專利名稱：有機(jī)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)裝置的制作，例如電發(fā)光或有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)裝置。尤其是，本發(fā)明涉及對(duì)電發(fā)光裝置封裝的改進(jìn)，另一方面，本發(fā)明涉及活性有機(jī)材料的均質(zhì)或均勻沉積。
本發(fā)明的背景技術(shù)附

圖1顯示了具有一個(gè)或多個(gè)OLED單元的常規(guī)電發(fā)光裝置100。OLED單元包括由一個(gè)或多個(gè)有機(jī)功能層110構(gòu)成的功能疊層，所述功能疊層位于透明導(dǎo)電層105(例如，銦錫氧化物或ITO)和導(dǎo)電層115之間。所述導(dǎo)電層作為電極。所述單元位于基體101上的一個(gè)活性區(qū)域185。根據(jù)需要，所述單元可以制成顯示器或燈。金屬噴鍍層構(gòu)成電極和結(jié)合片150之間的連接。所述結(jié)合片與例如驅(qū)動(dòng)電路結(jié)合，控制OLED單元的操作。蓋160形成腔室145，并且封閉所述裝置，密封OLED單元使其免受環(huán)境的損壞(例如，濕度和/或空氣)。
在操作中，將電荷載體注射通過電極，從而在所述功能層中重組。電荷載體的重組使得上述單元的功能層發(fā)出可見輻射光。
沉積聚合物的技術(shù)包括例如，旋涂或刮刀涂覆。上述技術(shù)對(duì)整個(gè)基體表面進(jìn)行涂覆。由于聚合物材料非常柔軟，而且是部分吸濕的，在蓋與基體結(jié)合的地方(例如，蓋結(jié)合區(qū)域)需要將聚合物材料從該區(qū)域完全去除。而且，由于結(jié)合片通常在聚合物材料沉積之前形成，需要從結(jié)合片上去除所述聚合物材料，從而使墊片暴露與驅(qū)動(dòng)電路結(jié)合。
然而，使聚合物材料形成圖案的技術(shù)非常有限。這是因?yàn)樾枰瘜W(xué)反應(yīng)(干的或濕的)的大多數(shù)技術(shù)與敏感的聚合物材料不相容。通常采用的形成圖案技術(shù)是激光燒蝕。當(dāng)采用激光燒蝕時(shí)，要求高的激光強(qiáng)度以及長(zhǎng)的輻射時(shí)間從而將聚合物材料從基體上的選定區(qū)域去除。高的激光強(qiáng)度以及長(zhǎng)的輻射時(shí)間可能對(duì)聚合物下面的金屬噴鍍層或ITO層造成損壞，從而對(duì)裝置產(chǎn)生不良影響。而且，當(dāng)層變得越來越薄，光吸收下降，從而激光燒蝕可能不能完全去除所述聚合物材料。聚合物材料從蓋結(jié)合區(qū)域的不完全去除導(dǎo)致有缺陷的封裝，從而產(chǎn)生故障。
從上述討論可知，需要有一種具有可靠封裝的電發(fā)光裝置。
而且，OLED的有機(jī)功能層包括，例如溶解于溶液的共軛聚合物。所述聚合物通過例如旋涂或刮刀涂覆技術(shù)或其它沉積/印刷技術(shù)沉積于基體上。通常，有機(jī)層非常薄，例如大約50-400nm。由于有機(jī)層非常薄，層的細(xì)小偏差或不均勻?qū)?dǎo)致裝置操作的光學(xué)偏差。
所述有機(jī)層涂覆玻璃基體，并制備成有圖案的結(jié)構(gòu)，例如金屬連接和ITO電極結(jié)構(gòu)。所述不同的結(jié)構(gòu)使得基體表面呈現(xiàn)凸凹不平的外形。其下的不同材料具有不同的表面能，它們沿著凹凸不平的基體表面也使得很難得到均勻的有機(jī)層。
為了提高有機(jī)層的涂覆均勻性，人們提出采用不同的溶液。上述溶液包括，例如通過氧氣或等離子體處理基體表面，選擇適當(dāng)?shù)慕饘購亩袡C(jī)材料對(duì)其顯示良好的涂覆性能，或修飾有機(jī)材料從而得到良好的涂覆性能。然而，由于有機(jī)材料的良好涂覆性能損害了其可生產(chǎn)性，導(dǎo)致高的生產(chǎn)成本和/或性能降低，因此上述溶液是不起作用的。
由上述討論可知，進(jìn)一步地需要有機(jī)裝置上具有均勻有機(jī)功能層，其對(duì)裝置的性能沒有產(chǎn)生不良影響或不增加生產(chǎn)成本。
