本發(fā)明涉及電子電路等技術(shù)領(lǐng)域,具體的說,是基于穩(wěn)壓電路供電設(shè)計的多功能攝錄設(shè)備用射頻調(diào)制電路。
背景技術(shù):
射頻技術(shù)(RF)是Radio Frequency的縮寫。較常見的應(yīng)用有無線射頻識別(Radio Frequency Identification,RFID),常稱為感應(yīng)式電子晶片或近接卡、感應(yīng)卡、非接觸卡、電子標簽、電子條碼等。其原理為由掃描器發(fā)射一特定頻率之無線電波能量給接收器,用以驅(qū)動接收器電路將內(nèi)部的代碼送出,此時掃描器便接收此代碼。
接收器的特殊在于免用電池、免接觸、免刷卡故不怕臟污,且晶片密碼為世界唯一無法復制,安全性高、長壽命。RFID的應(yīng)用非常廣泛,目前典型應(yīng)用有動物晶片、汽車晶片防盜器、門禁管制、停車場管制、生產(chǎn)線自動化、物料管理。RFID標簽有兩種:有源標簽和無源標簽。
自2004年起,全球范圍內(nèi)掀起了一場無線射頻識別技術(shù)(RFID)的熱潮,包括沃爾瑪、寶潔、波音公司在內(nèi)的商業(yè)巨頭無不積極推動RFID在制造、物流、零售、交通等行業(yè)的應(yīng)用。RFID技術(shù)及其應(yīng)用正處于迅速上升的時期,被業(yè)界公認為是本世紀最具潛力的技術(shù)之一,它的發(fā)展和應(yīng)用推廣將是自動識別行業(yè)的一場技術(shù)革命。而RFID在交通物流行業(yè)的應(yīng)用更是為通信技術(shù)提供了一個嶄新的舞臺,將成為未來電信業(yè)有潛力的利潤增長點之一。
無線射頻識別技術(shù)(Radio Frequency Identification),英文簡稱為“RFID”。
電子標簽,電子標簽即為 RFID 有的稱射頻標簽、射頻識別。它是一種非接觸式的自動識別技術(shù),通過射頻信號識別目標對象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù),識別工作無須人工干預,作為條形碼的無線版本,RFID技術(shù)具有條形碼所不具備的防水、防磁、耐高溫、使用壽命長、讀取距離大、標簽上數(shù)據(jù)可以加密、存儲數(shù)據(jù)容量更大、存儲信息更改自如等優(yōu)點。
RFID技術(shù),RFID射頻識別是一種非接觸式的自動識別技術(shù),它通過射頻信號自動識別目標對象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù),識別工作無須人工干預,可工作于各種惡劣環(huán)境。RFID技術(shù)可識別高速運動物體并可同時識別多個標簽,操作快捷方便。
短距離射頻產(chǎn)品不怕油漬、灰塵污染等惡劣的環(huán)境,可在這樣的環(huán)境中替代條碼,例如用在工廠的流水線上跟蹤物體。長距射頻產(chǎn)品多用于交通上,識別距離可達幾十米,如自動收費或識別車輛身份等。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供基于穩(wěn)壓電路供電設(shè)計的多功能攝錄設(shè)備用射頻調(diào)制電路,采用可控精密穩(wěn)壓源作為穩(wěn)壓電路的基準電壓,從而實時可調(diào)的輸出所需工作電壓,并為待供電電路提供工作電壓,同時將前級所接收的視頻信號及音頻信號利用處理電路進行轉(zhuǎn)換,并采用射頻工作模式將轉(zhuǎn)換后的音頻信號和視頻信號傳輸?shù)胶蠹夒娐飞弦詡溥M行后級處理,整個電路具有設(shè)計可以,使用合理等特點。
本發(fā)明通過下述技術(shù)方案實現(xiàn):基于穩(wěn)壓電路供電設(shè)計的多功能攝錄設(shè)備用射頻調(diào)制電路,設(shè)置有音頻信號輸入電路、射頻信號輸出電路、視頻信號輸入電路、供電電路及處理電路,所述處理電路分別與音頻信號輸入電路、射頻信號輸出電路、視頻信號輸入電路及供電電路相連接;在所述供電電路內(nèi)設(shè)置有電阻R9、可控精密穩(wěn)壓源D1、運放芯片U1、三極管Q2、三極管Q1、電容C18、電阻R10、電位器W2、電阻R11及電容C19,電阻R9的第一端分別與三極管Q1的集電極、三極管Q2的集電極及前置輸入電源的一端相連接,電阻R9的第二端連接可控精密穩(wěn)壓源D1的陰極,可控精密穩(wěn)壓源D1的陽極分別與前置輸入電源的另一端、電阻R11的第二端、電容C19的第二端及處理電路相連接;運放芯片U1的同向輸入端連接可控精密穩(wěn)壓源D1的參考級,運放芯片U1的反向輸入端分別連接電容C18的第二端和電位器W2的可調(diào)端,運放芯片U1的輸出端連接三極管Q2的基極,三極管Q2的發(fā)射極連接三極管Q1的基極,三極管Q1的發(fā)射極分別連接電容C18的第一端、電阻R10的第一端、電容C19的第一端及處理電路;電位器W2的第一固定端連接電阻R10的第二端,電位器W2的第二固定端連接電阻R11的第一端。
