專利名稱：有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，特別是一種能夠修復(fù)實(shí)質(zhì)短路處的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光元件制程中，有機(jī)發(fā)光元件經(jīng)由光刻法(photolithography)定義出導(dǎo)電陽(yáng)極與輔助陽(yáng)極，接著于真空腔體內(nèi)進(jìn)行有機(jī)材料以及無(wú)機(jī)材料(陰極層)的鍍膜步驟。由于水氣以及氧氣會(huì)影響有機(jī)發(fā)光元件的壽命，因此在鍍膜步驟之后需進(jìn)行封裝制程，以避免減少元件壽命。
一般在制程過程中，由于基板缺陷或是制作環(huán)境潔凈度不佳，有機(jī)發(fā)光元件容易產(chǎn)生短路的問題，進(jìn)而使得電流僅通過缺陷處而無(wú)法驅(qū)動(dòng)所有像素，影響了元件的發(fā)光效率與圖像顯示效果；同時(shí)，當(dāng)有機(jī)發(fā)光元件為被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)時(shí)，不但單一像素?zé)o法發(fā)光，亦會(huì)影響整條縱列或是橫排的像素操作。
如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)發(fā)光元件檢測(cè)方法于有機(jī)發(fā)光元件進(jìn)行封裝步驟(S21)之后，接著再以面板測(cè)試步驟(S22)測(cè)試整個(gè)成品的良劣。當(dāng)有機(jī)發(fā)光元件具有短路現(xiàn)象時(shí)，整個(gè)元件在經(jīng)過面板測(cè)試之后，由于元件外層已經(jīng)進(jìn)行封裝，所以無(wú)法進(jìn)行內(nèi)部個(gè)別像素缺陷的修補(bǔ)，而直接被淘汰。如此，將會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品良率的下降，亦增加制造成本。
發(fā)明人本著積極創(chuàng)新的精神，亟思一種可以解決上述問題的「有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法」，幾經(jīng)研究實(shí)驗(yàn)終至完成此發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的提供一種增加產(chǎn)品良率、提高信賴度以及降低制造成本的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，用以修復(fù)具有實(shí)質(zhì)短路現(xiàn)象的有機(jī)發(fā)光元件，有機(jī)發(fā)光元件于基板上包含一第一電極、一有機(jī)發(fā)光層以及一第二電極。有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法包含下列步驟一電氣測(cè)試步驟以及一隔絕層形成步驟，其中，于電氣測(cè)試步驟中，于有機(jī)發(fā)光元件的第一電極與第二電極間施以一電流或電壓，以使有機(jī)發(fā)光元件的實(shí)質(zhì)短路處形成斷路；于隔絕層形成步驟中，于有機(jī)發(fā)光元件的斷路處形成一隔絕層。同時(shí)，本發(fā)明亦提供上述有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法的另一實(shí)施方式，與上述有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法不同之處在于，該方法更包含一電性檢測(cè)步驟；其中，于電性檢測(cè)步驟中，檢測(cè)于電氣測(cè)試步驟中有機(jī)發(fā)光元件的短路程度，當(dāng)所檢測(cè)的短路處除以斷路處的比例少于一定值時(shí)或是漏電流低于一定值時(shí)；于后續(xù)的隔絕層形成步驟中，在斷路處形成一隔絕層。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明中提供一種有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，此方法修復(fù)具有實(shí)質(zhì)短路處的有機(jī)發(fā)光元件，不僅能夠在進(jìn)行封裝步驟之前找出短路的地方，同時(shí)修補(bǔ)該短路處，進(jìn)而使其喪失導(dǎo)電性質(zhì)，讓原本具有缺陷處的像素與相鄰無(wú)缺陷的像素具有同等的發(fā)光能力，而無(wú)需直接淘汰整個(gè)面板，同時(shí)增加了產(chǎn)品的良率以及信賴度，更進(jìn)一步降低了產(chǎn)品的制造成本。


圖1現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷檢測(cè)方法的方塊圖。
圖2本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法的方塊圖。
圖3a及圖3b本實(shí)施例的電氣測(cè)試步驟的示意圖。