本發(fā)明的簡(jiǎn)述本發(fā)明涉及電發(fā)光裝置的密封。所述電發(fā)光裝置包括具有一個(gè)活性區(qū)域的基體，所述活性區(qū)域上至少形成一個(gè)OLED單元。蓋結(jié)合區(qū)域環(huán)繞所述活性區(qū)域。在蓋結(jié)合的活性區(qū)域具有一保護(hù)層，例如光刻膠。所述保護(hù)層使形成OLED單元的聚合物材料從蓋結(jié)合區(qū)域去除而不損害位于其下的各層。其改進(jìn)了蓋和基體之間的密封。
另一方面，本發(fā)明涉及有機(jī)裝置中有機(jī)層的均勻沉積。所述有機(jī)裝置包括位于例如電極或金屬內(nèi)部連接等其它層頂部的基體，至少一個(gè)有機(jī)層沉積在所述基體上。對(duì)活性有機(jī)材料顯示良好涂覆性能的均質(zhì)層，例如光刻膠，位于所述有機(jī)層下面。其避免了位于下面的金屬的不利影響，所述不利影響能夠影響有機(jī)材料在基體上的均勻沉積，從而導(dǎo)致例如OLED單元的缺陷。
附圖的簡(jiǎn)要說明附圖1顯示了常規(guī)的OLED裝置；附圖2顯示了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式；附圖3顯示了本發(fā)明的另一實(shí)施方式；附圖4-9顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式制作OLED單元的過程；以及附圖10-14顯示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式制作OLED單元的過程。
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式附圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)裝置200。所述裝置包括一具有活性區(qū)域285的基體201，所述活性區(qū)域上具有一個(gè)或多個(gè)活性組件。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述活性組件包括有機(jī)材料。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述活性組件包括一個(gè)或多個(gè)OLED單元，形成了OLED裝置。采用具有有機(jī)材料的其它類型活性組件也可以用于形成其它類型的裝置。
在一個(gè)實(shí)施方式中，所述基體包括透明基體，例如玻璃。也可以采用其它類型的透明材料用作基體，從而制成所述OLED單元。例如可以采用塑料薄膜作為基體。在構(gòu)成彈性裝置中塑料材料尤其有用。還可以采用非透明材料，例如硅，特別是在通過蓋進(jìn)行觀察的應(yīng)用中。
OLED單元包括位于第一和第二電極205和215之間的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層(有機(jī)疊層)210。優(yōu)選地，所述有機(jī)層包括共軛聚合物。還可以采用其它類型的有機(jī)材料，例如低分子量材料、寡聚物、星爆式化合物或樹枝狀材料。所述材料包括三-(8-羥基喹啉)-鋁鹽(Alq)、聚(p-亞苯基次亞乙烯)(PPV)或聚芴(PF)。還可以采用其它類型的功能有機(jī)層，包括基于熒光或磷光的層。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述有機(jī)疊層210中包括空穴傳輸層(HTL)。所述HTL，例如包括聚合物混合物，通常含有聚苯胺(Pani)或聚亞乙基二氧噻吩polythylenedioxythiophene(Pedot)。所述有機(jī)疊層的厚度通常為大約2-500nm。
第一電極205用作例如陽極，而第二電極用作陰極。至少一個(gè)電極包括透明導(dǎo)電材料，例如銦錫氧化物(ITO)。根據(jù)需要，可以將陰極和陽極制成圖案從而形成一個(gè)或多個(gè)OLED單元。例如，陰極和陽極分別在第一和第二方向形成條帶，構(gòu)成像素裝置。也可以采用其它圖案。通常，第一和第二方向相互垂直。
