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發(fā)聲裝置模組的制作方法

文檔序號(hào):12320235閱讀:213來(lái)源:國(guó)知局
發(fā)聲裝置模組的制作方法

本實(shí)用新型屬于電聲換能技術(shù)領(lǐng)域,具體地,本實(shí)用新型涉及一種發(fā)聲裝置模組。



背景技術(shù):

近年來(lái),電子產(chǎn)品的發(fā)展迅速,平板電腦、智能手機(jī)已成為人們?nèi)粘I畹谋匦杵?。電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代速度快,產(chǎn)品的性能逐漸提升。發(fā)聲裝置是電子產(chǎn)品中的一種重要部件,用于聲音信號(hào)與聲音之間的轉(zhuǎn)換。本領(lǐng)域技術(shù)人員也對(duì)發(fā)聲裝置的性能進(jìn)行不斷的改進(jìn),以適應(yīng)電子產(chǎn)品的發(fā)展。

發(fā)聲裝置通??梢杂啥鄠€(gè)殼體組合裝配構(gòu)成,在現(xiàn)有技術(shù)中,為了提高殼體之間的連接可靠性,本領(lǐng)域技術(shù)人員常常采用超聲熔接的方式將殼體接觸裝配的位置熔融焊接,形成穩(wěn)定的固定連接。但是,超聲熔接對(duì)外殼的材料、結(jié)構(gòu)以及加工工藝都具有較高的要求,容易出現(xiàn)局部不熔的情況。雖然殼體的對(duì)接處出現(xiàn)局部不熔、未連接的情況并不會(huì)對(duì)殼體整體的連接可靠性造成影響,但是,這種缺陷會(huì)影響發(fā)聲裝置的氣密性,進(jìn)而有可能影響發(fā)聲裝置的聲學(xué)性能。另一方面,在進(jìn)行超聲熔接加工時(shí),發(fā)聲裝置整體會(huì)產(chǎn)生高頻振動(dòng),殼體中的注塑嵌件以及發(fā)聲裝置的其它部件有可能受到震動(dòng)損傷。

綜上所述,有必要對(duì)發(fā)聲裝置的結(jié)構(gòu)或者殼體的裝配工藝進(jìn)行改進(jìn),提高發(fā)聲裝置的氣密性。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型的一個(gè)目的是提供一種發(fā)聲裝置模組的新技術(shù)方案。

根據(jù)本實(shí)用新型的第一方面,提供了一種發(fā)聲裝置模組,包括模組殼體、環(huán)形加熱絲以及發(fā)聲裝置單體,所述模組殼體包括第一殼體和能與第一殼體扣合的第二殼體,所述第一殼體的邊緣處具有環(huán)形熔接凸棱,所述環(huán)形加熱絲設(shè)置在所述模組殼體中與所述環(huán)形熔接凸棱對(duì)應(yīng)的位置,當(dāng)所述第一殼體與第二殼體扣合時(shí),所述環(huán)形熔接凸棱與所述第二殼體接觸,所述環(huán)形熔接凸棱配置為能在所述環(huán)形加熱絲的加熱作用下全部或部分融化,以在所述第一殼體和第二殼體之間形成密封連接,所述發(fā)聲裝置單體設(shè)置在所述模組殼體中。

可選地,所述環(huán)形加熱絲的兩端分別連接有接線(xiàn)柱,兩支所述接線(xiàn)柱的位置相比鄰,所述接線(xiàn)柱配置為用于接收加熱電能。

可選地,所述第二殼體上與所述接線(xiàn)柱對(duì)應(yīng)的位置處具有凹槽,所述凹槽配置為用于容納環(huán)形熔接凸棱未融化的部分區(qū)域。

可選地,所述模組殼體上與所述凹槽對(duì)應(yīng)的位置處具有封膠口,所述封膠口配置為能使粘接劑粘接密封在所述凹槽處;

