包括有支承圈的揚(yáng)聲器磁體組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例涉及電磁音頻揚(yáng)聲器領(lǐng)域，并且更具體地，涉及用于在緊湊型音頻揚(yáng)聲器中使用的支承圈。
【背景技術(shù)】
[0002]音頻揚(yáng)聲器使用電信號(hào)來產(chǎn)生被感知為聲音的氣壓波。很多音頻揚(yáng)聲器使用被外圍件以能夠移動(dòng)的方式懸在框架中的振動(dòng)膜。振動(dòng)膜耦接到懸于磁場(chǎng)中的音圈組件。表示聲音的電信號(hào)流過音圈并與磁場(chǎng)相互作用。這使音圈和所耦接的振動(dòng)膜響應(yīng)于電信號(hào)而振動(dòng)。振動(dòng)膜的振動(dòng)生成氣壓波。
[0003]希望利用支承圈為振動(dòng)膜和音圈提供附加支撐。支承圈容易在振動(dòng)膜的運(yùn)動(dòng)方向上彎曲，但對(duì)與振動(dòng)膜的運(yùn)動(dòng)垂直的運(yùn)動(dòng)進(jìn)行抵抗。支承圈以環(huán)形方式圍繞音圈組件。
[0004]希望支承圈與外圍件間隔一定距離，以改善對(duì)垂直運(yùn)動(dòng)的抵抗性。提供音圈組件懸于其中的磁場(chǎng)的磁體組件通常是揚(yáng)聲器的距離外圍件最遠(yuǎn)的部分。支承圈通常在磁體組件上方附接到揚(yáng)聲器框架，將其放置成與磁體組件相比更靠近外圍件。
[0005]在緊湊的便攜式設(shè)備中使用的揚(yáng)聲器常常需要很薄。這就需要減小外圍件與磁體組件之間距離的構(gòu)造。這可能使得以與外圍件相距足以有效地抵抗振動(dòng)膜和音圈組件的垂直運(yùn)動(dòng)的距離來附接支承圈變得困難。
[0006]因此希望提供薄型且同時(shí)具有支承圈的音頻揚(yáng)聲器，該支承圈附接在與外圍件相距足以有效地抵抗振動(dòng)膜和音圈組件的垂直運(yùn)動(dòng)的距離處。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]一種用于音頻揚(yáng)聲器的磁體組件提供間隙，音圈組件穿過該間隙。磁性構(gòu)件、極片、和軛形成磁路，該磁路將磁能聚集在該間隙中。支承圈以可移動(dòng)的方式支撐音圈組件。通過將磁性構(gòu)件或軛中的一者形成為兩個(gè)部分并用支承圈的位于這兩個(gè)部分之間的部分連接這兩個(gè)部分，來使支承圈耦接到磁性構(gòu)件或軛中的一者。支承圈可由薄膜熱塑性塑料諸如聚醚醚酮制成，并且可具有小于10微米的厚度。支承圈的位于這兩個(gè)部分之間的部分可被成形為使得這兩個(gè)部分的一部分相互直接接觸。
[0008]通過附圖以及通過以下詳細(xì)描述，本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見。
【附圖說明】
[0009]通過參考下面的描述和附圖，本發(fā)明可被最好地理解，其中附圖用于以舉例的方式而非限制的方式示出本發(fā)明的實(shí)施例。在圖中，其中類似的附圖標(biāo)號(hào)指示類似的元件:
[0010]圖1是已經(jīng)沿直徑剖切以允許更好地對(duì)構(gòu)造進(jìn)行觀察的音頻揚(yáng)聲器的繪畫視圖。
[0011]圖2是圖1中所示磁體組件的一部分橫截面。
[0012]圖3是另一磁體組件的一部分橫截面。
[0013]圖4是另一支承圈和磁性構(gòu)件的一部件的繪畫視圖。
[0014]圖5是另一磁體組件的一部分的橫截面。
[0015]圖6是已經(jīng)沿直徑剖切以允許更好地對(duì)構(gòu)造進(jìn)行觀察的另一音頻揚(yáng)聲器的繪畫視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]在以下描述中示出了許多具體細(xì)節(jié)。然而，應(yīng)當(dāng)理解，可以不需要這些具體細(xì)節(jié)來實(shí)踐本發(fā)明的實(shí)施例。在其他情況下，未詳細(xì)示出熟知的電路、結(jié)構(gòu)和技術(shù)，以免影響對(duì)本說明的理解。
[0017]圖1是已經(jīng)沿直徑剖切以允許更好地對(duì)構(gòu)造進(jìn)行觀察的音頻揚(yáng)聲器100的繪畫視圖。振動(dòng)膜102通過外圍件104耦接到框架106，外圍件104容易撓曲以允許振動(dòng)膜沿垂直于振動(dòng)膜表面的軸線自由地移動(dòng)。
[0018]圖2是圖1中所示磁體組件的一部分橫截面。磁體組件包括磁性構(gòu)件112、114、磁耦合到磁性構(gòu)件的軛110、和磁耦合到磁性構(gòu)件的極片116。極片形成音圈組件120、122穿過的間隙的一個(gè)側(cè)面。磁性構(gòu)件112、114、軛110、和極片116形成將磁能聚集在該間隙中的磁路。
