本發(fā)明涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種rc振蕩器及dc-dc電源芯片。

背景技術(shù)：

隨著cmos工藝技術(shù)的發(fā)展，振蕩器的應(yīng)用也越來越廣，振蕩器為用來產(chǎn)生重復(fù)電子訊號(通常是正弦波或方波)的電子元件，其構(gòu)成的電路叫振蕩電路。具體可為一種將直流電轉(zhuǎn)換為具有一定頻率交流電信號輸出的電子電路或裝置。

常用的振蕩器有rc振蕩器、環(huán)形振蕩器和晶振，由于rc振蕩器具有成本低、無電感、頻率可調(diào)、以及電容電阻都能集成到芯片中等優(yōu)點(diǎn)，具有較大的應(yīng)用空間。但是rc振蕩器精度較低，一般在1％到10％之間，對工藝參數(shù)和溫度的變化敏感，工作電壓影響其振蕩頻率，迫使rc振蕩器只能在低成本，低精度的應(yīng)用中，如音頻發(fā)生器，報(bào)警器，閃光指示燈等。

現(xiàn)有技術(shù)中，為了充分利用rc振蕩器的優(yōu)勢，避免rc振蕩器的劣勢，例如穩(wěn)定性較差、精度較低，通常采用如1所示的rc振蕩器電路結(jié)構(gòu)圖。上電后，當(dāng)比較器的正端電壓小于負(fù)端電壓vn時(shí)，out為低電平，電源通過r1對電容c1充電。當(dāng)正端電壓上升到負(fù)端電壓vn時(shí)，out跳為高電平，同時(shí)使場效應(yīng)管m1、m2導(dǎo)通。電容c1通過m1放電，正端電壓下降。當(dāng)下降到vn后比較器再次翻轉(zhuǎn)，out輸出低電平。這種結(jié)構(gòu)的rc振蕩器通過分別設(shè)置電容充電和放電的比較電壓值以及選擇電容c1的值來得到一定占空比的振蕩波形的輸出。

盡管上述這種基于比較器結(jié)構(gòu)的rc振蕩器在正端和負(fù)端都引入了電源電壓，可以在一定程度上抑制電源電壓對振蕩頻率的影響，但是比較器遲滯時(shí)間會引入誤差，頻率越高，誤差越大，并且占空比不易調(diào)節(jié)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種rc振蕩器及dc-dc電源芯片，不僅電路結(jié)構(gòu)簡單，易于集成，還提高了rc振蕩器的精度。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供以下技術(shù)方案：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種rc振蕩器，包括：

比較器、第一電容、第一開關(guān)管、第一電阻、電流產(chǎn)生模塊、電壓補(bǔ)償模塊、以及整形模塊；

所述電流產(chǎn)生模塊包括充電電流輸出端及基準(zhǔn)電流輸出端，用于為rc振蕩器提供工作電流；所述充電電流輸出端分別與所述比較器的反向端、所述第一電容的一端、所述第一開關(guān)管的漏極相連；所述基準(zhǔn)電流輸出端與所述比較器的正向端、所述第一電阻的一端相連；所述第一電容的另一端、所述第一開關(guān)管的源極、所述第一電阻的另一端接地；

所述電壓補(bǔ)償模塊包括第二開關(guān)管、第二電阻以及第二電容，用于為所述rc振蕩器提供電壓補(bǔ)償；所述第二開關(guān)管的源極與電源輸入端相連，柵極同時(shí)與所述rc振蕩器的輸出端及與所述整形模塊相連，漏極與所述第二電阻的一端相連；所述第二電容的一端接地，另一端同時(shí)與所述第二電阻的另一端及所述比較器的輸出端相連；

所述整形模塊用于對所述比較器輸出的振蕩波形進(jìn)行整形，與所述比較器的輸出端及所述第一開關(guān)管的柵極相連。

可選的，所述電流產(chǎn)生模塊包括三極管組、開關(guān)管組、第三電阻以及溫度補(bǔ)償電阻；

其中，所述三極管組包括第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管；所述開關(guān)管組包括第三開關(guān)管、第四開關(guān)管及第五開關(guān)管；

