩(wěn)定劑,這樣就使用了一種可溶的UV穩(wěn)定劑,并且通過濕法只形成聚合物層希望的部分。
在美國專利6497598和6268695中采用一種結(jié)構(gòu)的方法,用來在聚合物-陶瓷-聚合物型中形成阻擋層,以防止由于環(huán)境影響有機電致發(fā)光顯示裝置的部件而導致的性能降低。然而,這些先有專利沒有教導一種詳細的裝置結(jié)構(gòu),其使用添加劑能夠直接減少環(huán)境對于電致發(fā)光(EL)部件的影響。
發(fā)明內(nèi)容
因此,為了解決現(xiàn)有技術(shù)的上述問題,本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光顯示裝置,通過向EL部件基本的有機膜層中加入UV穩(wěn)定劑而提高該顯示裝置的壽命,由此顯著提高對外界環(huán)境影響敏感的EL部件的基本性能,以防止當在太陽光中使用有機電致發(fā)光顯示裝置時,由于光致分解改變這些性能。
本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光顯示裝置,其包括底物(substrate)、底物上形成的第一電極、第一電極上形成的發(fā)光層,以及在發(fā)光層上部形成的第二電極,其中,發(fā)光層摻雜有UV穩(wěn)定劑,并且UV穩(wěn)定劑的吸收范圍為420nm或小于420nm。
此外,本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光顯示裝置,其包括底物、底物上形成的第一電極、第一電極上形成的發(fā)光層、在發(fā)光層上部形成的第二電極,以及在第一電極和第二電極之間形成的具有傳導電荷能力的有機膜層,其中,具有傳導電荷能力的有機膜層摻雜有UV穩(wěn)定劑,并且UV穩(wěn)定劑的吸收范圍為420nm或小于420nm。
附圖簡述通過參考附圖的本發(fā)明優(yōu)選實施方案的詳細描述,本發(fā)明的以上或其它特征及優(yōu)點對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將是更明顯的。
附
圖1的圖表示,根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方案的有機電致發(fā)光顯示裝置的截面部分。
附圖2的照片表示,由對比實施例1(在此進一步討論)制得的有機電致發(fā)光顯示裝置在太陽光中曝光后,發(fā)生在有機電致發(fā)光顯示裝置中的變化。
附圖3的圖表示,由試驗實施例1(在此進一步討論)制得的有機電致發(fā)光顯示裝置在太陽光中曝光之前和之后的電壓-發(fā)光度特性;和附圖4的圖表示,由對比實施例1制得的有機電致發(fā)光顯示裝置在太陽光中曝光之前和之后的電壓-發(fā)光度特性。
具體實施方案現(xiàn)在,參考附圖,結(jié)合優(yōu)選實施方案來詳細描述本發(fā)明。對于參考,同樣參考標記,在所有的幾個圖中表示對應(yīng)的部分。
當有機電致發(fā)光顯示裝置暴露在外部環(huán)境中時,光和氧氣導致普通的有機材料的降解,并且降低有機電致發(fā)光顯示裝置的機械和物理性能。因此,需要能夠防止由外部環(huán)境的光導致的物理和化學降解的材料;這樣的材料被稱為光穩(wěn)定劑。
導致降解的光大部分是波長范圍不被大氣吸收的太陽光。
例如,太陽光中紫外線是175nm或更短的短波長,被海平面以上100km的層中的氧氣吸收,而波長為300-400nm的射線被平流層中的臭氧所吸收,平流層形成于海平面以上約15km的上部空氣中。
另一方面,波長為300-400nm的射線未被吸收,保留在太陽光中的紫外線部分中,因此能夠?qū)е卤┞对谕饷婵諝庵械挠袡C材料降解。
此外,除了被臭氧部分吸收外,一些紫外線被氣溶膠粒子散射,該粒子諸如水滴塵埃和大氣中的空氣分子,結(jié)果,到達地球表面并導致有機材料降解的射線是由直接的紫外線和散射的紫外線組成的。
