專利名稱：有機電致發(fā)光裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種具有有機層的有機電致發(fā)光裝置(有機EL裝置)，其包含設置在陽極和陰極之間的發(fā)光區(qū)。
背景技術：
已經(jīng)研究和開發(fā)了用于計算機和電視的圖像顯示的輕便并且高效的平板顯示器。
目前，陰極射線管(CRT)因其具有高亮度和良好的色彩再現(xiàn)性而最常用于顯示器。但是，CRT體積大、重量大且電能消耗量大。
目前在市場上可以買到作為輕便并高效的平板顯示器，液晶顯示器，即，有源矩陣(active matrix)驅動型液晶顯示器。但是，液晶顯示器的視角窄、在黑暗環(huán)境下背景光的電能消耗量大，這是因為它不是自發(fā)發(fā)光，對于預期將在近期實際應用的高精度的高速視頻信號不具有充分響應特性。特別是大尺寸顯示器很難生產(chǎn)，并且其成本高。
作為其替代物，可以使用發(fā)光二極管顯示器。但是，其生產(chǎn)成本同樣很高，并且難以在一種基片上形成發(fā)光二極管矩陣結構。因此，如果使用發(fā)光二極管作為低成本的替代顯示器代替CRT，仍然有許多問題需要解決。
作為可以解決上述問題的平板顯示器，帶有有機發(fā)光材料的有機電致發(fā)光裝置(有機EL裝置)已經(jīng)引起關注。換句話說，使用有機化合物作為發(fā)光材料，預計可以提供能夠自發(fā)發(fā)光、具有高響應速度并且對視角沒有依賴的平板顯示器。
有機電致發(fā)光裝置所具有的結構應當是這樣的在半透明陽極和金屬陰極之間形成含有通過電流注入而發(fā)光的發(fā)光材料的有機薄膜。如C.W.Tang，S.A.VanSlyke等人在Applied Physics Letters，第51卷，No.12，913-915頁(1987)的研究報告中，提出的一種具有有機薄膜的雙層結構的裝置，該裝置包括空穴遷移材料薄膜以及電子遷移材料薄膜，通過將空穴和由相應電極向有機膜注入的電子再結合而發(fā)光(具有單異質結構(hetero structure)的有機EL裝置)。
在該裝置結構中，空穴遷移材料或電子遷移材料也起發(fā)光材料的作用。光是以相應于發(fā)光材料的基態(tài)和激發(fā)態(tài)之間的能隙(energy gap)的波長發(fā)射的。該雙層結構明顯降低了驅動電壓，并改善了發(fā)光效率。
在此之后，如C.Adachi，S.Tokita，T.Tsutsui，S.Saito等在Japanese Journalof Applied Physics，第27卷，No.2，L269-L271頁(1988)的研究報告中所述，一種具有空穴遷移材料、發(fā)光材料和電子遷移材料的三層結構(具有雙異質結構的有機EL裝置)。此外，如C.W.Tang，S.A.VanSlyke，C.H.Chen等在Journal ofApplied Physics，第65卷，No.9，3610-3616頁(1989)的研究報告中所述，一種含發(fā)光材料的電子遷移材料的裝置。這些研究已經(jīng)證實了在低電壓下發(fā)出高亮度的光的可能性。近年來，研究開發(fā)的速度大大提高。
從理論上說，用于發(fā)光材料的有機化合物具有的優(yōu)點是通過改變分子結構可以任意地改變發(fā)光的顏色。因此，與使用無機物質的薄膜EL裝置相比，通過分子設計，可以很容易地得到具有全色顯示器(full color display)所需的良好色彩純度的R(紅色)、G(綠色)和B(藍)三色。
實際上，有機電致發(fā)光裝置仍然存在需要解決的問題。難以研制出能夠以穩(wěn)定的高亮度發(fā)射紅光的裝置。目前可獲得的電子遷移材料的一個例子是通過將DCM[4-二氰基亞甲基-6-(對-二甲基氨基苯乙烯基)-2-甲基-4H-吡喃]摻雜到三(8-羥基喹啉)鋁(以下稱為Alq3)中而得到的(Chem.Funct.Dyes，Proc.Int.Symp.，2nd，P536(1993))。作為顯示器材料，所述材料不能提供令人滿意的最大亮度和可靠性。
T.Tsutsui和D.U.Kim在無機和有機電致發(fā)光會議(1996年在柏林舉行)上提出的BSB-BCN能夠提供高至1000cd/m2的亮度，但不能向全色顯示器提供完全的紅色。
因此，仍然需要一種能夠發(fā)出高亮度、穩(wěn)定和高色純度的紅光的裝置。
日本未審查專利申請公報No.7-188649(日本專利申請?zhí)朜o.6-148798)提出了將特定的二苯乙烯基化合物用作有機電致發(fā)光材料。但其發(fā)射的光是藍色的而并非紅色。另一方面，已經(jīng)有這樣的報道，通過在有機電致發(fā)光裝置的層狀結構中制造空穴和電子的能量抑制(energy containment)結構，將空穴和電子在發(fā)光層中高效結合，以提供從發(fā)光材料中自發(fā)發(fā)出的高亮度的純色光(日本專利申請No.10-79297、11-204258，11-204264、11-204259等)。但其發(fā)出的光也是藍色而并非紅色的。
本發(fā)明的目的是提供一種能夠以高亮度發(fā)射穩(wěn)定的紅光或類紅光的有機電致發(fā)光裝置。
本發(fā)明的另一目的是提供一種有機電致發(fā)光裝置，該裝置含有本發(fā)明化合物的混合物，該混合物本質上具有高熒光產(chǎn)率和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，其促進了空穴和電子在光發(fā)射層中的再結合，并以高亮度和高效率發(fā)光。

發(fā)明內容
為了解決上述問題而進行深入研究的結果發(fā)現(xiàn)，使用特定的苯乙烯基化合物作為發(fā)光材料和一種能夠有效遷移能量的材料的混合物，能夠提供一種非?？煽康陌l(fā)射紅光的裝置，該裝置非常適用于實現(xiàn)穩(wěn)定和高亮度的全色顯示。本發(fā)明由此得以實現(xiàn)。
即，本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光裝置，該裝置包括設在陽極和陰極之間的具有發(fā)光區(qū)的有機層，其中，至少部分有機層由至少一種以下列通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物組成，通式[I]Y1-CH＝CH-X1-CH＝CH-Y2通式[II]Y3-CH＝CH-X2[其中，在通式[I]中，X1是以下列通式(1)-(4)中任一式所示的基團， (其中，通式(1)-(4)中的各個R1-R9、R9-R16、R17-R24以及R25-R32中至少一個是鹵素原子(例如氟、氯等；以下含義相同)、硝基、氰基、三氟甲基，而其它是選自氫原子、烷基、芳基、烷氧基、鹵素原子、硝基、氰基和三氟甲基的基團，它們可以相同或不同)，其中，在通式[II]中，X2是以下列通式(5)-(17)中任一式所示的基團，
(其中，在通式(5)-(17)中，R33-R141是選自氫原子、鹵素原子、硝基、氰基和三氟甲基的基團，它們可以相同或不同)，其中，在通式[I]和[II]中，Y1、Y2和Y3選自氫原子、可帶有取代基的烷基或可帶有取代基的芳基，它們可以相同或不同， (其中，在通式(18)中，Z1和Z2選自氫原子、可帶有取代基的烷基或可帶有取代基的芳基，所述取代基由下列通式(18)-(20)的任一式所示，其可以相同或不同，并且在通式(19)和(20)中，R142-R158是選自氫原子、可帶有取代基的烷基、可帶有取代基的芳基、鹵素原子、硝基、氰基和三氟甲基，其可以相同或不同)]。
上述的“混合物”在這里是指至少一種由上述通式[I]所示的氨基苯乙烯基化合物和具有能夠實現(xiàn)本發(fā)明目的的有利特性的其它化合物的混合物；至少一種以上述通式[III]所示的氨基苯乙烯基化合物和具有能夠達到本發(fā)明目的的有利特性的其它化合物的混合物；至少一種以上述通式[I]所示的氨基苯乙烯基化合物和至少一種以上述通式[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物；或者至少一種以通式[I]所示的氨基苯乙烯基化合物、至少一種以上述通式[II]所示的氨基苯乙烯基化合物和具有能夠達到本發(fā)明目的的有利特性的其它化合物的混合物。
本發(fā)明使用含有至少一種以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物作為發(fā)光材料，由此可以提供一種發(fā)射穩(wěn)定紅光的具有高亮度并具有優(yōu)異的電、熱或化學穩(wěn)定性的裝置。
對用于形成含有本發(fā)明的以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物的材料未作特別限制。本發(fā)明的上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物之外的例子包括空穴遷移材料(例如芳胺等)、電子遷移材料(例如Alq3、吡唑啉等)，或者通常用于發(fā)射紅光的摻雜物的一系列化合物(DCM及其類似物、卟啉、酞菁染料、苝類化合物、尼羅紅、角鯊鎓(squalylium)化合物)等。
上述例舉性的化合物被用于形成含本發(fā)明的以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物的材料，從而使得空穴遷移特性、電荷遷移特性或發(fā)光特性得以改善，由此可以提供一種以高亮度發(fā)射穩(wěn)定紅光并具有優(yōu)異的電、熱或化學穩(wěn)定性的裝置。
在本發(fā)明中使用的以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物中，X1(在上述通式(1)-(4)中)和X2(在上述通式(5)-(17)中)對于本發(fā)明中使用的發(fā)紅光的發(fā)光材料而言是重要的。例如，苯環(huán)的數(shù)量增加得越多，有機發(fā)光材料的光發(fā)射波長向更長的波長一側移動的傾向越大。
在有機電致發(fā)光裝置中，作為發(fā)光材料的上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物中的至少一個分子結構，例如以下列結構式(21)-1至(21)-20表示


本發(fā)明人為了解決上述問題而進行深入研究的結果是，應當這樣制備有機電致發(fā)光裝置至少一部分帶有發(fā)光區(qū)的有機層由含有特定的氨基苯乙烯基化合物和特定的發(fā)射紅光染料的混合物組成。因此，本發(fā)明達到了提供更高的亮度和可靠性的目的。