進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:在所述音頻信號輸入電路內(nèi)設(shè)置有電容C1、電容C2、電阻R1、電阻R2及電容C3,所述電容C1的第一端分別與電阻R1的第一端、電容C2的第一端及前級音頻處理電路相連接,電容C1的第二端接地,電阻R1的第二端分別與電容C2的第二端、電容C3的第一端及電阻R2的第一端相連接,電阻R2的第二端接地,電容C3的第二端連接處理電路。
進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述視頻信號輸入電路內(nèi)設(shè)置有電容C13、電位器W1、電容C14及電感L3,所述電容C13的第一端分別與前級視頻處理電路和電位器W1的第一固定端相連接,電容C13的第二端接地,電位器W1的第二固定端接地,電位器W1的可調(diào)端通過電容C14與定稿L3的第一端相連接,電感L3的第二端與處理電路相連接。
進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述射頻輸出電路內(nèi)設(shè)置有電容C6、電容C7、電感L1、電容C8、電感L2,電容C6的第一端與后級射頻處理電路相連接,電容C6的第二端分別與電容C7的第一端和迪昂L1的第一端相連接,電容C7的第二端接地,電感L1的第二端分別與電容C8的第一端和電感L2的第一端相連接,電容C8的第二端接地,電感L2的第二端連接處理電路。
進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述處理電路內(nèi)設(shè)置有集成處理芯片IC1、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電容C9、電容C10、電容C11、電容C12、電容C15、電容C16、電容C17、晶振X1及電感L4,所述電感L2的第二端分別與電阻R3的第一端和電阻R5的第一端相連接,電阻R5的第二端通過電容C12與集成處理芯片IC1的15腳相連接;電阻R3的第二端通過電容C9與集成處理芯片IC1的2腳相連接,集成處理芯片IC1的2腳還通過電阻R4接地,集成處理芯片IC1的1腳分別連接地和電容C10的第一端,電容C10的第二端連接集成處理芯片IC1的4腳;電感L4與電容C11并聯(lián)且連接在集成處理芯片IC1的4腳和5腳上;所述電感L3的第二端分別與集成處理芯片IC1的16腳和電阻R6的第一端相連接,電阻R6的第二端分別與地和電阻R7的第二端相連接,電容R7的第一端連接集成處理芯片IC1的15腳,集成處理芯片IC1的14腳接地,集成處理芯片的13腳通過電容C15接地,集成處理芯片IC1的12腳通過電容C16接地,電容C16的接地端通過電容C17與晶振X1的第二端、集成處理芯片IC1的10腳和電阻R8的第二端相連接,晶振X1的第一端連接集成處理芯片IC1的11腳,電阻R8的第一端分別與集成處理芯片IC1的8腳和電容C19的第一端相連接,集成處理芯片IC1的7腳連接電容C19的第二端。
進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述電容C14采用電解電容,且電容C14的正極與電感L3相連接;所述電容C18和電容C19皆采用電解電容,且電容C18的正極和電容C19的正極皆連接三極管Q1的發(fā)射極。
進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述可控精密穩(wěn)壓源D1采用型號為TL431的可控精密穩(wěn)壓源,所述運放芯片U1采用芯片型號為LM741單運放芯片。
進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述集成處理芯片IC1采用型號為TA7673P的集成芯片。