在環(huán)繞所述活性區(qū)域的蓋結(jié)合區(qū)域，蓋260結(jié)合于基體，從而封裝所述OLED單元。所述蓋形成腔室245，通過與蓋的物理接觸從而使單元免于損壞。
所述裝置的活性區(qū)域可以包括，例如具有一定形狀的柱狀物(未示出)從而使裝置層形成圖案。所述包括切口的具有一定形狀的柱狀物用于形成頂部電極的圖案。具有一定形狀的柱狀物的使用參見例如“結(jié)構(gòu)電極的制作”(US2001/0017516A1)，以及“OLED裝置中電極的圖案結(jié)構(gòu)”(PCT/SG00/00134)，上述申請(qǐng)?jiān)诒景l(fā)明中結(jié)合并參考。
所述基體包括位于活性區(qū)域285之外的導(dǎo)電內(nèi)部連接205。所述內(nèi)部連接包括例如金屬。如前所述，所述金屬內(nèi)部連接可以對(duì)有機(jī)層的均勻性產(chǎn)生不良影響。有機(jī)材料的不均勻性可以從位于非活性區(qū)域以外的區(qū)域蔓延，在所述區(qū)域中，有機(jī)層與活性區(qū)域中的位于下面的金屬層接觸，從而對(duì)活性組件產(chǎn)生不良影響。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，均質(zhì)層275位于活性區(qū)域之外的基體上。所述均質(zhì)層覆蓋位于基體非活性區(qū)域的金屬內(nèi)部連接。所述均質(zhì)層包括一種材料，所述材料有助于構(gòu)成活性組件的有機(jī)層的均勻性。通過覆蓋金屬內(nèi)部連接，減少或防止了對(duì)有機(jī)層的不良影響。優(yōu)選地，所述材料包括均原材料從而防止內(nèi)部連接的短路。對(duì)于均勻?qū)拥牟牧嫌糜趯?dǎo)電的應(yīng)用，應(yīng)在保護(hù)層的下面提供一絕緣層。更優(yōu)選地，構(gòu)成所述均質(zhì)層的材料與所述裝置的制作工藝相適應(yīng)。例如，所述材料應(yīng)當(dāng)非常容易地沉積在基體上或者非常容易地有選擇地去除，從而根據(jù)需要暴露位于下面的內(nèi)部連接。優(yōu)選地，可以采用在制作裝置中所采用的工藝沉積或輕易地去除所述材料，從而避免需要另外的工具或化學(xué)反應(yīng)。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述均質(zhì)層包括光敏材料，例如光刻膠。也可以采用其它類型的光敏材料，例如聚酰亞胺。也可以采用非光敏材料，例如樹脂或非光敏聚酰亞胺。還可以采用其它類型的對(duì)有機(jī)材料具有良好涂覆性能的材料。這些材料包括例如Novolak樹脂、聚苯并惡唑、苝。
有利地是，所述均質(zhì)層還可用作表面保護(hù)層。例如，需要除去位于活性區(qū)域外的有機(jī)層部分，例如蓋結(jié)合區(qū)域內(nèi)的有機(jī)層部分，從而促進(jìn)蓋和基體之間的粘附，或者暴露位于下面的結(jié)合片的金屬內(nèi)部連接。通常采用激光燒蝕去除所述有機(jī)層。但是，激光燒蝕過程會(huì)損害金屬內(nèi)部連接，使裝置產(chǎn)生故障或者對(duì)其性能產(chǎn)生不良影響。通過在有機(jī)層下提供均質(zhì)層，在激光燒蝕過程中可使所述金屬內(nèi)部連接免受損害。均質(zhì)層的厚度應(yīng)足以減少或消除金屬內(nèi)部連接對(duì)有機(jī)層均勻性的不良影響。此外，所述均質(zhì)層應(yīng)足夠厚從而在選擇性去除聚合物材料的過程中使下層免受損壞。通常厚度為大約0.5-2μm。也可以采用其它厚度。
附圖3顯示了本發(fā)明另一實(shí)施方式的電發(fā)光裝置200。所述裝置包括具有活性區(qū)域的基體201，在所述活性區(qū)域內(nèi)形成有一個(gè)或多個(gè)OLED單元。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述基體包括與附圖2所示電發(fā)光裝置的基體相同的材料。
附圖3所示的OLED單元還可包括與附圖2的裝置相同的功能疊層，包括夾在第一和第二電極205和215之間的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層210(聚合物疊層)。