到達地球表面的紫外線降解有機材料的一些機理如下1.由光吸收引起的物理化學過程入射光從有機膜表面反射,或者從有機膜散射或者被有機膜吸收。根據(jù)光化學第一定律(grottus-draper),一部分有效吸收的光引起光化學轉(zhuǎn)化,導致降解。
在雙鍵(發(fā)色團)存在下,吸收向長波一側(cè)移動,對于碳和其它原子之間的雙鍵是特別有效的,羰基化合物吸收290nm或更長波長的光。
制備過程中,少量雜質(zhì)導致降解,由于有機層中經(jīng)常存在的催化劑殘留物和氧化物引起結(jié)構(gòu)不規(guī)則。不規(guī)則結(jié)構(gòu)顯示紫外線范圍內(nèi)的吸收能夠引起光化學轉(zhuǎn)化。此外,與無定形物質(zhì)相比,由于半結(jié)晶薄膜中的結(jié)晶,光散射顯著增加了光通量。因此,即使雙鍵以非常低的濃度存在時,能夠吸收其量可被察覺的能量。
有機材料的活化光譜(activation spectrum)顯示聚合物對特定輻射源輻射的波長的敏感性,在此,活發(fā)光譜是一種測量降解的標準,顯示材料的反應(yīng)性,并且與光源的類型一致,因為沒有用不同波長的其它強度對其進行校正。
2.光氧化圖解如果聚合物暴露在光中,則通過激發(fā)聚合物內(nèi)的吸收基團而產(chǎn)生自由基。
(1)鏈引發(fā)如果紫外線照射到氫過氧化物POOH、羰基化合物自由基或諸如Ti的催化劑的殘留物上,則進行鏈增長。
(2)鏈增長以上產(chǎn)生的自由基按以下的多種機理進行。
(3)鏈支化
(4)鏈終止有機材料按照以上機理進行分解,或者由于產(chǎn)生氧,被紫外線降解。為了防止該分解或降解,添加以下類型的UV穩(wěn)定劑1)用來防止吸收紫外線或減少被雙鍵吸收的光量的UV穩(wěn)定劑——UV吸收穩(wěn)定劑UV吸收穩(wěn)定劑的保護機理主要是吸收紫外線,使得吸收的紫外線與熱一起以不發(fā)生光敏化的方式被分散。
化合物本身應(yīng)具有非常高的吸收性并且是很穩(wěn)定的。UV吸收穩(wěn)定劑的主要缺點在于它們要求特定的吸收深度(樣品厚度)以保護有機膜。因此UV吸收穩(wěn)定劑不能用于諸如纖維和膜的薄產(chǎn)品中。
羥基二苯酮類UV吸收穩(wěn)定劑主要來自2,4-二羥基二苯酮,UV吸收穩(wěn)定劑的市售典型產(chǎn)品包括2,2,4-三羥基二苯酮和2,2,4,4-四羥基二苯酮。
羥基二苯酮的能量轉(zhuǎn)移是這樣進行的,暴露在光中的2-羥基二苯酮將熱能量傳遞給周圍介質(zhì),并被變?yōu)橄┐夹问降某跏紤B(tài)。
能量轉(zhuǎn)移迅速進行而無輻射。
UV吸收穩(wěn)定劑的種類如下a.肉桂酸酯類UV吸收穩(wěn)定劑吸收290-320nm的波長,該波段比2-(2-羥基苯基)-苯并三唑或2-羥基二苯酮吸收的波段短很多,將能量以多種振動可能性高效地轉(zhuǎn)化成熱。
盡管肉桂酸酯類UV吸收穩(wěn)定劑可以被肉桂酸衍生物或吸收帶和聚丙烯或聚苯乙烯的發(fā)射帶之間特定的疊加所猝滅,但由于聚合物的可用性不夠,肉桂酸酯類UV吸收穩(wěn)定劑總的效率低。
b.N,N′-草酰二苯胺類UV吸收穩(wěn)定劑吸收280-320nm的波長,比肉桂酸酯類UV吸收穩(wěn)定劑吸收的波段短。N,N′-草酰二苯胺類UV吸收穩(wěn)定劑的吸收是由內(nèi)濾波效應(yīng)和吸收波段中的質(zhì)子轉(zhuǎn)移引起的。
N,N′-草酰二苯胺類UV吸收穩(wěn)定劑猝滅羰基,因為其通過有機膜中產(chǎn)生的長鏈酮的norrish II類反應(yīng)能夠降低并消耗斷鏈作用。N,N′-草酰二苯胺類UV吸收穩(wěn)定劑吸收效率低,是因為羰基與基態(tài)的復(fù)合穩(wěn)定劑的兼容性低,盡管其與有機的可溶材料的兼容性低。
c.單苯甲酸間苯二酚酯比N,N′-草酰二苯胺類UV吸收穩(wěn)定劑吸收的波長更短。暴露在UV光中,單苯甲酸間苯二酚酯重排成2-羥基二苯酮。不過,在該分子結(jié)構(gòu)時,其不能作為UV吸收穩(wěn)定劑。單苯甲酸間苯二酚酯的吸收效率低,是因為單苯甲酸間苯二酚酯不以其數(shù)量進行重排,并且同時它產(chǎn)生次級產(chǎn)物。