進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述晶振X1采用85.25MHz的晶振芯片。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點及有益效果:
本發(fā)明采用可控精密穩(wěn)壓源作為穩(wěn)壓電路的基準電壓,從而實時可調(diào)的輸出所需工作電壓,并為待供電電路提供工作電壓,同時將前級所接收的視頻信號及音頻信號利用處理電路進行轉(zhuǎn)換,并采用射頻工作模式將轉(zhuǎn)換后的音頻信號和視頻信號傳輸?shù)胶蠹夒娐飞弦詡溥M行后級處理,整個電路具有設(shè)計可以,使用合理等特點。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的電路原理圖。
具體實施方式
下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進一步地詳細說明,但本發(fā)明的實施方式不限于此。
實施例1:
基于穩(wěn)壓電路供電設(shè)計的多功能攝錄設(shè)備用射頻調(diào)制電路,采用可控精密穩(wěn)壓源作為穩(wěn)壓電路的基準電壓,從而實時可調(diào)的輸出所需工作電壓,并為待供電電路提供工作電壓,同時將前級所接收的視頻信號及音頻信號利用處理電路進行轉(zhuǎn)換,并采用射頻工作模式將轉(zhuǎn)換后的音頻信號和視頻信號傳輸?shù)胶蠹夒娐飞弦詡溥M行后級處理,整個電路具有設(shè)計可以,使用合理等特點,如圖1所示,特別采用下述設(shè)置方式:設(shè)置有音頻信號輸入電路、射頻信號輸出電路、視頻信號輸入電路、供電電路及處理電路,所述處理電路分別與音頻信號輸入電路、射頻信號輸出電路、視頻信號輸入電路及供電電路相連接;在所述供電電路內(nèi)設(shè)置有電阻R9、可控精密穩(wěn)壓源D1、運放芯片U1、三極管Q2、三極管Q1、電容C18、電阻R10、電位器W2、電阻R11及電容C19,電阻R9的第一端分別與三極管Q1的集電極、三極管Q2的集電極及前置輸入電源的一端相連接,電阻R9的第二端連接可控精密穩(wěn)壓源D1的陰極,可控精密穩(wěn)壓源D1的陽極分別與前置輸入電源的另一端、電阻R11的第二端、電容C19的第二端及處理電路相連接;運放芯片U1的同向輸入端連接可控精密穩(wěn)壓源D1的參考級,運放芯片U1的反向輸入端分別連接電容C18的第二端和電位器W2的可調(diào)端,運放芯片U1的輸出端連接三極管Q2的基極,三極管Q2的發(fā)射極連接三極管Q1的基極,三極管Q1的發(fā)射極分別連接電容C18的第一端、電阻R10的第一端、電容C19的第一端及處理電路;電位器W2的第一固定端連接電阻R10的第二端,電位器W2的第二固定端連接電阻R11的第一端。
實施例2:
本實施例是在上述實施例的基礎(chǔ)上進一步優(yōu)化,進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,如圖1所示,特別采用下述設(shè)置方式:在所述音頻信號輸入電路內(nèi)設(shè)置有電容C1、電容C2、電阻R1、電阻R2及電容C3,所述電容C1的第一端分別與電阻R1的第一端、電容C2的第一端及前級音頻處理電路相連接,電容C1的第二端接地,電阻R1的第二端分別與電容C2的第二端、電容C3的第一端及電阻R2的第一端相連接,電阻R2的第二端接地,電容C3的第二端連接處理電路。
在設(shè)計使用時,前級音頻處理電路內(nèi)輸出的音頻信號將經(jīng)過AUDIO in節(jié)點輸入到音頻信號輸入電路內(nèi)進行音頻信號處理。
實施例3:
本實施例是在上述任一實施例的基礎(chǔ)上進一步優(yōu)化,進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,如圖1所示,特別采用下述設(shè)置方式:所述視頻信號輸入電路內(nèi)設(shè)置有電容C13、電位器W1、電容C14及電感L3,所述電容C13的第一端分別與前級視頻處理電路和電位器W1的第一固定端相連接,電容C13的第二端接地,電位器W1的第二固定端接地,電位器W1的可調(diào)端通過電容C14與定稿L3的第一端相連接,電感L3的第二端與處理電路相連接。
在設(shè)計使用時,前級視頻處理電路輸出的視頻信號將通過VIDEO in節(jié)點輸入到射頻信號輸入電路內(nèi)進行視頻信號處理。