換句話說，本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光裝置，其在陽極和陰極之間存在帶有發(fā)光區(qū)的有機層，其中至少部分有機層由以下混合物組成，所述混合物含有至少一種以上述結構式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物和在600nm-700nm范圍內具有最大光發(fā)射的發(fā)射紅光染料。
可以使用任何在600nm-700nm范圍內具有最大光發(fā)射的發(fā)射紅光染料，并且對其沒有任何限制。如上所述，其例子包括通常用作發(fā)射紅光的摻雜物的一系列化合物(DCM及其類似物、卟啉、酞菁染料、苝類化合物、尼羅紅、角鯊鎓化合物)等。
使用上述發(fā)射紅光的染料可以增強光發(fā)射特性，并能夠以更高的亮度發(fā)射穩(wěn)定的紅色光。
在本發(fā)明中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，其中，有機層的電子遷移層至少可以是含有至少一種以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物和以上述結構式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，其中，有機層的空穴遷移層至少可以是含有至少一種以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物和以上述結構式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，其中，有機層的空穴遷移層至少可以是含有至少一種以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物和以上述結構式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，而有機層的電子遷移層至少可以是含有至少一種以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物和以上述結構式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
有機層具有帶空穴遷移層、發(fā)光層和電子遷移層的有機層狀結構，其中，有機層的發(fā)光層至少可以是含有至少一種以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物和以上述結構式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
在本發(fā)明中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比優(yōu)選為10-100重量％。
根據(jù)本發(fā)明，空穴(正空穴)阻斷層配置在有機電致發(fā)光裝置中發(fā)光層的陰極側上，所述發(fā)光層含有具有相當高熒光產(chǎn)率和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性的本發(fā)明混合物。因此，空穴和電子在發(fā)光層中高效再結合，從而提供了有機電致發(fā)光裝置，其中發(fā)光材料以高亮度和高效率自發(fā)地發(fā)出純光。
換句話說，本發(fā)明提供了一種含有有機層的有機電致發(fā)光裝置，所述有機層含有分布在陽極和陰極之間的發(fā)光區(qū)，其中，至少部分有機層由含至少一種以通式[I]或[II](下文中含義相同)，或者以上述結構式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物構成(混合物可含有在600nm-700nm的范圍內具有最大光發(fā)射的上述發(fā)紅光的染料)，并且，其中空穴阻斷層(hole blocking layer)配置在含混合物的層的陰極側上。
例如，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，其中有機層的電子遷移層可以至少是含至少一種以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，并且空穴阻斷層可以配置在含混合物的層的陰極側上。
有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，其中有機層的空穴遷移層可以是含至少一種以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的至少一種混合物層，并且空穴阻斷層配置在含混合物的層的陰極側上。
有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，其中有機層的空穴遷移層可以是含有至少一種以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的至少一種混合物層，有機層的電子遷移層可以是含至少一種以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的至少一種混合物層，并且空穴阻斷層可以配置在含混合物的層的陰極側上。
有機層具有帶空穴遷移層、發(fā)光層和電子遷移層的有機層狀結構，其中有機層的發(fā)光層可以是含有至少一種以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的至少一種混合物層，并且空穴阻斷層配置在含混合物的層的陰極側上。
在本發(fā)明中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比優(yōu)選是10-100重量％。
適用于空穴阻斷層的材料具有以下能態(tài)與用于形成空穴阻斷層陽極側上的層的材料的最高占據(jù)分子軌道所具有的能級相比，用于形成空穴阻斷層的材料的最高占據(jù)分子軌道所具有的能級較低，和/或與用于形成空穴阻斷層陽極側上的層的材料的最低未占據(jù)分子軌道所具有的能級相比，用于形成空穴阻斷層的材料的最低未占據(jù)分子軌道所具有的能級較高，并且與用于形成空穴阻斷層陰極側上的層的材料的最低未占據(jù)分子軌道所具有的能級相比，所具有的能級較低。
所述材料包括如日本未審查專利申請No.10-79297、11-204258，11-204264、11-204259等所述的菲咯啉衍生物。但并不限于此，只要能夠滿足上述條件即可。


圖1是本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置的一個實施例的主要剖面簡圖。
圖2是本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置的另一實施例的主要剖面簡圖。
圖3是本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置的另一實施例的主要剖面簡圖。
圖4是本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置的另一實施例的主要剖面簡圖。
圖5是本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置的另一實施例的主要剖面簡圖。
圖6是本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置的另一實施例的主要剖面簡圖。
圖7是本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置的再一實施例的主要剖面簡圖。
圖8是本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置的又一實施例的主要剖面簡圖。
圖9是使用本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置的全色平板顯示器的示意圖。
具體實施例方式
圖1-4和5-8分別給出了本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置的實施例。
圖1顯示了透射型有機電致發(fā)光裝置A，其中發(fā)射光20穿過陰極3。在保護層4的一側可觀察到發(fā)射光20。圖2顯示了反射型有機電致發(fā)光裝置B，其中陰極3處反射的光作為發(fā)射光20得到。
在該圖中，標號1是用于形成有機電致發(fā)光裝置的基片。可以使用玻璃、塑料或其它適合的材料。如果將有機電致發(fā)光裝置與其它顯示裝置結合使用，那么該基片可共用。標號2是透明電極(陽極)，可使用ITO(氧化銦錫)、SnO2等。
標號5是有機發(fā)光層，其中含有包括作為發(fā)光材料的上述氨基苯乙烯基化合物的混合物。發(fā)光層可具有常規(guī)已知的用于提供有機電致光20的各種結構。正如下文所述，如果構成空穴遷移層或電子遷移層的材料具有例如發(fā)光特性，這些薄膜可以是層狀的。為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的范圍內的增強電荷遷移特性，空穴遷移層或電子遷移層或二者均可具有層壓多種材料薄膜的結構，或者可以使用由多種材料的混合組合物組成的薄膜。為了增強發(fā)光特性，可以使用至少一種或多種熒光材料，使薄膜夾在空穴遷移層和電子遷移層之間，或者使至少一種或多種熒光材料含在空穴遷移層或電子遷移層或二者之中。在這些情況下，為了提高發(fā)光效率，可以引入薄膜，用于控制空穴或電子的遷移。
例如，以上述結構式(21)所示的氨基苯乙烯基化合物具有電子遷移特性和空穴遷移特性。因此，在裝置中，由含上述氨基苯乙烯基化合物的混合物組成的發(fā)光層也可以用作電子遷移層或空穴遷移層。也可以將含上述氨基苯乙烯基化合物的混合物夾在作為發(fā)光層的電子遷移層和空穴遷移層之間。在圖5和6中，除上述結構外，由菲咯啉衍生物組成的空穴阻斷層21配置在發(fā)光層5的陰極側上。
在圖1、2、5和6中，3是陰極。作為用于電極的材料，可以使用例如Li、Mg、Ca等的活性金屬；例如Ag、Al、In等金屬的合金；或其層狀結構。在透射型有機電致發(fā)光裝置中，適于本申請的透光率可以通過控制陰極的厚度而得到。在這些圖中，保護膜4是用于密封和保護的層。當保護膜4覆蓋整個有機電致發(fā)光裝置時，效果得以增強。只要保持氣密性，就可以使用任何適合的原料。8是用于供給電流的驅動電源。
在本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置中，有機層具有有機層狀結構(單異質結構)，其中層壓空穴遷移層和電子遷移層，并且含有氨基苯乙烯基化合物的混合物可以用作形成空穴遷移層或電子遷移層的材料?；蛘撸袡C層具有有機層狀結構(雙異質結構)，其中空穴遷移層、發(fā)光層和電子遷移層依次層疊，并且含有氨基苯乙烯基化合物的混合物可以用作形成發(fā)光層的材料。