根據(jù)需要，按照上述附圖2中裝置的相同方式對(duì)陰極和陽極的圖案進(jìn)行加工，形成一個(gè)或多個(gè)OLED單元。結(jié)合片250與陰極和陽極電連接。
蓋260結(jié)合于基體上的蓋結(jié)合區(qū)域，所述蓋結(jié)合區(qū)域環(huán)繞所述活性區(qū)域，從而封裝OLED單元。蓋形成腔室245，通過與蓋的物理連接使得單元免受損壞。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述蓋包括其上具有密封緣或墊圈的蓋基體。所述蓋基體可以由例如玻璃形成。也可以采用其它可以用作蓋基體的材料，例如金屬或陶瓷。所述密封緣可以由例如光刻膠構(gòu)成。也可以采用其它類型的材料，例如硅酸鹽玻璃、二氧化硅或陶瓷。使用粘結(jié)劑將蓋粘結(jié)于基體上。所述粘結(jié)劑例如包括基于環(huán)氧基、硅、尿烷、丙烯酸鹽的樹脂或烯類化學(xué)物質(zhì)。所述樹脂可以是UV或熱塑樹脂。也可以采用由環(huán)氧粘結(jié)劑形成的密封緣。此外，所述蓋是預(yù)形成的蓋，包括例如，壓制金屬或刻花玻璃。
所述裝置的活性區(qū)域可以包括例如具有一定形狀的柱狀物。所述具有一定形狀的包括切口的柱狀物用于構(gòu)成頂部電極的圖案。采用具有一定形狀的柱狀物的例子參見例如“結(jié)構(gòu)電極的制作”(US2001/0017516A1)，以及“OLED裝置中電極的圖案結(jié)構(gòu)”(PCT/SG00/00134)，上述申請(qǐng)?jiān)诒景l(fā)明中結(jié)合并參考。另外或除了具有一定形狀的柱狀物之外，基體上可以具有間隔顆粒。所述間隔顆粒用于支撐蓋，防止蓋與OLED單元接觸。采用間隔顆粒的例子參見，例如“電子裝置的封裝”(USSN09/989362)；“有機(jī)LED裝置的改進(jìn)封裝”(PCT/SG99/00145)；“具有改進(jìn)封裝的有機(jī)LED裝置”(PCT/SG99/00143)；以及“有機(jī)LED裝置的改進(jìn)封裝”(PCT/SG99/00145)，上述文獻(xiàn)在本文中結(jié)合并參考。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，基體的蓋結(jié)合區(qū)域具有表面保護(hù)層275。所述蓋與所述表面保護(hù)層接觸。在除去聚合物材料的過程中，位于表面保護(hù)層下面的各層，例如電極之間的金屬內(nèi)部連接和/或例如ITO的電極免受損壞。由于表面保護(hù)層作為封裝的一部分，其應(yīng)具有足夠的機(jī)械穩(wěn)定性、良好的粘結(jié)性能以及低滲透率，從而保證蓋和基體之間的良好密封。如果表面保護(hù)層直接位于金屬內(nèi)部連接的上面，其應(yīng)由絕緣材料構(gòu)成。優(yōu)選地，所述表面保護(hù)層由與OLED制作工藝相適應(yīng)的材料構(gòu)成。通常，表面保護(hù)層的厚度為大約0.5-50μm。也可以采用其它厚度。在一個(gè)實(shí)施方式中，表面保護(hù)層包括光刻膠。也可以采用其它類型的光敏材料，例如聚酰亞胺。還可以采用非光敏材料，例如樹脂或非光敏聚酰亞胺。
附圖4-9顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式制作OLED裝置的過程。參照附圖4，具有一基體301。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述基體包括透明基體，例如堿石灰或硼硅酸鹽玻璃。也可以采用其它類型的透明材料作為基體。所述基體通常具有大約0.4-1.1mm的厚度。
在另一實(shí)施方式中，所述基體包括薄的彈性基體。薄的彈性基體由例如塑料薄膜所形成，例如透明聚(對(duì)苯二甲酸亞乙酯)(PET)、聚(對(duì)苯二甲酸丁烯)(PBT)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亞胺(PI)、聚砜(PSO)、以及對(duì)聚苯醚砜(PES)。也可以采用其它材料形成基體，例如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)以及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。另外，還可以使用例如超薄玻璃(例如，厚度為10-100um)、包括玻璃和聚合物或涂覆有無機(jī)阻隔層的聚合物薄膜的復(fù)合層等材料。
