本實用新型涉及X射線平板探測器裝置領域，特別是涉及一種增強平板探測器接地和EMI屏蔽效果的結構。

背景技術：

隨著微電子技術的不斷發(fā)展，基于TFT陣列裝置的X射線數(shù)字探測器的應用越來越廣泛?；赥FT的平板系統(tǒng)的電荷收集和讀出電子元件緊貼與X射線發(fā)生交互作用的材料層，使X光的探測器的結構緊湊，并能實時轉化為數(shù)字影像，因此X射線平板探測器廣泛應用于醫(yī)療成像，工業(yè)探傷和安檢等領域。

X射線平板探測器的成像過程需要經(jīng)歷X射線到可見光，然后電荷圖像到數(shù)字圖像的成像轉換過程，通常也被稱作間接轉換型平板探測器，是一種以非晶硅光電二極管陣列為核心的X射線影像探測器。

X射線平板探測器的應用領域廣，應用環(huán)境比較復雜，為了獲得高質量的圖像，必須保證探測器內部的PCB電路板具有良好的屏蔽和接地效果。對于電路板上的DCDC等敏感電路，其易受外界的干擾，目前采用屏蔽蓋對這些敏感電路進行屏蔽，但是，由于屏蔽蓋與電路板之間存在縫隙，因此在進行屏蔽時會出現(xiàn)屏蔽效果不佳的情況，從而引起探測器圖像上出現(xiàn)明顯的橫紋，影響探測器的圖像質量。

因此，提供一種增強平板探測器接地和EMI屏蔽效果的新型結構實屬必要。

技術實現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種增強平板探測器接地和EMI屏蔽效果的結構，用于解決現(xiàn)有技術中平板探測器接地和EMI屏蔽效果不佳的問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種增強平板探測器接地和EMI屏蔽效果的結構，所述結構至少包括：PCB板、槽體、屏蔽蓋、屏蔽夾子以及紫外導電膠；

所述槽體開設在所述PCB板上的待屏蔽模塊周圍，并且所述槽體與所述PCB板的地相連；

所述屏蔽夾子固定在所述槽體中；

所述屏蔽蓋通過所述屏蔽夾子覆蓋于所述槽體中，從而將所述待屏蔽模塊屏蔽；

所述紫外導電膠密封于所述屏蔽蓋與所述槽體之間。

作為本實用新型增強平板探測器接地和EMI屏蔽效果的結構的一種優(yōu)化的方案，所述槽體為U型槽。

作為本實用新型增強平板探測器接地和EMI屏蔽效果的結構的一種優(yōu)化的方案，所述待屏蔽模塊為電源管理模塊。

作為本實用新型增強平板探測器接地和EMI屏蔽效果的結構的一種優(yōu)化的方案，所述槽體的寬度范圍為1.0～1.5mm，深度范圍為0.5～1.0mm。

作為本實用新型增強平板探測器接地和EMI屏蔽效果的結構的一種優(yōu)化的方案，所述屏蔽夾子焊接在所述槽體中。

作為本實用新型增強平板探測器接地和EMI屏蔽效果的結構的一種優(yōu)化的方案，所述屏蔽夾子均勻分布在所述槽體中。

作為本實用新型增強平板探測器接地和EMI屏蔽效果的結構的一種優(yōu)化的方案，所述屏蔽夾子固定在所述槽體的側壁上。

如上所述，本實用新型的增強平板探測器接地和EMI屏蔽效果的結構，具有以下有益效果：

1、本實用新型結構中，利用PCB板上的槽體結構可以增強屏蔽蓋的接地效果和抵抗EMI的效果；

2、可以增強平板探測器對環(huán)境的適用能力，改善圖像的橫紋問題；

3、紫外導電膠在一定條件下可以加速凝固與溶解，有效提高生產(chǎn)效率，同時也有利于板子的維修。

附圖說明

圖1顯示為現(xiàn)有技術中的平板探測器整體結構示意圖。

圖2顯示為本實用新型平板探測器中具有增強接地和EMI屏蔽效果的結構示意圖。

圖3顯示為圖2中細節(jié)B的放大圖。

元件標號說明

1 高壓球管

2 X光接收器

3 電荷積分及轉換電路

4 ARM和FPGA處理模塊

5 數(shù)據(jù)傳輸模塊

6 PC工作站

7 電源管理模塊

71 PCB板

72 槽體

73 屏蔽蓋

74 屏蔽夾子

75 紫外導電膠

具體實施方式

以下由特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式，熟悉此技術的人士可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點及功效。

請參閱附圖。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士了解與閱讀，并非用以限定本實用新型可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本實用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本實用新型所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實用新型可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本實用新型可實施的范疇。