或者,所述模組殼體上與所述凹槽對(duì)應(yīng)的位置處具有貼封位,所述貼封位配置為用于承載密封件以使所述凹槽密封。

可選地,所述環(huán)形加熱絲設(shè)置在所述環(huán)形熔接凸棱內(nèi)。

可選地,所述第一殼體呈蓋板結(jié)構(gòu),所述環(huán)形熔接凸棱位于所述第一殼體的一側(cè)表面上。

可選地,所述第二殼體的邊緣處設(shè)置有擋墻,所述第一殼體扣合在所述第二殼體上時(shí),所述第一殼體的邊緣位于所述擋墻內(nèi)側(cè)。

可選地,所述第二殼體的邊緣處具有臺(tái)階面,所述第一殼體扣合在所述第二殼體上時(shí),所述環(huán)形熔接凸棱與所述臺(tái)階面接觸。

可選地,所述臺(tái)階面上具有環(huán)形槽,所述環(huán)形熔接凸棱配置為能嵌在所述環(huán)形槽中。

可選地,所述環(huán)形加熱絲注塑固定在所述第一殼體內(nèi),兩個(gè)所述接線(xiàn)柱從所述第一殼體的外表面露出。

本實(shí)用新型的一個(gè)技術(shù)效果是,所述環(huán)形加熱絲通過(guò)加熱作用能夠使第一殼體與第二殼體之間形成良好的密封效果。

通過(guò)以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述,本實(shí)用新型的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

附圖說(shuō)明

被結(jié)合在說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖示出了本實(shí)用新型的實(shí)施例,并且連同其說(shuō)明一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。

圖1是本實(shí)用新型提供的發(fā)聲裝置模組的爆炸圖;

圖2是本實(shí)用新型提供第一殼體的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖3是本實(shí)用新型提供的環(huán)形加熱絲的局部結(jié)構(gòu)示意圖;

圖4是本實(shí)用新型提供的發(fā)聲裝置模組的局部剖面示意圖;

圖5是圖4的局部放大圖;

圖6是圖2的局部放大圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本實(shí)用新型的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說(shuō)明,否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本實(shí)用新型的范圍。

以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說(shuō)明性的,決不作為對(duì)本實(shí)用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論,但在適當(dāng)情況下,所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說(shuō)明書(shū)的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中,任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的,而不是作為限制。因此,示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。

應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類(lèi)似項(xiàng),因此,一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義,則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

本實(shí)用新型提供了一種改進(jìn)的發(fā)聲裝置模組,該模組中配置了環(huán)形熔接凸棱和與凸棱位置對(duì)應(yīng)的環(huán)形加熱絲。所述環(huán)形加熱絲能夠?qū)Νh(huán)形熔接凸棱起到良好的加熱熔融作用,以使第一殼體與第二殼體之間形成穩(wěn)定、可靠的密封連接,提高發(fā)聲裝置模組的密封可靠性和聲學(xué)性能。

如圖1所示,所述發(fā)聲裝置模組包括模組殼體、環(huán)形加熱絲2以及發(fā)聲裝置單體。所述模組殼體包括第一殼體11和第二殼體12,所述第一殼體11配置為能與第二殼體12扣合固定。如圖1、2所示,所述第一殼體11的邊緣處具有環(huán)形熔接凸棱111,所述環(huán)形熔接凸棱111配置為當(dāng)所述第一殼體11與第二殼體12扣合時(shí),所述環(huán)形熔接凸棱111能夠與所述第二殼體12的表面相抵觸。所述環(huán)形加熱絲2固定設(shè)置在所述模組殼體中,特別地,至少在所述第一殼體11與第二殼體12扣合的情況下,所述環(huán)形加熱絲2分布的位置與所述環(huán)形熔接凸棱111的位置相對(duì)應(yīng),環(huán)形加熱絲2與環(huán)形熔接凸棱111的分布位置基本重合。這一特征保證了當(dāng)環(huán)形加熱絲2加熱時(shí),能夠使環(huán)形熔接凸棱111的大部分或全部區(qū)域都融化,用于在第一殼體11與第二殼體12之間實(shí)現(xiàn)熔融密封連接,形成環(huán)形的密封線(xiàn)。所述發(fā)聲裝置則設(shè)置在所述模組殼體中,用于接收外部聲音信號(hào)轉(zhuǎn)化成聲音振動(dòng)。

本實(shí)用新型提供的發(fā)聲裝置模組能夠有效提高環(huán)形熔接凸棱的熔接、密封連接的可靠性。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中,超聲焊接容易出現(xiàn)的殼體未熔融連接的現(xiàn)象在本實(shí)用新型中不會(huì)出現(xiàn)。根據(jù)發(fā)聲裝置模組的具體結(jié)構(gòu),只要在環(huán)形熔接凸棱分布的區(qū)域?qū)?yīng)分布有環(huán)形加熱絲,則該區(qū)域的環(huán)形熔接凸棱能夠保證受到加熱而融化,與第二殼體形成熔融密封連接。另一方面,本實(shí)用新型的發(fā)聲裝置模組的裝配工藝更簡(jiǎn)單,無(wú)需采用超聲焊接,在進(jìn)行密封連接是只需對(duì)環(huán)形加熱絲通電、壓合第一殼體與第二殼體即可。避免了超聲焊接對(duì)模組中各部件可能造成的損壞。

