專利名稱：半導體晶片氣蝕裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于半導體晶片的加工設備領域，具體涉及一種用于蝕刻去除半導體晶片表面氧化膜的裝置。
背景技術：
近年來電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展突飛猛進，各種多功能的可攜式電子產(chǎn)品如智能型手機、筆記本電腦、平板計算機等都已融入一般民眾生活中，使得人們生活越來越便利。在電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的背后，位于其上游的半導體產(chǎn)業(yè)的成熟發(fā)展具有極大的貢獻。除了民生、軍事電子產(chǎn)業(yè)之外，能源方面如太陽能產(chǎn)業(yè)以及照明方面如LED產(chǎn)業(yè)，皆與半導體產(chǎn)業(yè)有相當大程度的關聯(lián)性。此外，半導體的技術也可應用在生技等其它領域，其牽涉范圍之廣，稱之為近代科技的基石也不為過。半導體制程制作出的晶片可廣泛地利用于上述各種應用領域中，晶片的良率可說是直接決定了終端產(chǎn)品的質(zhì)量，因此，在晶片的材料以及制作方式上各界均以投入大量研究以確保其質(zhì)量。不論其為何種應用領域的晶片，均須經(jīng)過多道加工制程后，才能獲得實際應用的電子組件或光電組件。晶片加工制程之一就是蝕刻去除晶片表面的氧化膜，傳統(tǒng)去除氧化膜采用較多的方法是用含有氫氟酸的溶液浸泡晶體以去除表面氧化膜，當產(chǎn)品加工要求晶片的僅一個表面或是一個表面及另一表面邊緣去除氧化膜時，用上述濕式蝕刻法加工起來相當繁瑣。因此有必要開發(fā)一種便于蝕刻去除晶片表面氧化膜并保證蝕刻質(zhì)量的方法或設備。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種半導體晶片氣蝕裝置，該半導體晶片氣蝕裝置可以蝕刻去除晶片表面的氧化膜，且能夠完成普通蝕刻和寬邊蝕刻兩種蝕刻要求。本發(fā)明為了解決其技術問題所采用的技術方案是:一種半導體晶片氣蝕裝置，設有基座和氣蝕罩，所述氣蝕罩位于所述基座上方，所述氣蝕罩能夠罩于所述基座上構成密閉空間，所述基座上設有晶片定位座，所述氣蝕罩上開設有進氣孔，所述進氣孔與所述密閉空間相通，所述基座上開設有若干出氣孔，所述出氣孔與所述密閉空間相通。所述密閉空間內(nèi)需要通入HF氣體與晶片的表面接觸以去除晶片表面的氧化膜，因此所述進氣孔需連接送氣裝置，用以給所述密閉空間吹入HF氣體，同時，為了保持所述密閉空間內(nèi)壓力恒定以及吹氣順利，所述出氣孔需要連接抽氣裝置，HF進氣和底部抽氣的流量均可進行微調(diào)，以確保進入氣蝕罩內(nèi)的HF氣體不會發(fā)生泄漏，但是又可以有足夠的量和晶片表面反應以除去晶片表面的氧化膜。氣蝕時，與晶片定位座接觸的晶片表面由于不接觸HF氣體，因此不參與反應，不被蝕刻去除氧化膜，而不與晶片定位座接觸的晶片表面皆與HF氣體接觸，因此皆被蝕刻去除氧化膜，基于上述原理，該半導體晶片氣蝕裝置可以完成兩種蝕刻要求，分別是普通蝕刻和寬邊蝕刻。普通蝕刻是指晶片直徑小于晶片定位座直徑，即晶片的下表面全部與晶片定位座接觸，該下表面不被蝕刻，晶片的上表面被蝕刻去除氧化膜。寬邊蝕刻是指晶片直徑大于所述晶片定位座的直徑，晶片的上表面全被蝕刻以去除氧化膜以及晶片下表面超出晶片定位座的部分被蝕刻去除氧化膜。