專利名稱：先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的引線框結(jié)構(gòu)主要有兩種
第一種采用金屬基板進(jìn)行化學(xué)蝕刻及電鍍后，在金屬基板的背面貼上一層耐高溫的膠膜形成可以進(jìn)行封裝過(guò)程的引線框載體(如圖83所示)；
第二種采用金屬基板首先在金屬基板的背面進(jìn)行化學(xué)半蝕刻，再將前述已經(jīng)過(guò)化學(xué)半蝕刻的區(qū)域進(jìn)行塑封料包封，之后將金屬基板的正面進(jìn)行內(nèi)引腳的化學(xué)半蝕刻，完成后再進(jìn)行引線框內(nèi)引腳表面的電鍍工作，即完成引線框的制作(如圖85所示)。而上述兩種引線框在封裝過(guò)程中存在了以下不足點(diǎn) 第一種
1)、此種的引線框架因背面必須要貼上一層昂貴可抗高溫的膠膜，所以直接增加了高昂的成本；
2)、也因?yàn)榇朔N的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過(guò)程中的裝片工藝只能使用導(dǎo)電或是不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)，而完全不能采用共晶工藝以及軟焊料的工藝進(jìn)行裝片，所以可選擇的產(chǎn)品種類就有較大的局限性；
3)、又因?yàn)榇朔N的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過(guò)程中的金屬線鍵合工藝中，因?yàn)榇丝煽垢邷氐哪z膜是軟性材質(zhì)，所以造成了金屬線鍵合參數(shù)的不穩(wěn)定，嚴(yán)重的影響了金屬線鍵合的質(zhì)量及產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性；
4)、再因?yàn)榇朔N的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過(guò)程中的塑封工藝過(guò)程，因?yàn)樗芊鈺r(shí)的注膠壓力很容易造成引線框架與膠膜之間滲入塑封料，而將原本應(yīng)屬金屬腳是導(dǎo)電的型態(tài)因?yàn)闈B入了塑封料反而變成了絕緣腳(如圖84所示)。第二種
1)、因?yàn)榉謩e進(jìn)行了二次的蝕刻作業(yè)，所以多增加了工序作業(yè)的成本；
2)、引線框的組成是金屬物質(zhì)加環(huán)氧樹(shù)脂物質(zhì)(塑封料)所以在高溫與低溫的工作環(huán)境下容易因?yàn)椴煌镔|(zhì)的膨脹與收縮應(yīng)力的不相同，產(chǎn)生引線框翹曲問(wèn)題；
3)、也因?yàn)橐€框的翹曲直接影響到封裝工序中的裝置芯片的精準(zhǔn)度與引線框傳送過(guò)程的順暢從而影響生產(chǎn)良率；
4)、也因?yàn)橐€框的翹曲直接影響到封裝工序中的金屬線鍵合的對(duì)位精度與引線框傳送過(guò)程的順暢從而影響生產(chǎn)良率；
5)、因?yàn)橐€框正面的內(nèi)引腳是采用蝕刻的技術(shù)，所以蝕刻內(nèi)引腳的腳寬必須要大于 lOOMffl，而內(nèi)引腳與內(nèi)引腳的間隙也必須大于lOOMffl，所以較難做到內(nèi)引腳的高密度能力。為了解決上述問(wèn)題，本申請(qǐng)人在先申請(qǐng)了一件名稱為《有基島引線框結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)方法》的發(fā)明專利，其申請(qǐng)?zhí)枮?0101027029. 9，它具有以下有益效果1)、此種引線框的背面不需貼上一層昂貴的可抗高溫的膠膜，所以直接降低了高昂的成本；
2)、也因?yàn)榇朔N引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過(guò)程中的工藝除了能使用導(dǎo)電或是不導(dǎo)電的樹(shù)脂工藝外，還能采用共晶工藝以及軟焊料的工藝進(jìn)行裝片，所以可選擇的種類較廣；
3)、又因?yàn)榇朔N的引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜，確保了球焊鍵合參數(shù)的穩(wěn)定性，保證了球焊的質(zhì)量和產(chǎn)品的可靠度的穩(wěn)定性；
4)、再因?yàn)榇朔N的引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜，因而在封裝的工藝過(guò)程中完全不會(huì)造成引線框與膠膜之間滲入塑封料；
5)、在所述金屬腳(引腳)與金屬腳(引腳)間的區(qū)域嵌置塑封料，該塑封料與塑封過(guò)程中塑封料一起包覆住整個(gè)金屬腳的高度，所以塑封體與金屬腳的束縛能力就變大了，不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問(wèn)題；
6)、由于應(yīng)用了正面內(nèi)引腳的電鍍方式與背面蝕刻技術(shù)，所以能夠?qū)⒁€框正面的引腳盡可能的延伸到基島的旁邊，促使芯片與引腳距離大幅的縮短，如此金屬線的成本也可以大幅的降低(尤其是昂貴的純金質(zhì)的金屬線)；
7)、也因?yàn)榻饘倬€的縮短使得芯片的信號(hào)輸出速度也大幅的增速(尤其存儲(chǔ)類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計(jì)算更為突出)，由于金屬線的長(zhǎng)度變短了，所以在金屬線所存在的寄生電阻、寄生電容與寄生電感對(duì)信號(hào)的干擾也大幅度的降低；
8)、因運(yùn)用了內(nèi)引腳的電鍍延伸技術(shù)，所以可以容易的制作出高腳數(shù)與高密度的腳與腳之間的距離，使得封裝的體積與面積可以大幅度的縮??；
9)、因?yàn)閷⒎庋b后的體積大幅度的縮小，更直接的體現(xiàn)出材料成本大幅度的下降，由于材料用量的減少，也大幅度地減少了廢棄物等環(huán)保問(wèn)題困擾。但是，還是存在有以下的不足
1)、金屬基板進(jìn)行雙面蝕刻作業(yè)后，后續(xù)還要進(jìn)行第二次蝕刻作業(yè)，因此增加了工序作業(yè)的成本，對(duì)環(huán)境的污染也較嚴(yán)重；
2)、引線框正面的內(nèi)引腳采用的是蝕刻技術(shù)，所以蝕刻內(nèi)引腳的腳寬必須大于lOOMffl， 而內(nèi)引腳與內(nèi)引腳之間的間隙也大于lOOMffl，所以較難做到內(nèi)引腳的高密度能力；
3)、引線框背面的外引腳也是采用蝕刻技術(shù)，所以蝕刻外引腳的腳寬必須大于lOOMffl， 而外引腳與外引腳之間的間隙也大于lOOMffl，所以較難做到外引腳的高密度能力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，它省去了金屬基板雙面蝕刻的作業(yè)工序，降低了工序作業(yè)的成本，而且由于內(nèi)引腳采用多層電鍍方式形成，外引腳采用先鍍后刻的方式形成，因此實(shí)現(xiàn)了內(nèi)引腳和外引腳的高密度能力。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)是它包括外引腳，所述外引腳正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)引腳，所述內(nèi)引腳與內(nèi)引腳之間通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)設(shè)置有一個(gè)芯片，所述內(nèi)引腳正面延伸到芯片旁邊，所述芯片正面與內(nèi)引腳正面之間用金屬線連接，所述內(nèi)引腳、芯片和金屬線外包封有塑封料，所述外引腳外圍的區(qū)域以及外引腳與外引腳之間的區(qū)域嵌置有填縫劑，且外引腳的背面露出填縫劑外，在露出填縫劑外的外引腳的背面設(shè)置有第二金屬層。 本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，所述方法包括以下工藝步驟 步驟一、取金屬基板步驟二、貼膜作業(yè)
利用貼膜設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光刻膠膜， 步驟三、金屬基板正面去除部分圖形的光刻膠膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成貼膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的區(qū)域圖形， 步驟四、電鍍第一金屬層
對(duì)步驟三中金屬基板正面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域內(nèi)通過(guò)多層電鍍方式形成第一金屬層，
步驟五、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)
將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除，在金屬基板正面相對(duì)形成內(nèi)引腳， 步驟六、裝片打線
在步驟五形成的內(nèi)弓丨腳之間的金屬基板正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)進(jìn)行芯片的植入，以及在芯片正面與內(nèi)引腳正面之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè)， 步驟七、包封
利用塑封料注入設(shè)備，將已完成芯片植入以及鍵合金屬線作業(yè)的金屬基板進(jìn)行包封塑封料作業(yè)，并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè)， 步驟八、貼膜作業(yè)
利用貼膜設(shè)備在完成包封以及固化作業(yè)的金屬基板在正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光刻膠膜，
步驟九、金屬基板背面去除部分圖形的光刻膠膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟八完成貼膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的區(qū)域圖形， 步驟十、電鍍第二金屬層
在步驟九中金屬基板背面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域內(nèi)電鍍第二金屬層9， 步驟十一、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除， 步驟十二 貼膜作業(yè)
利用貼膜設(shè)備在完成電鍍第二金屬層且去除余下光刻膠膜后的金屬基板的正面及背面再次貼上可進(jìn)行曝光顯影的光刻膠膜，
步驟十三、金屬基板背面去除部分光刻膠膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟十二完成貼膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形光刻膠膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域圖形， 步驟十四、金屬基板背面進(jìn)行全蝕刻或半蝕刻作業(yè)
對(duì)步驟十三中金屬基板背面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域同時(shí)進(jìn)行全蝕刻或半蝕刻， 在金屬基板背面形成凹陷的蝕刻區(qū)域，同時(shí)相對(duì)形成外引腳，步驟十五、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除， 步驟十六、金屬基板背面蝕刻區(qū)域填充填縫劑
在所述金屬基板背面的蝕刻區(qū)域內(nèi)利用填充設(shè)備進(jìn)行充填填縫劑，并進(jìn)行填縫劑充填或包封后的后固化作業(yè)， 步驟十七、切割成品