d.水楊酸酯比草酰胺吸收更長的波長。
2)通過去活雙鍵基團(發(fā)色團)的激發(fā)態(tài)而降低引發(fā)速度的猝滅劑猝滅劑是一種光穩(wěn)定劑,能夠接收塑料中存在的雙鍵(發(fā)色團)Ks吸收的能量,并將能量猝滅為熱或熒光或磷光輻射,由此有效地防止降解。
猝滅劑的例子是氫過氧化物分解劑,在氫過氧化物被光分解劑分解前,將氫過氧化物轉(zhuǎn)化為多種穩(wěn)定的化合物,而不產(chǎn)生自由基。
含硫化合物的金屬配合物是非常有效的UV穩(wěn)定劑,常溫下能夠減少已經(jīng)氧化的有機膜內(nèi)氫過氧化物的量。盡管使用很少量的金屬配合物,作為氫過氧化物分解劑,它們?nèi)允欠浅S行У摹?br>
3)烷基或過氧化物自由基產(chǎn)生后盡快將自由基去除的自由基捕獲劑通過除去有機材料暴露在紫外線時產(chǎn)生的中間體自由基的活性,捕獲劑能夠抑制自由基反應(yīng)。
此外,在其它光穩(wěn)定劑中,近來開發(fā)出受阻胺光穩(wěn)定劑(HALS),目前該穩(wěn)定劑比其它任何穩(wěn)定劑使用得更多。
4)用于屏蔽輻射的輻射屏蔽劑可以通過在有機材料的表面沉積一種能夠切斷UV線滲透到有機材料的材料而抑制UV光的破壞。
另一方面,選擇輻射屏蔽劑時考慮物理條件(液體/固體)、熔點、粒子尺寸、粒子分布、熱穩(wěn)定性、與其它添加劑的相互作用、毒性(食物包裝)、揮發(fā)性以及與聚合物的兼容性,以出于特定目的使用UV穩(wěn)定劑,如輻射屏蔽劑,作為添加劑。
本發(fā)明中,優(yōu)選將UV穩(wěn)定劑摻雜到包括在本發(fā)明有機電致發(fā)光顯示裝置的有機材料中,以防止紫外線分解和降解有機材料。
附圖1的圖表示,根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方案的有機電致發(fā)光顯示裝置的截面部分。
參考附圖1,本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置含有底物10、底物10上形成的第一電極20、第一電極20上形成的發(fā)光層50,和發(fā)光層50上部形成的第二電極90。
在發(fā)光層50上摻雜UV穩(wěn)定劑是為了防止紫外線分解有機發(fā)光層。如上所述,UV穩(wěn)定劑通過吸收420nm或更短波長的光而吸收紫外線。
用作UV穩(wěn)定劑的一種或多種化合物選自羥基二苯酮基化合物(hydroxybenzophenone-based compound)、羥基苯基苯并三唑基化合物、受阻胺基化合物(hindered-amines-based compound)、含有選自鐵、鎳和鈷中一種金屬的有機金屬化合物、水楊酸酯基化合物、肉桂酸酯衍生物、單苯甲酸間苯二酚酯基化合物、N,N′-草酰二苯胺化合物、羥基苯甲酸酯基化合物、有機或無機顏料、炭黑、香豆素基化合物、芪衍生物、苯并噁唑基化合物、苯并咪唑基化合物、萘亞酰胺基化合物、二氨基芪磺酸酯基化合物、三嗪芪基化合物、苯酯基化合物、苯并三唑基化合物、S-三嗪基化合物、苯并噁唑的羥基苯基衍生物基化合物、六甲基磷酰胺基化合物、丙二酸亞芐酯基化合物、脂族胺或氨醇基衍生物、硝基芳族化合物、取代的丙烯腈基化合物、二茂鐵基化合物、硝基苯基偶氮苯酚基化合物、偶氮化合物、多烯基聚合物衍生物、哌啶基化合物、哌啶氧基化合物、三氟化硼基化合物、噻二唑基化合物和膦酸酯基化合物。
光穩(wěn)定劑的通常使用濃度范圍是0.001-10%,其中,濃度范圍的上限只用在特殊的情況下。使用濃度小于0.001%的光穩(wěn)定劑是不可取的,因為UV封閉效應(yīng)不夠。使用濃度大于10%的光穩(wěn)定劑得到的是不合乎需要的裝置,因為漏電或特性被退化。
如果第一電極20是普通金屬電極的陽極電極,第二電極90成為透明的陰極電極(transparent cathode),這樣有機電致發(fā)光顯示裝置具有前發(fā)光結(jié)構(gòu)。