發(fā)明所采用的進一步技術方案是:較佳地，所述晶片定位座中心開設有真空吸氣口，所述真空吸氣口連接吸真空裝置。吸真空裝置通過真空吸氣口將晶片定位座上的晶片吸住，真空度需要保證晶片在蝕刻的時候不會發(fā)生移動，也不會將晶片吸破或吸變形。較佳地，設有導流塊，所述導流塊由位于上部的連接段和位于下部的噴氣段一體構成，所述導流塊的連接段連接于所述氣蝕罩的進氣孔下端，且所述導流塊的連接段的上端開設有氣體進孔，所述導流塊的氣體進孔與所述氣蝕罩的進氣孔相通，所述導流塊的噴氣段位于所述密閉空間內(nèi)并位于所述晶片定位座上方，且所述噴氣段的底面和側面兩者至少之一上開設有若干噴氣孔，所有噴氣孔皆與所述氣體進孔相通。為了確保HF氣體能和晶片表面的氧化膜發(fā)生化學反應，進而除去晶片表面的氧化膜，進入氣蝕罩內(nèi)的HF氣體須均勻的和晶片表面接觸，因此使用導流塊將集中于氣蝕罩中心的HF氣體均勻分流，可以采用多種不同出氣方式的導流塊，導流塊與氣蝕罩進氣孔下端之間的連接采用可拆卸的結構，以方便根據(jù)不同加工需求更換不同出氣方式的導流塊。還設有用于升降氣蝕罩的升降裝置，所述氣蝕罩與所述升降裝置連接。該升降裝置能夠?qū)馕g罩下壓至基座上形成密閉空間以用于蝕刻，并能夠?qū)馕g罩上提至與基座脫離以取出晶片，該升降裝置具體可以是氣缸，在氣蝕罩上端固定氣缸連接手臂以供與氣缸連接，汽缸連接手臂的升降速度以及下壓氣蝕罩的壓力均可調(diào)整，以保證有足夠的壓力防止HF氣體泄漏。較佳地，所述氣蝕罩的下端嵌有氟橡膠密封圈。該氟橡膠密封圈用以密封氣蝕罩與基座的接觸面，以使氣蝕罩與基座之間構成密閉空間，且其材質(zhì)不易被HF氣體腐蝕。較佳地，所述基座的上表面凹設有定位坑，所述晶片定位座下端嵌于所述定位坑中。所述晶片定位座嵌于基座的結構實現(xiàn)了晶片定位座的可拆卸，可以對晶片定位座進行更換，用不同尺寸的晶片定位座適應4”(4英寸)、5”、6”或8”不同尺寸的晶片，這些不同尺寸的晶片定位座是指其上部用于放置晶片的部位的直徑不同，但其下部嵌于基座內(nèi)的部分的尺寸相同。較佳地，所述氣蝕罩為聚丙烯(PP)氣蝕罩，所述基座為陶瓷板，還設有用于支撐所述陶瓷板的支架，所述陶瓷板固定于所述支架上端，所述晶片定位座為陶瓷定位座。還設有用于提升蝕刻溫度的加熱裝置。較佳地，所述基座的下表面固定有抽氣罩，所述抽氣罩罩住基座上的若干所述出氣孔，所述抽氣罩的下端中心開設有抽氣孔，所述加熱裝置為覆蓋于所述基座的下表面上的加熱墊。其中，若干所述出氣孔具體可以是圍繞晶片定位座周圍的一圈小孔，以使抽氣均勻；抽氣罩與基座的接觸面上設有密封圈，所述抽氣罩下端中心的抽氣孔連接抽氣裝置；所述加熱墊具體可以是硅膠加熱墊，通過加熱墊使基座升溫，并通過基座將熱量傳遞給晶片定位座，最終間接將熱量傳遞至晶片。較佳地，所述加熱裝置也可以為插于所述晶片定位座中的若干加熱棒，所述若干加熱棒上部插于所述晶片定位座內(nèi)且其下部穿出所述基座，若干所述出氣孔分布于所述晶片定位座周圍，設有環(huán)形氣罩，所述環(huán)形氣罩位于所述加熱棒外圍且罩住若干所述出氣孔，所述環(huán)形氣罩下端開設有至少一個抽氣孔。加熱棒直接加熱承載有晶片的晶片定位座，力口熱效率高；若干所述出氣孔具體可以是圍繞晶片定位座周圍的一圈小孔，以使抽氣均勻；所述環(huán)形氣罩與所述基座的接觸面上設有密封圈，所述環(huán)形氣罩下端可以對稱設置兩個抽氣孔，以使抽氣均勻，抽氣孔連接抽氣裝置。