將步驟十六完成包封以及固化作業(yè)的半成品進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起的含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨(dú)立開(kāi)來(lái)，制得先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)成品。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是
1、它省去了金屬基板雙面且分別二次的蝕刻作業(yè)工序，降低了工序作業(yè)的成本、時(shí)間、 人員、動(dòng)力、材料，同時(shí)也減少了蝕刻工序中可能產(chǎn)生的有害物質(zhì)對(duì)環(huán)境的污染；
2、由于引線框正面采用了細(xì)線電鍍的方法，所以正面的引腳寬度最小可以達(dá)到25Mm， 內(nèi)引腳與內(nèi)引腳之間的距離最小達(dá)到25Mm，充分地體現(xiàn)出引線框內(nèi)引腳的高密度能力。3、由于引線框背面采用了先鍍后刻的方法，所以背面的引腳寬度最小可以達(dá)到 25Mm，外引腳與外引腳之間的距離最小達(dá)到25Mm，充分地體現(xiàn)出引線框外引腳的高密度能力。4、裝片打線時(shí)只有引線框一種材料，在使用超高溫380以及420攝氏度的制程過(guò)程中，因沒(méi)有多種材料膨脹系數(shù)的不同所帶來(lái)的膨脹與收縮沖擊，確保了引線框的耐超高溫(一般是200°C以下)性能，不會(huì)因高溫?zé)釕?yīng)變形而產(chǎn)生引線框的翹曲問(wèn)題。


圖Γ圖18為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例1制造方法的各工序示意圖。
圖19(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖19(B)為圖19 (A)的俯視圖。
圖20(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖20(B)為圖20 (A)的俯視圖。
圖21(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖21(B)為圖21 (A)的俯視圖。
圖22(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例4的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖22(B)為圖22 (A)的俯視圖。
圖23(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例5的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖23(B)為圖23 (A)的俯視圖。
圖24(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例6的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖24(B)為圖M (A)的俯視圖。
圖25(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例7的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖25(B)為圖25 (A)的俯視圖。
圖26(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例8的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖26(B)為圖沈(A)的俯視圖。
圖27(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹9的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖27(B)為圖27 (A)的俯視圖。
圖28(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹10的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖28(B)為圖觀(A)的俯視圖。
圖29(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹11的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖29(B)為圖四(A)的俯視圖。
圖30(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹12的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖30(B)為圖30 (A)的俯視圖。
圖31(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹13的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖31(B)為圖31 (A)的俯視圖。
圖32(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹14的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖32(B)為圖32 (A)的俯視圖。
圖33(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹15的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖33(B)為圖33 (A)的俯視圖。
圖34(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹16的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖34(B)為圖34 (A)的俯視圖。
圖35(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹17的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖35(B)為圖35 (A)的俯視圖。
圖36(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹18的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖36(B)為圖36 (A)的俯視圖。
圖37(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹19的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖37(B)為圖37 (A)的俯視圖。
圖38(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹20的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖38(B)為圖38 (A)的俯視圖。
圖39(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹21的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖39(B)為圖39 (A)的俯視圖。
圖40(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹22的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖40(B)為圖40 (A)的俯視圖。
圖41(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹23的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖41(B)為圖41 (A)的俯視圖。
圖42(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹M的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖42(B)為圖42 (A)的俯視圖。
圖43(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹25的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖43(B)為圖43 (A)的俯視圖。
圖44(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹26的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖44(B)為圖44 (A)的俯視圖。
圖45(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹27的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖45(B)為圖45 (A)的俯視圖。
圖46(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹28的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖46(B)為圖46 (A)的俯視圖。
圖47(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹29的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖47(B)為圖47 (A)的俯視圖。
圖48(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹30的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖48(B)為圖48 (A)的俯視圖。
圖49(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹31的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖49(B)為圖49 (A)的俯視圖。
圖50(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹32的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖50(B)為圖50 (A)的俯視圖。
圖51(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹33的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖51(B)為圖51 (A)的俯視圖。
圖52(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹；34的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖52(B)為圖52 (A)的俯視圖。
圖53(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹35的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖53(B)為圖53 (A)的俯視圖。
圖54(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹36的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖54(B)為圖M (A)的俯視圖。