另一方面,如果第一電極20是可透光的陰極電極,第二電極90成為可反射的陽極電極,這樣有機電致發(fā)光顯示裝置具有后發(fā)光結(jié)構(gòu)?;蛘叩诙姌O也可以是可透光的,這樣有機電致發(fā)光顯示裝置具有兩側(cè)發(fā)光結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明優(yōu)選實施方案的有機電致發(fā)光顯示裝置還含有在第一電極20和第二電極90之間形成的具有傳導電荷能力的有機膜層100。
具有傳導電荷能力的有機膜層100含有選自空穴注入層30、空穴傳輸層40、空穴阻擋層60、電子傳輸層70和電子注入層80的一層或多層,其中,一般而言,空穴注入層30和空穴傳輸層40在第一電極20和發(fā)光層50之間形成,而空穴阻擋層60、電子傳輸層70和電子注入層80在發(fā)光層50和第二電極90之間形成。
空穴注入層30、空穴傳輸層40、空穴阻擋層60、電子傳輸層70和電子注入層80優(yōu)選摻雜有UV穩(wěn)定劑,因為有機材料通常用在有機電致發(fā)光顯示裝置中。
根據(jù)一個實施方案,在有機電致發(fā)光顯示裝置中,發(fā)光層50摻雜有UV穩(wěn)定劑,空穴注入層30、空穴傳輸層40、空穴阻擋層60、電子傳輸層70和電子注入層80中的一層或多層含有額外添加的具有傳導電荷能力100的有機膜層100,或者不摻雜有UV穩(wěn)定劑、部分摻雜有UV穩(wěn)定劑,或者完全摻雜有UV穩(wěn)定劑。
與摻雜在發(fā)光層50上的UV穩(wěn)定劑相同的材料可以作為UV穩(wěn)定劑,分別摻雜在空穴注入層30、空穴傳輸層40、空穴阻擋層60、電子傳輸層70或電子注入層80上。分別摻雜在空穴注入層30、空穴傳輸層40、空穴阻擋層60、電子傳輸層70或電子注入層80上的UV穩(wěn)定劑的濃度也為0.001-10%。
此外,本發(fā)明另一個優(yōu)選的實施方案公開一種有機電致發(fā)光顯示裝置,含有底物10、在底物10上形成的第一電極20、在第一電極20上形成的發(fā)光層50、在發(fā)光層50上部形成的第二電極90、和在第一電極20和第二電極90之間形成的具有傳導電荷能力的有機膜層100,其中,有機膜層100摻雜有UV穩(wěn)定劑,并且UV穩(wěn)定劑在420nm或低于420nm的吸收范圍。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案中,發(fā)光層50不摻雜有UV穩(wěn)定劑。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施方案中,用作UV穩(wěn)定劑的一種或多種化合物選自羥基二苯酮基化合物、羥基苯基苯并三唑基化合物、受阻胺基化合物、含有選自鐵、鎳和鈷中一種金屬的有機金屬化合物、水楊酸酯基化合物、肉桂酸酯衍生物、單苯甲酸間苯二酚酯基化合物、N,N′-草酰二苯胺基化合物、羥基苯甲酸酯基化合物、有機或無機顏料、炭黑、香豆素基化合物、芪衍生物、苯并噁唑基化合物、苯并咪唑基化合物、萘亞酰胺基化合物、二氨基芪磺酸酯基化合物、三嗪芪基化合物、苯酯基化合物、苯并三唑基化合物、S-三嗪基化合物、苯并噁唑的羥基苯基衍生物基化合物、六甲基磷酰胺基化合物、丙二酸亞芐酯基化合物、脂族胺或胺醇基衍生物、硝基芳族化合物、取代的丙烯腈基化合物、二茂鐵基化合物、硝基苯基偶氮苯酚基化合物、偶氮化合物、多烯基聚合物衍生物、哌啶基化合物、哌啶氧基化合物、三氟化硼基化合物、噻二唑基化合物和膦酸酯基化合物。由于與上述優(yōu)選實施方案中相同的原因,UV穩(wěn)定劑的摻雜濃度為0.001-10%。
此外,具有傳導電荷能力的有機膜層100含有選自空穴注入層30、空穴傳輸層40、空穴阻擋層60、電子傳輸層70和電子注入層80的一層或多層。構(gòu)成有機膜層100和選自空穴注入層30、空穴傳輸層40、空穴阻擋層60、電子傳輸層70和電子注入層80的一層或多層每層都摻雜有UV穩(wěn)定劑。