所述第三電阻一端與所述開關(guān)管組的各個(gè)開關(guān)管的源極及所述電源輸入端相連、另一端與所述第一三極管的集電極，第一三極管、第二三極管共同的基極相連；所述第四開關(guān)管的漏極、所述第五開關(guān)管的漏極分別為所述充電電流輸出端及所述基準(zhǔn)電流輸出端；所述溫度補(bǔ)償電阻一端與所述第二三極管的發(fā)射極、第四三極管的集電極相連，另外一端接地。

可選的，所述整形模塊包括第一反相器、第二反相器、第三反相器及第四反相器；

其中，各個(gè)反相器串聯(lián)，且所述第一反相器的輸入端與所述比較器的輸出端、所述第二電阻和所述第二電容的共同端相連，所述第三反相器的輸出端與所述第一開關(guān)管的柵極相連，所述第四反相器的輸出端與所述第二開關(guān)管的柵極及所述rc振蕩器的輸出端相連。

可選的，所述第一反相器為施密特反相器。

可選的，所述比較器與ptat電源端相連，用于為所述比較器輸入偏置電流。

可選的，所述第一開關(guān)管為nmos管。

可選的，所述第二開關(guān)管為pmos管。

可選的，所述開關(guān)管組為pmos管組。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種dc-dc電源芯片，包括如前任意一項(xiàng)所述的rc振蕩器。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種rc振蕩器，包括比較器、包括充電電流輸出端及基準(zhǔn)電流輸出端的電流產(chǎn)生模塊、包括第二開關(guān)管、第二電阻和第二電容的電壓補(bǔ)償模塊及整形模塊。充電電流輸出端分別與比較器的反向端、第一電容的一端、第一開關(guān)管的漏極相連；基準(zhǔn)電流輸出端與比較器的正向端、第一電阻的一端相連；第一電容的另一端、第一開關(guān)管的源極、第一電阻的另一端接地；第二開關(guān)管的源極與電源輸入端相連，柵極同時(shí)與rc振蕩器的輸出端及與整形模塊相連，漏極與第二電阻的一端相連；第二電容的一端接地，另一端同時(shí)與第二電阻的另一端及比較器的輸出端相連；整形模塊與比較器的輸出端及第一開關(guān)管的柵極相連。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)在于，利用比較器的遲滯時(shí)間控制rc振蕩器的周期和占空比，即通過調(diào)節(jié)第一電阻、第一電容的值得到不同占空比的振蕩波形；通過加入的電壓補(bǔ)償模塊，大大的減小了由于電源電壓變化對比較器遲滯時(shí)間的影響，有效的避免了振蕩器頻率的變化，有利于提高rc振蕩器的精度；且該rc振蕩器整體電路結(jié)構(gòu)簡單、易于集成，有利于減少電路的生成成本以及用戶的使用成本。

在一種具體的實(shí)施方式中，通過在電流產(chǎn)生模塊中加入一個(gè)溫度補(bǔ)償電路，有效得抑制了rc振蕩器的振蕩頻率隨溫度的變化，進(jìn)一步提高了rc振蕩器的精度。

此外，本申請還針對rc振蕩器提供了一種硬件的應(yīng)用，即dc-dc電源芯片，進(jìn)一步使得所述rc振蕩器更具有實(shí)用性，所述dc-dc電源芯片具有相應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