圖4a及圖4b本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光元件實(shí)質(zhì)短路的示意圖。
圖5a及圖5b本實(shí)施例的電氣測(cè)試步驟后所得斷路處的示意圖。
圖6a及圖6b本實(shí)施例的隔絕層形成步驟的示意圖。
圖7本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法的方塊圖。
圖中符號(hào)說明1有機(jī)發(fā)光元件11 第一電極12 有機(jī)發(fā)光層13 第二電極2隔絕層3雜質(zhì)S01 電氣測(cè)試步驟S02 隔絕層形成步驟S11 電氣測(cè)試步驟S12 電性檢測(cè)步驟S13 隔絕層形成步驟S21 封裝步驟S22 面板測(cè)試步驟具體實(shí)施方式
以下將參照相關(guān)附圖，說明依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，其中相同的元件將以相同的參照符號(hào)加以說明。
對(duì)于一有機(jī)發(fā)光元件而言，其具有數(shù)組排列的像素，而于本發(fā)明的實(shí)施例中為方便說明，以下將以一像素代替整個(gè)有機(jī)發(fā)光元件的像素。
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，用以修復(fù)具有實(shí)質(zhì)短路現(xiàn)象的一有機(jī)發(fā)光元件1，有機(jī)發(fā)光元件1于基板上包含一第一電極11、一有機(jī)發(fā)光層12以及一第二電極13，有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法包含下列步驟一電氣測(cè)試步驟(S01)以及一隔絕層形成步驟(S02)，如圖2所示。
其中，如圖3a及圖3b所示，于電氣測(cè)試步驟(S01)中，于有機(jī)發(fā)光元件1的第一電極11與第二電極13間施以一電流或電壓，以使有機(jī)發(fā)光元件1的實(shí)質(zhì)短路處因通電流產(chǎn)生熱能而形成斷路；于隔絕層形成步驟(S02)中，于有機(jī)發(fā)光元件1的斷路處形成一隔絕層2。
于本實(shí)施例中，第一電極11為一可導(dǎo)電的金屬氧化物，該可導(dǎo)電的金屬氧化物可為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或是氧化鋁鋅(AZO)。
另外，有機(jī)發(fā)光層12可包含一空穴注入層、一空穴傳遞層、一發(fā)光層、一電子傳遞層以及一電子注入層，小分子有機(jī)發(fā)光層12以蒸鍍法形成；而高分子有機(jī)發(fā)光層12以旋轉(zhuǎn)涂布法、噴墨法或是印刷法形成。其中，空穴注入層的主要材料為copper phthalocyanine(CuPc)；空穴傳輸層的材料主要為4，4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl(NPB)；電子注入層的材料主要為氟化鋰(LiF)；電子傳輸層的材料主要為tris(8-quinolinato-N1，08)-aluminum(Alq)。
接著，第二電極13以蒸鍍法或是濺鍍法形成，其材質(zhì)可為鋁、鋁/鋰、鈣、鎂銀合金或是銀。
請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D3a，電氣測(cè)試步驟(S01)于有機(jī)發(fā)光元件1的第一電極11與第二電極13間分別施以一正電以及一負(fù)電，使有機(jī)發(fā)光元件1的實(shí)質(zhì)短路處形成斷路。另外，亦可于第一電極11與第二電極13間分別施以一負(fù)電以及一正電，如圖3b所示。電氣測(cè)試步驟(S01)于一緩沖腔體(buffer chamber)或是單一腔體(single chamber)的環(huán)境中進(jìn)行，其內(nèi)部為真空，同時(shí)亦能充填(vent)惰性氣氛(inert gas)。
其中，實(shí)質(zhì)短路指真正短路或是接近短路的情況。造成有機(jī)發(fā)光元件1實(shí)質(zhì)短路的情況主要有二其一于有機(jī)發(fā)光元件制造過程中，由于制作環(huán)境的無(wú)塵室潔凈度不足，使雜質(zhì)3(氣泡或微粒)掉入有機(jī)發(fā)光元件1中，造成實(shí)質(zhì)短路，如圖4a所示。同時(shí)，另一個(gè)情況為第一電極11表面不平坦所造成的實(shí)質(zhì)短路，如圖4b所示。
圖5a及圖5b為圖4a及圖4b中有機(jī)發(fā)光元件1經(jīng)過電氣測(cè)試步驟(S01)后所得的斷路情形。由于在有機(jī)發(fā)光元件制程步驟中，基板鍍膜面多為向下，從圖5a及圖5b可知，在經(jīng)過電氣測(cè)試步驟(S01)后，有機(jī)發(fā)光層12與第二電極13會(huì)產(chǎn)生向外翹曲的情況，若不實(shí)時(shí)進(jìn)行隔絕層形成步驟(S02)，在往后的制程步驟中，只要基板鍍膜面有機(jī)會(huì)被翻轉(zhuǎn)向上，第二電極13有可能再次與第一電極11接觸而形成短路現(xiàn)象。