此外,本發(fā)明優(yōu)選實施方案的有機電致發(fā)光顯示裝置可用于后發(fā)光結(jié)構(gòu)以及前發(fā)光結(jié)構(gòu)。在前發(fā)光結(jié)構(gòu)情況下,第一電極20是陽極電極,并且第二電極90是陰極電極,而在后發(fā)光結(jié)構(gòu)情況下,第一電極20是陰極電極,并且第二電極90是陽極電極。
根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方案,制備有機電致發(fā)光顯示裝置的方法描述如下。
為了限定象素區(qū)域,第一電極20形成在底物10上。第一電極20是陽極情況下,在陽極上形成空穴注入層30和/或空穴傳輸層40。
空穴注入層30和/或空穴傳輸層40摻雜有UV穩(wěn)定劑,其中,UV穩(wěn)定劑吸收范圍為420nm或小于420nm,這樣UV穩(wěn)定劑不吸收來自有機電致發(fā)光顯示裝置的光。
在聚合物有機電致發(fā)光顯示裝置情況下,通過以下過程在陽極上形成摻雜有UV穩(wěn)定劑的空穴注入層30和/或空穴傳輸層40。
將形成空穴注入層30的材料與電子受體材料混合之后,通過在陽極上涂覆幾百埃()厚的混合材料并熱處理涂覆混合材料的陽極而除去陰極接觸部分。接著,將形成空穴傳輸層40的材料與摻雜劑混合之后,通過在空穴注入層30上涂覆幾百埃()厚的混合材料并熱處理涂覆混合材料的空穴注入層而除去陰極接觸部分。
另外,摻雜劑不能與陽極上用作空穴注入層30的材料和用作空穴傳輸層40的材料以外的任何一種材料混合。摻雜劑只與用作空穴注入層30的材料混合是可取的。
在小分子有機電致發(fā)光顯示裝置情況下,通過以下過程在陽極上形成摻雜有UV穩(wěn)定劑的空穴注入層30和/或空穴傳輸層40。
向沉積室中加入其上形成有第一電極20是陽極的底物10后,通過共沉積空穴注入層30和UV穩(wěn)定劑,在陽極上形成幾百埃()厚的空穴注入層30。通過共沉積空穴傳輸層40和UV穩(wěn)定劑,在空穴注入層30上形成幾百埃()厚的空穴傳輸層40。另外,空穴注入層30或空穴傳輸層40單純被沉積,而未與UV穩(wěn)定劑共沉積。
紅、綠和蘭色材料分別沉積在底物上,在該底物上,使用純金屬掩模(finemetal mask)(FMM),形成摻雜有UV穩(wěn)定劑的空穴注入層30和/或空穴傳輸層40,或者使用激光誘導熱成像(LITI),使紅、綠和蘭色材料在底物上形成圖案。形成圖案后,在發(fā)光層50上形成空穴封閉層60、電子傳輸層70和電子注入層80中的一層或多層。接著,形成陰極電極90后,密封陰極電極90,從而完成有機電致發(fā)光顯示裝置的制備。
本發(fā)明公開了以下的試驗實施例,該實施例只是用來幫助理解本發(fā)明。本發(fā)明并不局限于以下的試驗實施例。
試驗實施例1將一種有機電致發(fā)光顯示裝置制造成后發(fā)光類型的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,UV穩(wěn)定劑被摻雜到空穴封閉層60上。
在底物上通過形成氧化銦錫(ITO)圖案作為陽極來限定象素區(qū)域。清洗ITO形成的底物后,用UV-O3處理底物15分鐘。將帶有2重量%UV穩(wěn)定劑的溶液旋涂到清洗過的底物上的9,9′-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯胺(Dow Chemical公司,TFB),即空穴注入層上,厚為25nm。接著,剝離陰極接觸部分的空穴注入層后,在220℃溫度下干燥空穴注入層10分鐘。
將其上沉積有空穴注入層的底物移到沉積機中,在沉積機中按次序沉積空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴封閉層、電子傳輸層、電子注入層和陰極電極,并用吸濕裝置(dehumidifier)和有機包封對沉積在底物上的各個層進行密封,沉積25nm厚的N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB),作為空穴傳輸層;沉積20nm厚的含有6重量%DPVBi(4,4′-雙(2,2-二苯基乙烯-1-基)-二苯基,4,4′-bis(2,2-diphenylethen-1-yl)-diphenyl)類摻雜劑(Idemitsu Kosan)的IDE120小分子發(fā)蘭光材料,作為發(fā)光層;沉積5nm厚的BAlq(bis(2-methyl-8-quinolato)(p-phenyl-phenolato)aluminum)作為空穴封閉層;沉積20nm厚的Alq3(alumini tris(8-hydroxyquinoline)作為電子傳輸層;沉積0.5nm厚的LiF作為電子注入層;以及沉積300nm厚的鋁(Al)作為陰極。