為了更清楚的說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的現(xiàn)有技術(shù)中的rc振蕩器的一種結(jié)構(gòu)圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的rc振蕩器在一種具體實(shí)施方式下的結(jié)構(gòu)圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的rc振蕩器的電流產(chǎn)生模塊在一種具體實(shí)施方式下的結(jié)構(gòu)圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的rc振蕩器在另一種具體實(shí)施方式下的結(jié)構(gòu)圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的圖4中施密特反相器的一種具體實(shí)施方式下的結(jié)構(gòu)圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的溫度補(bǔ)償前后比較器正向端輸入電壓的變化曲線示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種仿真條件下rc振蕩器的振蕩波形示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種仿真條件下rc振蕩器的振蕩波形示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的rc振蕩器的振蕩頻率隨電源電壓變化的曲線示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的rc振蕩器的振蕩頻率隨溫度變化的曲線示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本申請的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”“第四”等是用于區(qū)別不同的對象，而不是用于描述特定的順序。此外術(shù)語“包括”和“具有”以及他們?nèi)魏巫冃?，意圖在于覆蓋不排他的包含。例如包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備沒有限定于已列出的步驟或單元，而是可包括沒有列出的步驟或單元。

首先請參見圖2，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的rc振蕩器在一種具體實(shí)施方式下的結(jié)構(gòu)圖，本發(fā)明實(shí)施例可包括以下內(nèi)容：

rc振蕩器可包括比較器101、第一電容c1、第一開關(guān)管m1、第一電阻r1、電流產(chǎn)生模塊102、電壓補(bǔ)償模塊103及整形模塊104。

比較器101具有正向端、反向端以及輸出端，用于通過利用比較器101的遲滯時(shí)間來控制rc振蕩器的周期和占空比，即通過調(diào)節(jié)第一電阻r1、第一電容c1的值得到不同占空比的振蕩波形。

比較器101還可與ptat電源端相連，用于為所述比較器輸入偏置電流。設(shè)計(jì)偏置電流為ptat電流，可有效避免電源輸入電壓vdd的影響。

電流產(chǎn)生模塊102包括充電電流輸出端及基準(zhǔn)電流輸出端，用于為rc振蕩器提供工作電流。

電壓補(bǔ)償模塊103包括第二開關(guān)管m2、第二電阻r2以及第二電容c2，用于為rc振蕩器提供電壓補(bǔ)償。

整形模塊104用于對比較器輸出的振蕩波形進(jìn)行整形。

整個(gè)rc振蕩器電路的連接關(guān)系可為：

充電電流輸出端分別與比較器101的反向端、第一電容c1的一端、第一開關(guān)管m1的漏極相連；基準(zhǔn)電流輸出端與比較器101的正向端、第一電阻r1的一端相連；第一電容c1的另一端、第一開關(guān)管m1的源極、第一電阻r1的另一端接地；第二開關(guān)管m2的源極與電源輸入端相連，柵極同時(shí)與rc振蕩器的輸出端及與整形模塊104相連，漏極與第二電阻r2的一端相連；第二電容c2的一端接地，另一端同時(shí)與第二電阻r2的另一端及比較器的輸出端相連；整形模塊104還與比較器101的輸出端以及第一開關(guān)管m1的柵極相連。

整個(gè)rc振蕩器電路的工作原理可為：

充電電流源對第一電容c1充電，當(dāng)?shù)谝浑娙輈1上的電壓達(dá)到比較器正向端輸入電壓時(shí)，比較器101翻轉(zhuǎn)打開第一開關(guān)管m1，第一電容c1放電，第一電容c1上的電壓下降到正向端輸入電壓以下，為了避免比較器101立即翻轉(zhuǎn)關(guān)斷第一開關(guān)管m1，不能得到所需的具有一定占空比的pwm波形。在比較器101輸出端增加一個(gè)電容c2來延長比較器101輸出端翻轉(zhuǎn)為高電平的遲滯時(shí)間(即電壓補(bǔ)償模塊)，使比較器101可以輸出一定的振蕩波形，經(jīng)過整形模塊的整形，可以得到一定占空比的振蕩波形。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，利用比較器的遲滯時(shí)間控制rc振蕩器的周期和占空比，即通過調(diào)節(jié)第一電阻、第一電容的值得到不同占空比的振蕩波形；通過加入的電壓補(bǔ)償模塊，大大的減小了由于電源電壓變化對比較器遲滯時(shí)間的影響，有效的避免了振蕩器頻率的變化，有利于提高rc振蕩器的精度；且該rc振蕩器整體電路結(jié)構(gòu)簡單、易于集成，有利于減少電路的生成成本以及用戶的使用成本。

