本實用新型涉及電聲轉(zhuǎn)換技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種MEMS封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

近年來移動通信技術(shù)已經(jīng)得到快速發(fā)展，消費者越來越多地使用移動通信設(shè)備，例如便攜式電話、個人數(shù)字助理或?qū)Ｓ猛ㄐ啪W(wǎng)絡(luò)進(jìn)行通信的其他設(shè)備。

微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)是一種利用微機(jī)械加工技術(shù)制作出來的電能換聲器，其具有體積小、頻響特性好、噪聲低等特點。隨著電子設(shè)備的小巧化、輕薄化發(fā)展，MEMS被越來越廣泛地應(yīng)用到這些設(shè)備上。

相關(guān)技術(shù)中，MEMS封裝結(jié)構(gòu)包括PCB基板、設(shè)于所述PCB基板的銅箔層及蓋設(shè)于所述PCB基板且形成收容空間的外殼、疊設(shè)于所述PCB基板且位于所述收容空間的絕緣層，所述外殼的底面全部覆蓋于所述銅箔層上，且所述銅箔層朝向所述收容空間的端面超出所述外殼的內(nèi)表面。所述外殼與所述PCB基板通過錫膏粘接，并通過回流焊的方式固定。回流焊工藝中，錫膏會隨著浸潤性好的金屬面爬錫，會造成外殼內(nèi)表面不同程度的堆錫，嚴(yán)重的甚至?xí)?dǎo)致產(chǎn)品性能失效。

因此，有必要提供一種新的MEMS封裝結(jié)構(gòu)解決上述技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的是克服上述技術(shù)問題，提供一種能杜絕外殼內(nèi)表面堆錫的現(xiàn)象，從而可保證產(chǎn)品性能的MEMS封裝結(jié)構(gòu)。

本實用新型的技術(shù)方案如下：

一種MEMS封裝結(jié)構(gòu)，包括PCB基板、設(shè)于所述PCB基板的銅箔層、蓋設(shè)于所述PCB基板且具有收容空間的外殼、收容于所述收容空間內(nèi)的MEMS芯片與ASIC芯片及連接所述銅箔層和所述外殼的連接部，所述PCB基板包括上表面及與所述上表面相對的下表面，所述PCB基板設(shè)有自所述上表面朝向所述下表面凹陷形成的環(huán)形凹陷部，所述外殼包括內(nèi)表面、與所述內(nèi)表面相對的外表面及連接所述內(nèi)表面與所述外表面的底面，所述銅箔層收容于所述環(huán)形凹陷部內(nèi)，所述外殼的底面部分疊設(shè)于所述銅箔層。

優(yōu)選的，所述外殼包括頂板及自所述頂板朝向所述PCB基板方向延伸形成的側(cè)板，所述側(cè)板的底面部分疊設(shè)于所述銅箔層。

優(yōu)選的，所述外殼包括頂板、自所述頂板朝向所述PCB基板方向延伸形成的側(cè)板及自所述側(cè)板的末端向外水平延伸形成的延伸部，所述延伸部的底面至少部分疊設(shè)于所述銅箔層，所述側(cè)板的底面至少部分與所述銅箔層錯開設(shè)置。

優(yōu)選的，所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)還包括鋪設(shè)與所述PCB基板且收容于所述收容空間內(nèi)的絕緣層，所述MEMS芯片與ASIC芯片設(shè)置于所述絕緣層上，所述絕緣層的邊緣與所述外殼的內(nèi)表面相抵接。

優(yōu)選的，所述連接部由錫膏經(jīng)回流焊形成。

優(yōu)選的，所述外殼設(shè)有聲孔。

優(yōu)選的，所述PCB基板設(shè)有聲孔。

與相關(guān)技術(shù)相比，本實用新型提供的MEMS封裝結(jié)構(gòu)有益效果在于：

一、相對于相關(guān)技術(shù)，所述銅箔層的位置外移，使所述銅箔層與所述外殼的接觸面變小，進(jìn)而可減少錫膏在所述外殼底面與所述PCB基板之間的堆積量，從而減緩了所述外殼內(nèi)表面堆錫的現(xiàn)象。

二、所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)還包括鋪設(shè)于所述PCB基板的絕緣層，所述絕緣層的邊緣與所述外殼的內(nèi)表面相抵接，使所述絕緣層上表面與所述外殼底面存在的高度差，可阻擋錫膏在熔融狀態(tài)下爬到所述外殼內(nèi)表面處，從而杜絕了所述外殼內(nèi)表面堆錫的現(xiàn)象，進(jìn)而保證所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品性能。