可選地,如圖3所示,所述環(huán)形加熱絲2的兩端可以分別連接有接線(xiàn)柱21。所述接線(xiàn)柱21配置為用于向環(huán)形加熱絲2中通電。在進(jìn)行密封連接的裝配步驟時(shí),外部設(shè)備可以與所述接線(xiàn)柱21對(duì)接,以對(duì)環(huán)形加熱絲2通電。優(yōu)選地,兩支所述接線(xiàn)柱21的位置相比鄰,如圖3所示,這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)能夠使環(huán)形加熱絲2繞成基本完整的環(huán)形,僅有兩支所述接線(xiàn)柱21之間的區(qū)域未分布有環(huán)形加熱絲2。使得環(huán)形熔接凸棱111的更多區(qū)域能夠受熱融化。本實(shí)用新型并不限制必須在所述環(huán)形加熱絲上設(shè)置接線(xiàn)柱,也可以采用其它結(jié)構(gòu)作為環(huán)形加熱絲通電的部件。另外,在設(shè)置有接線(xiàn)柱的實(shí)施方式中,也可以將兩個(gè)接線(xiàn)柱錯(cuò)開(kāi)設(shè)置,使環(huán)形加熱絲繞成完整的環(huán)狀。

進(jìn)一步可選地,如圖4、5所示,所述第二殼體12上可以設(shè)置有凹槽121,所述凹槽121與所述接線(xiàn)柱21的位置相對(duì)應(yīng)。當(dāng)所述第一殼體11扣合在第二殼體12上并進(jìn)行加熱連接操作時(shí),所述環(huán)形熔接凸棱111位于兩個(gè)所述接線(xiàn)柱21之間的區(qū)域有可能不融化或融化的量較少,該區(qū)域的環(huán)形熔接凸棱111在加熱連接操作之后可能還保持原有的凸出形狀。所述凹槽121可以設(shè)置在所述第二殼體12與所述環(huán)形熔接凸棱111接觸的表面上,用于容納未融化變形的部分環(huán)形熔接凸棱111,如圖5所示。未融化的環(huán)形熔接凸棱111可以下陷到凹槽121中,其它融化了的環(huán)形熔接凸棱111則會(huì)使第一殼體11的表面直接與第二殼體12接觸相抵,第一殼體11能夠與第二殼體12形成良好的貼合關(guān)系,不會(huì)由于未融化的環(huán)形熔接凸棱111引起第一殼體11的傾斜、不平整等問(wèn)題。

優(yōu)選地,在上述實(shí)施方式的基礎(chǔ)上,所述模組殼體上還可以設(shè)置有封膠口,所述封膠口與所述凹槽的位置相對(duì)應(yīng)。例如,在圖5所示的實(shí)施方式中,所述封膠口13設(shè)置在所述第二殼體12上,位于所述凹槽121旁邊;在其它實(shí)施方式中,所述封膠口13也可以設(shè)置在所述第一殼體上,本實(shí)用新型不對(duì)此進(jìn)行限制。所述封膠口13使所述凹槽121與外界連通,所述封膠口13配置為在模組殼體裝配后用于向所述凹槽121處填充粘接劑。所述封膠口13設(shè)計(jì)的目的是提高所述第一殼體11與第二殼體12在與所述接線(xiàn)柱21和凹槽121的位置處的密封效果。在完成第一殼體11與第二殼體12的加熱密封工藝后,向所述封膠口13中填充粘接劑,使粘接劑粘接密封在所述凹槽121處,從而密封住所述凹槽121處可能存在的縫隙、漏氣點(diǎn)。

或者,所述模組殼體上也可以設(shè)置有貼封位,所述貼封位與所述凹槽的位置相對(duì)應(yīng)。所述貼封位的設(shè)計(jì)目的與所述封膠口相同,所述貼封位用于承載密封件。在完成第一殼體與第二殼體的加熱密封工藝后,可以在所述貼封位上貼覆密封件,以密封所述凹槽處可能存在的縫隙和漏氣點(diǎn)。