隔絕層形成步驟(S02)于有機(jī)發(fā)光元件1的斷路處形成一隔絕層2，且隔絕層2局部滲入有機(jī)發(fā)光層中，如圖6a及圖6b所示。隔絕層形成步驟(S02)利用真空蒸鍍方式于斷路處形成一隔絕層2，在此，隔絕層2的材料可為構(gòu)成有機(jī)發(fā)光層12的有機(jī)材料，例如空穴注入層、空穴傳遞層、發(fā)光層、電子傳遞層以及電子注入層的材料，或是具有高電阻的無(wú)機(jī)材料如氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅。另外，與鈍化保護(hù)層鍍膜系統(tǒng)(passivation coating system)連結(jié)時(shí)，更可用具有高電阻的高分子當(dāng)作隔絕層2材料，如氟化樹脂、Parylene等。
隔絕層形成步驟(S02)亦可為在一不含水氣的含氧氣氛中氧化第二電極13，在第二電極13的表面形成一氧化層，用以隔絕第二電極13與第一電極11，進(jìn)而達(dá)到保持?jǐn)嗦返男Ч?br> 圖7所示本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法的另一實(shí)施例。如圖7所示，依本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，包含一電氣測(cè)試步驟(S11)、一電性檢測(cè)步驟(S12)以及隔絕層形成步驟(S13)。其中，除了電性檢測(cè)步驟(S12)以及隔絕層形成步驟(S13)外，其余的元件及特征皆與第一實(shí)施例相同。
在此，電性檢測(cè)步驟(S12)檢測(cè)于電氣測(cè)試步驟(S11)中有機(jī)發(fā)光元件1的短路程度；于隔絕層形成步驟(S13)中，當(dāng)電性檢測(cè)步驟(S12)中所檢測(cè)的短路程度小于一定值，亦即短路處除以斷路處的比例小于一定值時(shí)或是漏電流低于一定值時(shí)，于斷路處形成一隔絕層2。因?yàn)槭┘佣妷翰欢娏鲿r(shí)，有缺陷的面板在正向電壓下所耗用的電流會(huì)比正常電流值為高，而在負(fù)向電壓下，有缺陷的面板則會(huì)產(chǎn)生較高的漏電流。而施加正向的定電流不定電壓時(shí)，面板的亮度會(huì)比較低或不均勻，如果配合光電二極管(photodiode)轉(zhuǎn)換成電壓值或配合電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)擷取影像亮度值均勻度來(lái)比對(duì)，誤差值會(huì)增加。
在本實(shí)施例的電性檢測(cè)步驟(S12)中，當(dāng)有機(jī)發(fā)光元件1的短路程度大于一定值，亦即利用漏電流平均值或亮度檢測(cè)所得的誤差結(jié)果大于可接受值時(shí)，該有機(jī)發(fā)光元件1將不繼續(xù)進(jìn)行隔絕層形成步驟(S13)；而當(dāng)有機(jī)發(fā)光元件1的短路程度小于一定值時(shí)，該有機(jī)發(fā)光元件1將繼續(xù)進(jìn)行隔絕層形成步驟(S13)，在斷路處形成一隔絕層2。當(dāng)有機(jī)發(fā)光元件的短路程度大于可接受的范圍時(shí)，亦即無(wú)修復(fù)的價(jià)值時(shí)，利用電性檢測(cè)步驟(S12)能夠減少隔絕層材料的損失，而只讓需要修補(bǔ)的有機(jī)發(fā)光元件繼續(xù)進(jìn)行隔絕層形成步驟(S13)。
本發(fā)明所提供的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法利用一隔絕層形成方法，將有機(jī)發(fā)光元件中具有實(shí)質(zhì)短路缺陷處加以修復(fù)，使得原本因?qū)嵸|(zhì)短路而無(wú)法驅(qū)動(dòng)的像素能夠與無(wú)缺陷的相鄰像素具有相等的發(fā)光能力，如效率、亮度以及色純度等。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明解決了因?qū)嵸|(zhì)短路而造成的漏電流、耗電以及畫質(zhì)不佳的現(xiàn)象。再者，在封裝步驟之前即測(cè)試出短路的現(xiàn)象并加以修補(bǔ)，而無(wú)須負(fù)擔(dān)因?yàn)榫哂袑?shí)質(zhì)短路卻無(wú)法修補(bǔ)且只能直接淘汰的有機(jī)發(fā)光元件面板成品在封裝步驟之后的制造成本，直接提高了產(chǎn)品良率以及信賴度，進(jìn)而降低了制造成本。
綜上所陳，本發(fā)明無(wú)論就目的、手段及功效，均顯示其不同于現(xiàn)有技術(shù)的特征，并具有顯著的新穎性和創(chuàng)造性，實(shí)為「有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法」的一大突破。所指出的是，上述諸多實(shí)施例僅為了便于說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以權(quán)利要求范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，用以修復(fù)具有實(shí)質(zhì)短路現(xiàn)象的一有機(jī)發(fā)光元件，該有機(jī)發(fā)光元件于基板上包含一第一電極、一有機(jī)發(fā)光層以及一第二電極，其特征在于，該有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法包含下列步驟一電氣測(cè)試步驟，于該有機(jī)發(fā)光元件的第一電極與第二電極間施以一電流或電壓，以使該有機(jī)發(fā)光元件的實(shí)質(zhì)短路處形成斷路；以及一隔絕層形成步驟，于該有機(jī)發(fā)光元件的斷路處形成一隔絕層。