本申請涉及電子領(lǐng)域，具體涉及一種殼體、其制備方法及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、隨著技術(shù)的發(fā)展及生活水平的提高，人們對于電子設(shè)備(例如手機(jī))的外觀視覺效果提出了更高的要求。為了使電子設(shè)備的電池后蓋具有更好的外觀效果，在后蓋對應(yīng)后置攝像頭的位置通常設(shè)置火山口凸臺，然，現(xiàn)有的火山口凸臺的外觀效果并不理想。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請實(shí)施例提供一種殼體，其具有更好的外觀效果。

2、本申請第一方面實(shí)施例提供了一種殼體，其包括：

3、殼體部；以及

4、凸出部，所述凸出部凸設(shè)于所述殼體部的一側(cè)，所述凸出部具有相連的第一表面及第二表面，所述第一表面為所述凸出部背離所述殼體部的表面，所述第二表面為所述凸出部的側(cè)壁，所述第二表面為凹弧面，所述第二表面在與所述第一表面的連接處的切面與所述第一表面之間的夾角α的范圍為122°≤α≤132°。

5、本申請第二方面實(shí)施例提供了一種殼體的制備方法，其包括：

6、提供基材，所述基材具有預(yù)設(shè)表面；

7、在所述基材的所述預(yù)設(shè)表面的一部分上形成保護(hù)層；以及

8、對所述基材的所述預(yù)設(shè)表面上除所述保護(hù)層以外的區(qū)域進(jìn)行減薄處理，以得到所述殼體，其中，所述殼體包括殼體部及凸出部，所述凸出部凸設(shè)于所述殼體部的一側(cè)，所述凸出部具有相連的第一表面及第二表面，所述第一表面為所述凸出部背離所述殼體部的表面，所述第二表面為所述凸出部的側(cè)壁，所述第二表面為凹弧面，所述第二表面在與所述第一表面的連接處的切面與所述第一表面之間的夾角α的范圍為122°≤α≤132°。

9、本申請第三方面實(shí)施例提供一種電子設(shè)備，其包括：

10、顯示屏；

11、本申請第一方面所述的殼體或權(quán)本申請第二方面所述的殼體的制備方法制得的殼體，所述殼體與所述顯示屏相背設(shè)置，所述凸出部背離所述顯示屏設(shè)置；以及

12、處理器，所述處理器位于所述殼體與所述顯示屏之間，所述處理器與所述顯示屏電連接，用于控制所述顯示屏進(jìn)行顯示。顯示組件；

13、本申請實(shí)施例的殼體包括殼體部以及凸出部，所述凸出部凸設(shè)于所述殼體部的一側(cè)，所述凸出部具有相連的第一表面及第二表面，所述第一表面為所述凸出部背離所述殼體部的表面，所述第二表面為所述凸出部的側(cè)壁，所述第二表面為凹弧面，所述第二表面在與所述第一表面的連接處的切面與所述第一表面之間的夾角α的范圍為122°≤α≤132°。通過對所述第二表面在與所述第一表面的連接處的切面與所述第一表面之間的夾角α的設(shè)計(jì)，從而使得殼體的凸出部的棱線更加挺拔，具有更好的外觀效果，此外，還可以使得殼體更易于加工，具有更高的加工良率。

技術(shù)特征：

1.一種殼體，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于，所述第二表面連接所述第一表面的一端的曲率半徑小于所述第二表面連接所述殼體部的一端的曲率半徑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于，所述第二表面自連接所述第一表面的一端向背離所述第一表面的一端的曲率半徑先逐漸減小，再逐漸增大。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于，所述第二表面的最小曲率半徑r的范圍為1.7mm≤r≤2.7mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于，所述第一表面與所述第二表面相交形成棱線，所述棱線的段差△h的范圍為5μm≤△h≤15μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于，所述殼體部面向所述凸出部的表面為第三表面上，所述第二表面在所述第三表面上的正投影的線寬w的范圍為2mm≤w≤2.4mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的殼體，其特征在于，沿所述殼體部與所述凸出部的排布方向上，所述凸出部的高度h的范圍為0.93mm≤h≤1.03mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的殼體，其特征在于，所述第一表面為光滑表面，所述第二表面及所述第三表面均為粗糙表面。

9.一種殼體的制備方法，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的殼體的制備方法，其特征在于，所述保護(hù)層的鉛筆硬度的范圍為2h至3h。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的殼體的制備方法，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度的范圍為30μm至60μm，所述保護(hù)層的尺寸相較于所述凸出部的尺寸外擴(kuò)2mm至3mm。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的殼體的制備方法，其特征在于，所述對所述基材的所述預(yù)設(shè)表面上除所述保護(hù)層以外的區(qū)域進(jìn)行減薄處理之后，所述制備方法還包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的殼體的制備方法，其特征在于，所述對所述基材的所述預(yù)設(shè)表面上除所述保護(hù)層以外的區(qū)域進(jìn)行減薄處理之后，所述對所述殼體部面向所述凸出部的表面及所述凸出部的側(cè)壁進(jìn)行拋光之前；所述制備方法還包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的殼體的制備方法，其特征在于，所述對所述基材的所述預(yù)設(shè)表面上除所述保護(hù)層以外的區(qū)域進(jìn)行減薄處理之后，所述制備方法還包括：

15.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N殼體、其制備方法及電子設(shè)備。本申請實(shí)施例的殼體包括：殼體部；以及凸出部，所述凸出部凸設(shè)于所述殼體部的一側(cè)，所述凸出部具有相連的第一表面及第二表面，所述第一表面為所述凸出部背離所述殼體部的表面，所述第二表面為所述凸出部的側(cè)壁，所述第二表面為凹弧面，所述第二表面在與所述第一表面的連接處的切面與所述第一表面之間的夾角α的范圍為122°≤α≤132°。本申請實(shí)施例的殼體具有更好的外觀效果。

技術(shù)研發(fā)人員：詹建波,董康,張濤,韓澤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市萬普拉斯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19