圖55(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹37的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖55(B)為圖55 (A)的俯視圖。
圖56(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹38的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖56(B)為圖56 (A)的俯視圖。
圖57(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹39的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖57(B)為圖57 (A)的俯視圖。
圖58(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹40的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖58(B)為圖58 (A)的俯視圖。
圖59(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹41的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖59(B)為圖59 (A)的俯視圖。
圖60(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹42的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖60(B)為圖60 (A)的俯視圖。
圖61(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹43的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖61(B)為圖61 (A)的俯視圖。
圖62(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹44的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖62(B)為圖62 (A)的俯視圖。
圖63(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹45的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖63(B)為圖63 (A)的俯視圖。
圖64(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹46的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖64(B)為圖64 (A)的俯視圖。
圖65(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施 歹47的結(jié)構(gòu)示意圖。0107]圖65(B)為圖65 (A)的俯視圖。0108]圖66(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例48的結(jié)構(gòu)示意圖。0109]圖66(B)為圖66 (A)的俯視圖。0110]圖67(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例49的結(jié)構(gòu)示意圖。0111]圖67(B)為圖67 (A)的俯視圖。0112]圖68(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例50的結(jié)構(gòu)示意圖。0113]圖68(B)為圖68 (A)的俯視圖。0114]圖69(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例51的結(jié)構(gòu)示意圖。0115]圖69(B)為圖69 (A)的俯視圖。0116]圖70(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例52的結(jié)構(gòu)示意圖。0117]圖70(B)為圖70 (A)的俯視圖。0118]圖71(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例53的結(jié)構(gòu)示意圖。0119]圖71(B)為圖71 (A)的俯視圖。0120]圖72(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例54的結(jié)構(gòu)示意圖。0121]圖72(B)為圖72 (A)的俯視圖。0122]圖73(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例55的結(jié)構(gòu)示意圖。0123]圖73(B)為圖73 (A)的俯視圖。0124]圖74(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例56的結(jié)構(gòu)示意圖。0125]圖74(B)為圖74 (A)的俯視圖。0126]圖75(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例57的結(jié)構(gòu)示意圖。0127]圖75(B)為圖75 (A)的俯視圖。0128]圖76(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例58的結(jié)構(gòu)示意圖。0129]圖76(B)為圖76 (A)的俯視圖。0130]圖77(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例59的結(jié)構(gòu)示意圖。0131]圖77(B)為圖77 (A)的俯視圖。0132]圖78(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例60的結(jié)構(gòu)示意圖。0133]圖78(B)為圖78 (A)的俯視圖。0134]圖79(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例61的結(jié)構(gòu)示意圖。0135]圖79(B)為圖79 (A)的俯視圖。0136]圖80(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例62的結(jié)構(gòu)示意圖。0137]圖80(B)為圖80 (A)的俯視圖。0138]圖81(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例63的結(jié)構(gòu)示意圖。0139]圖81(B)為圖81 (A)的俯視圖。0140]圖82(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例64的結(jié)構(gòu)示意圖。0141]圖82(B)為圖82 (A)的俯視圖。0142]圖83為以往四面無(wú)引腳引線框背面貼上耐高溫膠膜的示意圖。0143]圖84為以往背面貼上耐高溫膠膜的四面無(wú)引腳引線框封裝時(shí)溢料的示意圖0144]圖85為以往預(yù)包封雙面蝕刻引線框的結(jié)構(gòu)示意圖。0145]其中外基島1、外引腳2、內(nèi)基島3、內(nèi)引腳4、芯片5、金屬線6、塑封料7、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8、第二金屬層9、填縫劑10、金屬基板11、光刻膠膜12或13、第一金屬層14、無(wú)源器件 15、外靜電釋放圈16、內(nèi)靜電釋放圈17。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法如下 實(shí)施例1 無(wú)基島單芯片單圈引腳(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖19 (A)和圖19 (B)，圖19 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例1 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖19 (B)為圖19 (A)的俯視圖。由圖19 (A)和圖19 (B)可以看出，本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)，它包括外引腳2，所述外引腳2正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)引腳4，所述內(nèi)引腳4統(tǒng)稱為第一金屬層14，所述內(nèi)引腳4與內(nèi)引腳4之間通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置有一個(gè)芯片5，所述內(nèi)引腳4正面延伸到芯片5旁邊，所述芯片5 正面與內(nèi)引腳4正面之間用金屬線6連接，所述內(nèi)引腳4、芯片5和金屬線6外包封有塑封料7，所述外引腳2外圍的區(qū)域以及外引腳2與外引腳2之間的區(qū)域嵌置有填縫劑10，且外引腳2的背面露出填縫劑10外，在露出填縫劑10外的外引腳2的背面設(shè)置有第二金屬層 9。其制造方法如下
步驟一、取金屬基板
參見(jiàn)圖1，取一片厚度合適的金屬基板11，金屬基板11的材質(zhì)可以依據(jù)芯片的功能與特性進(jìn)行變換，例如銅、鋁、鐵、銅合金、不銹鋼或鎳鐵合金等。步驟二、貼膜作業(yè)
參見(jiàn)圖2，利用貼膜設(shè)備在金屬基板11的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光刻膠膜12和13，以保護(hù)后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè)，因此光刻膠膜可以是干式光刻膠膜也可以是濕式光刻膠膜。步驟三、金屬基板正面去除部分圖形的光刻膠膜
參見(jiàn)圖3，利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成貼膜作業(yè)的金屬基板11正面進(jìn)行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜，以露出金屬基板11正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的區(qū)域圖形。步驟四、電鍍第一金屬層
參見(jiàn)圖4，在步驟三中金屬基板11正面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域內(nèi)通過(guò)多層電鍍方式形成第一金屬層14，所述第一金屬層14可以采用自下而上依次為鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層或鎳、銅、銀三層金屬層，或者其他類似結(jié)構(gòu)。以鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層為例， 其中第一層鎳層主要起到抗蝕刻阻擋層的作用，而中間的銅層、鎳層和鈀層主要起結(jié)合增高的作用，最外層的金層主要起到與金屬線鍵合的作用。步驟五、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)
參見(jiàn)圖5，將金屬基板11正面及背面余下的光刻膠膜去除，在金屬基板11正面相對(duì)形成內(nèi)引腳4。步驟六、裝片打線
參見(jiàn)圖6 圖7，在步驟五形成的內(nèi)引腳4之間的金屬基板11正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘
1結(jié)物質(zhì)8進(jìn)行芯片5的植入，以及在芯片5正面與內(nèi)引腳4正面之間進(jìn)行鍵合金屬線6作業(yè)。步驟七、包封
參見(jiàn)圖8，利用塑封料注入設(shè)備，將已完成芯片植入以及鍵合金屬線作業(yè)的金屬基板 11進(jìn)行包封塑封料作業(yè)，并進(jìn)行塑封料包封后固化作業(yè)。步驟八、貼膜作業(yè)