所述基體包括第一電極305，第一電極至少位于活性區(qū)域上。第一電極作為例如陽極?？梢酝ㄟ^例如在基體上沉積導(dǎo)電層以及形成圖案從而制成陽極?？梢圆捎酶鞣N技術(shù)，例如光蝕刻，用于使導(dǎo)電層形成圖案。在一個(gè)實(shí)施方式中，陽極在第一方向上排列成條狀。也可以采用其它圖案的陽極。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電材料包括透明導(dǎo)電材料，例如銦錫氧化物(ITO)。也可以采用其它透明導(dǎo)電材料，例如銦鋅氧化物、鋅氧化物、錫氧化物。
基體的活性區(qū)域之外具有內(nèi)部連接375。所述內(nèi)部連接與例如電極耦合。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電層沉積在基體上，而且形成圖案構(gòu)成電連接375和結(jié)合片。所述導(dǎo)電層包括例如金屬，例如Al，Ag，Au或Cr。可以采用常規(guī)的掩蔽和蝕刻技術(shù)使導(dǎo)電層形成圖案。
參照附圖5，裝置層430沉積在基體上。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述裝置層包括光刻膠?？梢圆捎酶鞣N類型的光刻膠，例如正性或負(fù)性作用膠。也可以采用其它類型的光敏材料或非光敏材料，從而促進(jìn)活性聚合物層的均一性。如果所述裝置層包括導(dǎo)電材料，如果需要，可在裝置層下提供一絕緣層從而防止內(nèi)部連接之間的短路。
參照附圖6，所述裝置層形成圖案從而在活性區(qū)域之外的區(qū)域形成均質(zhì)層575。如果采用光敏裝置層，根據(jù)采用的是正性光敏材料還是負(fù)性光敏材料，選擇性地暴露不同部分以及除去暴露或未暴露的部分，從而使光敏裝置層形成圖案。另一方面，可以采用常規(guī)的掩蔽和蝕刻技術(shù)使非光敏裝置層形成圖案。
參照附圖7，所述過程進(jìn)一步完成了OLED裝置的制作?？梢圆捎酶鞣N常規(guī)的技術(shù)以完成所述OLED裝置。在一個(gè)實(shí)施方式中，在基體上形成具有一定形狀的柱狀物685。所述具有一定形狀的柱狀物685包括一切口，例如V形輪廓，從而在導(dǎo)電層沉積形成電極過程中有效中斷所述導(dǎo)電層。優(yōu)選地，所述柱狀物由單層材料構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述具有一定形狀的柱狀物由包括負(fù)性光刻膠的單層構(gòu)成。也可以采用其它類型的光敏材料。也可以采用非光敏材料以形成具有一定形狀的柱狀物。另外，所述具有一定形狀的柱狀物由多層構(gòu)成從而具有t形輪廓。所述多層可以由光敏和/或非光敏材料構(gòu)成。
所述柱狀物形成之后，將功能有機(jī)層610沉積在基體上。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述功能有機(jī)層包括共軛聚合物。也可以采用其它類型的有機(jī)材料。通過例如旋涂沉積所述聚合物。也可以采用其它的沉積技術(shù)?？梢猿练e另外的功能層從而形成功能有機(jī)疊層。可以沉積不同類型的聚合物從而形成具有多種顏色的OLED裝置。位于活性區(qū)域之外的金屬層下面的均質(zhì)層確保了聚合物層具有良好的均勻沉積。從而消除了活性區(qū)域之外的不均勻性，在所述活性區(qū)域之外，金屬從波紋處延伸進(jìn)入活性區(qū)。
