1.一種MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底設(shè)有貫穿其相對兩個(gè)表面的通孔；
結(jié)構(gòu)層，所述結(jié)構(gòu)層位于所述襯底上，所述結(jié)構(gòu)層為至少一層，所述結(jié)構(gòu)層中的每層包括與所述通孔對應(yīng)的中間部分和環(huán)繞所述中間部分的周邊部分，
其中，所述結(jié)構(gòu)層中的至少部分層設(shè)有貫穿所述周邊部分向外界延伸的通道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通道從所述結(jié)構(gòu)層的中心向四周輻射分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)層在所述通道處設(shè)有凸起。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)層中的至少兩層設(shè)有所述通道。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通道在不同的所述結(jié)構(gòu)層上的位置相互錯(cuò)開。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述MEMS結(jié)構(gòu)為MEMS麥克風(fēng)，所述通孔為所述MEMS麥克風(fēng)的聲腔，
所述結(jié)構(gòu)層包括：振膜層，設(shè)置成使聲信號能通過所述聲腔到達(dá)所述振膜層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述振膜層的所述周邊部分與所述襯底直接接觸，所述振膜層設(shè)有所述通道，所述通道的長度大于所述振膜層的所述周邊部分的寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)層還包括：第一支撐層，所述第一支撐層位于所述振膜層與所述襯底間，所述第一支撐層的所述中間部分為空，所述振膜層和/或所述第一支撐層設(shè)有所述通道。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述振膜層設(shè)有所述通道，所述通道的長度大于所述振膜層的所述周邊部分的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)層還包括：背極板以及第二支撐層，所述背極板位于所述振膜層上，所述第二支撐層位于所述振膜層與所述背極板間，使得所述背極板與所述振膜層相隔，所述第二支撐層的所述中間部分為空，所述振膜層、所述第二支撐層、所述背極板中的任意至少一層設(shè)有所述通道。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述振膜層和/或所述背極板設(shè)有所述通道，所述通道的長度大于所述振膜層和/或所述背極板的所述周邊部分的寬度。