本發(fā)明具有的效益:本發(fā)明的半導體晶片氣蝕裝置設有基座和氣蝕罩，氣蝕罩能夠密封罩于基座上構成密閉空間，基座上設有晶片定位座，氣蝕罩上開設有進氣孔，基座上開設有出氣孔，密閉空間內(nèi)通過進氣孔通入HF氣體與晶片表面接觸以去除晶片表面的氧化膜，同時通過出氣孔將氣體抽出，以保持密閉空間內(nèi)吹氣順利以及壓力恒定，氣蝕時，與晶片定位座接觸的晶片表面由于不接觸HF氣體，不被蝕刻去除氧化膜，而不與晶片定位座接觸的晶片表面皆與HF氣體接觸，皆被蝕刻去除氧化膜，基于上述原理，該半導體晶片氣蝕裝置不僅能夠蝕刻去除晶片表面的氧化膜，且能夠完成普通蝕刻和寬邊蝕刻兩種蝕刻要求。


圖1為本發(fā)明實施例1所述的半導體晶片氣蝕裝置結構示意圖；圖2為本發(fā)明實施例2所述的半導體晶片氣蝕裝置結構示意圖。
具體實施例方式實施例1:一種半導體晶片氣蝕裝置，設有基座I和氣蝕罩2，所述氣蝕罩位于所述基座上方，所述氣蝕罩能夠罩于所述基座上構成密閉空間3，所述基座上設有晶片定位座4，所述氣蝕罩上開設有進氣孔5，所述進氣孔與所述密閉空間相通，所述基座上開設有若干出氣孔6，所述出氣孔與所述密閉空間相通。所述密閉空間內(nèi)需要通入HF氣體與晶片A的表面接觸以去除晶片表面的氧化膜，因此所述進氣孔需連接送氣裝置，用以給所述密閉空間吹入HF氣體，同時，為了保持所述密閉空間內(nèi)壓力恒定以及吹氣順利，所述出氣孔需要連接抽氣裝置，HF進氣和底部抽氣的流量均可進行微調(diào)，以確保進入氣蝕罩內(nèi)的HF氣體不會發(fā)生泄漏，但是又可以有足夠的量和晶片表面反應以除去晶片表面的氧化膜。氣蝕時，與晶片定位座接觸的晶片表面由于不接觸HF氣體，因此不參與反應，不被蝕刻去除氧化膜，而不與晶片定位座接觸的晶片表面皆與HF氣體接觸，因此皆被蝕刻去除氧化膜，基于上述原理，該半導體晶片氣蝕裝置可以完成兩種蝕刻要求，分別是普通蝕刻和寬邊蝕刻。普通蝕刻是指晶片A直徑小于晶片定位座4直徑，即晶片的下表面全部與晶片定位座接觸，該下表面不被蝕刻，晶片的上表面被蝕刻去除氧化膜。寬邊蝕刻是指晶片A直徑大于所述晶片定位座4的直徑，晶片的上表面全被蝕刻以去除氧化膜以及晶片下表面超出晶片定位座的部分被蝕刻去除氧化膜。所述晶片定位座中心開設有真空吸氣口 7，所述真空吸氣口連接吸真空裝置。吸真空裝置通過真空吸氣口將晶片定位座上的晶片吸住，真空度需要保證晶片在蝕刻的時候不會發(fā)生移動，也不會將晶片吸破或吸變形。設有導流塊8，所述導流塊由位于上部的連接段和位于下部的噴氣段一體構成，所述導流塊的連接段連接于所述氣蝕罩的進氣孔下端，且所述導流塊的連接段的上端開設有氣體進孔，所述導流塊的氣體進孔與所述氣蝕罩的進氣孔相通，所述導流塊的噴氣段位于所述密閉空間內(nèi)并位于所述晶片定位座上方，且所述噴氣段的底面和側面兩者至少之一上開設有若干噴氣孔，所有噴氣孔皆與所述氣體進孔相通。為了確保HF氣體能和晶片表面的氧化膜發(fā)生化學反應，進而除去晶片表面的氧化膜，進入氣蝕罩內(nèi)的HF氣體須均勻的和晶片表面接觸，因此使用導流塊將集中于氣蝕罩中心的HF氣體均勻分流，可以采用多種不同出氣方式的導流塊，導流塊與氣蝕罩進氣孔下端之間的連接采用可拆卸的結構，以方便根據(jù)不同加工需求更換不同出氣方式的導流塊。設有用于升降氣蝕罩的升降裝置，所述氣蝕罩與所述升降裝置連接。