[0019]通過將該磁性構(gòu)件形成為第一部分112和第二部部分114并用支承圈位于這兩個(gè)部分之間的部分132連接這兩個(gè)部分，來使支承圈130耦接到磁性構(gòu)件。應(yīng)當(dāng)理解，在磁路中生成附加間隙會(huì)使該磁路劣化。支承圈130可由薄膜熱塑性塑料形成，以使這樣的劣化最小化。例如，薄膜熱塑性塑料可具有小于10微米(0.0lOmm, 0.0004英寸)的厚度。
[0020]磁體組件在工作中可能達(dá)到約100攝氏度(212華氏度)的溫度。薄膜熱塑性塑料應(yīng)具有基本上高于磁體組件的峰值工作溫度的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)，例如大于110攝氏度(230華氏度)。薄膜熱塑性塑料可以是玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)約為143°C (289 0F )的堅(jiān)固且耐熱的聚醚醚酮(PEEK)。
[0021]支承圈130提供耦接線圈架120的同心波紋狀膜，音圈122繞線圈架120卷繞到磁體組件。支承圈130的同心波紋狀膜容易在振動(dòng)膜102的運(yùn)動(dòng)方向上撓曲，但對(duì)與振動(dòng)膜的運(yùn)動(dòng)垂直的運(yùn)動(dòng)進(jìn)行抵抗。支承圈以環(huán)形方式圍繞并附接到線圈架120，諸如通過粘結(jié)聯(lián)接。
[0022]圖3是與圖2中所示磁體組件類似的另一磁體組件的一部分的橫截面。在這個(gè)組件中，支承圈330的位于磁性構(gòu)件312、314的兩個(gè)部分之間的部分332被成形為使得磁體312中的一者的內(nèi)部部分穿過支承圈以與另一磁體314直接接觸。這降低了接收和支撐支承圈330 —部分的磁體中的附加間隙的不利效應(yīng)。
[0023]圖4是另一支承圈430和磁性構(gòu)件的一個(gè)部件414的繪畫視圖。支承圈430包括大到足以允許一個(gè)磁體部件412的內(nèi)部部分416穿過支承圈直接接觸另一磁體部件(如圖3中所示)的中心開口 436。支承圈430還包括外周開口 438，外周開口 438允許一個(gè)磁體部件412上的突出部418穿過支承圈直接接觸其他磁體部件，以進(jìn)一步降低磁路中的附加間隙的不利效應(yīng)。其他實(shí)施例可只提供外周開口，外周開口可具有不同尺寸、形狀、和/或位置并且可以是不同數(shù)量的。其他實(shí)施例可在兩個(gè)磁體部件上都提供突出部和/或可在一個(gè)或兩個(gè)磁體部件上提供凹陷部以接收突出部。
[0024]圖5是與圖3中所示磁體組件類似的另一磁體組件的一部分的橫截面。在這個(gè)組件中，磁性構(gòu)件512是單個(gè)部件。軛由第一部分510和包括極片的第二部分516形成。支承圈530的一部分532懸于這兩個(gè)部分之間。
[0025]圖6是已經(jīng)沿直徑剖切以允許更好地對(duì)構(gòu)造進(jìn)行觀察的另一音頻揚(yáng)聲器600的繪畫視圖。在這個(gè)實(shí)施例中，磁性構(gòu)件612、614和極片616在音圈組件620外面。軛610延伸到音圈組件620的內(nèi)側(cè)，以完成磁路并形成間隙的一個(gè)側(cè)面。通過將磁性構(gòu)件形成為第一部分612和第二部分614并用支承圈的位于這兩個(gè)部分之間的部分632連接這兩個(gè)部分來使支承圈630耦接到磁性構(gòu)件。
[0026]雖然附圖中描述并且示出了某些示例性實(shí)施例，但應(yīng)當(dāng)理解，此類實(shí)施例僅僅為示例性的，并且對(duì)廣義發(fā)明不具有限制性，并且本發(fā)明不限于所示和所述的具體構(gòu)造和布置，因?yàn)楸绢I(lǐng)域的普通技術(shù)人員可進(jìn)行各種其他修改。例如，聲學(xué)揚(yáng)聲器已經(jīng)被圖示為是圓形的，但其也可以是橢圓形的、矩形的、或其他形狀的。支承圈已經(jīng)被示為具有單個(gè)盤旋，但其可具有其他盤旋圖案。支承圈可由除了 PEEK或熱塑性塑料之外的材料制成。因此要將本說明書視為示例性的而非限制性的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于音頻揚(yáng)聲器的磁體組件，所述磁體組件包括: 磁性構(gòu)件； 磁耦合到所述磁性構(gòu)件的軛； 極片，所述極片磁耦合到所述磁性構(gòu)件或所述極片中的一者并形成供音圈組件穿過的間隙的一個(gè)側(cè)面，所述磁性構(gòu)件、所述軛、和所述極片形成將磁能聚集在所述間隙中的磁路；和 支承圈，通過將所述磁性構(gòu)件或所述軛中的一者形成為兩個(gè)部分并用所述支承圈的位于所述兩個(gè)部分之間的部分連接所述兩個(gè)部分來使所述支承圈耦接到所述磁性構(gòu)件或所述軛中的一者。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁體組件，其中所述支承圈由薄膜熱塑性塑料形成。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁體組件，其中所述薄膜熱塑性塑料具有小于10微米(0.0lOmm,0.0004 英寸)的厚度。