參見(jiàn)圖9，利用貼膜設(shè)備在完成包封以及固化作業(yè)后的金屬基板11在正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光刻膠膜12和13，以保護(hù)后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè)，因此光刻膠膜可以是干式光刻膠膜也可以是濕式光刻膠膜。步驟九、金屬基板背面去除部分圖形的光刻膠膜
參見(jiàn)圖10，利用曝光顯影設(shè)備將步驟八完成貼膜作業(yè)的金屬基板11背面進(jìn)行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜，以露出金屬基板11背面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的區(qū)域圖形。步驟十、電鍍第二金屬層
參見(jiàn)圖11，在步驟九中金屬基板11背面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域內(nèi)電鍍第二金屬層9，第二金屬層9的成分根據(jù)不同芯片的功能可以采用金鎳金、金鎳銅鎳金、鎳鈀金、金鎳鈀金、鎳金、銀或錫等。步驟十一、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)
參見(jiàn)圖12，將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除。步驟十二貼膜作業(yè)
參見(jiàn)圖13，利用貼膜設(shè)備在完成電鍍第二金屬層且去除余下光刻膠膜后的金屬基板 11在正面及背面再次貼上可進(jìn)行曝光顯影的光刻膠膜12和13，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)，因此光刻膠膜可以是干式光刻膠膜也可以是濕式光刻膠膜。步驟十三、金屬基板背面去除部分圖形的光刻膠膜
參見(jiàn)圖14，利用曝光顯影設(shè)備將步驟十二完成貼膜作業(yè)的金屬基板11背面進(jìn)行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜，以露出金屬基板11背面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域圖形。步驟十四、金屬基板背面進(jìn)行全蝕刻或半蝕刻作業(yè)
參見(jiàn)圖15、對(duì)步驟十三中金屬基板背面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域同時(shí)進(jìn)行全蝕刻或半蝕刻，在金屬基板背面形成凹陷的蝕刻區(qū)域，同時(shí)相對(duì)形成外引腳2。步驟十五、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)
參見(jiàn)圖16，將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除。步驟十六、金屬基板背面蝕刻區(qū)域填充填縫劑
參見(jiàn)圖17，在所述金屬基板背面的蝕刻區(qū)域內(nèi)利用填充設(shè)備進(jìn)行充填填縫劑10，并進(jìn)行填縫劑10充填或包封后的固化作業(yè)，所述填縫劑可以是有填料或無(wú)填料的填縫劑。步驟十七、切割成品
參見(jiàn)圖18，將步驟十六完成包封以及固化作業(yè)的半成品進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨(dú)立開(kāi)來(lái)，制得先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)成品。
實(shí)施例2 無(wú)基島單芯片單圈引腳(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖20 (A)和圖20 (B)，圖20 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例2 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖20 (B)為圖20 (A)的俯視圖。由圖20 (A)和圖20 (B)可以看出，實(shí)施例2與實(shí)施例1的不同之處僅在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例3 無(wú)基島單芯片單圈引腳無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖21 (A)和圖21 (B)，圖21 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例3 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖21 (B)為圖21 (A)的俯視圖。由圖21 (A)和圖21 (B)可以看出，實(shí)施例3與實(shí)施例1的不同之處僅在于所述內(nèi)引腳4與內(nèi)引腳4之間通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8跨接有無(wú)源器件15。實(shí)施例4 無(wú)基島單芯片單圈引腳無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖22 (A)和圖22 (B)，圖22 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例4 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖22 (B)為圖22 (A)的俯視圖。由圖22 (A)和圖22 (B)可以看出，實(shí)施例4與實(shí)施例3的不同之處僅在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例5 無(wú)基島單芯片單圈引腳靜電釋放圈(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖23 (A)和圖23 (B)，圖23 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例5 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖23 (B)為圖23 (A)的俯視圖。由圖23 (A)和圖23 (B)可以看出，實(shí)施例5與實(shí)施例1的不同之處僅在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外靜電釋放圈 16，所述外靜電釋放圈16正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)靜電釋放圈17，所述內(nèi)靜電釋放圈 17正面與芯片5正面之間通過(guò)金屬線6連接。實(shí)施例6 無(wú)基島單芯片單圈引腳靜電釋放圈(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖M (A)和圖M (B),圖M (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例6 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖對(duì)(B)為圖M (A)的俯視圖。由圖M (A)和圖M (B)可以看出，實(shí)施例6與實(shí)施例1的不同之處僅在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例7 無(wú)基島單芯片單圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖25 (A)和圖25 (B)，圖25 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例7 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖25 (B)為圖25 (A)的俯視圖。由圖25 (A)和圖25 (B)可以看出，實(shí)施例7與實(shí)施例5的不同之處僅在于所述內(nèi)引腳4與內(nèi)引腳4之間通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8跨接有無(wú)源器件15。實(shí)施例8 無(wú)基島單芯片單圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖沈(A)和圖沈(B),圖沈(A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例8 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖26 (B)為圖沈(A)的俯視圖。由圖沈(A)和圖沈(B)可以看出，實(shí)施例8與實(shí)施例7的不同之處僅在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例9 無(wú)基島單芯片多圈引腳(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖27 (A)和圖27 (B)，圖27 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例9 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖27 (B)為圖27 (A)的俯視圖。由圖27 (A)和圖27 (B)可以看出，實(shí)施例9與實(shí)施例1的不同之處僅在于所述外引腳2有多圈，所述多圈外引腳2正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)引腳4。實(shí)施例10 無(wú)基島單芯片多圈引腳(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖28 (A)和圖28 (B),圖28 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例10 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖觀(B)為圖觀(A)的俯視圖。由圖觀(A)和圖觀(B)可以看出，實(shí)施例10與實(shí)施例9的不同之處僅在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3， 此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例11 無(wú)基島單芯片多圈引腳無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖四(A)和圖四(B),圖四(A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例11 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖四(B)為圖四(A)的俯視圖。由圖四(A)和圖四(B)可以看出，實(shí)施例11與實(shí)施例9的不同之處僅在于所述內(nèi)引腳4與內(nèi)引腳4之間通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8跨接有無(wú)源器件15。實(shí)施例12 無(wú)基島單芯片多圈引腳無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖30 (A)和圖30 (B),圖30 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例12 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖30 (B)為圖30 (A)的俯視圖。