參照附圖8，第二導(dǎo)電層715沉積于基體上。所述導(dǎo)電層包括，例如Ca、Mg、Ba、Ag、Al或它們的混合物或合金。也可以采用其它的導(dǎo)電材料形成第二導(dǎo)電層，特別是包括低功函的材料。此外，所述第二導(dǎo)電層包括離子化合物，例如LiF、MgF或CsF。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第二導(dǎo)電層包括Ca。通過例如速率為1nm/s、壓力為大約10-5mbar的熱蒸發(fā)沉積所述Ca層。另外，第二導(dǎo)電層包括復(fù)合層或多個(gè)導(dǎo)電層構(gòu)成的疊層。例如，所述疊層包括第一Ca層以及第二導(dǎo)電Ag或Al層?？梢圆捎酶鞣N沉積技術(shù)形成第二導(dǎo)電層，例如熱蒸發(fā)、濺射(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)。優(yōu)選地，采用遮光板將第二導(dǎo)電層沉積于所述裝置的活性區(qū)585內(nèi)。柱狀物中斷了所述第二導(dǎo)電層的沉積，從而形成第二電極或陰極。陰極和陽極的相交形成了OLED裝置。
如附圖8所示，去除位于活性區(qū)域外的有機(jī)層部分?？梢酝ㄟ^例如激光燒蝕進(jìn)行蝕刻。在一個(gè)實(shí)施方式中，在形成第二電極之前去除有機(jī)材料。也可以在形成第二電極之后使有機(jī)層形成圖案。為了確保所述有機(jī)材料被完全去除，進(jìn)行過蝕刻。所述過蝕刻還可以部分地去除作為表面保護(hù)層的均質(zhì)層。然而，激光燒蝕沒有對(duì)金屬內(nèi)部連接造成損壞，這是因?yàn)樗鼋饘賰?nèi)部連接受到了表面保護(hù)層的保護(hù)。
如附圖9所示，在基體的蓋結(jié)合區(qū)域安裝蓋860從而完成了所述OLED裝置。在封裝所述OLED裝置后，通過例如常規(guī)的掩蔽和濕法或干法蝕刻技術(shù)，可以部分地除去位于活性區(qū)域之外的均質(zhì)層從而將內(nèi)部連接暴露于電極。也可以采用其它技術(shù)例如激光燒蝕去除所述均質(zhì)層?？梢栽诶?.3J/cm2的能量密度以及波長(zhǎng)248nm下進(jìn)行上述工作。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，作為制作OLED裝置的現(xiàn)有工藝的一部分，形成所述均質(zhì)層。例如，在形成結(jié)合片和內(nèi)部連接之后，所述均質(zhì)層的一部分可以留在所述基體上從而形成表面保護(hù)層。
附圖10-14顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式制作OLED裝置的過程。參照附圖10，提供一基體301。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述基體包括透明基體，例如堿石灰或硼硅酸鹽玻璃。也可以采用附圖4中所述的其它類型的透明材料。
所述基體包括形成在基體表面上的第一電極305。第一電極作為例如陽極。通過在基體上沉積導(dǎo)電層并形成圖案從而形成陽極?？梢圆捎酶鞣N技術(shù)例如光蝕刻使導(dǎo)電層形成圖案。在一個(gè)實(shí)施方式中，陽極在第一方向上排列成條狀。也可以采用具有其它圖案的陽極。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電材料包括透明導(dǎo)電材料，例如銦錫氧化物(ITO)。也可以采用其它透明導(dǎo)電材料，例如銦鋅氧化物、鋅氧化物、錫氧化物。
基體上還可以包括結(jié)合片和其它內(nèi)部連接。通過沉積導(dǎo)電層并形成圖案形成結(jié)合片和內(nèi)部連接。所述導(dǎo)電層包括例如金屬，例如Al，Ag，Au或Cr?？梢圆捎贸Ｒ?guī)的掩蔽和蝕刻技術(shù)使導(dǎo)電層形成圖案。
裝置層372沉積在基體上。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述表面保護(hù)層包括光刻膠。可以采用各種類型的光刻膠，例如正性或負(fù)性作用膠，也可以采用其它類型的光敏材料或非光敏材料。然后使所述裝置層形成圖案從而在基體的蓋結(jié)合區(qū)域形成表面保護(hù)層475，如附圖11所示。如果采用光敏裝置層，根據(jù)采用的是正性光敏材料還是負(fù)性光敏材料，選擇性地暴露不同部分以及除去暴露或未暴露的部分，從而使光敏裝置層形成圖案。另一方面，可以采用常規(guī)的掩蔽和蝕刻技術(shù)使非光敏裝置層形成圖案。