下面闡述具有所述結構的有機電致發(fā)光裝置的例子。圖3是具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置C，包括層狀結構，其中半透明陽極2、由空穴遷移層6和電子遷移層7組成的有機層5a、以及陰極3依次層疊在半透明基片1上，并且層狀結構被保護膜4密封。在圖7中，空穴阻斷層21配置在電子遷移層7和/或空穴遷移層6的陰極側上。
在圖3和7所示的省略發(fā)光層的情況下，具有預定波長的發(fā)射光20從空穴遷移層6和電子遷移層7之間的界面產(chǎn)生。在基片1可觀察到發(fā)射光。
圖4是具有雙異質結構D的有機電致發(fā)光裝置，包括層狀結構，其中半透明陽極2、由空穴遷移層10、發(fā)光層11和電子遷移層12組成的有機層5a、以及陰極3依次層疊在半透明基片1上，并且層狀結構用保護膜4密封。在圖8中，空穴阻斷層21配置在發(fā)光層11的陰極側上。
在圖4所示的有機電致發(fā)光裝置中，在陽極2和陰極3之間施加直流電壓，那么由陽極2注入的空穴以及由陰極3注入的電子分別通過空穴遷移層10和電子遷移層12，達到發(fā)光層11。結果是，在發(fā)光層11中，電子/空穴再結合，產(chǎn)生單線態(tài)激子(singlet excitons)，由此發(fā)出具有給定波長的光。
在上述有機電致發(fā)光裝置C和D中，基片1可以根據(jù)需要，由諸如玻璃、塑料等透光材料制造。如果其它顯示裝置與其結合使用，或者如果將圖3、4、7和8所示的層狀結構以矩陣形式配置，那么該基片可以共用。裝置C或D可以是透射型或反射型。
陽極2是透明電極(陽極)?？梢允褂肐TO(氧化銦錫)、SnO2等。為了提高電荷注入效率，可以在陽極2和空穴遷移層6(或空穴遷移層10)之間形成由有機材料或有機金屬化合物構成的薄膜。當用諸如金屬的導電材料形成保護膜4時，絕緣膜可以配置在陽極2側上。
有機電致發(fā)光裝置C中的有機層5a是空穴遷移層6和電子遷移層7層疊的有機層。其二者之一或二者含有包括上述氨基苯乙烯基化合物的混合物，由此提供了發(fā)光空穴遷移層6或電子遷移層7。有機電致發(fā)光裝置D中的有機層5b是其中空穴遷移層10、含有包括上述氨基苯乙烯基化合物11的混合物的發(fā)光層11和電子遷移層12進行層疊的有機層。可以使用任何其它的各種層狀結構。例如，空穴遷移層和電子遷移層之一或二者可具有發(fā)光特性。
在正性空穴遷移層中，為了增強空穴遷移特性，在空穴遷移層上可以層疊多種空穴遷移材料。
在有機電致發(fā)光裝置C中，發(fā)光層可以是電子遷移層7。但是，根據(jù)電源8提供的電壓，光可以由空穴遷移層6或其界面處發(fā)出。同樣地，在有機電致發(fā)光裝置D中，發(fā)光層可以是電子遷移層12，或者空穴遷移層10而不是發(fā)光層11。為了增強發(fā)光特性，由至少一種熒光材料制造的發(fā)光層11可以夾在空穴遷移層和電子遷移層之間?；蛘撸瑹晒獠牧弦部梢园诳昭ㄟw移層或電子遷移層之一或者二者之中。此時，為了提高發(fā)光效率，可以在該層中包含薄膜(空穴阻斷層或激子生成層)，以控制空穴和電子的遷移。
用于陰極3的材料可以是諸如Li、Mg、Ca等活性金屬；與金屬例如Ag、Al、In等形成的合金或其層狀結構。根據(jù)需要通過選擇陰極的厚度或材料，可以制造出適合特定用途的有機電致發(fā)光裝置。
保護膜4用作密封膜。保護膜4覆蓋了整個有機電致發(fā)光裝置，使得電荷注入效率和發(fā)光效率得以提高。只要保持氣密性，可以使用任何適合的材料，諸如包括鋁、金、鉻等的單一金屬或合金。
施加于上述各有機電致發(fā)光裝置的電流通常是直流電，但也可以是脈沖電流或交流電。對電流值和電壓值未作特殊的限制，只要不損壞該裝置即可。但考慮到功率消耗和有機電致發(fā)光裝置的壽命，使用盡可能低的電能有效發(fā)光是理想的。
圖9示出使用本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置的平板顯示器。如該圖所示，在全色平板顯示器的情況下，能夠發(fā)射三原色，即紅(R)、綠(G)和藍(B)的發(fā)光層5(有機層5a、有機層5b)配置在陰極3和陽極2之間。陰極3和陽極2可以是條狀的，這樣它們可彼此交叉排列。通過發(fā)光信號電路14和含有移位寄存器的控制電路15，選擇各陰極3和陽極2并施加信號電壓，從而使得有機層在所選的陰極3和陽極2的交叉點(象素)處發(fā)光。
也就是說，圖9示出一種8×3RGB的單一矩陣的例子，其中，分別由空穴遷移層與發(fā)光層和電子遷移層的任一個或至少一層組成的發(fā)光層5配置在陰極3和陽極2之間(參照圖3和7，或4和8)。陰極和陽極被制成條形，在矩陣中相互交叉。通過帶有移位寄存器(shift resistor)的控制電路15和發(fā)光信號電路14，按照時間序列在其上施加信號電壓，在交叉點上發(fā)光。具有這種結構的EL裝置不僅可用作字符、符號等的顯示器，而且，也可用作圖象再現(xiàn)裝置?；蛘撸帢O3和陽極2的條形圖案可分別根據(jù)各個顏色，即紅(R)、綠(G)和藍(B)形成。由此，可以制得多色或全色型全固態(tài)平板顯示器。
接下來，參照實施例對本發(fā)明進行詳細說明，但本發(fā)明又不受以下實施例的局限。
實施例1在本實施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和α-NPD(α-萘基苯基二胺)的混合物作為空穴遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-1
將一個表面上含有厚度為100nm的ITO組成的陽極的尺寸為30mm×30mm的玻璃基片放置在真空淀積裝置中。將具有多個尺寸為2.0mm×2.0mm的單元開口的金屬掩膜鄰近基片放置作為蒸汽淀積掩膜。使用蒸汽淀積法，在10-4Pa或更低的真空下，以1∶1的重量比使用上述結構式(21)-1和用于空穴遷移層的材料的α-NPD，形成厚度為例如50nm的空穴遷移層(也作為發(fā)光層)。各自的蒸汽淀積速率是0.1nm/秒。
此外，將具有以下結構式的Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)蒸汽淀積在空穴遷移層上作為電子遷移層材料。Alq3構成的電子遷移層具有例如50nm的厚度，且蒸汽淀積速率是0.2nm/秒。
使用Mg和Ag的層狀薄膜作為陽極材料。以1nm/秒的蒸汽淀積速率，通過蒸汽淀積形成厚度為例如50nm(Mg膜)和150nm(Ag膜)的層狀膜。根據(jù)實施例1，制出如圖3所示的有機電致發(fā)光裝置。
通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例1的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。光譜測定的結果是，得到在約650nm處具有發(fā)光峰的光譜。在光譜中，使用由Otsuka Denshi KK制造的光電二極管陣列作為檢測器的分光計。進行電壓-亮度測定，得到在8V下500cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是250小時。
實施例2在本實施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以上述結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。
將一個表面上含有厚度為100nm的ITO構成的陽極的尺寸為30mm×30mm的玻璃基片放置在真空淀積裝置中。將作為蒸汽淀積掩膜的具有多個尺寸為2.0mm×2.0mm的單元開口的金屬掩膜鄰近基片放置。使用蒸汽淀積法，在10-4Pa或更低的真空下，使用上述結構式的α-NPD，形成厚度為例如50nm的空穴遷移層。蒸汽淀積速率是0.1nm/秒。
此外，將上述結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和作為電子遷移物質的Alq3以1∶1的重量比蒸汽淀積在空穴遷移層上。由上述結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物組成的電子遷移層(也作為發(fā)光層)具有例如50nm的厚度，且各自的蒸汽淀積速率是0.2nm/秒。
使用Mg和Ag的層狀薄膜作為陽極材料。以1nm/秒的蒸汽淀積速率，通過蒸汽淀積形成厚度為例如50nm(Mg膜)和150nm(Ag膜)的層狀膜。根據(jù)實施例2，制出如圖3所示的有機電致發(fā)光裝置。
通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例2的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約690nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下600cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是200小時。
實施例3在本實施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中由上述結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有雙異質結構的有機電致發(fā)光裝置。
將一個表面上含有厚度為100nm的ITO組成的陽極的尺寸為30mm×30mm的玻璃基片放置在真空淀積裝置中。將作為蒸汽淀積掩膜的具有多個尺寸為2.0mm×2.0mm的單元開口的金屬掩膜鄰近基片放置。使用蒸汽淀積法，在10-4Pa或更低的真空下，使用上述結構式的α-NPD，形成厚度為例如30nm的空穴遷移層。蒸汽淀積速率是0.2nm/秒。
將具有上述結構式的Alq3蒸汽淀積在發(fā)光層上，作為電子遷移物質。Alq3具有例如30nm的厚度，且蒸汽淀積速率是0.2nm/秒。
使用Mg和Ag的層狀薄膜作為陽極材料。以1nm/秒的蒸汽淀積速率，通過蒸汽淀積形成厚度為例如50nm(Mg膜)和150nm(Ag膜)的層狀膜。根據(jù)實施例3，制出如圖4所示的有機電致發(fā)光裝置。
通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例3的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。光譜測定的結果是，得到在約690nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下800cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是500小時。