由圖30 (A)和圖30 (B)可以看出，實(shí)施例12與實(shí)施例11的不同之處僅在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3， 此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例13 無(wú)基島單芯片多圈引腳靜電釋放圈(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖31 (A)和圖31 (B)，圖31 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例13 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖31 (B)為圖31 (A)的俯視圖。由圖31 (A)和圖31 (B)可以看出，實(shí)施例13與實(shí)施例9的不同之處僅在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外靜電釋放圈 16，所述外靜電釋放圈16正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)靜電釋放圈17，所述內(nèi)靜電釋放圈 17正面與芯片5正面之間通過(guò)金屬線6連接。實(shí)施例14 無(wú)基島單芯片多圈引腳靜電釋放圈(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖32 (A)和圖32 (B)，圖32 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例14 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖32 (B)為圖32 (A)的俯視圖。由圖32 (A)和圖32 (B)可以看出，實(shí)施例14與實(shí)施例13的不同之處僅在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3， 此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例15 無(wú)基島單芯片多圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖33 (A)和圖33 (B)，圖33 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例15 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖33 (B)為圖33 (A)的俯視圖。由圖33 (A)和圖33 (B)可以看出，實(shí)施例15與實(shí)施例13的不同之處僅在于所述內(nèi)引腳4與內(nèi)引腳4之間通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8跨接有無(wú)源器件15。實(shí)施例16 無(wú)基島單芯片多圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖34 (A)和圖34 (B),圖34 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例16 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖；34 (B)為圖34 (A)的俯視圖。由圖34 (A)和圖34 (B)可以看出，實(shí)施例16與實(shí)施例15的不同之處僅在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3， 此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例17 無(wú)基島多芯片單圈引腳(無(wú)內(nèi)基島)參見(jiàn)圖35 (A)和圖35 (B)，圖35 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例17 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖35 (B)為圖35 (A)的俯視圖。由圖35 (A)和圖35 (B)可以看出，實(shí)施例17與實(shí)施例1的不同之處僅在于所述芯片5有多個(gè)，所述芯片5正面與芯片5正面之間通過(guò)金屬線6相連接。實(shí)施例18 無(wú)基島多芯片單圈引腳(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖36 (A)和圖36 (B),圖36 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例18 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖36 (B)為圖36 (A)的俯視圖。由圖36 (A)和圖36 (B)可以看出，實(shí)施例18與實(shí)施例17的不同之處僅在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3， 此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例19 無(wú)基島多芯片單圈引腳無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖37 (A)和圖37 (B)，圖37 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例19 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖37 (B)為圖37 (A)的俯視圖。由圖37 (A)和圖37 (B)可以看出，實(shí)施例19與實(shí)施例3的不同之處僅在于所述芯片5有多個(gè)，所述芯片5正面與芯片5正面之間通過(guò)金屬線6相連接。實(shí)施例20 無(wú)基島多芯片單圈引腳無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖38 (A)和圖38 (B)，圖38 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例20 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖38 (B)為圖38 (A)的俯視圖。由圖38 (A)和圖38 (B)可以看出，實(shí)施例20與實(shí)施例19的不同之處僅在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3， 此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例21 無(wú)基島多芯片單圈引腳靜電釋放圈(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖39 (A)和圖39 (B)，圖39 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例21 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖39 (B)為圖39 (A)的俯視圖。由圖39 (A)和圖39 (B)可以看出，實(shí)施例21與實(shí)施例5的不同之處僅在于所述芯片5有多個(gè)，所述芯片5正面與芯片5正面之間通過(guò)金屬線6相連接。實(shí)施例22 無(wú)基島多芯片單圈引腳靜電釋放圈(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖40 (A)和圖40 (B)，圖40 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例22 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖40 (B)為圖40 (A)的俯視圖。由圖40 (A)和圖40 (B)可以看出，實(shí)施例22與實(shí)施例21的不同之處在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例23 無(wú)基島多芯片單圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖41 (A)和圖41 (B)，圖41 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例23 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖41 (B)為圖41 (A)的俯視圖。由圖41 (A)和圖41 (B)可以看出，實(shí)施例23與實(shí)施例7的不同之處僅在于所述芯片5有多個(gè)，所述芯片5正面與芯片5正面之間通過(guò)金屬線6相連接。實(shí)施例M 無(wú)基島多芯片單圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖42 (A)和圖42 (B)，圖42 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例M 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖42 (B)為圖42 (A)的俯視圖。由圖42 (A)和圖42 (B)可以看出，實(shí)施例M與實(shí)施例23的不同之處僅在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3， 此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。
實(shí)施例25 無(wú)基島多芯片多圈引腳(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖43 (A)和圖43 (B)，圖43 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例25 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖43 (B)為圖43 (A)的俯視圖。由圖43 (A)和圖43 (B)可以看出，實(shí)施例25與實(shí)施例17的不同之處僅在于所述外引腳2有多圈，所述多圈外引腳2正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)引腳4。實(shí)施例沈無(wú)基島多芯片多圈引腳(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖44 (A)和圖44 (B)，圖44 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例沈的結(jié)構(gòu)示意圖。圖44 (B)為圖44 (A)的俯視圖。由圖44 (A)和圖44 (B)可以看出，實(shí)施例沈與實(shí)施例25的不同之處僅在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3， 此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例27 無(wú)基島多芯片多圈引腳無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖45 (A)和圖45 (B)，圖45 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例27 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖45 (B)為圖45 (A)的俯視圖。