基的結(jié)構(gòu)單元、含有磺酰胺基的結(jié)構(gòu)單元、來(lái)自（甲基）丙烯酸烷基酯的結(jié)構(gòu)單元、 含有單環(huán)或者多環(huán)內(nèi)酯骨架的結(jié)構(gòu)單元、含有羥基的結(jié)構(gòu)單元、含有芳香環(huán)的結(jié)構(gòu)單元、含 有酸解離性基團(tuán)的結(jié)構(gòu)單元等。
[0089] 作為[Β]聚合物中的含有磺基的結(jié)構(gòu)單元的含有比例，相對(duì)于構(gòu)成[Β]聚合物的 全部結(jié)構(gòu)單元，優(yōu)選為3摩爾％以下，更優(yōu)選為2摩爾％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1摩爾％以下。 通過(guò)使上述含有比例為上述上限以下，能夠進(jìn)一步提高在清洗氮化硅基板時(shí)的膜除去性。
[0090] 作為[Β]聚合物，優(yōu)選共聚物。通過(guò)使用共聚物，能夠進(jìn)一步提高粒子除去性。
[0091] 作為[Β]聚合物的酸解離常數(shù)，優(yōu)選小于后面敘述的[C]有機(jī)酸的酸解離常數(shù)。 通過(guò)使[Β]聚合物的酸解離常數(shù)小于[C]有機(jī)酸，能夠進(jìn)一步提高膜從基板表面的除去性。 [Β]聚合物和[C]有機(jī)酸的酸解離常數(shù)可以利用公知的滴定法求出。在評(píng)價(jià)酸解離常數(shù)的 相對(duì)大小方面，作為比滴定法更簡(jiǎn)便的方法，可以由使用化學(xué)計(jì)算軟件而得的計(jì)算值求出。 例如，可以利用ChemAxon公司提供的程序進(jìn)行計(jì)算。
[0092] 作為該清洗用組合物中的[Β]聚合物的含量的下限，優(yōu)選為0. 1質(zhì)量％，更優(yōu)選為 0. 5質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為1質(zhì)量％。作為上述含量的上限，優(yōu)選為50質(zhì)量％，更優(yōu)選為30 質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為15質(zhì)量％。通過(guò)使上述含量在上述下限與上述上限之間，能夠進(jìn)一 步提尚I旲從基板表面的除去性。
[0093] 作為該清洗用組合物中的相對(duì)于全部固體成分的[B]聚合物的含量的下限，優(yōu)選 為30質(zhì)量％，更優(yōu)選為40質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為50質(zhì)量％。作為上述含量的上限，優(yōu)選為 99質(zhì)量％，更優(yōu)選為98質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為96質(zhì)量％。通過(guò)使上述含量在上述下限與上 述上限之間，能夠進(jìn)一步提高膜從基板表面的除去性。
[0094] < [C]有機(jī)酸〉
[0095] [C]有機(jī)酸為非聚合物的有機(jī)酸。本發(fā)明的清洗用組合物可以進(jìn)一步含有[C]有 機(jī)酸。通過(guò)添加[C]有機(jī)酸，使形成于基板表面的膜的除去變得容易。作為[C]有機(jī)酸的 分子量的上限，例如，為500,優(yōu)選為400,更優(yōu)選為300。作為[C]有機(jī)酸的分子量的下限， 例如，為50,優(yōu)選為55。
[0096] 作為[C]有機(jī)酸，例如，可舉出：
[0097] 乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、環(huán)己烷羧酸、環(huán)己基乙酸、1-金剛烷羧酸、苯甲酸、苯 基乙酸等單羧酸；
[0098] 二氟乙酸、三氟乙酸、五氟丙酸、七氟丁酸、氟苯基乙酸、二氟苯甲酸等含氟原子的 單羧酸；10-羥基癸酸、硫代乙酸、5-氧代己酸、3-甲氧基環(huán)己烷羧酸、樟腦羧酸、二硝基苯 甲酸、硝基苯基乙酸、乳酸、乙醇酸、甘油酸、水楊酸、茴香酸、沒(méi)食子酸、呋喃羧酸等含雜原 子的單羧酸；