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，其特征在于，該隔絕層形成步驟于一不含水的含氧氣氛中氧化該第二電極。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，其特征在于，該隔絕層局部滲入該有機(jī)發(fā)光層中。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，其特征在于，該隔絕層材料與該有機(jī)發(fā)光層材料相同。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，其特征在于，該隔絕層材料選自至少一具有高電阻的有機(jī)以及無(wú)機(jī)材料。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，其特征在于，該隔絕層材料為一具有高電阻的高分子材料。
7.一種有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，用以修復(fù)具有實(shí)質(zhì)短路現(xiàn)象的一有機(jī)發(fā)光元件，該有機(jī)發(fā)光元件于基板上包含一第一電極、一有機(jī)發(fā)光層以及一第二電極，其特征在于，該有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法包含下列步驟一電氣測(cè)試步驟，利用該有機(jī)發(fā)光元件的第一電極與第二電極間施以一電流或電壓，以使該有機(jī)發(fā)光元件的實(shí)質(zhì)短路處形成斷路；一電性檢測(cè)步驟，檢測(cè)于該電氣測(cè)試步驟中該有機(jī)發(fā)光元件的短路程度；以及一隔絕層形成步驟，于該電性檢測(cè)步驟中所檢測(cè)的短路程度小于一定值時(shí)，于該斷路處形成一隔絕層。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，其特征在于，該短路程度為短路處除以斷路處的比例。
9.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，其特征在于，該短路程度為漏電流程度。
10.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，其特征在于，該隔絕層形成步驟于一不含水的含氧氣氛中氧化該第二電極。
11.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，其特征在于，該隔絕層局部滲入該有機(jī)發(fā)光層中。
12.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，其特征在于，該隔絕層材料與該有機(jī)發(fā)光層材料相同。
13.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，其特征在于，該隔絕層材料選自至少一具有高電阻的有機(jī)以及無(wú)機(jī)材料。
14.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，其特征在于，該隔絕層材料為一具有高電阻的高分子材料。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法，用以修復(fù)具有實(shí)質(zhì)短路現(xiàn)象的有機(jī)發(fā)光元件，有機(jī)發(fā)光元件于基板上包含一第一電極、一有機(jī)發(fā)光層以及一第二電極。有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法包含下列步驟一電氣測(cè)試步驟以及一隔絕層形成步驟，其中，于電氣測(cè)試步驟中，于有機(jī)發(fā)光元件的第一電極與第二電極間施以一電流或電壓，以使有機(jī)發(fā)光元件的實(shí)質(zhì)短路處形成斷路；于隔絕層形成步驟中，于有機(jī)發(fā)光元件的斷路處形成一隔絕層。本發(fā)明亦提供一種有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法的另一實(shí)施例，該實(shí)施例與上述有機(jī)發(fā)光元件像素缺陷修復(fù)方法的不同之處，在于更包含一電性檢測(cè)步驟。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1568102SQ03141040
公開日2005年1月19日 申請(qǐng)日期2003年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月16日
發(fā)明者郭志明 申請(qǐng)人:錸寶科技股份有限公司