實施例4在本實施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-8所示的氨基苯乙烯基化合物和上述結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物作為發(fā)光層，制備具有雙異質結構的有機電致發(fā)光裝置。結構式(21)-8
將一個表面上含有厚度為100nm的ITO組成的陽極的尺寸為30mm×30mm的玻璃基片放置在真空淀積裝置中。將具有多個尺寸為2.0mm×2.0mm的單元開口的金屬掩膜鄰近基片放置，作為蒸汽淀積掩膜。使用蒸汽淀積法，在10-4Pa或更低的真空下，使用上述結構式的α-NPD，形成厚度為例如30nm的空穴遷移層。蒸汽淀積速率是0.2nm/秒。
此外，將作為發(fā)光材料的上述結構式(21)-8和上述結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物以1∶3的重量比蒸汽淀積在空穴遷移層上。由上述結構式(21)-8和上述結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物組成的發(fā)光層具有例如30nm的厚度。上述結構式(21)-8所示化合物的蒸汽淀積速率是0.1nm/秒，且上述結構式(21)-1所示化合物的蒸汽淀積速率是0.3nm/秒。
將具有上述結構式的Alq3蒸汽淀積在發(fā)光層上作為電子遷移物質。Alq3具有例如30nm的厚度，且蒸汽淀積速率是0.2nm/秒。
使用Mg和Ag的層狀薄膜作為陽極材料。以1nm/秒的蒸汽淀積速率，通過蒸汽淀積形成厚度為例如50nm(Mg膜)和150nm(Ag膜)的層狀膜。根據(jù)實施例4，制出如圖4所示的有機電致發(fā)光裝置。
通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例4的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。光譜測定的結果是，得到在約710nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下300cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是200小時。
實施例5在本實施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-9所示的氨基苯乙烯基化合物和以下結構式(21)-2所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作為發(fā)光層，制備具有雙異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例4的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-2
結構式(21)-9 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例5的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。光譜測定的結果是，得到在750nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下20cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在20cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是100小時。
實施例6在本實施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-10所示的氨基苯乙烯基化合物和以下結構式(21)-3所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作為發(fā)光層，制備具有雙異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例4的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-3
結構式(21)-10 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例6的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光是桔紅色的。光譜測定的結果是，得到在約620nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下500cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是250小時。
實施例7在本實施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-11所示的氨基苯乙烯基化合物和以下結構式(21)-4所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作為發(fā)光層，制備具有雙異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例4的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-4 結構式(21)-11
通過在真空下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例7的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。光譜測定的結果是，得到在660nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下250cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是100小時。
實施例8在本實施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-13所示的氨基苯乙烯基化合物和以下結構式(21)-5所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作為發(fā)光層，制備具有雙異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例4的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-5 結構式(21)-13 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例8的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。光譜測定的結果是，得到在615nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下320cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是150小時。
實施例9在本實施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下結構式(21)-14所示的氨基苯乙烯基化合物和以下結構式(21)-6所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作為發(fā)光層，制備具有雙異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例4的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-6 結構式(21)-14 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例9的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。光譜測定的結果是，得到在670nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下230cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是170小時。
實施例10在本實施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-15所示的氨基苯乙烯基化合物和以下列結構式(21)-7所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作為發(fā)光層，制備具有雙異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例4的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-7 結構式(21)-15 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例10的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。光譜測定的結果是，得到在630nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下700cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是300小時。
實施例11在本實施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-18所示的氨基苯乙烯基化合物和以下結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作為發(fā)光層，制備具有雙異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例4的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-18 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例11的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。光譜測定的結果是，得到在640nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下450cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是170小時。