也就是說,使用陽極(ITO)/空穴注入層(9,9′-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯胺(Dow Chemical公司,TFB),25nm)/空穴傳輸層(N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB),25nm)/發(fā)光層(IDE120+6重量%DPVBi類摻雜劑(Idemitsu Kosan),20nm)/空穴封閉層(BAlq,5nm)/電子傳輸層(Alq3,20nm)/電子注入層(LiF,0.5nm)/陰極(Al,300nm)的組合。
對比實施例1在底物上通過形成ITO圖案來限定象素區(qū)域,使用陽極直接觀察底物上未摻雜UV穩(wěn)定劑時出現(xiàn)的問題。清洗ITO形成的底物后,用UV-O3處理底物15分鐘。所有層都未摻雜UV穩(wěn)定劑狀態(tài)下,通過標準配方(沉積法)形成有機EL裝置。附圖2表示拍攝EL底物的照片,為了擋光,用黑簽名筆在EL底物上記為“83到18”號后,再次驅(qū)動,接著單獨留下記號的EL底物大約24小時。從附圖2可見,記號部分更明亮些。因此可見,在制造實際底物時,如果光封閉功能減少,則顯著減少了發(fā)光度的降低。
有機電致發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)為,陽極(ITO)/空穴注入層(9,9′-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯胺(Dow Chemical公司,TFB),30nm)/空穴傳輸層(N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB),30nm)/發(fā)光層(IDE120+6重量%DPVBi類摻雜劑(Idemitsu Kosan),20nm)/空穴封閉層(BAlq,5nm)/電子傳輸層(Alq3,20nm)/電子注入層(LiF,0.5nm)/陰極(Al,300nm)。
附圖3和附圖4的圖表示,由試驗實施例1和對比實施例1制得的有機電致發(fā)光顯示裝置暴露在太陽光中之前和之后的電壓-發(fā)光度特性。附圖3顯示,如試驗實施例1,當空穴注入層摻雜有UV穩(wěn)定劑時,有機電致發(fā)光顯示裝置暴露在太陽光中之前和之后的電壓-發(fā)光度特性根本沒有改變。然而,附圖4顯示,當空穴注入層未摻雜有UV穩(wěn)定劑時,有機電致發(fā)光顯示裝置暴露在太陽光中之前和之后的電壓-發(fā)光度特性的圖中,要達到相同的發(fā)光度需要更高的電壓。
具有相同結(jié)構(gòu),但通過本發(fā)明將UV穩(wěn)定劑摻雜在空穴注入層中的有機電致發(fā)光顯示裝置暴露在太陽光下時,沒有出現(xiàn)驅(qū)動電壓增加或效率下降。因此可見,即使本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置用在外部太陽光下時,紫外線的分解效應(yīng)幾乎被消除了。
雖然參考了本發(fā)明的優(yōu)選實施方案特別地表示并描述了本發(fā)明,但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解的是,可以在形式和細節(jié)上進行上述的和其它的改變而沒有偏離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光顯示裝置,含有底物;底物上形成的第一電極;第一電極上形成的發(fā)光層;和發(fā)光層上部形成的第二電極,其中,發(fā)光層摻雜有UV穩(wěn)定劑,并且UV穩(wěn)定劑吸收范圍為420nm或小于420nm。