三、因錫膏未進(jìn)入所述收容空間，可避免錫膏的揮發(fā)成分揮發(fā)到MEMS芯片上，造成污染。

【附圖說明】

圖1為本實用新型所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1所示MEMS封裝結(jié)構(gòu)中PCB基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖1所示MEMS封裝結(jié)構(gòu)中外殼的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實用新型所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本實用新型所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)實施例三的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為圖5所示MEMS封裝結(jié)構(gòu)中外殼的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本實用新型所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)實施例四的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】

下面將結(jié)合附圖和實施方式對本實用新型作進(jìn)一步說明。

實施例一

請參閱圖1，為本實用新型所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)100包括PCB基板11、設(shè)于所述PCB基板11的銅箔層12、蓋設(shè)于所述PCB基板11且與所述PCB基板11配合圍成收容空間13的外殼14、鋪設(shè)于所述PCB基板11且收容于所述收容空間13的絕緣層15、收容于所述收容空間13且設(shè)于所述絕緣層15上的MEMS芯片16和ASIC芯片17、將所述MEMS芯片16和ASIC芯片17導(dǎo)電的金線18及用于將所述外殼14和所述銅箔層12連接的連接部19。

請結(jié)合參閱圖2，為圖1所示MEMS封裝結(jié)構(gòu)中PCB基板的結(jié)構(gòu)示意圖。所述PCB基板11包括上表面111、與所述上表面111相對設(shè)置的下表面112及自所述上表面111朝向所述下表面112凹陷形成的環(huán)形凹陷部113。所述銅箔層12收容于所述環(huán)形凹陷部113內(nèi)。

請結(jié)合參閱圖3，為圖1所示MEMS封裝結(jié)構(gòu)中外殼的結(jié)構(gòu)示意圖。所述外殼14包括頂板141、自所述頂板141朝向所述PCB基板11方向延伸形成的側(cè)板142及自所述側(cè)板142的末端向外水平延伸形成的延伸部143。所述外殼14包括朝向所述收容空間13的內(nèi)表面1401、與所述內(nèi)表面相對設(shè)置的外表面1402及連接所述內(nèi)表面1401與所述外表面1402的底面1403，所述外殼14的底面1403由側(cè)壁142的底面與延伸部143的底面構(gòu)成。

所述外殼14的底面1403部分疊設(shè)于所述銅箔層12。具體的，所述延伸部143的底面至少部分疊設(shè)于所述銅箔層12，所述側(cè)板142的底面至少部分與所述銅箔層12錯開設(shè)置。

所述頂板141具有與所述收容空間13連通的聲孔144，也可以將所述聲孔144設(shè)于所述側(cè)板142。

所述絕緣層15的邊緣與所述側(cè)板142的內(nèi)表面相抵接，所述絕緣層15的上表面與所述外殼14的底面142具有高度差，可阻擋錫膏在熔融狀態(tài)下爬到所述外殼14內(nèi)表面處，從而杜絕了所述外殼內(nèi)表面堆錫的現(xiàn)象，進(jìn)而保證所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品性能。

所述金線18包括第一金線181和第二金線182，所述第一金線181用于連接所述MEMS芯片16和ASIC芯片17，所述第二金線182用于連接所述ASIC芯片17和所述PCB基板11，使所述MEMS芯片16和ASIC芯片17導(dǎo)電工作。

所述連接部19由錫膏經(jīng)回流焊形成，其連接所述銅箔層12和所述外殼使所述外殼14定位。

實施例二

請參閱圖4，為本實用新型所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)200包括PCB基板21、設(shè)于所述PCB基板21的銅箔層22、蓋設(shè)于所述PCB基板21且與所述PCB基板21配合圍成收容空間23的外殼24、鋪設(shè)于所述PCB基板21且收容于所述收容空間23的絕緣層25、收容于所述收容空間23且設(shè)于所述絕緣層25上的MEMS芯片26和ASIC芯片27、將所述MEMS芯片26和ASIC芯片27導(dǎo)電的金線28及用于將所述外殼24和所述銅箔層22連接的連接部29。

與實施例一相比，本實施方式的不同點在于聲孔的設(shè)置位置。所述PCB基板21包括上表面211、與所述上表面211相對設(shè)置的下表面212、自所述上表面211朝向所述下表面212凹陷形成的環(huán)形凹陷部213。所述上表面211和所述下表面212貫通形成第一通孔214；所述絕緣層25設(shè)有第二通孔251，所述第一通孔214與所述第二通孔251連通形成聲孔20。所述外殼24不具有聲孔。