實施例12在本實施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-2所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例2的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-2 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例12的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約720nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下300cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是220小時。
實施例13在本實施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-3所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例2的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-3 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例13的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約660nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下500cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是300小時。
實施例14在本實施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-4所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例2的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-4
通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例14的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約650nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下850cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是200小時。
實施例15在本實施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-5所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例2的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-5 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例15的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約630nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下750cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是300小時。
實施例16在本實施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-6所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例2的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-6 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例16的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約700nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下250cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是200小時。
實施例17在本實施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-7所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例2的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-7
通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例17的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約665nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下800cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是450小時。
實施例18在本實施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-8所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例2的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-8 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例18的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約690nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下700cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是500小時。
實施例19在本實施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-9所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例2的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-9 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例19的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約660nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下500cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是450小時。
實施例20在本實施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-10所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例2的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-10 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例20的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光是橙色的。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約610nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下750cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是500小時。
實施例21在本實施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-11所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例2的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-11 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例21的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光是橙色的。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約620nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下1200cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是660小時。
實施例22在本實施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-13所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例2的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-13 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例22的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光是橙色的。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約590nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下1500cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是500小時。
實施例23在本實施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-14所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例2的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-14 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例23的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約630nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下1100cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是500小時。
實施例24在本實施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-15所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例2的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-15 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例24的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約630nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下700cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是600小時。
實施例25在本實施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列結構式(21)-18所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制備具有單異質結構的有機電致發(fā)光裝置。根據(jù)實施例2的層結構和膜形成方法，制備有機電致發(fā)光裝置。
結構式(21)-18 通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例25的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光是橙色的。與實施例1相同的光譜測定的結果是，得到在約580nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下900cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是450小時。
實施例26在本實施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中上述結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和上述結構式所示的α-NPD(α-萘基苯二胺)的混合物作為空穴遷移發(fā)光層，制備圖7所示的有機電致發(fā)光裝置。
將一個表面上含有厚度100nm的ITO組成的陽極的尺寸為30mm×30mm的玻璃基片放置在真空淀積裝置中。將具有多個尺寸為2.0mm×2.0mm的單元開口的金屬掩膜鄰近基片放置，作為蒸汽淀積掩膜。使用蒸汽淀積法，在10-4Pa或更低的真空下，以1∶1的重量比使用上述結構式(21)-1和作為空穴遷移層材料的α-NPD，形成厚度為例如50nm的空穴遷移層(也作為發(fā)光層)。各自的蒸汽淀積速率是0.1nm/秒。
將具有以下結構式的浴銅靈作為空穴阻斷層材料蒸汽淀積在空穴遷移層上。由浴銅靈組成的空穴阻斷層具有，例如15nm的厚度，且蒸汽淀積速率是0.1nm/秒。
此外，將具有上述結構式的Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)作為電子遷移層材料蒸汽淀積在空穴遷移層上。由Alq3組成的電子遷移層具有例如50nm的厚度，且蒸汽淀積速率是0.2nm/秒。
浴銅靈 使用Mg和Ag的層狀薄膜作為陽極材料。以1nm/秒的蒸汽淀積速率，通過蒸汽淀積形成厚度為例如50nm(Mg膜)和150nm(Ag膜)的層狀膜。根據(jù)實施例26，制出如圖7所示的有機電致發(fā)光裝置。
通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例26的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。光譜測定的結果是，得到在約720nm處具有發(fā)光峰的光譜。在光譜中，使用由Otsuka Denshi KK制造的光電二極管陣列作為檢測器的分光計。進行電壓-亮度測定，得到在8V下250cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是200小時。
實施例27在本實施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以上述結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和上述結構式的α-NPD(α-萘基苯二胺)的混合物作為電子遷移發(fā)光層，制出圖8所示的有機電致發(fā)光裝置。
將一個表面上含有厚度100nm的ITO組成的陽極的尺寸為30mm×30mm的玻璃基片放置在真空淀積裝置中。將作為蒸汽淀積掩膜的具有多個尺寸為2.0mm×2.0mm的單元開口的金屬掩膜鄰近基片放置。使用蒸汽淀積法，在10-4Pa或更低的真空下，使用α-NPD形成厚度為30nm的空穴遷移層。蒸汽淀積速率是0.2nm/秒。
將具有上述結構式(21)-1的氨基苯乙烯基化合物與作為電子遷移材料的Alq3以1∶1的重量比，作為發(fā)光材料蒸汽淀積在空穴遷移層上。由上述結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3組成的發(fā)光層具有，例如30nm的厚度，且各自的蒸汽淀積速率是0.2nm/秒。
將具有上述結構式的浴銅靈作為空穴阻斷層材料蒸汽淀積在空穴遷移層上。由浴銅靈組成的空穴阻斷層具有例如15nm的厚度，且蒸汽淀積速率是0.1nm/秒。
此外，將具有上述結構式的Alq3作為電子遷移層材料，蒸汽淀積在空穴遷移層上。由Alq3組成的電子遷移層具有例如30nm的厚度，且蒸汽淀積速率是0.2nm/秒。
使用Mg和Ag的層狀薄膜作為陽極材料。以1nm/秒的蒸汽淀積速率，通過蒸汽淀積形成厚度為例如50nm(Mg膜)和150nm(Ag膜)的層狀膜。根據(jù)實施例27，制出如圖8所示的有機電致發(fā)光裝置。
通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例27的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例26相同的光譜測定的結果是，得到在約720nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下220cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是350小時。
實施例28在本實施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以上述結構式(21)-8所示的氨基苯乙烯基化合物和上述結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物作為發(fā)光層，制成圖8所示的有機電致發(fā)光裝置。
將一個表面上含厚度100nm的ITO組成的陽極的尺寸為30mm×30mm的玻璃基片放置在真空淀積裝置中。將作為蒸汽淀積掩膜的具有多個尺寸為2.0mm×2.0mm的單元開口的金屬掩膜鄰近基片放置。使用蒸汽淀積法，在10-4pa或更低的真空下，使用α-NPD形成厚度為例如30nm的空穴遷移層。蒸汽淀積速率是0.2nm/秒。
將上述結構式(21)-8所示的氨基苯乙烯基化合物和上述結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物以1∶3的重量比，作為發(fā)光材料蒸汽淀積在空穴遷移層上。由上述結構式(21)-8所示的氨基苯乙烯基化合物和上述結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物組成的發(fā)光層具有例如30nm的厚度。上述結構式(21)-8所示的氨基苯乙烯基化合物的蒸汽淀積速率是0.1nm/秒，上述結構式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物的蒸汽淀積速率是0.3nm/秒。
將具有上述結構式的浴銅靈作為空穴阻斷層，蒸汽淀積在空穴遷移層上。由浴銅靈組成的空穴阻斷層具有例如15nm的厚度，且蒸汽淀積速率是0.1nm/秒。
此外，將具有上述結構式的Alq3作為電子遷移層材料，蒸汽淀積在空穴遷移層上。由Alq3組成的電子遷移層具有例如30nm的厚度，且蒸汽淀積速率是0.2nm/秒。
使用Mg和Ag的層狀薄膜作為陽極材料。以1nm/秒的蒸汽淀積速率，通過蒸汽淀積形成厚度為例如50nm(Mg膜)和150nm(Ag膜)的層狀膜。根據(jù)實施例28，制出如圖8所示的有機電致發(fā)光裝置。
通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例28的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例26相同的光譜測定的結果是，得到在約710nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下250cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是330小時。
實施例29在本實施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以上述結構式(21)-9所示的氨基苯乙烯基化合物和上述結構式(21)-2所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作為電子遷移發(fā)光層，制備有機電致發(fā)光裝置。按照實施例28的層結構和膜形成法，制成有機電致發(fā)光裝置。