[0099] (甲基）丙烯酸、巴豆酸、肉桂酸等含雙鍵的單羧酸等單羧酸化合物、
[0100] 草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、十二烷二羧酸、丙烷三羧酸、丁烷四羧酸、 六氟戊二酸、環(huán)己烷六羧酸、1，4_萘二羧酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對(duì)苯二甲酸、偏苯三 酸、均苯四甲酸等多元羧酸；
[0101] 上述多元羧酸的部分酯化物；
[0102] 二氟丙二酸、四氟鄰苯二甲酸等含氟原子的多元羧酸；
[0103] 酒石酸、檸檬酸、蘋(píng)果酸、丙醇二酸、二甘醇酸、亞氨基二乙酸等含雜原子的多元羧 酸；
[0104] 馬來(lái)酸、富馬酸等含雙鍵的多元羧酸等多元羧酸化合物等。
[0105] 作為[C]有機(jī)酸在25°C時(shí)在水中的溶解度的下限，優(yōu)選為5質(zhì)量％，更優(yōu)選為7質(zhì) 量％，進(jìn)一步優(yōu)選為10質(zhì)量％。作為上述溶解度的上限，優(yōu)選為50質(zhì)量％，更優(yōu)選為40質(zhì) 量％，進(jìn)一步優(yōu)選為30質(zhì)量％。通過(guò)使上述溶解度在上述下限與上述上限之間，能夠更容 易地除去所形成的膜。
[0106] [C]有機(jī)酸在25°C時(shí)優(yōu)選為固體。如果[C]有機(jī)酸在25°C時(shí)為固體，則從由該清 洗用組合物形成的膜中析出固體狀的[C]有機(jī)酸的角度考慮，除去性進(jìn)一步提高。
[0107] 作為[C]有機(jī)酸，從使膜的除去更容易的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選多元羧酸，更優(yōu)選草酸、 蘋(píng)果酸、檸檬酸。
[0108] 作為該清洗用組合物中的[C]有機(jī)酸的含量的下限，優(yōu)選為0. 01質(zhì)量％，更優(yōu)選 為0. 05質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為0. 1質(zhì)量％。作為上述含量的上限，優(yōu)選為30質(zhì)量％，更優(yōu) 選為20質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為10質(zhì)量％。
[0109] 作為該清洗用組合物中的相對(duì)于全部固體成分的[C]有機(jī)酸的含量的下限，優(yōu)選 為0.5質(zhì)量％，更優(yōu)選為1質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為3質(zhì)量％。作為上述含量的上限，優(yōu)選為 30質(zhì)量％，更優(yōu)選為20質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為10質(zhì)量％。
[0110] 通過(guò)使[C]有機(jī)酸的含量在上述下限與上述上限之間，能夠更容易地除去膜。
[0111] <其它的任意成分>
[0112] 該清洗用組合物可以含有上述[A]~[C]成分以外的其它的任意成分。作為其它 的任意成分，例如，可舉出表面活性劑等。
[0113] 作為上述表面活性劑，例如，可舉出聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧 乙烯油基醚、聚氧乙烯正辛基苯基醚、聚氧乙烯正壬基苯基醚、聚乙二醇二月桂酸酯、聚乙 二醇二硬脂酸酯等非離子系表面活性劑等。
[0114] 作為上述表面活性劑的含量，通常為2質(zhì)量％以下，優(yōu)選為1質(zhì)量％以下。
[0115] <半導(dǎo)體基板的清洗方法>
