技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述犧牲部和所述導(dǎo)電接觸部，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)電接觸部之間的間距為15nm～30nm，所述犧牲部之間的間距為20nm～35nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述絕緣層包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述初始位線結(jié)構(gòu)包括位線導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和覆蓋于所述位線導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的頂部及側(cè)壁的位線隔離層，所述導(dǎo)電接觸層的頂部高于所述位線導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的頂部，在形成所述導(dǎo)電層之前，所述形成方法還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，形成所述導(dǎo)電層包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的形成方法，其特征在于，所述犧牲部和所述導(dǎo)電接觸部在所述襯底上的正投影均呈條狀，所述導(dǎo)電接觸部在所述襯底上的正投影覆蓋多個(gè)所述有源區(qū)的所述第二摻雜區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的形成方法，其特征在于，所述犧牲部和所述導(dǎo)電接觸部均呈陣列分布，各所述導(dǎo)電接觸部分別與不同的所述第二摻雜區(qū)接觸連接。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層還填滿各所述犧牲部之間的間隙，所述絕緣層包括填充相鄰兩個(gè)所述犧牲部之間的間隙的第一部分以及填充相鄰兩個(gè)所述導(dǎo)電接觸部之間的間隙的第二部分；在平行于所述襯底的方向上，所述第一部分的寬度大于所述第二部分的寬度。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電接觸部之間的間距為15nm～30nm，所述犧牲部之間的間距為20nm～35nm。

13.根據(jù)權(quán)利要求10-12任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述犧牲部和所述導(dǎo)電接觸部在所述襯底上的正投影均呈條狀，所述導(dǎo)電接觸部在所述襯底上的正投影覆蓋多個(gè)所述有源區(qū)的所述第二摻雜區(qū)。

14.根據(jù)權(quán)利要求10-12任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述犧牲部和所述導(dǎo)電接觸部均呈陣列分布，各所述導(dǎo)電接觸部分別與不同的所述第二摻雜區(qū)接觸連接。

15.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，包括由權(quán)利要求5-9任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本公開是關(guān)于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲(chǔ)器，該形成方法包括：提供襯底和初始位線結(jié)構(gòu)，襯底包括第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，初始位線結(jié)構(gòu)與第一摻雜區(qū)電連接，初始位線結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)具有露出第二摻雜區(qū)的頂部的第一窗口；形成接觸材料層，接觸材料層填滿第一窗口；在接觸材料層的表面形成犧牲層；在犧牲層及接觸材料層內(nèi)形成多個(gè)間隔分布的犧牲部以及多個(gè)分別位于犧牲部下方的導(dǎo)電接觸部；導(dǎo)電接觸部與第二摻雜區(qū)電連接；相鄰的兩個(gè)犧牲部之間的間距大于其下方的兩個(gè)導(dǎo)電接觸部之間的間距；形成填滿各導(dǎo)電接觸部之間的間隙的絕緣層。本公開的形成方法可降低絕緣層中產(chǎn)生空隙的概率，提高產(chǎn)品良率。

技術(shù)研發(fā)人員：王曉玲,彭孟杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19