通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例29的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例26相同的光譜測定的結果是，得到在約750nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下15cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在20cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是1 50小時。
實施例30在本實施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中上述結構式(21)-10所示的氨基苯乙烯基化合物和上述結構式(21)-3所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作為電子遷移發(fā)光層，制備有機電致發(fā)光裝置。按照實施例28的層結構和膜形成法，制備有機電致發(fā)光裝置。
通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例30的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為橙色。與實施例26相同的光譜測定的結果是，得到在約620nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下450cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是350小時。
實施例31在本實施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以上述結構式(21)-11所示的氨基苯乙烯基化合物和上述結構式(21)-4所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作為電子遷移發(fā)光層，制備有機電致發(fā)光裝置。按照實施例28的層結構和膜形成法，制成有機電致發(fā)光裝置。
通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例3 1的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例26相同的光譜測定的結果是，得到在約660nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下200cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是150小時。
實施例32在本實施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以上述結構式(21)-13所示的氨基苯乙烯基化合物和上述結構式(21)-5所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作為電子遷移發(fā)光層，制成有機電致發(fā)光裝置。按照實施例28的層結構和膜形成法，制成有機電致發(fā)光裝置。
通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例32的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例26相同的光譜測定的結果是，得到在約615nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下280cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是250小時。
實施例33在本實施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以上述結構式(21)-14所示的氨基苯乙烯基化合物和上述結構式(21)-6所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作為電子遷移發(fā)光層，制成有機電致發(fā)光裝置。按照實施例28的層結構和膜形成法，制成有機電致發(fā)光裝置。
通過在真空氣氛下施加正向偏置電壓直流電，評價由此制備的實施例33的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特性。發(fā)出的光為紅色。與實施例26相同的光譜測定的結果是，得到在約670nm處具有發(fā)光峰的光譜。進行電壓-亮度測定，得到在8V下210cd/m2的亮度。
在制造有機電致發(fā)光裝置后，在氮氣氛下將其靜置1個月。未觀察到裝置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均勻的電流值給有機電致發(fā)光裝置通電，使其連續(xù)發(fā)光，強制老化。亮度減半的時間是220小時。
根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置，含有設在陽極和陰極之間的具有發(fā)光區(qū)的有機層的有機電致發(fā)光裝置中，至少部分有機層由含至少一種上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物組成，由此可以提供以高亮度發(fā)出穩(wěn)定的紅光或類紅光的有機電致發(fā)光裝置。
權利要求
1.一種有機電致發(fā)光裝置，包括設在陽極和陰極之間的具有發(fā)光區(qū)的有機層，其中至少部分有機層由至少一種以下列通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物組成，通式[I]Y1-CH＝CH-X1-CH＝CH-Y2通式[II]Y3-CH＝CH-X2[其中，在通式[I]中，X1是以下通式(1)-(4)中任一式表示的基團， (其中，通式(1)-(4)中各個R1-R8、R9-R16、R17-R24以及R25-R32中至少一個是選自鹵素原子、硝基、氰基、三氟甲基的基團，而其它是選自氫原子、烷基、芳基、烷氧基、鹵素原子、硝基、氰基和三氟甲基的基團，它們可以相同或不同)，其中，在通式[II]中，X2是以下列通式(5)-(17)中任一式表示的基團， (其中，在通式(5)-(17)中，R33-R141是選自氫原子、鹵素原子、硝基、氰基和三氟甲基的基團，其可以相同或不同)，其中，在通式[I]和[II]中，Y1、Y2和Y3是選自氫原子、可帶有取代基的烷基或可帶有以下列通式(18)-(20)任一式表示的取代基的芳基的基團，其可以相同或不同， (其中，在通式(18)中，Z1和Z2是選自氫原子、可帶有取代基的烷基或可帶有取代基的芳基的基團，其可以相同或不同，并且在通式(19)和(20)中，R142-R158是選自氫原子、可帶有取代基的烷基、可帶有取代基的芳基、可帶有取代基的烷氧基、鹵素原子、硝基、氰基和三氟甲基，其可以相同或不同)]。
2.按照權利要求1的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的電子遷移層是含有至少一種以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
3.按照權利要求1的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的空穴遷移層是含至少一種以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
4.按照權利要求1的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，空穴遷移層是含至少一種以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，以及電子遷移層是含至少一種以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
5.按照權利要求1的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層是帶空穴遷移層、發(fā)光層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的發(fā)光層是含至少一種以通式[I]或[II]所示氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
6.按照權利要求1的有機電致發(fā)光裝置，其中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比是10-100重量％。
7.一種有機電致發(fā)光裝置，其中包括設在陽極和陰極之間的具有發(fā)光區(qū)的有機層，其中，至少部分有機層由含有至少一種以下列結構式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物組成
8.按照權利要求7的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的電子遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
9.按照權利要求7的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的空穴遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
10.按照權利要求7的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，空穴遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，以及其中電子遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
11.按照權利要求7的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層、發(fā)光層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的發(fā)光層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
