本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體集成電路(ic)行業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)級(jí)增長。隨著集成電路的不斷縮小，越來越多的器件被集成到單個(gè)芯片中。這種按比例縮小的過程通常通過提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本來提供益處。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本申請(qǐng)的實(shí)施例的一個(gè)方面，公開了一種半導(dǎo)體器件，包括：形成在襯底的第一側(cè)上的第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān)和第四開關(guān)，其中，第一開關(guān)和第二開關(guān)串聯(lián)連接在第一參考電壓和輸出電壓之間，并且其中，第三開關(guān)和第四開關(guān)串聯(lián)連接在第一參考電壓和第二參考電壓之間；以及電容器，形成在襯底的與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)上，并且具有第一端子和第二端子；其中，第一端子耦合到第一開關(guān)和第二開關(guān)之間的第一節(jié)點(diǎn)，并且第二端子耦合到第三開關(guān)和第四開關(guān)之間的第二節(jié)點(diǎn)。

2、根據(jù)本申請(qǐng)的實(shí)施例的另一個(gè)方面，公開了一種半導(dǎo)體器件，包括：形成在襯底的第一側(cè)上的第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管，其中，第一晶體管到第四晶體管中的每個(gè)具有第一源極/漏極端子和第二源極/漏極端子；以及多個(gè)第一金屬軌道和多個(gè)第二金屬軌道，形成在襯底的與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)上；其中，第一金屬軌道中的每個(gè)具有電耦合到第一晶體管的第二源極/漏極端子以及電耦合到第二晶體管的第一源極/漏極端子的第一部分；其中，第二金屬軌道中的每個(gè)具有電耦合到第三晶體管的第二源極/漏極端子和電耦合到第四晶體管的第一源極/漏極端子的第二部分；并且其中，第一金屬軌道中的每個(gè)與第二金屬軌道中的一個(gè)或多個(gè)相鄰的第二金屬軌道物理間隔開。

3、根據(jù)本申請(qǐng)的實(shí)施例的又一個(gè)方面，公開了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：在襯底的前側(cè)上形成第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管，其中，第一晶體管和第二晶體管彼此連接，其中第一晶體管的第一源極/漏極端子和第二晶體管的第一源極/漏極端子在第一公共節(jié)點(diǎn)處彼此連接，并且第三晶體管和第四晶體管彼此連接，其中第三晶體管的第一源極/漏極端子和第四晶體管的第一源極/漏極端子在第二公共節(jié)點(diǎn)處彼此連接；在第一晶體管到第四晶體管上方形成多個(gè)前側(cè)金屬軌道，其中，前側(cè)金屬軌道中的第一前側(cè)金屬軌道耦合到第一晶體管和第三晶體管的相應(yīng)的第二源極/漏極端子，并且前側(cè)金屬軌道中的第二前側(cè)金屬軌道耦合到第二晶體管和第四晶體管的相應(yīng)的第二源極/漏極端子；以及在襯底的背側(cè)上形成多個(gè)背側(cè)金屬軌道，其中，多個(gè)背金屬軌道利用至少一種電介質(zhì)彼此間隔開，并且其中，多個(gè)背側(cè)金屬軌道的第一子集耦合到第一晶體管的第一源極/漏極端子和第二晶體管的第一源極/漏極端子，并且多個(gè)背側(cè)金屬軌道的第二子集耦合到第三晶體管的第一源極/漏極端子和第四晶體管的第一源極/漏極端子。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一開關(guān)和所述第四開關(guān)被配置為被激活，而所述第二開關(guān)和所述第三開關(guān)被配置為被去激活，從而使得所述第一端子和所述第二端子處的電壓分別等于所述第一參考電壓和所述第二參考電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述第一端子處的電壓等于所述第一參考電壓之后，所述第一開關(guān)和所述第四開關(guān)被配置為被去激活，而所述第二開關(guān)和所述第三開關(guān)被配置為被激活，使得所述第一端子處的電壓和所述第二端子處的電壓分別等于所述第一參考電壓和所述第一參考電壓的倍數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)第一金屬軌道共同用作所述電容器的所述第一端子，并且所述多個(gè)第二金屬軌道共同用作所述電容器的所述第二端子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一開關(guān)至所述第四開關(guān)中的每個(gè)包括具有源極端子和漏極端子的晶體管，其中，所述源極端子或所述漏極端子耦合到所述電容器的所述第一端子或所述第二端子中的一個(gè)。

7.一種半導(dǎo)體器件，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一金屬軌道中的每個(gè)與所述一個(gè)或多個(gè)相鄰的第二金屬軌道物理間隔開，金屬間電介質(zhì)和高k電介質(zhì)介于所述第一金屬軌道中的每個(gè)與所述一個(gè)或多個(gè)相鄰的第二金屬軌道之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一金屬軌道的相應(yīng)的第一部分沿著與所述第一金屬軌道和所述第二金屬軌道的長度方向垂直的橫向方向彼此對(duì)齊，并且其中，所述第二金屬軌道的相應(yīng)的第二部分也沿著所述橫向方向彼此對(duì)齊。

10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)的實(shí)施例提供了半導(dǎo)體器件及其制造方法。半導(dǎo)體器件包括形成在襯底的第一側(cè)上的第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān)和第四開關(guān)，其中第一開關(guān)和第二開關(guān)串聯(lián)連接在第一參考電壓和輸出電壓之間，并且其中，第三開關(guān)和第四開關(guān)串聯(lián)連接在第一參考電壓和第二參考電壓之間。半導(dǎo)體器件包括電容器，形成在襯底的與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)上，并且具有第一端子和第二端子。第一端子耦合到第一開關(guān)和第二開關(guān)之間的第一節(jié)點(diǎn)，并且第二端子耦合到第三開關(guān)和第四開關(guān)之間的第二節(jié)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：林育緯,張盟昇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19