由圖45 (A)和圖45 (B)可以看出，實(shí)施例27與實(shí)施例19的不同之處僅在于所述外引腳2有多圈，所述多圈外引腳2正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)引腳4。實(shí)施例28 無(wú)基島多芯片多圈引腳無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖46 (A)和圖46 (B)，圖46 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例觀的結(jié)構(gòu)示意圖。圖46 (B)為圖46 (A)的俯視圖。由圖46 (A)和圖46 (B)可以看出，實(shí)施例28與實(shí)施例27的不同之處僅在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3， 此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例四無(wú)基島多芯片多圈引腳靜電釋放圈(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖47 (A)和圖47 (B)，圖47 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例四的結(jié)構(gòu)示意圖。圖47 (B)為圖47 (A)的俯視圖。由圖47 (A)和圖47 (B)可以看出，實(shí)施例四與實(shí)施例21的不同之處在于所述外引腳2有多圈，所述多圈外引腳2正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)引腳4。實(shí)施例30 無(wú)基島多芯片多圈引腳靜電釋放圈(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖48 (A)和圖48 (B)，圖48 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例30 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖48 (B)為圖48 (A)的俯視圖。由圖48 (A)和圖48 (B)可以看出，實(shí)施例30與實(shí)施例四的不同之處在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例31 無(wú)基島多芯片多圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖49 (A)和圖49 (B)，圖49 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例31 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖49 (B)為圖49 (A)的俯視圖。由圖49 (A)和圖49 (B)可以看出，實(shí)施例31與實(shí)施例23的不同之處在于所述外引腳2有多圈，所述多圈外引腳2正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)引腳4。實(shí)施例32 無(wú)基島多芯片多圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖50 (A)和圖50 (B)，圖50 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例32 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖50 (B)為圖50 (A)的俯視圖。由圖50 (A)和圖50 (B)可以看出，實(shí)施例32與實(shí)施例31的不同之處在于所述芯片5底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島3，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于內(nèi)基島3正面。實(shí)施例33 單基島單圈引腳(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖51 (A)和圖51 (B)，圖51 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例33 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖51 (B)為圖51 (A)的俯視圖。由圖51 (A)和圖51 (B)可以看出，實(shí)施例33與實(shí)施例1的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例34 單基島單圈引腳(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖52 (A)和圖52 (B)，圖52 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例34 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖52 (B)為圖52 (A)的俯視圖。由圖52 (A)和圖52 (B)可以看出，實(shí)施例34與實(shí)施例2的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例35 單基島單圈引腳無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖53 (A)和圖53 (B)，圖53 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例35 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖53 (B)為圖53 (A)的俯視圖。由圖53 (A)和圖53 (B)可以看出，實(shí)施例35與實(shí)施例3的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例36 單基島單圈引腳無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖M (A)和圖M化)，圖討(A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例36 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖討(B)為圖M (A)的俯視圖。由圖M (A)和圖M (B)可以看出，實(shí)施例36與實(shí)施例4的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例37 單基島單圈引腳靜電釋放圈(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖55 (A)和圖55 (B)，圖55 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例37 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖陽(yáng)(B)為圖55 (A)的俯視圖。由圖55 (A)和圖55 (B)可以看出，實(shí)施例37與實(shí)施例5的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例38 單基島單圈引腳靜電釋放圈(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖56 (A)和圖56 (B)，圖56 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例38 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖56 (B)為圖56 (A)的俯視圖。由圖56 (A)和圖56 (B)可以看出，實(shí)施例38與實(shí)施例6的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例39 單基島單圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖57 (A)和圖57 (B)，圖57 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例39 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖57 (B)為圖57 (A)的俯視圖。由圖57 (A)和圖57 (B)可以看出，實(shí)施例39與實(shí)施例7的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例40 單基島單圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖58 (A)和圖58 (B),圖58 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例40 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖58 (B)為圖58 (A)的俯視圖。由圖58 (A)和圖58 (B)可以看出，實(shí)施例40與實(shí)施例8的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例41 單基島多圈引腳(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖59 (A)和圖59 (B),圖59 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例41 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖59 (B)為圖59 (A)的俯視圖。由圖59 (A)和圖59 (B)可以看出，實(shí)施例41與實(shí)施例9的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例42 單基島多圈引腳(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖60 (A)和圖60 (B)，圖60 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例42 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖60 (B)為圖60 (A)的俯視圖。由圖60 (A)和圖60 (B)可以看出，實(shí)施例42與實(shí)施例10的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例43 單基島多圈引腳無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖61 (A)和圖61 (B)，圖61 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例43 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖61 (B)為圖61 (A)的俯視圖。由圖61 (A)和圖61 (B)可以看出，實(shí)施例43與實(shí)施例11的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例44 單基島多圈引腳無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖62 (A)和圖62 (B)，圖62 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例44 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖62 (B)為圖62 (A)的俯視圖。