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁體組件，其中所述薄膜熱塑性塑料具有大于110攝氏度(230華氏度)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁體組件，其中所述薄膜熱塑性塑料是聚醚醚酮(PEEK)-堅(jiān)固的耐化學(xué)且耐熱的熱塑性塑料。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁體組件，其中所述支承圈的位于所述磁性構(gòu)件或所述軛的所述兩個(gè)部分之間的部分被成形為使得所述兩個(gè)部分中的至少一者的一部分穿過所述支承圈以與所述兩個(gè)部分中的另一者直接接觸。7.—種組裝用于音頻揚(yáng)聲器的磁體組件的方法，所述方法包括: 提供磁性構(gòu)件； 將軛磁耦合到所述磁性構(gòu)件； 將極片磁耦合到所述磁性構(gòu)件或所述極片中的一者以與所述軛形成供音圈組件穿過的間隙，所述磁性構(gòu)件、所述軛、和所述極片形成將磁能聚集在所述間隙中的磁路；以及 將所述磁性構(gòu)件或所述軛中的一者形成為兩個(gè)部分；以及 用支承圈的位于所述兩個(gè)部分之間的部分來連接所述兩個(gè)部分。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括由薄膜熱塑性塑料形成所述支承圈。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述薄膜熱塑性塑料具有小于10微米(0.0lOmm,0.0004英寸)的厚度。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述薄膜熱塑性塑料具有大于110攝氏度(230華氏度)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述薄膜熱塑性塑料是聚醚醚酮(PEEK)。12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括將所述支承圈的位于所述磁性構(gòu)件或所述軛的所述兩個(gè)部分之間的部分成形為使得所述兩個(gè)部分中的至少一者的一部分穿過所述支承圈以與所述兩個(gè)部分中的另一者直接接觸。13.一種用于音頻揚(yáng)聲器的磁體組件，包括: 磁性構(gòu)件； 磁耦合到所述磁性構(gòu)件的軛； 用于形成磁路中的間隙的裝置，所述磁路將磁能聚集在所述間隙中；和 用于支撐穿過所述間隙的音圈組件的裝置，所述裝置由所述磁性構(gòu)件或所述軛中被形成為兩個(gè)部分的那一個(gè)支撐，所述兩個(gè)部分用所述裝置的位于所述兩個(gè)部分之間的部分來連接。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括由薄膜熱塑性塑料形成用于支撐所述音圈組件的所述裝置。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述薄膜熱塑性塑料具有小于10微米(0.0lOmm,0.0004 英寸)的厚度。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述薄膜熱塑性塑料具有大于110攝氏度(230華氏度)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述薄膜熱塑性塑料是聚醚醚酮(PEEK)。18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中將用于支撐所述音圈組件的所述裝置的位于所述磁性構(gòu)件或所述軛的所述兩個(gè)部分之間的部分成形為使得所述兩個(gè)部分中的至少一者的一部分穿過所述裝置以與所述兩個(gè)部分中的另一者直接接觸。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種用于音頻揚(yáng)聲器的磁體組件，其提供間隙，音圈組件穿過該間隙。磁性構(gòu)件、軛、和極片構(gòu)成磁路，該磁路將磁能聚集在該間隙中。支承圈以可移動(dòng)的方式支撐音圈組件。通過將磁性構(gòu)件或軛中的一者形成為兩個(gè)部分并用支承圈的位于這兩個(gè)部分之間的部分連接這兩個(gè)部分，來使支承圈耦接到磁性構(gòu)件或軛中的一者。支承圈可由薄膜熱塑性塑料(諸如聚醚醚酮(PEEK))制成，并且可具有小于10微米的厚度。支承圈的位于這兩個(gè)部分之間的部分可被成形為使得這兩個(gè)部分的一部分相互直接接觸。
【IPC分類】H04R9/04, H04R9/06, H04R9/02
【公開號(hào)】CN104969573
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480007695
【發(fā)明人】C·維爾克
【申請(qǐng)人】蘋果公司
【公開日】2015年10月7日
【申請(qǐng)日】2014年1月16日
【公告號(hào)】EP2954698A1, US8934657, US20140219479