12.按照權利要求7的有機電致發(fā)光裝置，其中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比是10-100重量％。
13.一種有機電致發(fā)光裝置，包括設在陽極和陰極之間的具有發(fā)光區(qū)的有機層，其中至少部分有機層由含有至少一種以下列結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物和在600nm-700nm范圍內具有最大光發(fā)射的發(fā)紅光的染料的混合物組成
14.按照權利要求13的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的電子遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
15.按照權利要求13的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的空穴遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
16.按照權利要求13的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，空穴遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，以及其中電子遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
17.按照權利要求13的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層、發(fā)光層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的發(fā)光層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層。
18.按照權利要求13的有機電致發(fā)光裝置，其中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比是10-100重量％。
19.一種有機電致發(fā)光裝置，包括設在陽極和陰極之間的具有發(fā)光區(qū)的有機層，其中，至少部分有機層由至少一種以下列通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物組成，且其中空穴阻斷層設置在含混合物的層的陰極側上，通式[I]Y1-CH＝CH-X1-CH＝CH-Y2通式[II]Y3-CH＝CH-X2[其中，在通式[I]中，X1是以下列通式(1)-(4)中任一式表示的基團， (其中，通式(1)-(4)中各個R1-R8、R9-R16、R17-R24以及R25-R32中至少一個是選自鹵素原子、硝基、氰基、三氟甲基的基團，而其它是選自氫原子、烷基、芳基、烷氧基、鹵素原子、硝基、氰基和三氟甲基的基團，它們可以相同或不同)，其中，在通式[II]中，X2是以下列通式(5)-(17)中任一式表示的基團， (其中，在通式(5)-(17)中，R33-R141是選自氫原子、鹵素原子、硝基、氰基和三氟甲基的基團，其可以相同或不同)，其中，在通式[I]和[II]中，Y1、Y2和Y3是選自氫原子、可帶有取代基的烷基或可帶有以下列通式(18)-(20)的任一式表示的取代基的芳基的基團，其可以相同或不同， (其中，在通式(18)中，Z1和Z2是選自氫原子、可帶有取代基的烷基或可帶有取代基的芳基的基團，其可以相同或不同，并且在通式(19)和(20)中，R142-R158選自氫原子、可帶有取代基的烷基、可帶有取代基的芳基、可帶有取代基的烷氧基、鹵素原子、硝基、氰基和三氟甲基，其可以相同或不同)]。
20.按照權利要求19的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的電子遷移層是含至少一種以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，且其中空穴阻斷層設置在混合物層的陰極側上。
21.按照權利要求19的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的空穴遷移層是含至少一種以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，且其中空穴阻斷層設置在混合物層的陰極側上。
22.按照權利要求19的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，空穴遷移層是含至少一種以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，以及電子遷移層是含至少一種以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，且其中空穴阻斷層設置在混合物層的陰極側上。
23.按照權利要求19的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層是帶空穴遷移層、發(fā)光層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的發(fā)光層是含至少一種以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，且其中空穴阻斷層設置在混合物層的陰極側上。
24.按照權利要求19的有機電致發(fā)光裝置，其中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比是10-100重量％。
25.一種有機電致發(fā)光裝置，包括設在陽極和陰極之間的具有發(fā)光區(qū)的有機層，其中，至少部分有機層由含有至少一種以下述結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物組成，并且，其中空穴阻斷層設置在含混合物的層的陰極側上
26.按照權利要求25的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的電子遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，并且，其中空穴阻斷層設置在混合物層的陰極側上。
27.按照權利要求25的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的空穴遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，并且，其中空穴阻斷層設置在混合物層的陰極側上。
28.按照權利要求25的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，空穴遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，其中電子遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，并且其中空穴阻斷層設置在遷移發(fā)光層的陰極側上。
29.按照權利要求25的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層、發(fā)光層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的發(fā)光層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，并且，其中空穴阻斷層設置在混合物層的陰極側上。
30.按照權利要求25的有機電致發(fā)光裝置，其中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比是10-100重量％。
31.一種有機電致發(fā)光裝置，包括設在陽極和陰極之間的具有發(fā)光區(qū)的有機層，其中，至少部分有機層由含有至少一種以下列結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物和最大光發(fā)射在600nm-700nm范圍內的發(fā)紅光的染料的混合物組成，并且，其中空穴阻斷層設置在含混合物的層的陰極側上
32.按照權利要求31的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的電子遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，并且，其中空穴阻斷層設置在混合物層的陰極側上。
33.按照權利要求31的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的空穴遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，并且，其中空穴阻斷層設置在混合物層的陰極側上。
34.按照權利要求31的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，空穴遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，其中電子遷移層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，且其中空穴阻斷層設置在含電子遷移發(fā)光層的陰極側上。
35.按照權利要求31的有機電致發(fā)光裝置，其中，有機層具有帶空穴遷移層、發(fā)光層和電子遷移層的有機層狀結構，且其中，至少有機層的發(fā)光層是含至少一種以結構式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物層，并且，其中空穴阻斷層設置在混合物層的陰極側上。
36.按照權利要求31的有機電致發(fā)光裝置，其中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比是10-100重量％。
全文摘要
一種以高亮度發(fā)射穩(wěn)定紅光的有機電致發(fā)光裝置。在有機電致發(fā)光裝置中，具有發(fā)光區(qū)的至少部分有機層(5)、(5a)或(5b)包括含至少一種以下列通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物，通式[I]Y
文檔編號H05B33/12GK1505448SQ0216113
公開日2004年6月16日 申請日期2002年11月30日 優(yōu)先權日2002年11月30日
發(fā)明者石橋義, 市村真理, 田村真一郎, 植田尚之, 一郎, 之, 理 申請人:索尼公司