所述銅箔層22、外殼24、絕緣層25、MEMS芯片26、ASIC芯片27、金線28、連接部29的結(jié)構(gòu)與實施例一對應(yīng)相同，在此不做贅述。

實施例三

請參閱圖5，為本實用新型所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)實施例三的結(jié)構(gòu)示意圖。所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)300包括PCB基板31、設(shè)于所述PCB基板31的銅箔層32、蓋設(shè)于所述PCB基板31且與所述PCB基板31配合圍成收容空間33的外殼34、鋪設(shè)于所述PCB基板31且收容于所述收容空間33的絕緣層35、收容于所述收容空間33且設(shè)于所述絕緣層35上的MEMS芯片36和ASIC芯片37、將所述MEMS芯片36和ASIC芯片37導(dǎo)電的金線38及用于將所述外殼34和所述銅箔層32連接的連接部39。

與實施例一相比，本實施方式的不同點在于所述外殼34的結(jié)構(gòu)。

請結(jié)合參閱圖6，為圖5所示MEMS封裝結(jié)構(gòu)中外殼的結(jié)構(gòu)示意圖。所述外殼34包括頂板341及自所述頂板341朝向所述PCB基板31方向延伸形成的側(cè)板342。所述側(cè)板342包括朝向所述收容空間33的內(nèi)表面3421、與所述內(nèi)表面3421相對設(shè)置的外表面3422及連接所述內(nèi)表面3421與所述外表面3422的底面3423，所述底面3423部分疊設(shè)于所述銅箔層32。

所述絕緣層35的邊緣與所述側(cè)板342的內(nèi)表面3421相抵接。

所述頂板341具有與所述收容空間33連通的聲孔344，也可以將所述聲孔344設(shè)于所述側(cè)板142。

所述PCB基板31、銅箔32、絕緣層35、MEMS芯片36、ASIC芯片37、金線38及連接部39的結(jié)構(gòu)及各部件的連接關(guān)系與實施例一對應(yīng)相同，在此不做贅述。

實施例四

請參閱圖7，為本實用新型所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)實施例四的結(jié)構(gòu)示意圖。所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)400包括PCB基板41、設(shè)于所述PCB基板41的銅箔層42、蓋設(shè)于所述PCB基板41且與所述PCB基板41配合圍成收容空間43的外殼44、鋪設(shè)于所述PCB基板41且收容于所述收容空間43的絕緣層45、收容于所述收容空間43且設(shè)于所述絕緣層45上的MEMS芯片46和ASIC芯片47、將所述MEMS芯片46和ASIC芯片47導(dǎo)電的金線48及用于將所述外殼44和所述銅箔層42連接的連接部49。

與實施例三相比，本實施方式的不同點在于聲孔的設(shè)置位置。所述PCB基板41包括上表面411、與所述上表面411相對設(shè)置的下表面412、自所述上表面411朝向所述下表面412凹陷形成的環(huán)形凹陷部413。

所述上表面411和所述下表面412貫通形成第一通孔414；所述絕緣層45設(shè)有第二通孔451，所述第一通孔414與所述第二通孔451連通形成聲孔40。所述外殼44不具有聲孔。

所述銅箔層42、外殼44、絕緣層45、MEMS芯片46、ASIC芯片47、金線48的結(jié)構(gòu)與實施例三對應(yīng)相同，在此不做贅述。

與相關(guān)技術(shù)相比，本實用新型提供的MEMS封裝結(jié)構(gòu)有益效果在于：

一、相對于相關(guān)技術(shù)，所述銅箔層的位置外移，使所述銅箔層與所述外殼的接觸面變小，進(jìn)而可減少錫膏在所述外殼底面與所述PCB基板之間的堆積量，從而減緩了所述外殼內(nèi)表面堆錫的現(xiàn)象。

二、所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)還包括鋪設(shè)于所述PCB基板的絕緣層，所述絕緣層的邊緣與所述外殼的內(nèi)表面相抵接，使所述絕緣層上表面與所述外殼底面存在的高度差，可阻擋錫膏在熔融狀態(tài)下爬到所述外殼內(nèi)表面處，從而杜絕了所述外殼內(nèi)表面堆錫的現(xiàn)象，進(jìn)而保證所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品性能。

三、因錫膏未進(jìn)入所述收容空間，可避免錫膏的揮發(fā)成分揮發(fā)到MEMS芯片上，造成污染。

以上所述的僅是本實用新型的實施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本實用新型的保護(hù)范圍。