2.權(quán)利要求1的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,UV穩(wěn)定劑是選自以下的一種或多種化合物羥基二苯酮基化合物、羥基苯基苯并三唑基化合物、受阻胺基化合物、含有選自鐵、鎳和鈷中一種金屬的有機金屬化合物、水楊酸酯基化合物、肉桂酸酯衍生物、間苯二酚單苯甲酸酯基化合物、N,N′-草酰二苯胺基化合物、羥基苯甲酸酯基化合物、有機或無機顏料、炭黑、香豆素基化合物、芪衍生物、苯并噁唑基化合物、苯并咪唑基化合物、萘亞酰胺基化合物、二氨基芪磺酸酯基化合物、三嗪芪基化合物、苯酯基化合物、苯并三唑基化合物、S-三嗪基化合物、苯并噁唑的羥基苯基衍生物基化合物、六甲基磷酰胺基化合物、丙二酸亞芐酯基化合物、脂族胺或氨醇基衍生物、硝基芳族化合物、取代的丙烯腈基化合物、二茂鐵基化合物、硝基苯基偶氮苯酚基化合物、偶氮化合物、多烯基聚合物衍生物、哌啶基化合物、哌啶氧基化合物、三氟化硼基化合物、噻二唑基化合物和膦酸酯基化合物。
3.權(quán)利要求1的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,摻雜的UV穩(wěn)定劑的濃度為0.001-10%。
4.權(quán)利要求1的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,第一電極是陽極電極,并且第二電極是陰極電極。
5.權(quán)利要求1的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,第一電極是陰極電極,并且第二電極是陽極電極。
6.權(quán)利要求1的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,有機電致發(fā)光顯示裝置還含有在第一電極和第二電極之間形成的具有傳導電荷能力的有機膜層。
7.權(quán)利要求6的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,具有傳導電荷能力的有機膜層含有選自空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層的一層或多層。
8.權(quán)利要求7的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,第一電極是陽極電極,并且第二電極是陰極電極。
9.權(quán)利要求7的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,第一電極是陰極電極,并且第二電極是陽極電極。
10.權(quán)利要求7的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,選自空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層的一層或多層摻雜有UV穩(wěn)定劑。
11.權(quán)利要求10的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,UV穩(wěn)定劑是選自以下的一種或多種化合物羥基二苯酮基化合物、羥基苯基苯并三唑基化合物、受阻胺基化合物、含有選自鐵、鎳和鈷中一種金屬的有機金屬化合物、水楊酸酯基化合物、肉桂酸酯衍生物、間苯二酚單苯甲酸酯基化合物、N,N′-草酰二苯胺基化合物、羥基苯甲酸酯基化合物、有機或無機顏料、炭黑、香豆素基化合物、芪衍生物、苯并噁唑基化合物、苯并咪唑基化合物、萘亞酰胺基化合物、二氨基芪磺酸酯基化合物、三嗪芪基化合物、苯酯基化合物、苯并三唑基化合物、S-三嗪基化合物、苯并噁唑的羥基苯基衍生物基化合物、六甲基磷酰胺基化合物、丙二酸亞芐酯基化合物、脂族胺或氨醇基衍生物、硝基芳族化合物、取代的丙烯腈基化合物、二茂鐵基化合物、硝基苯基偶氮苯酚基化合物、偶氮化合物、多烯基聚合物衍生物、哌啶基化合物、哌啶氧基化合物、三氟化硼基化合物、噻二唑基化合物和膦酸酯基化合物。
