1.一種高效率并聯(lián)型E逆F類功率放大器匹配電路,其特征在于:晶體管輸出端包括:并聯(lián)型E類功率放大器電路、逆F類高次諧波控制電路及晶體管偏置電路;所述并聯(lián)型E逆F類電路位于晶體管輸出端和負載阻抗之間。
2.根據權利要求1所述一種高效率并聯(lián)型E逆F類功率放大器匹配電路,其特征在于:所述的并聯(lián)型E類功率放大器由并聯(lián)的L、C和串聯(lián)的L0、C0組成;所述的逆F類高次諧波控制電路由串聯(lián)的Ln、Cn組成;所述的偏置電路由電源Vbb到晶體管基極的電路和電源Vcc到晶體管集電極的電路組成;所述功率放大結構為共射極的功放管,所述功放管的輸入端為基極,輸出端為集電極。
3.根據權利要求1所述一種高效率并聯(lián)型E逆F類功率放大器匹配電路,其特征在于:負載網絡由并聯(lián)電感L、并聯(lián)電容C、對于n次諧波諧振的串聯(lián)Ln和Cn電路、基波的串聯(lián)L0和C0諧振電路、負載R構成;晶體管被看做一個在關斷到導通狀態(tài)下切換的理想開關;當開關處于開路狀態(tài)時,晶體管集電極電壓波形由負載網絡的短暫響應所決定。