該升降裝置能夠?qū)馕g罩下壓至基座上形成密閉空間以用于蝕刻，并能夠?qū)馕g罩上提至與基座脫離以取出晶片，該升降裝置具體可以是氣缸，在氣蝕罩上端固定氣缸連接手臂9以供與氣缸連接，汽缸連接手臂的升降速度以及下壓氣蝕罩的壓力均可調(diào)整，以保證有足夠的壓力防止HF氣體泄漏。所述氣蝕罩的下端嵌有氟橡膠密封圈10。該氟橡膠密封圈用以密封氣蝕罩與基座的接觸面，以使氣蝕罩與基座之間構成密閉空間，且其材質(zhì)不易被HF氣體腐蝕。所述基座的上表面凹設有定位坑，所述晶片定位座下端嵌于所述定位坑中。所述晶片定位座嵌于基座的結構實現(xiàn)了晶片定位座的可拆卸，可以對晶片定位座進行更換，用不同尺寸的晶片定位座適應4” (4英寸)、5”、6”或8”不同尺寸的晶片，這些不同尺寸的晶片定位座是指其上部用于放置晶片的部位的直徑不同，但其下部嵌于基座內(nèi)的部分的尺寸相同。所述氣蝕罩為聚丙烯(PP)氣蝕罩，所述基座為陶瓷板，還設有用于支撐所述陶瓷板的支架16，所述陶瓷板固定于所述支架上端，所述晶片定位座為陶瓷定位座。設有用于提升蝕刻溫度的加熱裝置。所述基座的下表面固定有抽氣罩11，所述抽氣罩罩住基座上的若干所述出氣孔，所述抽氣罩的下端中心開設有抽氣孔12，所述加熱裝置為覆蓋于所述基座的下表面上的加熱墊13。其中，若干所述出氣孔具體可以是圍繞晶片定位座周圍的一圈小孔，以使抽氣均勻；抽氣罩與基座的接觸面上設有密封圈，所述抽氣罩下端中心的抽氣孔連接抽氣裝置；所述加熱墊具體可以是硅膠加熱墊，通過加熱墊使基座升溫，并通過基座將熱量傳遞給晶片定位座，最終間接將熱量傳遞至晶片。本實施例半導體晶片氣蝕裝置的工作過程如下:將晶片置于半導體晶片氣蝕裝置的晶片定位座上，真空吸氣口吸氣將晶片吸住，然后氣蝕罩下降蓋住晶片，HF氣體吹入，通過設定的時間后，HF氣體停止吹氣，蝕刻完成，氣蝕罩上升，真空吸氣口停止吸氣，取出晶片。實施例2:—種半導體晶片氣蝕裝置，設有基座I和氣蝕罩2，所述氣蝕罩位于所述基座上方，所述氣蝕罩能夠罩于所述基座上構成密閉空間3，所述基座上設有晶片定位座4，所述氣蝕罩上開設有進氣孔5，所述進氣孔與所述密閉空間相通，所述基座上開設有若干出氣孔6，所述出氣孔與所述密閉空間相通。所述密閉空間內(nèi)需要通入HF氣體與晶片A的表面接觸以去除晶片表面的氧化膜，因此所述進氣孔需連接送氣裝置，用以給所述密閉空間吹入HF氣體，同時，為了保持所述密閉空間內(nèi)壓力恒定以及吹氣順利，所述出氣孔需要連接抽氣裝置，HF進氣和底部抽氣的流量均可進行微調(diào)，以確保進入氣蝕罩內(nèi)的HF氣體不會發(fā)生泄漏，但是又可以有足夠的量和晶片表面反應以除去晶片表面的氧化膜。氣蝕時，與晶片定位座接觸的晶片表面由于不接觸HF氣體，因此不參與反應，不被蝕刻去除氧化膜，而不與晶片定位座接觸的晶片表面皆與HF氣體接觸，因此皆被蝕刻去除氧化膜，基于上述原理，該半導體晶片氣蝕裝置可以完成兩種蝕刻要求，分別是普通蝕刻和寬邊蝕刻。普通蝕刻是指晶片A直徑小于晶片定位座4直徑，即晶片的下表面全部與晶片定位座接觸，該下表面不被蝕刻，晶片的上表面被蝕刻去除氧化膜。寬邊蝕刻是指晶片A直徑大于所述晶片定位座4的直徑，晶片的上表面全被蝕刻以去除氧化膜以及晶片下表面超出晶片定位座的部分被蝕刻去除氧化膜。所述晶片定位座中心開設有真空吸氣口 7，所述真空吸氣口連接吸真空裝置。吸真空裝置通過真空吸氣口將晶片定位座上的晶片吸住，真空度需要保證晶片在蝕刻的時候不會發(fā)生移動，也不會將晶片吸破或吸變形。