本申請(qǐng)涉及集成半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲(chǔ)器的制備方法、存儲(chǔ)器、器件及設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory，dram)通常采用一個(gè)晶體管和一個(gè)電容(1t1c)的結(jié)構(gòu)作為芯片的存儲(chǔ)單元。通過(guò)架構(gòu)的不斷演化，dram存儲(chǔ)單元的面積為4f2(f為特征尺寸)。但是，隨著摩爾定律的延續(xù)，傳統(tǒng)dram的面積微縮遇到瓶頸。亟需一種能夠減小dram存儲(chǔ)單元的面積并提高存儲(chǔ)密度的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N存儲(chǔ)器的制備方法、存儲(chǔ)器、器件及設(shè)備，可以減小存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元的面積，并提高存儲(chǔ)密度和集成度。

2、第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器的制備方法，該方法包括：在襯底上形成堆疊結(jié)構(gòu)，堆疊結(jié)構(gòu)包括：在第一方向上依次堆疊的第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、位線bl結(jié)構(gòu)以及第一有源結(jié)構(gòu)，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、bl結(jié)構(gòu)和第一有源結(jié)構(gòu)在bl區(qū)域內(nèi)沿第一方向自對(duì)準(zhǔn)，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的摻雜濃度與第一有源結(jié)構(gòu)的摻雜濃度相同，bl結(jié)構(gòu)的摻雜濃度與第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的摻雜濃度不同；基于第一有源結(jié)構(gòu)，形成第一存儲(chǔ)器；對(duì)第一存儲(chǔ)器進(jìn)行倒片并去除襯底，以暴露第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；在bl區(qū)域內(nèi)刻蝕第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以形成第二有源結(jié)構(gòu)；基于第二有源結(jié)構(gòu)，形成第二存儲(chǔ)器，其中，第一存儲(chǔ)器中的第一源漏結(jié)構(gòu)和第二存儲(chǔ)器中的第二源漏結(jié)構(gòu)共用bl結(jié)構(gòu)。

3、在一種可能的實(shí)施方式中，在襯底上形成堆疊結(jié)構(gòu)，包括：在襯底上沿第一方向依次堆疊形成第一材料層、第二材料層以及第三材料層；在字線wl區(qū)域?qū)Φ谝徊牧蠈印⒌诙牧蠈右约暗谌牧蠈舆M(jìn)行刻蝕，以形成第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、bl結(jié)構(gòu)以及第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；在bl區(qū)域內(nèi)刻蝕第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以形成第一有源結(jié)構(gòu)。

4、在一種可能的實(shí)施方式中，基于第一有源結(jié)構(gòu)，形成第一存儲(chǔ)器，包括：基于第一有源結(jié)構(gòu)，形成第一晶體管；在第一晶體管上形成第一電容結(jié)構(gòu)；基于第二有源結(jié)構(gòu)，形成第二存儲(chǔ)器，包括：基于第二有源結(jié)構(gòu)，形成第二晶體管；在第二晶體管上形成第二電容結(jié)構(gòu)。

5、在一種可能的實(shí)施方式中，基于第一有源結(jié)構(gòu)，形成第一晶體管，包括：基于第一有源結(jié)構(gòu)，形成第一柵極結(jié)構(gòu)；在bl區(qū)域內(nèi)去除第一柵極結(jié)構(gòu)，形成第一凹槽；在wl區(qū)域內(nèi)的第一柵極結(jié)構(gòu)上以及第一凹槽內(nèi)沉積絕緣材料，以形成第一絕緣層，第一絕緣層的上表面與第一掩膜的上表面齊平，第一掩膜位于第一有源結(jié)構(gòu)上；去除第一掩膜，形成第二凹槽；在第二凹槽內(nèi)形成第一源漏結(jié)構(gòu)。

6、在一種可能的實(shí)施方式中，第一柵極結(jié)構(gòu)包括第一柵電極層和環(huán)繞第一柵電極層的第一柵介質(zhì)層，第一柵電極層的高度低于第一柵介質(zhì)層的高度；在bl區(qū)域內(nèi)去除第一柵極結(jié)構(gòu)，形成第一凹槽，包括：在位于bl區(qū)域內(nèi)的第一柵電極層上形成犧牲層，犧牲層的上表面與第一柵介質(zhì)層的上表面齊平；各向異性刻蝕犧牲層的底部和位于犧牲層下方的第一柵電極層，以形成第一凹槽。

7、在一種可能的實(shí)施方式中，在第一晶體管上形成第一電容結(jié)構(gòu)，包括：在第一源漏結(jié)構(gòu)上形成第一介質(zhì)層；刻蝕第一介質(zhì)層的第一部分，以暴露第一源漏結(jié)構(gòu)；在第一源漏結(jié)構(gòu)上形成第一電容結(jié)構(gòu)。