參照附圖12，所述過程進(jìn)一步完成了OLED裝置的制作。可以采用各種常規(guī)技術(shù)以完成所述OLED裝置。在一個(gè)實(shí)施方式中，在基體上形成具有一定形狀的柱狀物584。所述具有一定形狀的柱狀物包括一切口，例如V形輪廓，從而在導(dǎo)電層沉積形成電極過程中有效中斷所述導(dǎo)電層。優(yōu)選地，所述柱狀物由單層材料構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述具有一定形狀的柱狀物由包括負(fù)性光刻膠的單層構(gòu)成。也可以采用其它類型的光敏材料。也可以采用非光敏材料以形成具有一定形狀的柱狀物。另外，所述具有一定形狀的柱狀物由多層構(gòu)成從而具有t形輪廓。所述多層可以由光敏和/或非光敏材料構(gòu)成。
所述柱狀物形成之后，將功能性有機(jī)層510沉積在基體上。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述功能性有機(jī)層包括共軛聚合物。也可以采用其它類型的有機(jī)材料。通過例如旋涂沉積所述聚合物。也可以采用其它的沉積技術(shù)?？梢猿练e另外的功能層從而形成功能性有機(jī)疊層。可以沉積不同類型的聚合物從而形成具有多種顏色的OLED裝置。
參照附圖13，第二導(dǎo)電層615沉積于基體上。所述導(dǎo)電層包括，例如Ca、Mg、Ba、Ag、Al或它們的混合物或合金。也可以采用其它的導(dǎo)電材料形成第二導(dǎo)電層，特別是包括低功函的材料。此外，所述第二導(dǎo)電層包括離子化合物，例如LiF、MgF或CsF。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第二導(dǎo)電層包括Ca。通過例如速率為1nm/s、壓力為大約10-5mbar的熱蒸發(fā)沉積所述Ca層。另外，第二導(dǎo)電層包括與附圖8所述相同的復(fù)合層或多個(gè)導(dǎo)電層構(gòu)成的疊層。可以按照與附圖8所述相同的方式將上述排列的層沉積于基體上。
通過例如激光燒蝕將蓋結(jié)合區(qū)域的聚合物層除去或進(jìn)行蝕刻。在一個(gè)實(shí)施方式中，在形成第二電極之前去除有機(jī)材料。也可以在形成第二電極之后使有機(jī)層形成圖案。為了確保所述有機(jī)材料被完全去除，進(jìn)行過蝕刻。所述過蝕刻可以部分地去除表面保護(hù)層。然而，激光燒蝕沒有對(duì)金屬內(nèi)部連接造成損壞，這是因?yàn)樗鼋饘賰?nèi)部連接受到了表面保護(hù)層的保護(hù)。
如附圖14所示，在基體的蓋結(jié)合區(qū)域安裝蓋760從而完成所述OLED裝置。所述表面保護(hù)層和蓋密封緣構(gòu)成了蓋和基體之間的界面?？梢圆捎谜澈蠘渲瑢⑸w粘結(jié)于基體上。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述粘合劑在基體和蓋之間顯示了良好的粘結(jié)和阻隔性能，從而密封OLED單元?？梢圆捎酶鞣N類型的樹脂，例如基于環(huán)氧基、硅、尿烷、丙烯酸的樹脂或烯烴類物質(zhì)。所述樹脂可以是UV或熱塑性樹脂。通過采用保護(hù)層，在設(shè)計(jì)具有所需性能的密封系統(tǒng)方面具有靈活性(例如，粘合劑、蓋材料以及保護(hù)層材料)。
在封裝所述OLED裝置后，通過例如濕法蝕刻可以部分地除去位于活性區(qū)域之外的聚合物材料從而暴露所述結(jié)合片。由于裝置的活性區(qū)域是密封的，所述化學(xué)物質(zhì)不會(huì)對(duì)OLED單元產(chǎn)生不良影響。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，作為制作OLED裝置的現(xiàn)有工藝的一部分，形成表面保護(hù)層。例如，在形成結(jié)合片和內(nèi)部連接之后，所述抗蝕層的一部分可以留在所述基體上從而形成表面保護(hù)層。另外，有利地是，可以將用于形成具有一定形狀的柱狀物的裝置層形成圖案，從而包括表面保護(hù)層。