由圖62 (A)和圖62 (B)可以看出，實(shí)施例44與實(shí)施例12的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例45 單基島多圈引腳靜電釋放圈(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖63 (A)和圖63 (B)，圖63 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例45 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖63 (B)為圖63 (A)的俯視圖。由圖63 (A)和圖63 (B)可以看出，實(shí)施例45與實(shí)施例13的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例46 單基島多圈引腳靜電釋放圈(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖64 (A)和圖64 (B)，圖64 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例46 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖64 (B)為圖64 (A)的俯視圖。由圖64 (A)和圖64 (B)可以看出，實(shí)施例46與實(shí)施例14的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例47 單基島多圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖65 (A)和圖65 (B)，圖65 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例47 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖65 (B)為圖65 (A)的俯視圖。由圖65 (A)和圖65 (B)可以看出，實(shí)施例47與實(shí)施例15的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例48 單基島多圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖66 (A)和圖66 (B)，圖66 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例48的結(jié)構(gòu)示意圖。圖66 (B)為圖66 (A)的俯視圖。由圖66 (A)和圖66 (B)可以看出，實(shí)施例48與實(shí)施例16的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有一個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例49 多基島單圈引腳(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖67 (A)和圖67 (B)，圖67 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例49 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖67 (B)為圖67 (A)的俯視圖。由圖67 (A)和圖67 (B)可以看出，實(shí)施例49與實(shí)施例17的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例50 多基島單圈引腳(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖68 (A)和圖68 (B)，圖68 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例50 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖68 (B)為圖68 (A)的俯視圖。由圖68 (A)和圖68 (B)可以看出，實(shí)施例50與實(shí)施例18的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例51 多基島單圈引腳無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖69 (A)和圖69 (B)，圖69 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例51 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖69 (B)為圖69 (A)的俯視圖。由圖69 (A)和圖69 (B)可以看出，實(shí)施例51與實(shí)施例19的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例52 多基島單圈引腳無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖70 (A)和圖70 (B)，圖70 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例52 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖70 (B)為圖70 (A)的俯視圖。由圖70 (A)和圖70 (B)可以看出，實(shí)施例52與實(shí)施例20的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例53 多基島單圈引腳靜電釋放圈(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖71 (A)和圖71 (B)，圖71 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例53 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖71 (B)為圖71 (A)的俯視圖。由圖71 (A)和圖71 (B)可以看出，實(shí)施例53與實(shí)施例21的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例M 多基島單圈引腳靜電釋放圈(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖72 (A)和圖72 (B)，圖72 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例M 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖72 (B)為圖72 (A)的俯視圖。由圖72 (A)和圖72 (B)可以看出，實(shí)施例M與實(shí)施例22的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例55 多基島單圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖73 (A)和圖73 (B)，圖73 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例55 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖73 (B)為圖73 (A)的俯視圖。由圖73 (A)和圖73 (B)可以看出，實(shí)施例55與實(shí)施例23的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例56 多基島單圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(有內(nèi)基島)參見(jiàn)圖74 (A)和圖74 (B)，圖74 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例56 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖74 (B)為圖74 (A)的俯視圖。由圖74 (A)和圖74 (B)可以看出，實(shí)施例56與實(shí)施例M的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例57 多基島多圈引腳(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖75 (A)和圖75 (B)，圖75 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例57 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖75 (B)為圖75 (A)的俯視圖。由圖75 (A)和圖75 (B)可以看出，實(shí)施例57與實(shí)施例25的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例58 多基島多圈引腳(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖76 (A)和圖76 (B)，圖76 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例58 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖76 (B)為圖76 (A)的俯視圖。由圖76 (A)和圖76 (B)可以看出，實(shí)施例58與實(shí)施例沈的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例59 多基島多圈引腳無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖77 (A)和圖77 (B)，圖77 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例59 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖77 (B)為圖77 (A)的俯視圖。由圖77 (A)和圖77 (B)可以看出，實(shí)施例59與實(shí)施例27的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例60 多基島多圈引腳無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖78 (A)和圖78 (B),圖78 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例60 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖78 (B)為圖78 (A)的俯視圖。由圖78 (A)和圖78 (B)可以看出，實(shí)施例60與實(shí)施例28的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例61 多基島多圈引腳靜電釋放圈(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖79 (A)和圖79 (B),圖79 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例61 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖79 (B)為圖79 (A)的俯視圖。由圖79 (A)和圖79 (B)可以看出，實(shí)施例61與實(shí)施例四的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例62 多基島多圈引腳靜電釋放圈(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖80 (A)和圖80 (B)，圖80 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例62 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖80 (B)為圖80 (A)的俯視圖。由圖80 (A)和圖80 (B)可以看出，實(shí)施例62與實(shí)施例30的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。實(shí)施例63 多基島多圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(無(wú)內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖81 (A)和圖81 (B)，圖81 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例63 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖81 (B)為圖81 (A)的俯視圖。由圖81 (A)和圖81 (B)可以看出，實(shí)施例63與實(shí)施例31的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，此時(shí)芯片5通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)8設(shè)置于外基島1正面。
