1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：第一溝道層、第二溝道層、第一柵介質(zhì)層、第二底柵介質(zhì)層、第二頂柵介質(zhì)層、第一電極、第二電極、第三電極、第四電極和第五電極；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二電極和所述第三電極均設(shè)置于所述第一溝道層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，且所述第二溝道層設(shè)置于所述第二電極和所述第五電極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三電極、所述第四電極、所述第五電極與所述第二溝道層組成一組功能組件，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括多組間隔設(shè)置的所述功能組件，所述第二電極設(shè)置于相鄰的兩組所述功能組件之間，且所述第二電極電連接于兩組所述功能組件中的兩個所述第二溝道層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于所述第二電極兩側(cè)的兩個所述第三電極設(shè)置于同一個所述第一溝道層上，所述第一電極也有兩個，兩個所述第一電極間隔設(shè)置，所述第一溝道層設(shè)置于兩個所述第一電極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層設(shè)置于所述襯底與所述第一柵介質(zhì)層之間，且所述第一電極位于所述第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的凹陷區(qū)域內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二電極包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層依次層疊設(shè)置于所述第一溝道層上，所述第二導(dǎo)電層的底面低于所述第二溝道層的底面，所述第二導(dǎo)電層的頂面高于所述第二溝道層的頂面，所述第二導(dǎo)電層的兩側(cè)突出于所述第一導(dǎo)電層的兩側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括位線導(dǎo)電層，所述位線導(dǎo)電層設(shè)置于所述第二電極上且電連接于所述第二電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一溝道層的材料和/或所述第二溝道層的材料包括帶隙大于2ev的金屬氧化物半導(dǎo)體材料。
9.一種如權(quán)利要求1～8任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述第一溝道層上制備第一導(dǎo)電層和所述第三電極的步驟中，制備兩個分別設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層兩側(cè)的所述第三電極；
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層制備于所述電極開口中，所述第二導(dǎo)電層的兩側(cè)突出于所述第一導(dǎo)電層的兩側(cè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述襯底上制備所述第一電極的步驟包括：在所述襯底上制備兩個間隔設(shè)置的第一電極；所述第一柵介質(zhì)層和所述第一溝道層覆蓋于兩個所述第一電極上。
13.根據(jù)權(quán)利要求9～12任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述第一溝道層上制備第一導(dǎo)電層和所述第三電極的步驟包括：
14.一種存儲器，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1～8任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
15.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲器。