可選的，在一些具體的實(shí)施方式中，請參閱圖3，所述電流產(chǎn)生模塊102可包括：

三極管組、開關(guān)管組、第三電阻r3以及溫度補(bǔ)償電阻r4；

其中，所述三極管組包括第一三極管k1、第二三極管k2、第三三極管k3、第四三極管k4；所述開關(guān)管組包括第三開關(guān)管m3、第四開關(guān)管m4及第五開關(guān)管m5；

所述第三電阻r3一端與所述開關(guān)管組的各個(gè)開關(guān)管的源極及所述電源輸入端相連、另一端與所述第一三極管k1的集電極，第一三極管k1、第二三極管k2共同的基極相連；所述第四開關(guān)管m4的漏極、所述第五開關(guān)管m5的漏極分別為所述充電電流輸出端及所述基準(zhǔn)電流輸出端；所述溫度補(bǔ)償電阻r4一端與所述第二三極管k2的發(fā)射極、第四三極管k4的集電極相連，另外一端接地。

三極管組以及開關(guān)組具體的連接關(guān)系可為：

電源電壓輸入端與第三電阻r3的一端，第三開關(guān)管m3、第四開關(guān)管m4、第五開關(guān)管m5的源極相連；第三電阻r3的另一端與第一三極管k1的集電極，第一三極管k1、第二三極管k2共同的基極連接；所述第一三極管k1、第二三極管k2的發(fā)射極分別與第三三極管k3、第四三極管k4的集電極連接；第三三極管k3、第四三極管k4共同的基極與第二三極管k2的發(fā)射極連接，同時(shí)第三三極管k3、第四三極管k4的發(fā)射極分別接地；第四電阻r4一端與第二三極管k2的發(fā)射極、第四三極管k4的集電極連接，另一端接地；第三開關(guān)管m3、第四開關(guān)管m4、第五開關(guān)管m5的柵極連接到一起；第三開關(guān)管m3的柵極和漏極相連，并與第二二極管k2的集電極相連。

考慮不將溫度補(bǔ)償電阻r4接入電路的情況，充電電流i1和基準(zhǔn)電流i2由wilson電流鏡產(chǎn)生，具體的表示為：

比較器101的正向端輸入電壓(基準(zhǔn)電壓)vp可為：

由于三極管的vbe受溫度的影響比較大，為負(fù)溫度特性變化，這種變化對rc振蕩器的充電電流i1和基準(zhǔn)電壓vp會有很大的影響，振蕩器的頻率也不能保持穩(wěn)定。在電路設(shè)計(jì)上增加一個(gè)溫度補(bǔ)償電阻r4，并聯(lián)到三極管上來補(bǔ)償vbe的溫度特性對電流的影響。并聯(lián)補(bǔ)償電阻后的基準(zhǔn)電流可為：

當(dāng)r1＝2r2時(shí)，上式可為：

從上式可以看出，基準(zhǔn)電壓vp的值由第三開關(guān)管m3、第四開關(guān)管m4的寬長比以及第一電阻r1與第三電阻r3的比值決定，與溫度的相關(guān)性大大減小，而且對工藝中的mosfet寬長比的相對誤差和電阻相對誤差都有很好的抑制，圖6是進(jìn)行溫度補(bǔ)償前后基準(zhǔn)電壓的電壓隨溫度變化的曲線?？梢?，通過加入溫度補(bǔ)償電阻，可有效得抑制了rc振蕩器的振蕩頻率隨溫度的變化，進(jìn)一步提高了rc振蕩器的精度。

可選的，請參閱圖4所示，整形模塊104可包括第一反相器、第二反相器、第三反相器及第四反相器；

其中，各個(gè)反相器串聯(lián)，且所述第一反相器的輸入端與所述比較器的輸出端、所述第二電阻和所述第二電容的共同端相連，所述第三反相器的輸出端與所述第一開關(guān)管的柵極相連，所述第四反相器的輸出端與所述第二開關(guān)管的柵極及所述rc振蕩器的輸出端相連。

