1.一種應(yīng)用于pam4的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括：pam4映射電路、預(yù)驅(qū)動(dòng)器電源、驅(qū)動(dòng)器電源、預(yù)驅(qū)動(dòng)器電路、n-over-n驅(qū)動(dòng)器電路、阻抗校準(zhǔn)電路、以及端接電阻器；其中，所述預(yù)驅(qū)動(dòng)器電源耦合到所述預(yù)驅(qū)動(dòng)器電路并為所述預(yù)驅(qū)動(dòng)器電路提供電源，所述驅(qū)動(dòng)器電源耦合到所述n-over-n驅(qū)動(dòng)器電路和所述阻抗校準(zhǔn)電路并為所述n-over-n驅(qū)動(dòng)器電路和所述阻抗校準(zhǔn)電路提供電源，所述阻抗校準(zhǔn)電路耦合到所述n-over-n驅(qū)動(dòng)器電路的輸出端，所述端接電阻器耦合到所述n-over-n驅(qū)動(dòng)器電路的輸出端；
2.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述n-over-n驅(qū)動(dòng)器電路包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，每個(gè)驅(qū)動(dòng)單元包括msb驅(qū)動(dòng)單元和lsb驅(qū)動(dòng)單元；
3.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述阻抗校準(zhǔn)電路包括多個(gè)校準(zhǔn)單元，每個(gè)校準(zhǔn)單元包括：第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管以及第八晶體管；所述第五晶體管的柵極和所述第八晶體管的柵極相連于第五節(jié)點(diǎn)，所述第五晶體管的漏極和所述第六晶體管的漏極相連，所述第五晶體管的源極和所述第七晶體管的漏極相連于第六節(jié)點(diǎn)，所述第六晶體管的源極和所述第八晶體管的漏極相連于第七節(jié)點(diǎn)，所述第七晶體管的源極和所述第八晶體管的源極相連，所述第六晶體管的柵極和所述第七晶體管的柵極相連于第八節(jié)點(diǎn)；
4.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述端接電阻器分別耦合到所述n-over-n驅(qū)動(dòng)器電路的第一輸出端和第二輸出端。
5.如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括：電阻檢測模塊，所述電阻檢測模塊的輸入分別耦合到所述預(yù)驅(qū)動(dòng)器電源和驅(qū)動(dòng)器電源，所述電阻檢測模塊的輸出耦合到所述端接電阻器的輸出端并用于指示當(dāng)前電阻值是否符合預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)。
6.如權(quán)利要求5所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電阻檢測模塊采用以下任一方式實(shí)現(xiàn)：模數(shù)轉(zhuǎn)換器、模擬比較器。
7.如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括：擺幅檢測模塊，所述擺幅檢測模塊的輸入分別耦合到所述預(yù)驅(qū)動(dòng)器電源和驅(qū)動(dòng)器電源，所述擺幅檢測模塊的輸出耦合到所述端接電阻器的輸出端并用于指示當(dāng)前擺幅值是否符合預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)。
8.如權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述擺幅檢測模塊采用以下任一方式實(shí)現(xiàn)：模數(shù)轉(zhuǎn)換器、模擬比較器。
9.一種應(yīng)用于pam4的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路，所述方法包括：
10.如權(quán)利要求9所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，當(dāng)所述n-over-n驅(qū)動(dòng)器電路的輸出信號的擺幅不滿足要求時(shí)，增加或減少一個(gè)并聯(lián)接入所述端接電阻器的所述阻抗校準(zhǔn)電路的校準(zhǔn)單元個(gè)數(shù)，進(jìn)一步包括：