設有導流塊8，所述導流塊由位于上部的連接段和位于下部的噴氣段一體構成，所述導流塊的連接段連接于所述氣蝕罩的進氣孔下端，且所述導流塊的連接段的上端開設有氣體進孔，所述導流塊的氣體進孔與所述氣蝕罩的進氣孔相通，所述導流塊的噴氣段位于所述密閉空間內(nèi)并位于所述晶片定位座上方，且所述噴氣段的底面和側面兩者至少之一上開設有若干噴氣孔，所有噴氣孔皆與所述氣體進孔相通。為了確保HF氣體能和晶片表面的氧化膜發(fā)生化學反應，進而除去晶片表面的氧化膜，進入氣蝕罩內(nèi)的HF氣體須均勻的和晶片表面接觸，因此使用導流塊將集中于氣蝕罩中心的HF氣體均勻分流，可以采用多種不同出氣方式的導流塊，導流塊與氣蝕罩進氣孔下端之間的連接采用可拆卸的結構，以方便根據(jù)不同加工需求更換不同出氣方式的導流塊。設有用于升降氣蝕罩的升降裝置，所述氣蝕罩與所述升降裝置連接。該升降裝置能夠?qū)馕g罩下壓至基座上形成密閉空間以用于蝕刻，并能夠?qū)馕g罩上提至與基座脫離以取出晶片，該升降裝置具體可以是氣缸，在氣蝕罩上端固定氣缸連接手臂9以供與氣缸連接，汽缸連接手臂的升降速度以及下壓氣蝕罩的壓力均可調(diào)整，以保證有足夠的壓力防止HF氣體泄漏。所述氣蝕罩的下端嵌有氟橡膠密封圈10。該氟橡膠密封圈用以密封氣蝕罩與基座的接觸面，以使氣蝕罩與基座之間構成密閉空間，且其材質(zhì)不易被HF氣體腐蝕。所述基座的上表面凹設有定位坑，所述晶片定位座下端嵌于所述定位坑中。所述晶片定位座嵌于基座的結構實現(xiàn)了晶片定位座的可拆卸，可以對晶片定位座進行更換，用不同尺寸的晶片定位座適應4” (4英寸)、5”、6”或8”不同尺寸的晶片，這些不同尺寸的晶片定位座是指其上部用于放置晶片的部位的直徑不同，但其下部嵌于基座內(nèi)的部分的尺寸相同。所述氣蝕罩為聚丙烯(PP)氣蝕罩，所述基座為陶瓷板，還設有用于支撐所述陶瓷板的支架16，所述陶瓷板固定于所述支架上端，所述晶片定位座為陶瓷定位座。設有用于提升蝕刻溫度的加熱裝置。所述加熱裝置為插于所述晶片定位座中的若干加熱棒14，所述若干加熱棒上部插于所述晶片定位座內(nèi)且其下部穿出所述基座，若干所述出氣孔分布于所述晶片定位座周圍，設有環(huán)形氣罩15，所述環(huán)形氣罩位于所述加熱棒外圍且罩住若干所述出氣孔，所述環(huán)形氣罩下端開設有至少一個抽氣孔12。加熱棒直接加熱承載有晶片的晶片定位座，加熱效率高；若干所述出氣孔具體可以是圍繞晶片定位座周圍的一圈小孔，以使抽氣均勻；所述環(huán)形氣罩與所述基座的接觸面上設有密封圈，所述環(huán)形氣罩下端可以對稱設置兩個抽氣孔，以使抽氣均勻，抽氣孔連接抽氣裝置。本實施例半導體晶片氣蝕裝置的工作過程如下:將晶片置于半導體晶片氣蝕裝置的晶片定位座上，真空吸氣口吸氣將晶片吸住，然后氣蝕罩下降蓋住晶片，HF氣體吹入，通過設定的時間后，HF氣體停止吹氣，蝕刻完成，氣蝕罩上升，真空吸氣口停止吸氣，取出晶片。
權利要求
1.一種半導體晶片氣蝕裝置，其特征在于:設有基座(I)和氣蝕罩(2)，所述氣蝕罩位于所述基座上方，所述氣蝕罩能夠罩于所述基座上構成密閉空間(3)，所述基座上設有晶片定位座(4)，所述氣蝕罩上開設有進氣孔(5)，所述進氣孔與所述密閉空間相通，所述基座上開設有若干出氣孔(6)，所述出氣孔與所述密閉空間相通。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶片氣蝕裝置，其特征在于:所述晶片定位座中心開設有真空吸氣口(7)，所述真空吸氣口連接吸真空裝置。