如圖1所示為現(xiàn)有平板探測器的結構示意圖。該結構的工作過程為：由高壓球管1產(chǎn)生的X光進入到X射線接收器2，被接收器上的閃爍體轉換為可見光，其中閃爍體置于TFT傳感器的表面，經(jīng)由TFT陣列傳感器將可見光轉化為電荷，電荷積分及轉換電3路將電荷信號經(jīng)過一系列的放大、ADC轉換等，將其轉化為數(shù)字信號，經(jīng)由ARM和FPGA處理模塊4，將數(shù)字信號轉化為數(shù)字圖像信號，并經(jīng)過拼接后通過數(shù)據(jù)傳輸模塊5，將數(shù)字圖像傳輸?shù)絇C工作站6中，其中傳輸包括無線和有線兩種模式，在平板探測器系統(tǒng)中由電源管理模塊7來管理整個系統(tǒng)的電源。

在平板探測器工作期間，所述電源管理模塊7中的DCDC，LDO等電源轉換電路，其不僅易受外界的干擾，同時對外輻射能量，會對圖像的質量產(chǎn)生影響，特別是橫紋問題。為了克服現(xiàn)有的X射線平板探測器在復雜環(huán)境中由于EMI和接地效果不良引起的圖像橫紋的問題，本發(fā)明提供了一種增強平板探測器接地和EMI屏蔽效果的結構。

如圖1～3所示，本實用新型提供一種增強平板探測器接地和EMI屏蔽效果的結構，所述結構至少包括：PCB板71、槽體72、屏蔽蓋73、屏蔽夾子74以及紫外導電膠75。

所述PCB板71上設置有一些敏感電路，其易受外界的干擾，技術人員需要對這些敏感電路進行屏蔽。這些需要進行屏蔽的敏感電路，在本實用新型中被稱為待屏蔽模塊。

具體地，在本實施例的平板探測器中，所述待屏蔽模塊為電源管理模塊。如圖2所示的虛線部分為需要加蓋屏蔽蓋73的位置。

所述槽體72開設在所述PCB板71上的待屏蔽模塊周圍，并且所述槽體72與所述PCB板71的地相連。具體操作過程為：首先在所述待屏蔽模塊外部的PCB板上預留出一部分空間，然后在PCB板上預留出的所述空間四周開一圈槽體72，并與所述PCB板71的地相連。

作為示例，所述槽體72優(yōu)選為U型槽。當然，在其他實施例中，所述槽體72也可以是V型槽或者其他合適形狀的槽體。本實施例中，如圖3所示，所述槽體72為U型槽，所述U型槽可以更好的和所述屏蔽蓋匹配密封。

作為示例，所述槽體72的寬度范圍為1.0～1.5mm。例如，所述槽體72的寬度可以為1mm、1.2mm、1.3mm或者1.4mm等等。本實施例中，所述槽體72的寬度為1.4mm。

作為示例，所述槽體72的深度范圍為0.5～1.0mm。例如，所述槽體72的深度可以為0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm或者1.0mm等等。本實施例中，所述槽體72的深度為0.8mm。

所述屏蔽夾子74固定在所述槽體72中。具體地，所述屏蔽夾子74通過焊接固定在所述槽體72中。所述屏蔽夾子74用于連接所述槽體72和屏蔽蓋73，便于所述屏蔽蓋73定位。

作為示例，所述屏蔽夾子74均勻分布在所述槽體72中，這樣可以更好的固定所述屏蔽蓋73，提升屏蔽效果。

作為示例，所述屏蔽夾子74固定在所述槽體72的側壁上。

所述屏蔽蓋73通過所述屏蔽夾子74覆蓋于所述槽體72中，從而將所述待屏蔽模塊屏蔽。本實施例中，所述屏蔽蓋73呈方形。

所述紫外導電膠75密封于所述屏蔽蓋73與所述槽體72之間，避免所述屏蔽蓋73與所述槽體72之間存在縫隙，進一步提升屏蔽效果。由于所述紫外導電膠75可以加速凝固，因此，生產(chǎn)效率較高。另外，所述紫外導電膠75還可以加速溶解，當PCB板遇到問題時，方便揭掉屏蔽蓋73進行返修。涂抹紫外導電膠75時可以采用點膠機作業(yè)，這樣有利于工程化導入

本實用新型通過新增槽體72，將屏蔽蓋73直接鑲嵌在槽體72中，并在槽體72中涂抹紫外導電膠75，紫外導電膠75可以將屏蔽蓋73縫隙填滿，增強了屏蔽蓋73的接地和抗EMI的效果

綜上所述，本實用新型提供一種增強平板探測器接地和EMI屏蔽效果的結構，所述結構至少包括：PCB板、槽體、屏蔽蓋、屏蔽夾子以及紫外導電膠；所述槽體開設在所述PCB板上的待屏蔽模塊周圍，并且所述槽體與所述PCB板的地相連；所述屏蔽夾子固定在所述槽體中；所述屏蔽蓋通過所述屏蔽夾子覆蓋于所述槽體中，從而將所述待屏蔽模塊屏蔽；所述紫外導電膠密封于所述屏蔽蓋與所述槽體之間。本實施例新型利用紫外導電膠和槽體結構，對探測器內部電路板敏感電路進行屏蔽，可以增強屏蔽蓋的接地效果和抵抗EMI的效果，從而提升探測器在復雜環(huán)境中的圖像質量。

所以，本實用新型有效克服了現(xiàn)有技術中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。

上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本實用新型的權利要求所涵蓋。