本實(shí)用新型涉及射頻測(cè)試領(lǐng)域，尤其涉及一種賽鋼或塑膠的材料射頻性能測(cè)試裝置。

背景技術(shù)：

由于賽鋼及塑膠材料具有較低的摩擦系數(shù)和良好幾何穩(wěn)定性，目前一些射頻（Radio Frequency，RF）產(chǎn)品所使用的治具均用到賽鋼或塑膠材料，如托盤、支架、襯墊、襯套、襯板等，以及一些RF產(chǎn)品中所使用的零件，如齒輪、軸承等。

然而，由于賽鋼以及塑膠材料對(duì)于RF產(chǎn)品性能的影響在使用之前沒有相關(guān)的檢測(cè)手段，即使檢測(cè)也僅僅是在RF產(chǎn)品的樣品實(shí)際工作中進(jìn)行檢查記錄，如果發(fā)現(xiàn)賽鋼以及塑膠材料確實(shí)對(duì)RF產(chǎn)品性能產(chǎn)生影響，也只能通過(guò)改變材料的形狀，大小，位置等，減小材料對(duì)于RF產(chǎn)品的影響。上述方法不僅僅需要耗費(fèi)較多的人力物力，且無(wú)法根本上解決這類問題。

因此，有必要提供一種新的材料射頻性能測(cè)試裝置解決上述問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型需要解決的技術(shù)問題是提供一種可預(yù)先測(cè)試賽鋼及塑料等類似材料的射頻性能且測(cè)試準(zhǔn)確度高、測(cè)試效率高的材料射頻性能測(cè)試裝置。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種材料射頻性能測(cè)試裝置，包括雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀、屏蔽盒、第一天線和第二天線，所述第一天線和所述第二天線間隔設(shè)置且分別固定于所述屏蔽盒的兩端，所述雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀分別與所述第一天線和所述第二天線電連接，所述屏蔽盒呈內(nèi)部中空狀。

優(yōu)選的，所述第一天線和所述第二天線分別固定于所述屏蔽盒的相對(duì)兩端。

優(yōu)選的，所述屏蔽盒包括底端和與所述底端相對(duì)設(shè)置的頂端，所述屏蔽盒的橫截面積從所述底端向所述頂端方向逐漸減小，所述第一天線和所述第二天線分別固定于所述底端和所述頂端。

優(yōu)選的，所述屏蔽盒為金字塔形。

優(yōu)選的，所述材料射頻性能測(cè)試裝置還包括設(shè)置于所述屏蔽盒內(nèi)側(cè)的測(cè)試治具，所述測(cè)試治具用于旋轉(zhuǎn)待測(cè)材料。

優(yōu)選的，所述測(cè)試治具為內(nèi)部中空結(jié)構(gòu)，所述第一天線沿平行于所述底端的方向貫穿所述測(cè)試治具設(shè)置。

與相關(guān)技術(shù)相比，本實(shí)用新型的材料射頻性能測(cè)試裝置通過(guò)在所述雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀兩端口分別接入所述第一天線和所述第二天線，通過(guò)所述雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀設(shè)定待測(cè)材料工作頻段及信號(hào)功率等參數(shù)后由所述第一天線輸入，并由所述第二天線輸出，從而模擬射頻產(chǎn)品的基本工作環(huán)境，通過(guò)所述雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀分析空測(cè)和放入待測(cè)材料測(cè)試兩種狀態(tài)的S21參數(shù)的改變狀況，從而實(shí)現(xiàn)判斷出所述待測(cè)材料的射頻性能及對(duì)射頻產(chǎn)品的影響狀況，且所述材料射頻性能測(cè)試裝置的外界影響因素小，使得其測(cè)試準(zhǔn)確率高。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型材料射頻性能測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意（已放置待測(cè)材料）。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

請(qǐng)參閱圖1，為本實(shí)用新型材料射頻性能測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖（已放置待測(cè)材料）。本實(shí)用新型提供了一種材料射頻性能測(cè)試裝置10，包括雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀1、屏蔽盒2、第一天線3、第二天線4和測(cè)試治具5。

所述第一天線3和所述第二天線4間隔設(shè)置且分別固定于所述屏蔽盒2的兩端，所述雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀1分別與所述第一天線3和所述第二天線4電連接。更優(yōu)的，所述第一天線3和所述第二天線4分別固定于所述屏蔽盒2的相對(duì)兩端。

所述雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀1用于產(chǎn)生基本測(cè)試參數(shù)，如射頻產(chǎn)品工作頻段及信號(hào)功率等參數(shù)。

所述屏蔽盒2呈內(nèi)部中空狀，所述屏蔽盒2包括底端21和與所述底端21相對(duì)設(shè)置的頂端22，所述屏蔽盒2的橫截面積從所述底端21向所述頂端22方向逐漸減小。所述第一天線3和所述第二天線4分別固定于所述底端21和所述頂端22。

本實(shí)施方式中，具體的，所述屏蔽盒2為金字塔形。

所述測(cè)試治具5設(shè)置于所述屏蔽盒2的內(nèi)側(cè)，所述測(cè)試治具5用于承載待測(cè)材料6。本實(shí)施方式中，所述待測(cè)材料6為賽鋼或塑料或類似材料。

更優(yōu)的，所述測(cè)試治具5為內(nèi)部中空結(jié)構(gòu)，所述第一天線3沿平行于所述底端21的方向貫穿所述測(cè)試治具5設(shè)置。

所述雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀1產(chǎn)生基本測(cè)試參數(shù)后，如射頻產(chǎn)品工作頻段及信號(hào)功率等參數(shù)，將所述基本測(cè)試參數(shù)由所述第一天線3打入，并由所述第二天線4接收后返回至所述雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀1記錄，形成模擬射頻產(chǎn)品的基本工作環(huán)境，運(yùn)用射頻電路S21參數(shù)原理，通過(guò)所述雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀1讀取所述第一天線3和所述第二天線4的S21參數(shù)。再將待測(cè)材料6放置于所述測(cè)試治具5上后，重復(fù)上述測(cè)試步驟，即將同樣的基本測(cè)試參數(shù)再次打入所述第一天線3，由所述第二天線4接收后返回至所述雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀1，觀察對(duì)所述雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀1檢測(cè)的S21參數(shù)的改變狀況，從而判斷所述待測(cè)材料6對(duì)射頻產(chǎn)品性能的影響狀況。

與相關(guān)技術(shù)相比，本實(shí)用新型的材料射頻性能測(cè)試裝置通過(guò)在所述雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀兩端口分別接入所述第一天線和所述第二天線，通過(guò)所述雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀設(shè)定待測(cè)材料工作頻段及信號(hào)功率等參數(shù)后由所述第一天線輸入，并由所述第二天線輸出，從而模擬射頻產(chǎn)品的基本工作環(huán)境，通過(guò)所述雙端網(wǎng)絡(luò)分析儀分析空測(cè)和放入待測(cè)材料測(cè)試兩種狀態(tài)的S21參數(shù)的改變狀況，從而實(shí)現(xiàn)判斷出所述待測(cè)材料的射頻性能及對(duì)射頻產(chǎn)品的影響狀況，且所述材料射頻性能測(cè)試裝置的外界影響因素小，使得其測(cè)試準(zhǔn)確率高且測(cè)試效率高，減節(jié)省人力物力。

以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。