[0116] 使用該清洗用組合物的半導(dǎo)體基板的清洗方法具備將該清洗用組合物涂覆在半 導(dǎo)體基板表面的工序（以下，也稱(chēng)為"涂覆工序"）和將形成的膜除去的工序（以下，也稱(chēng)為 "除去工序")。通過(guò)使用上述的清洗用組合物在基板表面形成膜，能夠高效率地除去基板表 面的異物。進(jìn)而，形成的膜能夠容易地從基板表面除去。因此，上述的清洗用組合物對(duì)于由 各種材質(zhì)構(gòu)成的基板均可適用。作為可適用的基板的例子，可舉出硅基板、鋁基板、鎳基板、 鉻基板、鉬基板、鎢基板、銅基板、鉭基板、鈦基板等金屬或者半金屬基板；氮化硅基板、氧化 鋁基板、二氧化硅基板、氮化鉭基板、氮化鈦等陶瓷基板等。其中，優(yōu)選硅基板、氮化硅基板、 氮化鈦基板，更優(yōu)選氮化硅基板。
[0117] 參照附圖對(duì)將本發(fā)明的清洗用組合物應(yīng)用于基板清洗的方法的1個(gè)例子更詳細(xì) 地進(jìn)行說(shuō)明。
[0118] 如圖IA所示，本應(yīng)用例中，作為用于在晶片W上形成膜的處理液，使用上述的清 洗用組合物。首先，向晶片W上供給清洗用組合物。作為供給方法，例如，可舉出旋轉(zhuǎn)涂布 (spin coating)、流延涂布、輯涂布等。接下來(lái)，將供給的清洗用組合物加熱和/或減壓，從 而除去清洗用組合物所含的溶劑的一部分或者全部，由此清洗用組合物所含的固體成分固 化或者硬化，形成膜。這里提及的"固化"是指固體化，"硬化"是指分子彼此連接而使分子 量增大（例如交聯(lián)、聚合等）。此時(shí)，附著于圖案等的顆粒被膜攝入而從圖案等剝離（參照 圖1B)。作為形成的膜的膜厚，優(yōu)選為IOnm~lOOOnm，更優(yōu)選為20nm~500nm。
[0119] 接下來(lái)，通過(guò)向膜上供給使膜溶解的除去液，從晶片W除去全部膜。其結(jié)果，顆粒 與膜一起從晶片W被除去。作為除去液，可使用水、有機(jī)溶劑、堿性水溶液等，優(yōu)選水、堿性 水溶液，更優(yōu)選堿性水溶液。作為堿性水溶液，可使用堿性顯影液。堿性顯影液可使用公 知的物質(zhì)。作為具體例，可舉出含有氨、四甲基氫氧化銨（TMAH:Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)和膽堿中至少一種的水溶液等。作為有機(jī)溶劑，例如，可使用稀釋劑、異丙醇 (IPA)、4_甲基-2-戊醇（MIBC)、甲苯、乙酸酯類(lèi)、醇類(lèi)、二元醇類(lèi)（丙二醇單甲醚等）等。另 外，膜的除去可以作為除去液，首先向膜上供給水，接著供給堿性顯影液等，依次使用不同 種類(lèi)的除去液進(jìn)行。通過(guò)依次使用不同種類(lèi)的除去液，能夠進(jìn)一步提高膜除去性。
[0120] 通過(guò)供給堿性顯影液等除去液，從而在晶片W或圖案的表面與顆粒的表面如圖IC 所示產(chǎn)生相同極性（這里為負(fù)）的ζ電位。從晶片W等剝離的顆粒通過(guò)帶與晶片W等相 同極性的ζ電位，從而與晶片W等相互排斥。由此，防止顆粒再附著于晶片W等。
[0121] 這樣，本應(yīng)用例中，與以往的利用物理力的顆粒除去相比較，能夠以較弱的力除去 顆粒，因此能夠抑制圖案倒塌。另外，由于在不利用化學(xué)作用的情況下進(jìn)行顆粒除去，所以 還能夠抑制因蝕刻作用等導(dǎo)致的對(duì)基底膜的侵蝕。此外，利用物理力的基板清洗方法中難 以除去的粒徑小的顆粒或進(jìn)入圖案的縫隙的顆粒也能夠容易地除去。
[0122] 向晶片W供給的清洗用組合物最終從晶片W全部除去。因此，清洗后的晶片W成 為涂布清洗用組合物前的狀態(tài)，具體而言，成為電路形成面露出的狀態(tài)。
[0123] 上述的清洗方法可利用公知的各種裝置、方法進(jìn)行。作為優(yōu)選的裝置的例子，可舉 出日本特開(kāi)2014-99583號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的基板清洗裝置。實(shí)施例
[0124] 以下，對(duì)本發(fā)明的清洗用組合物的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
[0125] 得到的聚合物的重均分子量（Mw)和數(shù)均分子量（Mn)如下測(cè)定：使用T0S0H制GPC 柱（G2000HXL :2根，