本發(fā)明的保護(hù)范圍并不限于上述給出的例子。本發(fā)明體現(xiàn)于每個(gè)新的特性以及每個(gè)特性的結(jié)合，其中包括權(quán)利要求中所述任意特征的每個(gè)結(jié)合，即使所述特征的結(jié)合在權(quán)利要求中并沒有清楚地描述。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括具有活性區(qū)域的基體；環(huán)繞所述活性區(qū)域的蓋結(jié)合區(qū)域；位于金屬噴鍍層上面的均質(zhì)層，所述均質(zhì)層有助于基體上一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層的涂覆均勻性，從而減少或防止了金屬的不良影響；以及在蓋結(jié)合區(qū)域結(jié)合于基體上的蓋。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述均質(zhì)層包括非導(dǎo)電材料。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述均質(zhì)層包括有助于有機(jī)層的均勻性的材料。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述均質(zhì)層包括光敏材料。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述光敏材料包括光刻膠或聚酰亞胺。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述均質(zhì)層包括非光敏材料。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述非光敏材料包括聚酰亞胺。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述均質(zhì)層還可用作表面保護(hù)層。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述表面保護(hù)層允許從OLED單元中除去聚合物材料，而不損壞裝置層或位于保護(hù)層下面的各層。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中采用粘合劑將蓋結(jié)合于基體上。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中蓋、保護(hù)層以及粘合劑形成密封系統(tǒng)。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中選擇所述密封系統(tǒng)的材料從而提供所需的密封特性。
13.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中粘合劑包括樹脂。
14.一種電發(fā)光裝置，包括具有活性區(qū)域的基體，所述活性區(qū)域具有至少一個(gè)OLED單元；環(huán)繞所述活性區(qū)域的蓋結(jié)合區(qū)域；位于蓋結(jié)合區(qū)域的保護(hù)層，所述保護(hù)層允許從OLED單元中除去聚合物材料，而不損壞裝置層或位于保護(hù)層下的各層；以及在蓋結(jié)合區(qū)域結(jié)合于基體上的蓋。
全文摘要
公開了一種均勻沉積有機(jī)層的方法。由于有機(jī)層非常薄，對(duì)目標(biāo)厚度的任何偏差都將導(dǎo)致可以看出的光缺陷。在有機(jī)層的下面提供對(duì)有機(jī)材料顯示良好涂覆性能的均質(zhì)層(275)。通過覆蓋金屬內(nèi)部連接(205)，減少或防止了對(duì)聚合物層均勻性的不良影響。
文檔編號(hào)H05B33/04GK1653626SQ03810390
公開日2005年8月10日 申請(qǐng)日期2003年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月7日
發(fā)明者S·C·聰, E·K·M·京特爾, D·拉西, H·B·林, H·克勞斯曼, C·K·譚 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司