12.權(quán)利要求10的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,摻雜的UV穩(wěn)定劑的濃度為0.001-10%。
13.權(quán)利要求10的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,第一電極是陽極電極,并且第二電極是陰極電極。
14.權(quán)利要求10的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,第一電極是陰極電極,并且第二電極是陽極電極。
15.一種有機電致發(fā)光顯示裝置,含有底物;底物上形成的第一電極;第一電極上形成的發(fā)光層;發(fā)光層上部形成的第二電極;和在第一電極和第二電極之間形成的具有傳導電荷能力的有機膜層,其中,具有傳導電荷能力的有機膜層摻雜有UV穩(wěn)定劑,并且UV穩(wěn)定劑吸收范圍為420nm或小于420nm。
16.權(quán)利要求15的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,UV穩(wěn)定劑是選自以下的一種或多種化合物羥基二苯酮基化合物、羥基苯基苯并三唑基化合物、受阻胺基化合物、含有選自鐵、鎳和鈷中一種金屬的有機金屬化合物、水楊酸酯基化合物、肉桂酸酯衍生物、單苯甲酸間苯二酚酯基化合物、N,N′-草酰二苯胺基化合物、羥基苯甲酸酯基化合物、有機或無機顏料、炭黑、香豆素基化合物、芪衍生物、苯并噁唑基化合物、苯并咪唑基化合物、萘亞酰胺基化合物、二氨基芪磺酸酯基化合物、三嗪芪基化合物、苯酯基化合物、苯并三唑基化合物、S-三嗪基化合物、苯并噁唑的羥基苯基衍生物基化合物、六甲基磷酰胺基化合物、丙二酸亞芐酯基化合物、脂族胺或氨醇基衍生物、硝基芳族化合物、取代的丙烯腈基化合物、二茂鐵基化合物、硝基苯基偶氮苯酚基化合物、偶氮化合物、多烯基聚合物衍生物、哌啶基化合物、哌啶氧基化合物、三氟化硼基化合物、噻二唑基化合物和膦酸酯基化合物。
17.權(quán)利要求15的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,摻雜的UV穩(wěn)定劑的濃度為0.001-10%。
18.權(quán)利要求15的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,第一電極是陽極電極,并且第二電極是陰極電極。
19.權(quán)利要求15的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,第一電極是陰極電極,并且第二電極是陽極電極。
20.權(quán)利要求15的有機電致發(fā)光顯示裝置,其中,UV穩(wěn)定劑摻雜在位于發(fā)光方向上的有機膜上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種含有UV穩(wěn)定劑的有機電致發(fā)光顯示裝置,并且通過提供一種有機電致發(fā)光顯示裝置,其含有底物、底物上形成的第一電極、第一電極上形成的發(fā)光層以及發(fā)光層上部形成的第二電極,其中,發(fā)光層摻雜有UV穩(wěn)定劑,并且UV穩(wěn)定劑的吸收范圍為420nm或小于420nm,來提供一種即使被暴露在太陽光下其特性也沒有被紫外線所降低的有機電致發(fā)光顯示裝置。
文檔編號H05B33/20GK1578561SQ20041005900
公開日2005年2月9日 申請日期2004年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月29日
發(fā)明者徐旼徹, 楊南喆, 金茂顯, 陳炳斗, 李城宅 申請人:三星Sdi株式會社