所述第一反相器可為施密特反相器，當(dāng)然，也可為其他反相器。

通過上述整形模塊的電路結(jié)構(gòu)圖，可保持rc振蕩器的輸出的振蕩波形的相位不會翻轉(zhuǎn)180度，還有利于增加驅(qū)動能力。

在一種具體的實(shí)施方式中，當(dāng)整形模塊104中第一反相器為二值cmos施密特反相器，具體的結(jié)構(gòu)可如圖5所示，其翻轉(zhuǎn)電壓vh和vl與開關(guān)管的寬長比有關(guān)，當(dāng)?shù)诙_關(guān)管的寬長比相同，第一開關(guān)管的寬長比也相同時(shí)，可以得到：

vh＝(vdd+vthn)/2；

vh＝(vdd-|vthp|)/2。

由上式可以看出，vh和vl與電源輸入電壓vdd相關(guān)，整形電路的閾值變化會導(dǎo)致比較器101翻轉(zhuǎn)的遲滯時(shí)間變化，造成rc振蕩器的頻率隨電源輸入電壓vdd變化而變化，影響rc振蕩器的振蕩器頻率的主要是比較器101輸出由低電平翻轉(zhuǎn)成高電平的遲滯時(shí)間。

在電壓補(bǔ)償電路103中，電源輸入電壓vdd可以對第二電容c2充電。當(dāng)電源輸入電壓vdd變大時(shí)，施密特反相器的翻轉(zhuǎn)電壓vh變大，導(dǎo)致比較器101輸出翻轉(zhuǎn)成高電平的遲滯時(shí)間變長，但電源輸入電壓vdd通過第二開關(guān)管m2對第二電容c2充電電流也變大，使第二電容c2上的電壓上升更快，減小遲滯時(shí)間，形成負(fù)反饋。利用這種負(fù)反饋?zhàn)饔?，可以減小電源輸入電壓vdd對rc振蕩器的振蕩頻率的影響，有利于提高rc振蕩器的精度。

需要說明的是，第一開關(guān)管可為nmos管，第二開關(guān)管可為pmos管，開關(guān)管組中的三個(gè)開關(guān)管可全為pmos管。當(dāng)然，也可采用其他開關(guān)管，這均不影響本申請的實(shí)現(xiàn)。

在一種具體的實(shí)施方式中，rc振蕩器的周期可由四部分時(shí)間組成：第一電容c1充電到比較器正向端電壓vp的時(shí)間t1；比較器輸出從高電平向低電平跳變的遲滯時(shí)間t2；第一電容c1通過第一開關(guān)管m1放電使比較器101的負(fù)向端電壓vn降到與正向端電壓vp相等的時(shí)間t3；比較器輸出從低電平向高電平跳變的遲滯時(shí)間t4。

由于整形電路104的延時(shí)，可認(rèn)為工作過程中比較器101輸出使施密特反相器翻轉(zhuǎn)的閾值電平為vdd和0。

rc振蕩器周期為t＝t1+t2+t3+t4，主要由t1、t4組成，其中t2、t3與前幾項(xiàng)相比很小。

具體的，t1、t4可表示為：

當(dāng)時(shí)，則有：

t1＝c1r1；

負(fù)向端電壓vn電壓降到與正向端電壓vp電壓相等后，比較器101偏置電流對第二電容充電。第二開關(guān)管m2已經(jīng)開啟，vdd通過r2對第二電容c2充電，從0充電至vdd，平均充電電流近似為：

從低電平向高電平跳變的遲滯時(shí)間為：

t4＝vdd·c2/(ivdd+ibias)；

式中，iblas為比較器101輸入的偏置電流。

由上式可以得出：

通過選擇適當(dāng)?shù)牡谝浑娙輈1、第二電容c2以及偏置電流的值可以減小由于溫度引起的正溫度系數(shù)的第一電阻r1的變化導(dǎo)致的周期的變化，提高了振蕩器的精度；