實施例4:
本實施例是在上述任一實施例的基礎(chǔ)上進一步優(yōu)化,進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,如圖1所示,特別采用下述設(shè)置方式:所述射頻輸出電路內(nèi)設(shè)置有電容C6、電容C7、電感L1、電容C8、電感L2,電容C6的第一端與后級射頻處理電路相連接,電容C6的第二端分別與電容C7的第一端和迪昂L1的第一端相連接,電容C7的第二端接地,電感L1的第二端分別與電容C8的第一端和電感L2的第一端相連接,電容C8的第二端接地,電感L2的第二端連接處理電路。
在設(shè)計使用時,處理電路將音頻信號和視頻信號處理為能被射頻信號加載輸出的信號源并通過RF out節(jié)點輸送至后級射頻處理電路內(nèi),以備后續(xù)處理。
實施例5:
本實施例是在上述任一實施例的基礎(chǔ)上進一步優(yōu)化,進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,如圖1所示,特別采用下述設(shè)置方式:所述處理電路內(nèi)設(shè)置有集成處理芯片IC1、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電容C9、電容C10、電容C11、電容C12、電容C15、電容C16、電容C17、晶振X1及電感L4,所述電感L2的第二端分別與電阻R3的第一端和電阻R5的第一端相連接,電阻R5的第二端通過電容C12與集成處理芯片IC1的15腳相連接;電阻R3的第二端通過電容C9與集成處理芯片IC1的2腳相連接,集成處理芯片IC1的2腳還通過電阻R4接地,集成處理芯片IC1的1腳分別連接地和電容C10的第一端,電容C10的第二端連接集成處理芯片IC1的4腳;電感L4與電容C11并聯(lián)且連接在集成處理芯片IC1的4腳和5腳上;所述電感L3的第二端分別與集成處理芯片IC1的16腳和電阻R6的第一端相連接,電阻R6的第二端分別與地和電阻R7的第二端相連接,電容R7的第一端連接集成處理芯片IC1的15腳,集成處理芯片IC1的14腳接地,集成處理芯片的13腳通過電容C15接地,集成處理芯片IC1的12腳通過電容C16接地,電容C16的接地端通過電容C17與晶振X1的第二端、集成處理芯片IC1的10腳和電阻R8的第二端相連接,晶振X1的第一端連接集成處理芯片IC1的11腳,電阻R8的第一端分別與集成處理芯片IC1的8腳和電容C19的第一端相連接,集成處理芯片IC1的7腳連接電容C19的第二端;優(yōu)選的電感L4采用可調(diào)磁芯電感。
實施例6:
本實施例是在上述任一實施例的基礎(chǔ)上進一步優(yōu)化,進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,如圖1所示,特別采用下述設(shè)置方式:所述電容C14采用電解電容,且電容C14的正極與電感L3相連接;所述電容C18和電容C19皆采用電解電容,且電容C18的正極和電容C19的正極皆連接三極管Q1的發(fā)射極。
實施例7:
本實施例是在上述任一實施例的基礎(chǔ)上進一步優(yōu)化,進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述可控精密穩(wěn)壓源D1采用型號為TL431的可控精密穩(wěn)壓源,所述運放芯片U1采用芯片型號為LM741單運放芯片。
實施例8:
本實施例是在上述任一實施例的基礎(chǔ)上進一步優(yōu)化,進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述集成處理芯片IC1采用型號為TA7673P的集成芯片。
實施例9:
本實施例是在上述任一實施例的基礎(chǔ)上進一步優(yōu)化,進一步的為更好的實現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述晶振X1采用85.25MHz的晶振芯片。
以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實施例,并非對本發(fā)明做任何形式上的限制,凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化,均落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。