8、在一種可能的實(shí)施方式中，基于第二有源結(jié)構(gòu)，形成第二晶體管，包括：基于第二有源結(jié)構(gòu)，形成第二柵極結(jié)構(gòu)；在bl區(qū)域內(nèi)去除第二柵極結(jié)構(gòu)，形成第三凹槽；在wl區(qū)域內(nèi)的第二柵極結(jié)構(gòu)上以及第三凹槽內(nèi)沉積絕緣材料，以形成第二絕緣層，第二絕緣層的上表面與第二掩膜的上表面齊平，第二掩膜位于第二有源結(jié)構(gòu)上；去除第二掩膜，形成第四凹槽；在第四凹槽內(nèi)形成第二源漏結(jié)構(gòu)。

9、第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器采用如上述第一方面及其任一實(shí)施方式中所述的制備方法制成，包括：bl結(jié)構(gòu)；第一存儲(chǔ)器；第二存儲(chǔ)器，第二存儲(chǔ)器與第一存儲(chǔ)器相背設(shè)置，第二存儲(chǔ)器中的第一源漏結(jié)構(gòu)與第一存儲(chǔ)器中的第二源漏結(jié)構(gòu)共用bl結(jié)構(gòu)。

10、第三方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：如上述第二方面所述的存儲(chǔ)器。

11、第四方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括：電路板以及如上述第三方面所述的半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體器件設(shè)置于電路板。

12、在本申請(qǐng)中，通過(guò)在襯底上形成在bl區(qū)域內(nèi)自對(duì)準(zhǔn)的第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、bl結(jié)構(gòu)以及第一有源結(jié)構(gòu)，之后可以基于正面的有源結(jié)構(gòu)(第一有源結(jié)構(gòu))，制備第一存儲(chǔ)器(正面存儲(chǔ)器)；對(duì)正面存儲(chǔ)器進(jìn)行倒片并去除襯底，以暴露第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；然后在bl區(qū)域刻蝕第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，形成第二有源結(jié)構(gòu)；最后基于第二有源結(jié)構(gòu)，制備第二存儲(chǔ)器(背面存儲(chǔ)器)。本申請(qǐng)通過(guò)bl區(qū)域一體化成型，保證了正背面bl的自對(duì)準(zhǔn)。通過(guò)晶圓鍵合和倒片，實(shí)現(xiàn)正背面集成4f2大小的兩個(gè)存儲(chǔ)單元，因此存儲(chǔ)器的等效面積為2f2，相當(dāng)于減小了存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元的面積，并提高了存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)密度和集成度。

13、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本申請(qǐng)。

技術(shù)特征：

1.一種存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在襯底上形成堆疊結(jié)構(gòu)，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一有源結(jié)構(gòu)，形成第一存儲(chǔ)器，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一有源結(jié)構(gòu)，形成第一晶體管，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一柵極結(jié)構(gòu)包括第一柵電極層和環(huán)繞所述第一柵電極層的第一柵介質(zhì)層，所述第一柵電極層的高度低于所述第一柵介質(zhì)層的高度；

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述在所述第一晶體管上形成第一電容結(jié)構(gòu)，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述第二有源結(jié)構(gòu)，形成第二晶體管，包括：

8.一種存儲(chǔ)器，使用如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述制備方法制備而成，其特征在于，包括：

9.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器。

10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：電路板以及如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件設(shè)置于所述電路板。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N存儲(chǔ)器的制備方法、存儲(chǔ)器、器件及設(shè)備，方法包括：在襯底上形成依次堆疊的第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、BL結(jié)構(gòu)和第一有源結(jié)構(gòu)，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的摻雜濃度與第一有源結(jié)構(gòu)的摻雜濃度相同，BL結(jié)構(gòu)的摻雜濃度與第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的摻雜濃度不同；基于第一有源結(jié)構(gòu)，形成第一存儲(chǔ)器；對(duì)第一存儲(chǔ)器進(jìn)行倒片并去除襯底，以暴露第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；在BL區(qū)域刻蝕第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，形成第二有源結(jié)構(gòu)；基于第二有源結(jié)構(gòu)，形成第二存儲(chǔ)器，第一存儲(chǔ)器的第一源漏結(jié)構(gòu)和第二存儲(chǔ)器的第二源漏結(jié)構(gòu)共用BL結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)可以提高存儲(chǔ)器的集成度。

技術(shù)研發(fā)人員：吳恒,劉煜,王潤(rùn)聲,黎明,黃如
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19