選擇當(dāng)vdd變化時(shí)，可以忽略偏置電流的影響，認(rèn)為第二項(xiàng)分子與分母同時(shí)變化，可以減小vdd變化對周期的影響，穩(wěn)定振蕩頻率；

直接利用比較器101的遲滯時(shí)間控制振蕩器的周期和占空比，減小誤差，通過調(diào)節(jié)c1r1和c2r2的值可靈活設(shè)定振蕩器的占空比。

當(dāng)前dc-dc電源以其體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn)在便攜式電子設(shè)備中得到廣泛關(guān)注。一般的dc-dc電源都需要振蕩器來提供時(shí)鐘信號，并且振蕩器的頻率直接影響輸出電壓的紋波、變換器的效率。

鑒于此，本申請還針對rc振蕩器提供了一種硬件的應(yīng)用，即應(yīng)用于dc-dc電源芯片，進(jìn)一步使得所述rc振蕩器更具有實(shí)用性，所述dc-dc電源芯片具有相應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)。

dc-dc電源芯片，包括如前任意一個(gè)實(shí)施例所述的rc振蕩器。

dc-dc電源芯片可為降壓型的dc-dc電源芯片，當(dāng)然，也可為其他類型的dc-dc電源芯片。

為了本領(lǐng)域技術(shù)人員進(jìn)一步的理解本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案的原理以及思想，且為了驗(yàn)證本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案確實(shí)可提高rc振蕩器的精度，本申請還提供了另外一個(gè)實(shí)施例，具體如下：

在一種具體的實(shí)施方式中，將振蕩頻率為1.25mhz的rc振蕩器應(yīng)用于一款降壓型dc-dc電源芯片中。采用0.6μmbicmos工藝仿真調(diào)試。在25℃，vdd＝3.6v的情況下，圖7以及圖8所示為兩種條件下的仿真波形。

第一種條件(圖7)下振蕩波形的占空比約為60％，第二種條件(圖8)下振蕩波形的占空比約為90％?？梢娡ㄟ^調(diào)節(jié)c1r1和c2r2的值可靈活設(shè)定振蕩波形的占空比。

另外，圖9為在25℃，第一種仿真條件的情況下，2.5v-5v電源范圍內(nèi)時(shí)鐘頻率及其誤差。

從圖9可以看出，在2.5v-5v的電源電壓范圍內(nèi)，振蕩頻率的誤差控制在0.4％以內(nèi)。

圖10為在3.6v的電源電壓，第一種仿真條件的情況下，-20℃-80℃溫度范圍內(nèi)時(shí)鐘頻率及其誤差。

從圖10可以看出，在-20-85℃的溫度變化范圍內(nèi)，振蕩頻率的誤差在0.88％以內(nèi)。

由仿真結(jié)果可以看出，本申請?zhí)峁┑膔c振蕩器精度在寬電源電壓范圍、寬溫度變化范圍內(nèi)都可以在0.88％以內(nèi)，具有較高的精度，且電路實(shí)現(xiàn)上簡單了許多，當(dāng)其應(yīng)用于dc-dc電源芯片中，可有效減少芯片功耗，降低芯片成本。

專業(yè)人員還可以進(jìn)一步意識到，結(jié)合本文中所公開的實(shí)施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或者二者的結(jié)合來實(shí)現(xiàn)，為了清楚地說明硬件和軟件的可互換性，在上述說明中已經(jīng)按照功能一般性地描述了各示例的組成及步驟。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執(zhí)行，取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計(jì)約束條件。專業(yè)技術(shù)人員可以對每個(gè)特定的應(yīng)用來使用不同方法來實(shí)現(xiàn)所描述的功能，但是這種實(shí)現(xiàn)不應(yīng)認(rèn)為超出本發(fā)明的范圍。

以上對本發(fā)明所提供的一種rc振蕩器及dc-dc電源芯片進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。