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶片氣蝕裝置，其特征在于:設有導流塊(8)，所述導流塊由位于上部的連接段和位于下部的噴氣段一體構成，所述導流塊的連接段連接于所述氣蝕罩的進氣孔下端，且所述導流塊的連接段的上端開設有氣體進孔，所述導流塊的氣體進孔與所述氣蝕罩的進氣孔相通，所述導流塊的噴氣段位于所述密閉空間內(nèi)并位于所述晶片定位座上方，且所述噴氣段的底面和側面兩者至少之一上開設有若干噴氣孔，所有噴氣孔皆與所述氣體進孔相通。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶片氣蝕裝置，其特征在于:設有用于升降氣蝕罩的升降裝置，所述氣蝕罩與所述升降裝置連接。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶片氣蝕裝置，其特征在于:所述氣蝕罩的下端嵌有氟橡膠密封圈(10)。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶片氣蝕裝置，其特征在于:所述基座的上表面凹設有定位坑，所述晶片定位座下端嵌于所述定位坑中。
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶片氣蝕裝置，其特征在于:所述氣蝕罩為聚丙烯氣蝕罩，所述基座為陶瓷板，還設有用于支撐所述陶瓷板的支架(16)，所述陶瓷板固定于所述支架上端，所述晶片定位座為陶瓷定位座。
8.根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的半導體晶片氣蝕裝置，其特征在于:設有用于提升蝕刻溫度的加熱裝置。
9.根據(jù)權利要求8所述的半導體晶片氣蝕裝置，其特征在于:所述基座的下表面固定有抽氣罩(11)，所述抽氣罩罩住基座上的若干所述出氣孔，所述抽氣罩的下端中心開設有抽氣孔(12)，所述加熱裝置為覆蓋于所述基座的下表面上的加熱墊(13)。
10.根據(jù)權利要求8所述的半導體晶片氣蝕裝置，其特征在于:所述加熱裝置為插于所述晶片定位座中的若干加熱棒(14)，所述若干加熱棒上部插于所述晶片定位座內(nèi)且其下部穿出所述基座，若干所述出氣孔分布于所述晶片定位座周圍，設有環(huán)形氣罩(15)，所述環(huán)形氣罩位于所述加熱棒外圍且罩住若干所述出氣孔，所述環(huán)形氣罩下端開設有至少一個抽氣孔(12)。
全文摘要
本發(fā)明公開一種半導體晶片氣蝕裝置，設有基座和氣蝕罩，氣蝕罩能夠密封罩于基座上構成密閉空間，基座上設有晶片定位座，氣蝕罩上開設有進氣孔，基座上開設有出氣孔，密閉空間內(nèi)通過進氣孔通入HF氣體與晶片表面接觸以去除晶片表面的氧化膜，同時通過出氣孔將氣體抽出，以保持密閉空間內(nèi)吹氣順利以及壓力恒定，氣蝕時，與晶片定位座接觸的晶片表面由于不接觸HF氣體，不被蝕刻去除氧化膜，而不與晶片定位座接觸的晶片表面皆與HF氣體接觸，皆被蝕刻去除氧化膜，基于上述原理，該半導體晶片氣蝕裝置不僅能夠蝕刻去除晶片表面的氧化膜，且能夠完成普通蝕刻和寬邊蝕刻兩種蝕刻要求。
文檔編號H01L21/67GK103137520SQ20111038969
公開日2013年6月5日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權日2011年11月30日
發(fā)明者黃建光, 呂亞明, 徐新華, 王磊, 陸基益 申請人:昆山中辰矽晶有限公司