優(yōu)選地,如圖2、6所示,所述環(huán)形加熱絲2可以直接設(shè)置在所述環(huán)形熔接凸棱111內(nèi)。所述環(huán)形熔接凸棱111和所述第一殼體11可以一體注塑成型,形成一個(gè)整體部件。在注塑成型時(shí),可以將所述環(huán)形加熱絲2直接注塑在所述環(huán)形熔接凸棱111內(nèi),也即注塑固定在所述第一殼體11內(nèi)。這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)既保證了環(huán)形加熱絲2與環(huán)形熔接凸棱的位置分布一致,又簡(jiǎn)化了加工工藝。采用其它方式將環(huán)形加熱絲設(shè)置在環(huán)形熔接凸棱內(nèi)也屬于本實(shí)用新型的實(shí)施方式,例如可以是卡接固定在所述環(huán)形熔接凸棱內(nèi)??蛇x地,在所述環(huán)形加熱絲2上連接有接線(xiàn)柱21的實(shí)施方式中,所述接線(xiàn)柱21可以從所述第一殼體11的外表面上露出,如圖5所示。

可選地,如圖1所示,所述第一殼體11可以呈蓋板結(jié)構(gòu),所述第二殼體12具有側(cè)壁部分,所述第一殼體11可以扣合在所述第二殼體12上。所述環(huán)形熔接凸棱111位于所述第一殼體11的一側(cè)表面上,兩殼體扣合時(shí)該表面朝向第二殼體12內(nèi),環(huán)形熔接凸棱111與第二殼體12接觸。所述環(huán)形熔接凸棱111優(yōu)選為與所述第一殼體11的邊緣位置,相應(yīng)地,環(huán)形熔接凸棱111也與第二殼體12的邊緣位置相接處。在其它實(shí)施方式中,所述第一殼體也可以是具有側(cè)壁或其它結(jié)構(gòu)的殼體,所述環(huán)形熔接凸棱可以設(shè)置在第一殼體的側(cè)壁端面上。當(dāng)?shù)谝粴んw與第二殼體扣合時(shí),環(huán)形熔接凸棱可以與第二殼體的平面或側(cè)壁的端面接觸相抵。

可選地,如圖4、5所示,所述第二殼體12的邊緣處可以設(shè)置有擋墻122,所述擋墻122配置為用于限定所述第一殼體11與第二殼體12的相對(duì)位置。當(dāng)所述第一殼體11與第二殼體12扣合時(shí),所述第一殼體11的邊緣可以位于所述擋墻122的內(nèi)側(cè),所述擋墻122卡接限定第一殼體11的位置。圖4、5示出了第一殼體11呈蓋板結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式,在其它實(shí)施方式中,也可以在第二殼體上設(shè)置擋墻以達(dá)到相同的效果??蛇x地,所述擋也可以配置為用于限制所述環(huán)形熔接凸棱的位置,進(jìn)而起到限制第一殼體的位置的作用。

可選地,如圖1、4、5所示,所述第二殼體12的邊緣處可以設(shè)置有臺(tái)階面123,當(dāng)所述第二殼體12上設(shè)置有擋墻122時(shí),所述臺(tái)階面123位于所述擋墻122的內(nèi)側(cè)。所述臺(tái)階面123配置為用于與所述第一殼體11以及環(huán)形熔接凸棱111接觸。進(jìn)一步可選地,所述臺(tái)階面上還可以設(shè)置有環(huán)形槽,當(dāng)?shù)谝粴んw與第二殼體扣合時(shí),所述環(huán)形熔接凸棱可以嵌在所述環(huán)形槽中,所述環(huán)形槽的分布位置與所述環(huán)形熔接凸棱的位置相對(duì)應(yīng)。所述環(huán)形槽一方面可以起到對(duì)第一殼體和第二殼體進(jìn)行相對(duì)定位的作用,另一方面也可以起到提高密封連接可靠性的作用。

雖然已經(jīng)通過(guò)例子對(duì)本實(shí)用新型的一些特定實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明,但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解,以上例子僅是為了進(jìn)行說(shuō)明,而不是為了限制本實(shí)用新型的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解,可在不脫離本實(shí)用新型的范圍和精神的情況下,對(duì)以上實(shí)施例進(jìn)行修改。本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求來(lái)限定。

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