實(shí)施例64 多基島多圈引腳靜電釋放圈無(wú)源器件(有內(nèi)基島)
參見(jiàn)圖82 (A)和圖82 (B)，圖82 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例64 的結(jié)構(gòu)示意圖。圖82 (B)為圖82 (A)的俯視圖。由圖82 (A)和圖82 (B)可以看出，實(shí)施例64與實(shí)施例32的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設(shè)置有外基島1，所述外基島1有多個(gè)，所述內(nèi)基島3通過(guò)多層電鍍方式設(shè)置于外基島1正面。
權(quán)利要求
1.一種先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括外引腳(2)，所述外引腳 (2)正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)引腳(4)，所述內(nèi)引腳(4)與內(nèi)引腳(4)之間通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(8)設(shè)置有一個(gè)芯片(5)，所述內(nèi)引腳(4)正面延伸到芯片(5)旁邊，所述芯片(5)正面與內(nèi)引腳(4)正面之間用金屬線(6)連接，所述內(nèi)引腳(4)、芯片(5)和金屬線 (6)外包封有塑封料(7)，所述外引腳(2)外圍的區(qū)域以及外引腳(2)與外引腳(2)之間的區(qū)域嵌置有填縫劑(10)，且外引腳(2)的背面露出填縫劑(10)外，在露出填縫劑(10)外的外引腳(2)的背面設(shè)置有第二金屬層(9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述填縫劑(10)采用有填料填充物質(zhì)和無(wú)填料填充物質(zhì)。
3.—種如權(quán)利要求1所述的先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工藝步驟步驟一、取金屬基板步驟二、貼膜作業(yè)利用貼膜設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光刻膠膜， 步驟三、金屬基板正面去除部分圖形的光刻膠膜利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成貼膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的區(qū)域圖形， 步驟四、電鍍第一金屬層對(duì)步驟三中金屬基板正面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域內(nèi)通過(guò)多層電鍍方式形成第一金屬層，步驟五、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除，在金屬基板正面相對(duì)形成內(nèi)引腳， 步驟六、裝片打線在步驟五形成的內(nèi)弓丨腳之間的金屬基板正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)進(jìn)行芯片的植入，以及在芯片正面與內(nèi)引腳正面之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè)， 步驟七、包封利用塑封料注入設(shè)備，將已完成芯片植入以及鍵合金屬線作業(yè)的金屬基板進(jìn)行包封塑封料作業(yè)，并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè)， 步驟八、貼膜作業(yè)利用貼膜設(shè)備在完成包封以及固化作業(yè)的金屬基板在正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光刻膠膜，步驟九、金屬基板背面去除部分圖形的光刻膠膜利用曝光顯影設(shè)備將步驟八完成貼膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的區(qū)域圖形， 步驟十、電鍍第二金屬層在步驟九中金屬基板背面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域內(nèi)電鍍第二金屬層9， 步驟十一、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除， 步驟十二 貼膜作業(yè)利用貼膜設(shè)備在完成電鍍第二金屬層且去除余下光刻膠膜后的金屬基板在正面及背面再次貼上可進(jìn)行曝光顯影的光刻膠膜，步驟十三、金屬基板背面去除部分圖形的光刻膠膜利用曝光顯影設(shè)備將步驟十二完成貼膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域圖形，步驟十四、金屬基板背面進(jìn)行全蝕刻或半蝕刻作業(yè)對(duì)步驟十三中金屬基板背面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域同時(shí)進(jìn)行全蝕刻或半蝕刻， 在金屬基板背面形成凹陷的蝕刻區(qū)域，同時(shí)相對(duì)形成外引腳，步驟十五、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除，步驟十六、金屬基板背面蝕刻區(qū)域填充填縫劑在所述金屬基板背面的蝕刻區(qū)域內(nèi)利用填充的設(shè)備進(jìn)行充填填縫劑，并進(jìn)行填縫劑充填或包封后的后固化作業(yè)，步驟十七、切割成品將步驟十六完成包封以及固化作業(yè)的半成品進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨(dú)立開(kāi)來(lái)，制得先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)成品。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述芯片(5)底部通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島(3)，此時(shí)芯片(5)通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(8)設(shè)置于內(nèi)基島(3)正面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述內(nèi)引腳(4)與內(nèi)引腳(4)之間通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(8)跨接有無(wú)源器件(15)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述外引腳(2)與外引腳(2)之間設(shè)置有外靜電釋放圈(16)，所述外靜電釋放圈(16)正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)靜電釋放圈(17)，所述內(nèi)靜電釋放圈(17)正面與芯片(5)正面之間通過(guò)金屬線(6)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求3飛其中之一所述的先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述芯片(5)有單個(gè)，所述外引腳(2)有多圈。
8.根據(jù)權(quán)利要求3飛其中之一所述的先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述芯片(5)有多個(gè)，所述外引腳(2)有單圈。
9.根據(jù)權(quán)利要求3飛其中之一所述的先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述芯片(5)有多個(gè)，所述外引腳(2)有多圈。
10.根據(jù)權(quán)利要求3飛所述的先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于 所述外引腳(2)與外引腳(2)之間設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)外基島(1)，所述芯片(5)通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(8)設(shè)置于外基島(1)正面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于 所述外基島(1)正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島(5)，芯片(5)通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(8)設(shè)置于內(nèi)基島(5)正面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種先鍍后刻四面無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，它包括外引腳(2)，所述外引腳(2)正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)引腳(4)，所述內(nèi)引腳(4)與內(nèi)引腳(4)之間設(shè)置有芯片(5)，所述內(nèi)引腳(4)正面延伸到芯片(5)旁邊，所述芯片(5)正面與內(nèi)引腳(4)正面之間用金屬線(6)連接，所述內(nèi)引腳(4)、芯片(5)和金屬線(6)外包封有塑封料(7)，所述外引腳(2)的背面設(shè)置有第二金屬層(9)。本發(fā)明的有益效果是它省去了金屬基板雙面蝕刻的作業(yè)工序，降低了工序作業(yè)的成本，而且由于內(nèi)引腳采用多層電鍍方式形成，外引腳采用先鍍后刻的方式形成，因此實(shí)現(xiàn)了內(nèi)引腳和外引腳的高密度能力。
文檔編號(hào)H01L23/49GK102420206SQ201110389758
公開(kāi)日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月30日
發(fā)明者吳昊, 梁志忠, 王新潮, 謝潔人 申請(qǐng)人:江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司