本實用新型涉及電子元器件技術，特別是涉及一種自尋拐點式恒溫晶體振蕩器的技術。

背景技術：

晶體是恒溫晶體振蕩器的重要組成部件，尋找晶體F-T（頻率VS溫度）特性下的拐點是恒溫晶體振蕩器溫度特性好壞的關鍵所在。 傳統(tǒng)的恒溫晶體振蕩器的溫度穩(wěn)定度的調節(jié)需要借助恒溫箱模擬晶振外部環(huán)境溫度的變化所引起的頻率變化大小來尋找晶體的拐點，一致性較差，調試很不方便。

技術實現要素：

針對上述現有技術中存在的缺陷，本實用新型所要解決的技術問題是提供一種一致性好，調試方便的自尋拐點式恒溫晶體振蕩器。

為了解決上述技術問題，本實用新型所提供的一種自尋拐點式恒溫晶體振蕩器，包括恒溫槽，及安裝在恒溫槽內的晶體振蕩電路、加熱管，恒溫槽內設有用于控制加熱管運行的MCU溫控電路；其特征在于：

所述恒溫槽內設有連接MCU溫控電路的溫度傳感器；恒溫槽的外部設有用于采集晶體振蕩電路輸出頻率的頻率采集模塊，及用于檢測頻率變化量的頻率分析模塊；

所述頻率采集模塊的頻率采集端口接到晶體振蕩電路的頻率輸出端口，頻率分析模塊通過通信線纜與頻率采集模塊互聯，并通過通信線纜與MCU溫控電路互聯。

本實用新型提供的自尋拐點式恒溫晶體振蕩器，利用頻率采集模塊及頻率分析模塊自動尋找晶體振蕩電路，可以在晶體振蕩電路工作溫度區(qū)間的任何一個溫度點下能夠自動找到晶體振蕩電路的拐點且自我保存，具有溫度特性一致性好及調試方便的特點。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例的自尋拐點式恒溫晶體振蕩器的結構示意圖。

圖2是恒溫槽內部溫度與晶體振蕩電路輸出頻率的變化曲線圖。

具體實施方式

以下結合附圖說明對本實用新型的實施例作進一步詳細描述，但本實施例并不用于限制本實用新型，凡是采用本實用新型的相似結構及其相似變化，均應列入本實用新型的保護范圍，本實用新型中的頓號均表示和的關系。

如圖1所示，本實用新型實施例所提供的一種自尋拐點式恒溫晶體振蕩器，包括恒溫槽M1，及安裝在恒溫槽內的晶體振蕩電路U1、加熱管U2，恒溫槽內設有用于控制加熱管運行的MCU溫控電路U3；其特征在于：

所述恒溫槽內設有連接MCU溫控電路U3的溫度傳感器（圖中未示）；恒溫槽的外部設有用于采集晶體振蕩電路輸出頻率的頻率采集模塊U4，及用于檢測頻率變化量的頻率分析模塊U5；

所述頻率采集模塊U4的頻率采集端口接到晶體振蕩電路U1的頻率輸出端口，頻率分析模塊U5通過通信線纜與頻率采集模塊U4互聯，并通過通信線纜與MCU溫控電路U3互聯。

本實用新型實施例中，所述MCU溫控電路、頻率采集模塊、頻率分析模塊均為現有技術，MCU溫控電路、頻率分析模塊均采用單片機及其外圍電路構成。

本實用新型實施例的工作原理如下：

晶體振蕩電路工作時，MCU溫控電路通過溫度傳感器實時檢測恒溫槽內部溫度，并控制加熱管進行發(fā)熱，使恒溫槽內部溫度逐漸升高，與此同時，頻率分析模塊持續(xù)的采集晶體振蕩電路的輸出頻率，并將采集的數據發(fā)送給頻率分析模塊，頻率分析模塊對晶體振蕩電路的輸出頻率進行持續(xù)的記錄，得到恒溫槽內部溫度與晶體振蕩電路輸出頻率的變化曲線（參見圖2），并根據該變化曲線找出晶體振蕩電路輸出頻率變化最小處的溫度點，該溫度點就是晶體振蕩電路對應的拐點，圖2所示的恒溫槽內部溫度與晶體振蕩電路輸出頻率的變化曲線中，晶體振蕩電路對應的拐點為110℃；

頻率分析模塊找出晶體振蕩電路對應的拐點后，將該拐點對應的溫度值發(fā)送給MCU溫控電路，MCU溫控電路收到該拐點對應的溫度值后，即根據該拐點對應的溫度值及溫度傳感器所檢測到的恒溫槽內部溫度值，控制加熱管適時的加熱或停止加熱，使得恒溫槽內部溫度值能穩(wěn)定在該拐點對應的溫度值。